JPS62119418A - 焦電形赤外検出薄膜素子 - Google Patents
焦電形赤外検出薄膜素子Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は赤外線を利用して温度計測、地球資源観測、気
象観測、公害観測、防犯・防災監視、交通関係、熱管理
工程の監視計測を行う集光レンズ付の焦電形赤外検出薄
膜素子に関するものである。
象観測、公害観測、防犯・防災監視、交通関係、熱管理
工程の監視計測を行う集光レンズ付の焦電形赤外検出薄
膜素子に関するものである。
従来の技術
集光レンズに直接赤外検出素子を密着し集光効率を高く
して赤外検出性能を改善した赤外検出器トシて、イマー
ジョンレンズ付す−ミスタ形赤外検出器がある。（電子
技術総合研究所調査報告第１７７号ＰＰ６５〜６６） 第２図にその例を示す。同図（ａ）は側面図、（ｂ）は
底面図である。イマージョン形ゲルマニウムレンズ１２
にサーミスタ素子１１が密着している。
して赤外検出性能を改善した赤外検出器トシて、イマー
ジョンレンズ付す−ミスタ形赤外検出器がある。（電子
技術総合研究所調査報告第１７７号ＰＰ６５〜６６） 第２図にその例を示す。同図（ａ）は側面図、（ｂ）は
底面図である。イマージョン形ゲルマニウムレンズ１２
にサーミスタ素子１１が密着している。
１３．１４は信号取り出しのための電極である。
１５．１６は各々信号取り出しのためのリード線である
。
。
このサーミスタ形赤外検出素子は、温度による抵抗変化
により赤外の熱吸収を検知するもので、一般的にはサー
ミスタ素子１１の側端からリード線１５．１６を取り出
す構造になっている。
により赤外の熱吸収を検知するもので、一般的にはサー
ミスタ素子１１の側端からリード線１５．１６を取り出
す構造になっている。
ゴマ−ジョン形ゲルマニウムレンズ１２側に入射した赤
外光はレンズ１２で集光されてサーミス夕素子１１に入
射する。サーミスタ素子１１は入射赤外光により温度が
上昇しその抵抗値が低下するので、リード線１５．１６
を介して流れる電流は大きくなる。この抵抗変化量によ
り入射赤外光を量的に検知し、各種測定を行うものであ
る。
外光はレンズ１２で集光されてサーミス夕素子１１に入
射する。サーミスタ素子１１は入射赤外光により温度が
上昇しその抵抗値が低下するので、リード線１５．１６
を介して流れる電流は大きくなる。この抵抗変化量によ
り入射赤外光を量的に検知し、各種測定を行うものであ
る。
一方、本出願人は先にサーミスタ素子以上の高感度を目
的として、第３図（ａ）（ｂｌに示すような集光レンズ
接着赤外検出素子を出願した。（特願昭６０−８３７６
４号）図において、１は両面に電極３，４を形成した焦
電素子で、一方の電極側、たとえば電極４側を半球状の
ゲルマニウムレンズ２に接着させる。リード線取り出し
部は第４図（ｂ）に示すように有効受光面から少し出張
った部分にｋｌ蒸着膜Ｓを形成し、超音波ボンダーでリ
ード線６．７を接続する。
的として、第３図（ａ）（ｂｌに示すような集光レンズ
接着赤外検出素子を出願した。（特願昭６０−８３７６
４号）図において、１は両面に電極３，４を形成した焦
電素子で、一方の電極側、たとえば電極４側を半球状の
ゲルマニウムレンズ２に接着させる。リード線取り出し
部は第４図（ｂ）に示すように有効受光面から少し出張
った部分にｋｌ蒸着膜Ｓを形成し、超音波ボンダーでリ
ード線６．７を接続する。
入射した赤外線は集光レンズ２で集光されて焦電素子１
に入射する。焦電素子は入射した赤外線に応じて焦電気
を発生し、信号取り出し電極３より取り出される。
に入射する。焦電素子は入射した赤外線に応じて焦電気
を発生し、信号取り出し電極３より取り出される。
発明が解決しようとする問題点
サーミスタ形赤外検出器は赤外線に対する感度が劣るの
で、焦電形赤外検出素子を使うことが望ましい。この焦
電形赤外検出素子は高感度を達成するためには小型、薄
板化が望まれ、例えば直径０．３鵡、厚さ１０μｍ程度
の実績があるが、このように小型、薄板化されると取扱
いが非常に困難になり、製造の歩留りが大変悪い。すな
わち性能の観点からは、更に薄く、微少化することが望
ましいが、歩留りの観点からは大きく丈夫にすることが
望まれ、互いに相反する問題点を有している。
で、焦電形赤外検出素子を使うことが望ましい。この焦
電形赤外検出素子は高感度を達成するためには小型、薄
板化が望まれ、例えば直径０．３鵡、厚さ１０μｍ程度
の実績があるが、このように小型、薄板化されると取扱
いが非常に困難になり、製造の歩留りが大変悪い。すな
わち性能の観点からは、更に薄く、微少化することが望
ましいが、歩留りの観点からは大きく丈夫にすることが
望まれ、互いに相反する問題点を有している。
本発明は上記の相反する問題点を解決し、赤外検出感度
が大きく、かつ取扱いも容易で製造の歩上記問題点を解
決するために１本発明は有効受光面より大きな蒸着基板
に焦電形蒸着膜を蒸着し有効受光部の蒸着基板をエツチ
ング処理により除去して微小、薄膜状の焦電素子を形成
し、しかも比較的厚く、大きく機械的に強い蒸着基板番
こよって薄膜を支え、この焦電素子を赤外集光レンズに
直接接着するようにした焦電形赤外検出薄膜素子である
。
が大きく、かつ取扱いも容易で製造の歩上記問題点を解
決するために１本発明は有効受光面より大きな蒸着基板
に焦電形蒸着膜を蒸着し有効受光部の蒸着基板をエツチ
ング処理により除去して微小、薄膜状の焦電素子を形成
し、しかも比較的厚く、大きく機械的に強い蒸着基板番
こよって薄膜を支え、この焦電素子を赤外集光レンズに
直接接着するようにした焦電形赤外検出薄膜素子である
。
作 用
上記構成によれば、赤外検出素子あ有効受光面は斯く薄
く、赤外検出感度（Ｓ／Ｎ）向上に寄与している。一方
、残りの部分は十分厚いので、素子全体の機械的強度は
比較的強く、しかも集光レンズに直接接着されているの
で十分な強度を有することｌこなる。機械的強度の小さ
い有効受光部は素子の中央部に位置し、周辺の厚い部分
で機械的に補強されるわけである。この厚い部分に信号
取出しのり一ド線が接続されるので素子が破損すること
なく、高い歩留りで素子の組上げが可能になる。
く、赤外検出感度（Ｓ／Ｎ）向上に寄与している。一方
、残りの部分は十分厚いので、素子全体の機械的強度は
比較的強く、しかも集光レンズに直接接着されているの
で十分な強度を有することｌこなる。機械的強度の小さ
い有効受光部は素子の中央部に位置し、周辺の厚い部分
で機械的に補強されるわけである。この厚い部分に信号
取出しのり一ド線が接続されるので素子が破損すること
なく、高い歩留りで素子の組上げが可能になる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面とともに詳細に説明
する。第１図に本発明ζこよる焦電形赤外検出薄膜素子
を示す。同図（ａｌは斜視図、同図（Ｉ））は同図（ａ
）のＡ−Ａ′線断面図である。図において１は焦電形赤
外検出素子で、赤外集光レンズ２上に接着される。集電
形赤外検出素子についての詳細は後述する。３は焦電形
赤外検出素子１の一方の面に形成された信号取出電極で
、信号取出リード約５が接続されている。焦電形赤外検
出素子１の他面にはアース取出電極が設けられ、アース
取出補助電極７を介してアース取出リード約４が接続さ
れている。６は赤外集光レンズ２に形成された反射防止
膜である。
する。第１図に本発明ζこよる焦電形赤外検出薄膜素子
を示す。同図（ａｌは斜視図、同図（Ｉ））は同図（ａ
）のＡ−Ａ′線断面図である。図において１は焦電形赤
外検出素子で、赤外集光レンズ２上に接着される。集電
形赤外検出素子についての詳細は後述する。３は焦電形
赤外検出素子１の一方の面に形成された信号取出電極で
、信号取出リード約５が接続されている。焦電形赤外検
出素子１の他面にはアース取出電極が設けられ、アース
取出補助電極７を介してアース取出リード約４が接続さ
れている。６は赤外集光レンズ２に形成された反射防止
膜である。
焦電形赤外検出素子１は同図（１））に示すように、Ｍ
ｇＯ基板１２上にＰＴＯ膜１１を形成し、Ｐ７０膜１１
の両面に信号取出し電極３とアース取出電極１３が形成
される。これは例えば以下のようにして製作される。Ｍ
ｇＯ基板１２はＭｇＯの単結晶で形成され、これを蒸着
基板とする。このＭ ｇ Ｏ基板１２の被蒸着面は鏡面
研磨されている。基板寸法は１鵡四方である。この単結
晶基板１２に通常のスパッタ蒸着でＰＴＯ単結晶の蒸着
膜１１を形成する。蒸着条件についてはイイジマ他によ
る「プロシーデインダス・オブ・ザ・セカンド・センサ
ー・シンポジウム １９８３年」 （Ｋ、 Ｉｉｊｉｍａ ｅｔ ａｌ、、 Ａ Ｐｙｒｏ
ｃｌｅｃｔｒｉｃ ＩｎｆｒａｒｅｄＤｅｔｅｃｔｏｒ
Ｍａｄｅ ｏｆ Ｃ−Ａｘｉｓ ０ｒｉｅｎｔｅ
ｄ ＰｂＴｉ０３Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ、 Ｐｒｏｃ
ｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｔｈｅ ２ｎｄ Ｓｅｎｓｏ
ｒＳｙｍｐｏｓｉｕｍ、 １９８３ ｐ、ｐ、 〜）に
記述されたとおりである。ＰＴＯ蒸着膜１１は２μｍの
厚さとし、ＭｇＯ基板１２のほぼ全面に蒸着した。次に
、リン酸にてＭｇＯ基板１２の中央部を有効受光面（直
径０．３ｍグ）より若干大きめの（直径０．４ｓｍｙＩ
）に、エツチングして、除去する。ＭｇＯ基板１２の厚
さは０．２ ｗｎであり、直径０．４ｍｍの円の縁部は
傾斜してエツチングされるので、ＰＴＯ蒸着膜１１に接
する面では直径約０．３ｗｂｌとなる。即ち焦電形赤外
検出素子１は中央部が、直径約０．：ｌｓＯ、厚さが２
μｍのＰＴＯ膜１１だけになる。
ｇＯ基板１２上にＰＴＯ膜１１を形成し、Ｐ７０膜１１
の両面に信号取出し電極３とアース取出電極１３が形成
される。これは例えば以下のようにして製作される。Ｍ
ｇＯ基板１２はＭｇＯの単結晶で形成され、これを蒸着
基板とする。このＭ ｇ Ｏ基板１２の被蒸着面は鏡面
研磨されている。基板寸法は１鵡四方である。この単結
晶基板１２に通常のスパッタ蒸着でＰＴＯ単結晶の蒸着
膜１１を形成する。蒸着条件についてはイイジマ他によ
る「プロシーデインダス・オブ・ザ・セカンド・センサ
ー・シンポジウム １９８３年」 （Ｋ、 Ｉｉｊｉｍａ ｅｔ ａｌ、、 Ａ Ｐｙｒｏ
ｃｌｅｃｔｒｉｃ ＩｎｆｒａｒｅｄＤｅｔｅｃｔｏｒ
Ｍａｄｅ ｏｆ Ｃ−Ａｘｉｓ ０ｒｉｅｎｔｅ
ｄ ＰｂＴｉ０３Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ、 Ｐｒｏｃ
ｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｔｈｅ ２ｎｄ Ｓｅｎｓｏ
ｒＳｙｍｐｏｓｉｕｍ、 １９８３ ｐ、ｐ、 〜）に
記述されたとおりである。ＰＴＯ蒸着膜１１は２μｍの
厚さとし、ＭｇＯ基板１２のほぼ全面に蒸着した。次に
、リン酸にてＭｇＯ基板１２の中央部を有効受光面（直
径０．３ｍグ）より若干大きめの（直径０．４ｓｍｙＩ
）に、エツチングして、除去する。ＭｇＯ基板１２の厚
さは０．２ ｗｎであり、直径０．４ｍｍの円の縁部は
傾斜してエツチングされるので、ＰＴＯ蒸着膜１１に接
する面では直径約０．３ｗｂｌとなる。即ち焦電形赤外
検出素子１は中央部が、直径約０．：ｌｓＯ、厚さが２
μｍのＰＴＯ膜１１だけになる。
次に、エツチングによって現われた直径０．：ｌｓｍの
ＰＴＯ膜１膜面１面号取出し電極３としてニクロムを蒸
着する。厚さはシート抵抗で、約４００−一とする。第
１図に示すようにＰＴＯ蒸着膜１１の直径０．：ｌｓＯ
の中央部から周辺（対角方向）に向けて巾０．１ｍのニ
クロム蒸着膜をほどこし、更にこの蒸着膜上へＡＡ蒸着
膜（厚さ１μｍ）を重ねる。
ＰＴＯ膜１膜面１面号取出し電極３としてニクロムを蒸
着する。厚さはシート抵抗で、約４００−一とする。第
１図に示すようにＰＴＯ蒸着膜１１の直径０．：ｌｓＯ
の中央部から周辺（対角方向）に向けて巾０．１ｍのニ
クロム蒸着膜をほどこし、更にこの蒸着膜上へＡＡ蒸着
膜（厚さ１μｍ）を重ねる。
以上で、信号取出電極３が形成される。
アース取出電極１３は、赤外集光レンズ２に接する面に
形成し、赤外入射側とする。アース取出電極１３も信号
取出し電極３と同様にＰＴＯ蒸着膜１１の反対側の中央
部（０，３ｓＯ）にニクロム電柱を蒸着する。厚さは、
シート抵抗で約３５０Ω−一とする。また巾０．１鵬で
、信号取出し電極３とは。
形成し、赤外入射側とする。アース取出電極１３も信号
取出し電極３と同様にＰＴＯ蒸着膜１１の反対側の中央
部（０，３ｓＯ）にニクロム電柱を蒸着する。厚さは、
シート抵抗で約３５０Ω−一とする。また巾０．１鵬で
、信号取出し電極３とは。
反対の対角方向へ周辺に向けてニクロム電極を蒸着する
。以上で、アース取出電極１３が形成される。
。以上で、アース取出電極１３が形成される。
両面とも電極が蒸着された焦電形赤外検出素子を、直径
、３ａｓ、厚さ２鵡の片凸ゲルマニウムレンズ２の平面
に導電性接着剤と絶縁性接着剤で接着する。ゲルマニウ
ムレンズ２の凸面は、Ｒ＝２．５鵬とし、凸面及び平面
とも中心波長１０１Ｘｎの反射防止膜６を蒸着しておく
。反射防止膜６は硫化亜鉛粉末を真空中で蒸発させ、厚
さは１ｏ／４ｎμｍ（ｎは硫化亜鉛の屈折率で、約２．
２である。）とすればよい。
、３ａｓ、厚さ２鵡の片凸ゲルマニウムレンズ２の平面
に導電性接着剤と絶縁性接着剤で接着する。ゲルマニウ
ムレンズ２の凸面は、Ｒ＝２．５鵬とし、凸面及び平面
とも中心波長１０１Ｘｎの反射防止膜６を蒸着しておく
。反射防止膜６は硫化亜鉛粉末を真空中で蒸発させ、厚
さは１ｏ／４ｎμｍ（ｎは硫化亜鉛の屈折率で、約２．
２である。）とすればよい。
焦電形赤外検出素子１がマウントされる赤外集光レンズ
２の平面には第１図（ａ）に示すようにＡｌ蒸着膜を焦
電形赤外検出素子のアース電極端部に重なる位置からレ
ンズ周辺に向けて巾０．３ｍで蒸着し、アース取出し補
助電極７とする。厚さは、１〜３μｍとする。
２の平面には第１図（ａ）に示すようにＡｌ蒸着膜を焦
電形赤外検出素子のアース電極端部に重なる位置からレ
ンズ周辺に向けて巾０．３ｍで蒸着し、アース取出し補
助電極７とする。厚さは、１〜３μｍとする。
このアース取出し補助電極７と焦電形赤外検出素子１の
アース取出電極１３の重なる部分は導電性接着剤（エポ
キシテクノロジー社製のエポテックＨ−２０Ｅなど）で
接着し、他の部分は絶縁性接着剤（同社製のエポテック
Ｈ−５４など）で接着する。
アース取出電極１３の重なる部分は導電性接着剤（エポ
キシテクノロジー社製のエポテックＨ−２０Ｅなど）で
接着し、他の部分は絶縁性接着剤（同社製のエポテック
Ｈ−５４など）で接着する。
次に、Ａｕ又はＡｌの微細線（直径３０μｍ）を超音波
ボンディング技術により、アース取出補助電極７に付け
、アース取出しリード４とし、信号取出電極３にも同様
の方法で接続し、信号取出しリード５とする。以上で、
集光レンズ付焦電形赤外検出素子が出来上る。
ボンディング技術により、アース取出補助電極７に付け
、アース取出しリード４とし、信号取出電極３にも同様
の方法で接続し、信号取出しリード５とする。以上で、
集光レンズ付焦電形赤外検出素子が出来上る。
ＰＴＯ蒸着膜１１の分極処理は、単結晶蒸着膜について
は、すてに蒸着したままの状態で分極されているので必
要ない。
は、すてに蒸着したままの状態で分極されているので必
要ない。
本実施例による集光レンズ付焦電形赤外検出薄嘆素子は
赤外比検出能３ Ｘ １０８ｃｍ Ｈ７′２／Ｗ （チ
ョッピング周波数１６０Ｈｚ）の高速応答高感度特性を
有し、歩留６０％を達成した。この歩留は特開昭６０−
８３７６４号公報に示された従来の焦電形赤外検出素子
の歩留実績３０チを大巾に上まわっている。
赤外比検出能３ Ｘ １０８ｃｍ Ｈ７′２／Ｗ （チ
ョッピング周波数１６０Ｈｚ）の高速応答高感度特性を
有し、歩留６０％を達成した。この歩留は特開昭６０−
８３７６４号公報に示された従来の焦電形赤外検出素子
の歩留実績３０チを大巾に上まわっている。
赤外検出感度特性については、直径０．３ｍｍ、厚さ１
０μｍの従来の最薄の素子に比較してＳハが約８０チ向
上した。これは、素子厚さが２μｍと１１５になり、ノ
イズが大略１／ｊ「 に低減する効果と層えられる。
０μｍの従来の最薄の素子に比較してＳハが約８０チ向
上した。これは、素子厚さが２μｍと１１５になり、ノ
イズが大略１／ｊ「 に低減する効果と層えられる。
つぎに、ＭｇＯ基板１２にＰＴＯ膜１１をスパッタ蒸着
する前に、ＭｇＯ基板１２とＰＴＯ膜１２の間に白金（
Ｐｔ）単結晶膜を先にスパッタ蒸着する実施例について
説明する。白金単結晶膜の蒸着条件は前述した文献に記
述された通りである。
する前に、ＭｇＯ基板１２とＰＴＯ膜１２の間に白金（
Ｐｔ）単結晶膜を先にスパッタ蒸着する実施例について
説明する。白金単結晶膜の蒸着条件は前述した文献に記
述された通りである。
このＰｔ膜厚は０．１μｍとする。次に、ＰｔＯ膜上に
ｐ’ｒｏ単結晶膜１２を蒸着する。Ｐｔ膜はＭｇＯ基板
１１全面に蒸着するのでなく面内で蒸着し、端部には及
ばないようにする。ＰＴＯ膜１１はＭｇＯ基板１２上に
ほぼ全面に蒸着しｐ’ｒｏ膜１１がｐｔ膜を全ておおい
かくずようにする。
ｐ’ｒｏ単結晶膜１２を蒸着する。Ｐｔ膜はＭｇＯ基板
１１全面に蒸着するのでなく面内で蒸着し、端部には及
ばないようにする。ＰＴＯ膜１１はＭｇＯ基板１２上に
ほぼ全面に蒸着しｐ’ｒｏ膜１１がｐｔ膜を全ておおい
かくずようにする。
ＭｇＯ基板１２は中央部０．１ｓＯの大きさでエツチン
グにて除去する。本実施例ではＰｔ膜が間に介在して、
エツチング処理の時のエツチング液からＰＴＯ膜１１を
保護するので、エツチング処理が比較的容易である。
グにて除去する。本実施例ではＰｔ膜が間に介在して、
エツチング処理の時のエツチング液からＰＴＯ膜１１を
保護するので、エツチング処理が比較的容易である。
アース取出電極は、すてにＰｔ膜が蒸着されているので
、０．１鵡巾のＡｌ蒸着膜を中心部から素子の対角方向
へ周辺まで蒸着すればよい。
、０．１鵡巾のＡｌ蒸着膜を中心部から素子の対角方向
へ周辺まで蒸着すればよい。
信号取出し電極３の形成および赤外集光レンズ２へのマ
ウント手順は前述の実施例と同一である。
ウント手順は前述の実施例と同一である。
この実施例は、歩留りが７０％に向上した。すなわち、
エツチングが容易になった分だけ向上している。−万券
外検出感度特性については前述の実施例と同様の効果が
得られた。
エツチングが容易になった分だけ向上している。−万券
外検出感度特性については前述の実施例と同様の効果が
得られた。
発明の効果
以上のようｔこ、本発明は有効受光面より大きな蒸着基
板に焦電材料膜を蒸着し、有効受光面に対応する部分の
蒸着基板を除去した後電極を形成した焦電形赤外検出素
子を赤外集光レンズに直接するようにした焦電形赤外検
出薄膜素子で、赤外噴出感度が大きく、製造の歩留りの
高い焦電形赤外検出素子を得ることができる。
板に焦電材料膜を蒸着し、有効受光面に対応する部分の
蒸着基板を除去した後電極を形成した焦電形赤外検出素
子を赤外集光レンズに直接するようにした焦電形赤外検
出薄膜素子で、赤外噴出感度が大きく、製造の歩留りの
高い焦電形赤外検出素子を得ることができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は、本発明による焦電形赤外
検出薄膜素子の斜視図及び断面図、第２図（ａ）、 （
ｂ）および第３図（ａ） 、 （ｂｌは各々従来の赤外
検出素子の断面側面図及び平面図である。 １・・・焦電形赤外検出素子、２・・・赤外集光レンズ
、°３・・・信号取出電極、１１・・・ＰＴＯ蒸着膜、
１２・・・ＭｇＯ基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第１
図 第２図
検出薄膜素子の斜視図及び断面図、第２図（ａ）、 （
ｂ）および第３図（ａ） 、 （ｂｌは各々従来の赤外
検出素子の断面側面図及び平面図である。 １・・・焦電形赤外検出素子、２・・・赤外集光レンズ
、°３・・・信号取出電極、１１・・・ＰＴＯ蒸着膜、
１２・・・ＭｇＯ基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第１
図 第２図
Claims (3)
- （１）蒸着基板上に焦電薄膜を蒸着し、前記蒸気基板の
有効受光面に対応する部分を除去し、前記焦電薄膜の有
効受光面に対応する両側の面に信号取出電極およびアー
ス取出電極を形成し、前記アース取出電極側を赤外集光
レンズに接着したことを特徴とする焦電形赤外検出薄膜
素子。 - （２）蒸着基板上に白金単結晶膜が形成され、その上に
焦電薄膜が形成された特許請求の範囲第１項記載の焦電
形赤外検出薄膜素子。 - （３）蒸着基板が酸化マグネシウム単結晶、焦電薄膜が
チタン酸鉛単結晶である特許請求の範囲第１項記載の焦
電形赤外検出薄膜素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260031A JPS62119418A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電形赤外検出薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260031A JPS62119418A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電形赤外検出薄膜素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119418A true JPS62119418A (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=17342340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60260031A Pending JPS62119418A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電形赤外検出薄膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5558905A (en) * | 1994-03-08 | 1996-09-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making a pyroelectric film sensing device |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60260031A patent/JPS62119418A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5558905A (en) * | 1994-03-08 | 1996-09-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making a pyroelectric film sensing device |
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