JPS6211284A - イオンレ−ザ管 - Google Patents
イオンレ−ザ管Info
- Publication number
- JPS6211284A JPS6211284A JP15039285A JP15039285A JPS6211284A JP S6211284 A JPS6211284 A JP S6211284A JP 15039285 A JP15039285 A JP 15039285A JP 15039285 A JP15039285 A JP 15039285A JP S6211284 A JPS6211284 A JP S6211284A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disks
- pipe
- ceramic
- disk
- brewster
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はガスレーザ管に係わり、より具体的には大電流
により高出力のレーザ出力を放出するアルゴン、クリプ
トンなどのガスを用いたイオンレーザ管の構造に関する
ものである。
により高出力のレーザ出力を放出するアルゴン、クリプ
トンなどのガスを用いたイオンレーザ管の構造に関する
ものである。
周知の如く、アルゴン、クリプトンなどのイオン化した
ガスのエネルギー遷移により１−−ザ発振を行なうイオ
ンレーザは高出力化のためにイオン密度を上げる必要が
あり、これを達成するために。
ガスのエネルギー遷移により１−−ザ発振を行なうイオ
ンレーザは高出力化のためにイオン密度を上げる必要が
あり、これを達成するために。
内径１〜３簡の細管にＩＯＡを越える大電流を流す必要
がある。このような大電流に耐える細管材料、構造は耐
熱性、熱放射性等の面から、種々の制約がある。
がある。このような大電流に耐える細管材料、構造は耐
熱性、熱放射性等の面から、種々の制約がある。
従来、この細管材料、構造として、いくつかの方法が用
いられており１代表的なものは、中央に細管用の穴を持
つグラファイトディスクを絶縁物を介して並べ、これを
石英管の中に収納した構造を持つもので、細管の冷却は
ディスクの熱福射を石英管の外から水で吸収する方法を
とる。また他の代表例はＢｅＯセラミックの細管を用い
る方法で、冷却し、ＢｅＯの高い熱伝導性を利用する。
いられており１代表的なものは、中央に細管用の穴を持
つグラファイトディスクを絶縁物を介して並べ、これを
石英管の中に収納した構造を持つもので、細管の冷却は
ディスクの熱福射を石英管の外から水で吸収する方法を
とる。また他の代表例はＢｅＯセラミックの細管を用い
る方法で、冷却し、ＢｅＯの高い熱伝導性を利用する。
最近、米国特許第４３７８６００号明細書に開示された
方法は、アルミナセラミックパイプ内にタングステンデ
ィスクをカップ状の銅板を介してろう付した細管構造で
ある。
方法は、アルミナセラミックパイプ内にタングステンデ
ィスクをカップ状の銅板を介してろう付した細管構造で
ある。
しかし、グラファイト細管は使用中に粉末が出やすく、
これがブルースタ窓に付着してレーザの出力を減少させ
ることがあり、特に輸送上に制約があるなどの欠点があ
った。ＢｅＯセラミック細管は毒性のあるＢｅを用いて
いるため、供給源が限られてきて２す、極めて高価であ
るばかりでなく、細長い管を内径の精度と伸直度を守っ
て製造することも難かしい。
これがブルースタ窓に付着してレーザの出力を減少させ
ることがあり、特に輸送上に制約があるなどの欠点があ
った。ＢｅＯセラミック細管は毒性のあるＢｅを用いて
いるため、供給源が限られてきて２す、極めて高価であ
るばかりでなく、細長い管を内径の精度と伸直度を守っ
て製造することも難かしい。
アルミナセラミックパイプ内にカップ状の銅板を介して
タングステンディスクをろう付する方法は、上記２種の
欠点を解消しているが、ディスクの厚さがうすく、全長
に対する細管の専有率が近いため、従来のレーザ管に比
べ、発振効率が３割程度低いという重大な欠点がある。
タングステンディスクをろう付する方法は、上記２種の
欠点を解消しているが、ディスクの厚さがうすく、全長
に対する細管の専有率が近いため、従来のレーザ管に比
べ、発振効率が３割程度低いという重大な欠点がある。
また、アルミナセラミックパイプは長尺のものは、内径
の精度が悪く、かつ伸直度が悪く、タングステンディス
クの中心に設けられた１〜３ｆｉの細管用の穴を一列に
伸直度よく配列するためには、カップ状銅板を介してア
ライメントをないつつろう付しなけれならず、さらにア
ルミナセラミックパイプの内面をメタライズすることな
（ろう付するためには特殊なろう材を用いねばならない
という欠点があった。
の精度が悪く、かつ伸直度が悪く、タングステンディス
クの中心に設けられた１〜３ｆｉの細管用の穴を一列に
伸直度よく配列するためには、カップ状銅板を介してア
ライメントをないつつろう付しなけれならず、さらにア
ルミナセラミックパイプの内面をメタライズすることな
（ろう付するためには特殊なろう材を用いねばならない
という欠点があった。
本発明の目的は、これら従来のイオンレーザ管の欠点を
除去するため、細管構造を改良したイオンレーザ管を提
供することである。ｍ本発明の他の目的は、粉末発生と
か細管の伸直度、内径の精度出しの困難さを排除し、か
つ細管部の実効長を落すことなく発振効率の低下を防止
し、また、特殊のろう材を必要とすることもなく、製造
が容易であり、細管冷却の効率面での改善をも達成する
ことができるイオンレーザ管を提供することである。
除去するため、細管構造を改良したイオンレーザ管を提
供することである。ｍ本発明の他の目的は、粉末発生と
か細管の伸直度、内径の精度出しの困難さを排除し、か
つ細管部の実効長を落すことなく発振効率の低下を防止
し、また、特殊のろう材を必要とすることもなく、製造
が容易であり、細管冷却の効率面での改善をも達成する
ことができるイオンレーザ管を提供することである。
本発明のイオンレーザ管は、細管部と、その両側に設置
されたアノードおよ、びカソードと、これら細管部、ア
ノード、カソードの両側にブリ為−スタ窓を備えた端管
部とを有し、細管部は非導電性で、かつ成形自由な材料
による複数の細管用ディスクを金属パイプの内面にろう
付けし、放電によるプラズマが上記金属パイプに接触し
ないように円筒金属部材で細管用ディスク間を接続した
構造を採ったことを％微とする。ディスク用材料として
は８ｉＣなどの熱伝導性がよく融点の高いものが用いら
れる。
されたアノードおよ、びカソードと、これら細管部、ア
ノード、カソードの両側にブリ為−スタ窓を備えた端管
部とを有し、細管部は非導電性で、かつ成形自由な材料
による複数の細管用ディスクを金属パイプの内面にろう
付けし、放電によるプラズマが上記金属パイプに接触し
ないように円筒金属部材で細管用ディスク間を接続した
構造を採ったことを％微とする。ディスク用材料として
は８ｉＣなどの熱伝導性がよく融点の高いものが用いら
れる。
次に本発明について、図面を参照して説明する。
図は本発明の一実施例の断面図である。ディスク１は非
導電性で、かつ成形自由な材料による細管用ディスクで
、例えば８ｉＣ（炭化硅素）などの材料を用いたもので
あり、中心部に細管用の穴が設けられている。ディスク
１はその外周で金属パイプ２の内面にろう付けされてお
り、金属パイプ２はその両端でアルミナセラミック等の
セラミック円板３に気密にろう付けされている。ディス
ク１同志の間は例えば円筒金属部材４が気密にろう付け
されて２リデイスク１とセラミック円板３の間は、例え
ば円筒金属部材５が気密にろう付されている。セラミッ
ク円板３にはそれぞれセラミックバイブロが気密に接続
され、それぞれのセラミックバイブロの他端は例えば金
属性の端部品７．８によって気密に封止されている。端
部品７，８にはブリ為−スタ窓９がそれぞれ気密に取り
つけられている。一方のセラミックバイブロの内部には
例えばモリブデン製のアノード１０がろう付けによって
取りつけられ°、電極棒１１がアノード１０から端部品
７を貫通して取りつけられている。他方のセラミックバ
イブロは内部にカソード１１があり、カソード１１の電
極棒は部品８を貫通して外部に取り出されている。端部
品７には気密管の内部を排気、ガスの封入を行なうため
排気管１２が取りつけられている。
導電性で、かつ成形自由な材料による細管用ディスクで
、例えば８ｉＣ（炭化硅素）などの材料を用いたもので
あり、中心部に細管用の穴が設けられている。ディスク
１はその外周で金属パイプ２の内面にろう付けされてお
り、金属パイプ２はその両端でアルミナセラミック等の
セラミック円板３に気密にろう付けされている。ディス
ク１同志の間は例えば円筒金属部材４が気密にろう付け
されて２リデイスク１とセラミック円板３の間は、例え
ば円筒金属部材５が気密にろう付されている。セラミッ
ク円板３にはそれぞれセラミックバイブロが気密に接続
され、それぞれのセラミックバイブロの他端は例えば金
属性の端部品７．８によって気密に封止されている。端
部品７，８にはブリ為−スタ窓９がそれぞれ気密に取り
つけられている。一方のセラミックバイブロの内部には
例えばモリブデン製のアノード１０がろう付けによって
取りつけられ°、電極棒１１がアノード１０から端部品
７を貫通して取りつけられている。他方のセラミックバ
イブロは内部にカソード１１があり、カソード１１の電
極棒は部品８を貫通して外部に取り出されている。端部
品７には気密管の内部を排気、ガスの封入を行なうため
排気管１２が取りつけられている。
組みたてられた気密管は排気管１２を介して排気され、
レーザガスが封入される。アノード１０とカソード１１
の間に印加される直流電圧によって内部でプラズマが発
生しレーザ作用をもたらしアノード１０．ディスク１等
に吸収された熱は。
レーザガスが封入される。アノード１０とカソード１１
の間に印加される直流電圧によって内部でプラズマが発
生しレーザ作用をもたらしアノード１０．ディスク１等
に吸収された熱は。
セラミックバイブロと金属パイプ２の外部に水を流すこ
とにより冷却される。
とにより冷却される。
なお、円筒金属部材４，５の目的はプラズマが金属パイ
プ２に接して、放電が金属パイプ２を通して起きてしま
うことを避けるためである。
プ２に接して、放電が金属パイプ２を通して起きてしま
うことを避けるためである。
本実施例の説明ではディスク１にガスリターン用の穴が
記載されていないが、それを設けられることは言うまで
もない。
記載されていないが、それを設けられることは言うまで
もない。
以上、説明したように、本発明は、細管用ディスク材料
として８ｉＣなどの非導電性で、かつ成形自由な材料を
用いているため、グラファイトのように、粉末を出すこ
ともなく、入手も容易である。また、米国特許第４３７
８６００号明細書に開示された方法に見られた欠点であ
るディスクの厚さは、上記材料を用いることにより任意
の厚さまで厚くすることができる。米国特許第４３７８
６００号明細書の方法では金属ディスクを用いているた
め、ディスクを厚くするとプラズマのイオンによってデ
ィスク材料がたたかれ、スパッターしてしまうため、必
然的に薄くせざるを得なかったが、ＳｉＣ等本発明によ
るイオンレーザ管が用いる材料は非金属であるため、ス
パッターしにくく、厚い材料を用いることができるため
である。
として８ｉＣなどの非導電性で、かつ成形自由な材料を
用いているため、グラファイトのように、粉末を出すこ
ともなく、入手も容易である。また、米国特許第４３７
８６００号明細書に開示された方法に見られた欠点であ
るディスクの厚さは、上記材料を用いることにより任意
の厚さまで厚くすることができる。米国特許第４３７８
６００号明細書の方法では金属ディスクを用いているた
め、ディスクを厚くするとプラズマのイオンによってデ
ィスク材料がたたかれ、スパッターしてしまうため、必
然的に薄くせざるを得なかったが、ＳｉＣ等本発明によ
るイオンレーザ管が用いる材料は非金属であるため、ス
パッターしにくく、厚い材料を用いることができるため
である。
また、本発明によるイオンレーザ等はディスクの保持に
金属パイプを用いているため、従来のアルミナセラミッ
クパイプを用いた方法に見られたようにパイプの内径精
度、曲がり等の問題が発生しにくく、また内面にろう付
けする際もメタライズが不要でごく一般的なろう付は方
法により行なうことができる。
金属パイプを用いているため、従来のアルミナセラミッ
クパイプを用いた方法に見られたようにパイプの内径精
度、曲がり等の問題が発生しにくく、また内面にろう付
けする際もメタライズが不要でごく一般的なろう付は方
法により行なうことができる。
図は本発明の一実施例を示す断面図である。
１・・・・・・ディスク、２・・・・・・金属パイプ、
３・・・・・・セラミック円板、４，５・・・・・・円
筒金属部材、６・・・・・・セラミックパイプ、７．８
・・・・・・端部品、９・・・・・・ブリ為−スタ窓、
１０・・・・・・Ｔノード、１１・・・・・・カソード
、１２・・・・・・排気管。
３・・・・・・セラミック円板、４，５・・・・・・円
筒金属部材、６・・・・・・セラミックパイプ、７．８
・・・・・・端部品、９・・・・・・ブリ為−スタ窓、
１０・・・・・・Ｔノード、１１・・・・・・カソード
、１２・・・・・・排気管。
Claims (1)
- 非導電性の材料によって作られた複数の細管用ディスク
を金属パイプの内部に配列し、該細管用ディスク同志の
間を上記金属パイプより小径の円筒金属部材で順次接続
した細管部を有することを特徴とするイオンレーザ管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15039285A JPS6211284A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | イオンレ−ザ管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15039285A JPS6211284A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | イオンレ−ザ管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211284A true JPS6211284A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15495986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15039285A Pending JPS6211284A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | イオンレ−ザ管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211284A (ja) |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP15039285A patent/JPS6211284A/ja active Pending
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