JPS62119446A - 結晶欠陥検査方法及びその検査装置 - Google Patents
結晶欠陥検査方法及びその検査装置Info
- Publication number
- JPS62119446A JPS62119446A JP60260503A JP26050385A JPS62119446A JP S62119446 A JPS62119446 A JP S62119446A JP 60260503 A JP60260503 A JP 60260503A JP 26050385 A JP26050385 A JP 26050385A JP S62119446 A JPS62119446 A JP S62119446A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は欠陥検査方法釜にその方法を実施する検査装置
に関するもので、非破壊手段に依り種々の欠陥、例えば
結晶内の不純物でデコレイトされていない転位２面状の
欠陥等の微小欠陥を該欠陥からの直接情報を画像化する
方法及び装置である。
に関するもので、非破壊手段に依り種々の欠陥、例えば
結晶内の不純物でデコレイトされていない転位２面状の
欠陥等の微小欠陥を該欠陥からの直接情報を画像化する
方法及び装置である。
従来よりウェハー等の結晶欠陥を検査する方法としてＸ
線回折法が行われてきた。これは被検査体に照射したＸ
線の回折又は透過光に依り乾板を感光し、結晶の内部欠
陥に反映した像を得るものであった。
線回折法が行われてきた。これは被検査体に照射したＸ
線の回折又は透過光に依り乾板を感光し、結晶の内部欠
陥に反映した像を得るものであった。
しかし、上記従来の方法では毎回乾板を現像しなければ
ならないばかりでなく、検査状態が現像後でないと判ら
ない為、検査を直接的且つ迅速にで＠ないといった問題
を有していた。
ならないばかりでなく、検査状態が現像後でないと判ら
ない為、検査を直接的且つ迅速にで＠ないといった問題
を有していた。
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、殊にウェハ
ー等人工結晶中に含まれている不純物の偏折像、転位及
び面状の欠陥等を直接的に検査することができる結晶欠
陥検査方法を提唱し、その方法を実施する装置を提供す
ることを目的とするものである。
ー等人工結晶中に含まれている不純物の偏折像、転位及
び面状の欠陥等を直接的に検査することができる結晶欠
陥検査方法を提唱し、その方法を実施する装置を提供す
ることを目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は結晶
の内部欠陥をＸ線回折法又は光散乱法により観察するも
のでろりセンサを用いて格子欠陥、高次組織等の観察を
行うようにし念。
の内部欠陥をＸ線回折法又は光散乱法により観察するも
のでろりセンサを用いて格子欠陥、高次組織等の観察を
行うようにし念。
本発明の結晶欠陥検査方法は、ビームを絞ったＸ線又は
レーザ光を試料に照射し、スリット状の回折像又は散乱
像等の情報を得、該スリット上の輝度（エネルギー量）
をホトダイオードアレイ。
レーザ光を試料に照射し、スリット状の回折像又は散乱
像等の情報を得、該スリット上の輝度（エネルギー量）
をホトダイオードアレイ。
ＣＣＤ又は撮像管等のセンサを用いて直接的又は螢光板
等の変換物質を介して間接的に電気信号に変換し、試料
の各部分からの情報を得、上記試料のビームに対する相
対位置を順次移動せしめ、上記各スリット状情報を合成
して試料全体の観察像を得るものである。
等の変換物質を介して間接的に電気信号に変換し、試料
の各部分からの情報を得、上記試料のビームに対する相
対位置を順次移動せしめ、上記各スリット状情報を合成
して試料全体の観察像を得るものである。
本発明を半導体微少欠陥像の合成を用いて第１図に従っ
て説明すると、半導体結晶のウエノ・−ａを該レーザ光
ｌと直交する方向（水平〕にセンサーの幅相当量移動し
ながら９０度方向（鉛直〕のスリット状散乱光１ａをＴ
Ｖ左カメラ又は−次元ホトダイオードアレーで採光し、
採集したスリット像を合成して結晶面の散乱像を得るも
のであり、このようにして得た欠陥像が第２図に示すよ
うな映象である。
て説明すると、半導体結晶のウエノ・−ａを該レーザ光
ｌと直交する方向（水平〕にセンサーの幅相当量移動し
ながら９０度方向（鉛直〕のスリット状散乱光１ａをＴ
Ｖ左カメラ又は−次元ホトダイオードアレーで採光し、
採集したスリット像を合成して結晶面の散乱像を得るも
のであり、このようにして得た欠陥像が第２図に示すよ
うな映象である。
以下、本発明の結晶欠陥検査方法を実施する検査装置の
一実施例を第３図に示すブロック線図に従って説明する
。符号３は基台に対して水平方向へ移動自在に枢設した
試料台であり、該試料台３はパルスモータ４に依り適宜
駆動伝達機構（図示せず〕を介して移動量を制御駆動せ
しめられると共に、リミットスイッチに依り最大移動量
を規制して成る。上記試料台３に載置したウェハーａ等
の半導体結晶試料には光学系６を介してレーザ光発射装
置７からのレーザ光ｌが上記ウニ／％−ａの端面から試
料台３の移動方向と直交するように照射され、上記該試
料台３上方鉛直位置に受光用ＴＶ右カメラが固設されて
いる。また、符号８はバー７ｆルコンピユータから成る
コントローラであり、該コントローラ８に対してフロッ
ピーディスク９．及び前記試料台３を駆動するパルスモ
ータ４が接続され、また画像入力装置１０にはモニタ受
像機１１と前記ＴＶ左カメラを接続して成る。
一実施例を第３図に示すブロック線図に従って説明する
。符号３は基台に対して水平方向へ移動自在に枢設した
試料台であり、該試料台３はパルスモータ４に依り適宜
駆動伝達機構（図示せず〕を介して移動量を制御駆動せ
しめられると共に、リミットスイッチに依り最大移動量
を規制して成る。上記試料台３に載置したウェハーａ等
の半導体結晶試料には光学系６を介してレーザ光発射装
置７からのレーザ光ｌが上記ウニ／％−ａの端面から試
料台３の移動方向と直交するように照射され、上記該試
料台３上方鉛直位置に受光用ＴＶ右カメラが固設されて
いる。また、符号８はバー７ｆルコンピユータから成る
コントローラであり、該コントローラ８に対してフロッ
ピーディスク９．及び前記試料台３を駆動するパルスモ
ータ４が接続され、また画像入力装置１０にはモニタ受
像機１１と前記ＴＶ左カメラを接続して成る。
上記構成に於いて試料台３は第４図に示す如く矢印入方
向に平行移動する移動台５に対してノくルスモータ４に
依り矢印Ｂ方向に回転駆動制御する回動変位機構を構成
することも可能である。
向に平行移動する移動台５に対してノくルスモータ４に
依り矢印Ｂ方向に回転駆動制御する回動変位機構を構成
することも可能である。
次に上記構成の具体的仕様について説明する。
試料ａ
対 象 透明（透光性）結晶
試料の厚さ ０．２〜数ｃＩｒＬ（試料の透明度に依り
異る） 分解能 数μｍ〜土数μｒｒＬ（ＴＶ左カメラ倍率に
依る〕 照 明 レーザー光（赤外〕 画像入力装置１０ フレームメモリ ２５６にバイト 入力信号 コンポジットビデオ信号試料台３ 移動方向 −次元 パルスモータ４最小回転角 ０４５度／１パルス試
料台最小移動量 ０．２５μｍ／ １パルスコン
トローラ８ メ モ リ ６４０ｋ バイ ト
画像入力は専用インターフェイスによる接続上記仕様の
装置で得た各サンプルは第５図に示す如く各複数（説明
図では３サンプル）のサンプルがフロッピーディスク９
の各フレームメモリに蓄積される。従って各フレームメ
モリには３倍の信号が入力されている為、これをモニタ
映像機１１に映像処理する場合には画像入力装置１０に
依り適宜定数を乗じて適正値に変換処理した画像を映像
化する。
異る） 分解能 数μｍ〜土数μｒｒＬ（ＴＶ左カメラ倍率に
依る〕 照 明 レーザー光（赤外〕 画像入力装置１０ フレームメモリ ２５６にバイト 入力信号 コンポジットビデオ信号試料台３ 移動方向 −次元 パルスモータ４最小回転角 ０４５度／１パルス試
料台最小移動量 ０．２５μｍ／ １パルスコン
トローラ８ メ モ リ ６４０ｋ バイ ト
画像入力は専用インターフェイスによる接続上記仕様の
装置で得た各サンプルは第５図に示す如く各複数（説明
図では３サンプル）のサンプルがフロッピーディスク９
の各フレームメモリに蓄積される。従って各フレームメ
モリには３倍の信号が入力されている為、これをモニタ
映像機１１に映像処理する場合には画像入力装置１０に
依り適宜定数を乗じて適正値に変換処理した画像を映像
化する。
本発明は上述の如く結晶の非破壊検査に於いて、毎回乾
板を現象する必要がないばかりでなく、検査作業中に検
査状態を直接的に確認しｒｌがら作業を進行することが
可能となる為、検査を能率的に行うことができる等の特
徴を有し、本発明実施後の実用的効果は極めて大きい。
板を現象する必要がないばかりでなく、検査作業中に検
査状態を直接的に確認しｒｌがら作業を進行することが
可能となる為、検査を能率的に行うことができる等の特
徴を有し、本発明実施後の実用的効果は極めて大きい。
第１図は本発明、結晶欠陥検査方法の原理の一例を示す
説明図、第２図はデータ処理して得られた本発明に依る
結晶欠陥のモコタ画像、第３図は本発明、結晶欠陥検査
装置の一実施例を示すブロック線図、第４図は同試料台
の他の実施例を示す斜視図、第５図は計測データ処理の
一実施例を示す説明図である。 １・・・レーザ光 ２・・・ＴＶ左カメラ・・
・試料台 ７川レ一ザ発射装置８・・・コン
トローラ ９°°・フロッピーディスク１０・・
・画像入力装置 １１・・・モニタ受像機ａ・・・
試料（ウエハーノ 以上 ま１７ 図面の海側内容に変更なし） 第３図 第５図 ｕｍ Ｏｐ 手続補正置方式 昭和６１年２月２８日 昭和６０年特許願第２６０５０３号 ２、発明の名称 結晶欠陥検査方法及びその検査装置 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 東京都新宿区西新宿７丁目７番３３号新銘ビル
５、補正命令の日付 昭和６１年２月２６日発送６
、補正の対象 図面 ７、補正の内容 別紙の通り、適正な第２図を
提出する。
説明図、第２図はデータ処理して得られた本発明に依る
結晶欠陥のモコタ画像、第３図は本発明、結晶欠陥検査
装置の一実施例を示すブロック線図、第４図は同試料台
の他の実施例を示す斜視図、第５図は計測データ処理の
一実施例を示す説明図である。 １・・・レーザ光 ２・・・ＴＶ左カメラ・・
・試料台 ７川レ一ザ発射装置８・・・コン
トローラ ９°°・フロッピーディスク１０・・
・画像入力装置 １１・・・モニタ受像機ａ・・・
試料（ウエハーノ 以上 ま１７ 図面の海側内容に変更なし） 第３図 第５図 ｕｍ Ｏｐ 手続補正置方式 昭和６１年２月２８日 昭和６０年特許願第２６０５０３号 ２、発明の名称 結晶欠陥検査方法及びその検査装置 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 東京都新宿区西新宿７丁目７番３３号新銘ビル
５、補正命令の日付 昭和６１年２月２６日発送６
、補正の対象 図面 ７、補正の内容 別紙の通り、適正な第２図を
提出する。
Claims (3)
- （１）ビームを絞つたＸ線又はレーザ光等の光束を試料
に照射し、スリット状の回折像又は散乱像等の情報を得
、該スリット上の輝度（エネルギー量）をホトダイオー
ドアレイ、ＣＣＤ又は撮像管等のセンサを用いて電気信
号に変換して試料の各部分からの情報を得、上記試料と
ビームとの相対位置を順次移動し、上記各スリット状の
情報を合成して試料の観察像を得ることを特徴とする結
晶欠陥検査方法。 - （２）適宜駆動装置に依り所定方向に所定量を制御駆動
し、被検査試料を載設担持する試料台と、該試料台に載
置した試料に対してＸ線又はレーザ光を照射する投光装
置と、上記試料による散乱光又は回折光又はＸ線を受光
し、電気信号に変換するセンサと、該センサからの入力
信号を合成すると共に上記試料台を移動制御するコント
ローラと、該コントローラに依つて合成された画像を画
像出力装置を介して映像表示するモニタ受像機とから成
ることを特徴とする結晶欠陥検査装置。 - （３）前記センサがその前号に螢光体等の適宜変換物質
を介在した間接検査構造に成ることを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載の結晶欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260503A JP2545209B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 結晶欠陥検査方法及びその検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260503A JP2545209B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 結晶欠陥検査方法及びその検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119446A true JPS62119446A (ja) | 1987-05-30 |
| JP2545209B2 JP2545209B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=17348868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60260503A Expired - Lifetime JP2545209B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 結晶欠陥検査方法及びその検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2545209B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01151243A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 欠陥分布測定法および装置 |
| JPH0545293A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-23 | Ratotsuku Syst Eng Kk | 光学的検査装置 |
| US5196716A (en) * | 1990-05-21 | 1993-03-23 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Method and apparatus for measuring internal defects for position and depth |
| US5651342A (en) * | 1995-06-22 | 1997-07-29 | Nissan Motor Co., Ltd. | Auxiliary air flow control system for internal combustion engines |
| JP2004150971A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Nitto Denko Corp | フィルムの検査方法および検査装置 |
| JP2007192716A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光散乱観察装置 |
| CN110320213A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-10-11 | 江苏斯米克电子科技有限公司 | 一种晶圆缺陷检测装置及其检测方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4966188A (ja) * | 1972-10-26 | 1974-06-26 | ||
| JPS49107285A (ja) * | 1973-01-29 | 1974-10-11 | ||
| JPS5444587A (en) * | 1977-09-14 | 1979-04-09 | Nec Corp | Flaw inspecting system of transparent objects |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60260503A patent/JP2545209B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4966188A (ja) * | 1972-10-26 | 1974-06-26 | ||
| JPS49107285A (ja) * | 1973-01-29 | 1974-10-11 | ||
| JPS5444587A (en) * | 1977-09-14 | 1979-04-09 | Nec Corp | Flaw inspecting system of transparent objects |
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| CN110320213A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-10-11 | 江苏斯米克电子科技有限公司 | 一种晶圆缺陷检测装置及其检测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2545209B2 (ja) | 1996-10-16 |
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