JPS6211101Y2 - - Google Patents

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JPS6211101Y2
JPS6211101Y2 JP4999686U JP4999686U JPS6211101Y2 JP S6211101 Y2 JPS6211101 Y2 JP S6211101Y2 JP 4999686 U JP4999686 U JP 4999686U JP 4999686 U JP4999686 U JP 4999686U JP S6211101 Y2 JPS6211101 Y2 JP S6211101Y2
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memory
image signal
signal
write
read
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はフアクシミリ装置等、光学的に情報を
読取り、電気的な情報に変換する装置における画
信号送出制御装置に関し、特に読取るべき画像の
記録状態に拘わらず正確に読取り効率よく画信号
を送出する事のできる画信号送出制御装置に関す
るものである。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to an image signal transmission control device in a device such as a facsimile device that optically reads information and converts it into electrical information, and in particular, it can read accurately regardless of the recording state of the image to be read. The present invention relates to an image signal transmission control device that can efficiently transmit image signals.

フアクシミリ装置等、光学読取装置では、通常
記録紙上の画像を螢光灯等の光源により照射し、
この反射光を電荷結合素子(CCD)等の光セン
サにらり走査して読取るようにしている。
Optical reading devices such as facsimile machines usually illuminate images on recording paper with a light source such as a fluorescent lamp.
This reflected light is scanned and read by an optical sensor such as a charge-coupled device (CCD).

第1図は上記光学読取装置の原理説明図であ
る。紙面上に記録された文字1は、行l1〜l6
に分割され、各行毎に画像情報を黒白の画素信号
として読取り、順次紙を行l1から行l6まで移
動させて文字1が読取れるようにされる。
FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the optical reading device. Character 1 recorded on the paper is in lines l1 to l6
The image information is read as black and white pixel signals for each line, and the paper is sequentially moved from line 11 to line 16 so that character 1 can be read.

然しながら、例えば明朝体で記載される文字の
如く、文字中に極めて細い線10が存在すると、
光源特性等によつて光センサの感度が不感知若し
くは不安定となる場合があり、読取つた画信号か
ら文字を再生すると、状態が悪いときにはこの細
い線10が画信号として欠落しているので再生で
きず、画素が欠落した意味不明の文字を再生して
しまう欠点を有している。
However, if there are extremely thin lines 10 in the characters, such as those written in Mincho typeface,
The sensitivity of the optical sensor may become insensible or unstable depending on the light source characteristics, etc., and when characters are reproduced from the read image signal, if the condition is poor, this thin line 10 will be missing as an image signal, so it will be difficult to reproduce. This method has the drawback of reproducing meaningless characters with missing pixels.

本考案の目的は、上述の欠点を取除き、画像の
走査単位行を複数回読取ることによつて、複数回
目に細い線が画情報として検出された時には、そ
の画情報を用いて修正再生し得るようにし、しか
も画情報の修正にさいしても効率良く画情報を修
正し、もつて回線に送出し得る画信号送出制御装
置を提供することにある。
The purpose of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks, and by reading the scanning unit line of the image multiple times, when a thin line is detected as image information multiple times, the image information is used to correct and reproduce the image. It is an object of the present invention to provide an image signal transmission control device which can efficiently modify image information and transmit it to a line.

上記目的を達成するために本考案では、画像が
記録された媒体を行毎に走査し、単位走査毎に画
像から読取つた黒白の画信号を出力する変換手段
と、画信号を蓄積するメモリを有し、単位走査毎
に該変換手段が出力する画信号を該メモリに蓄積
し、回線の送出速度に応じた所定周期で該メモリ
から該画信号を読出す画信号送出制御装置におい
て、画信号を蓄積するメモリを第1と第2のメモ
リと成し、単位走査毎の画信号を該第1または第
2のメモリに供給する画信号供給手段と、該第1
または第2のメモリから画信号を読出す読出手段
と、該画信号供給手段及び該読出手段をそれぞれ
所定周期で読出側または供給側に切替えると共に
単位走査毎の画信号の供給を第1または第2のメ
モリの一方に切替え且つ画信号読出しを他方のメ
モリからに切替えるよう制御するスイツチ手段を
設け、画信号供給側に接続した一方のメモリに対
しては、前記記録媒体の単位走査を複数回行な
い、前記初回走査時の黒白の画信号を供給蓄積
し、前記次回走査時には該変換手段が検出した黒
の画信号を供給して蓄積された画信号を修正せし
め、画信号読出側に接続した他方のメモリから画
信号を読出すようにしたものである。
In order to achieve the above object, the present invention includes a conversion means that scans a medium on which an image is recorded line by line and outputs black and white image signals read from the image in each unit scan, and a memory that stores the image signals. an image signal transmission control device which stores an image signal outputted by the conversion means for each unit scan in the memory and reads out the image signal from the memory at a predetermined period according to the transmission speed of the line; an image signal supply means for forming a first memory and a second memory to store an image, and supplying an image signal for each unit scan to the first or second memory;
Alternatively, the readout means for reading out the image signal from the second memory, the image signal supply means, and the readout means are respectively switched to the readout side or the supply side at a predetermined period, and the supply of the image signal for each unit scan is switched to the first or the first or second memory. A switch means is provided for controlling switching to one of the two memories and switching image signal readout from the other memory, and for one memory connected to the image signal supply side, unit scanning of the recording medium is performed multiple times. Then, the black and white image signals at the time of the first scan are supplied and accumulated, and at the time of the next scan, the black image signals detected by the conversion means are supplied to correct the accumulated image signals, and the image signal is connected to the image signal readout side. The image signal is read out from the other memory.

以下、図面により本考案を詳述する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

第2図の構成説明 第2図は本考案の実施例の原理ブロツク図であ
る。図中、WCTは書込カウンタ、RCTは読出カ
ウンタ、CONTは制御部、CCDは読取素子、SW
1,SW2はスイツチ、MEML,MEMRはメモリ
である。尚、同図においては、原稿の1行分(例
えば、第1図のl3)の画信号を送信する前に、
同行l3を2回走査するようにし、第1回目の走
査で得られた黒白の画信号はそのままメモリに蓄
積し、第2回目の走査では検出した黒の画信号だ
けをメモリに供給するようにしたもので、画信号
は1行当り例えば1024ビツトの画素信号で構成さ
れ、各メモリMEML,MEMRは各々512ビツトの
画素信号を蓄積するようにしてあり、1行分を走
査したときの1024ビツトの画素信号をスイツチ
SW1で切替え、左半分の512ビツトをメモリ
MEMLに、右半分の512ビツトをメモリMEMRに
入力蓄積している。
Explanation of the structure of FIG. 2 FIG. 2 is a principle block diagram of an embodiment of the present invention. In the figure, WCT is a write counter, RCT is a read counter, CONT is a control unit, CCD is a read element, and SW
1. SW2 is a switch, and MEML and MEMR are memories. In the figure, before transmitting the image signal for one line of the original (for example, l3 in Figure 1),
The same line 13 is scanned twice, and the black and white image signals obtained in the first scan are stored in the memory as they are, and in the second scan, only the detected black image signals are supplied to the memory. The image signal consists of, for example, a 1024-bit pixel signal per row, and each memory MEML and MEMR is configured to store a 512-bit pixel signal, and when one row is scanned, the pixel signal is 1024 bits. Switch the pixel signal of
Switch with SW1 and store 512 bits in the left half as memory.
In MEML, the right half of 512 bits is input and stored in memory MEMR.

第2図の動作説明 第4図に示す送信信号SDを第2図に示す装置
で作成する場合、先ず、読取素子のCCDからの
読取信号RDの前半の512ビツトと書込カウンタ
WCTの出力する破線で示す制御信号はスイツチ
SW1を介してメモリMEMLに書込信号LWとし
て与えられ、書込カウンタWCTの制御に基づい
て読取信号RDを書込ませるように制御され、送
信信号SDの送出速度に応じた所定周期後に、ス
イツチSW1とスイツチSW2とは制御部CONT
によつて各々切替えられる。読出し側スイツチ
SW2がメモリMEML側に切替えられ、書込側ス
イツチSW1がメモリMEMR側に切替えられる
と、メモリMEMRには前述と同様に読取信号RD
の後半の512ビツトと書込カウンタWCTからの制
御信号が書込信号RWとして与えられ、書込カウ
ンタWCTの制御に基づいて読取信号RDを書込ま
せるように制御される。
Explanation of operation in Fig. 2 When creating the transmission signal SD shown in Fig. 4 using the device shown in Fig. 2, first, the first 512 bits of the read signal RD from the CCD of the reading element and the write counter are used.
The control signal shown by the broken line output by the WCT is the switch
It is applied as a write signal LW to the memory MEML via SW1, and is controlled to write the read signal RD based on the control of the write counter WCT. SW1 and switch SW2 are control unit CONT
Each can be switched by . Read side switch
When SW2 is switched to the memory MEML side and write side switch SW1 is switched to the memory MEMR side, the read signal RD is sent to the memory MEMR as described above.
The latter 512 bits and the control signal from the write counter WCT are given as the write signal RW, and the read signal RD is controlled to be written based on the control of the write counter WCT.

またメモリMEMLには読出カウンタRCTの制
御信号が入力されることで、図示されない回線の
伝送速度に応じてメモリMEMLから読出信号LR
が読出され、スイツチSW2を介して回線に送信
信号SDを送出するように制御される。
Also, by inputting the control signal of the read counter RCT to the memory MEML, the read signal LR is output from the memory MEML according to the transmission speed of the line (not shown).
is read out and controlled to send a transmission signal SD to the line via switch SW2.

このメモリMEMLから読出信号LRが読出さ
れ、スイツチSW1、スイツチSW2が切替わる
前に書込中のメモリMEMRには画像を複数回走
査して得られた読取信号RDによつて複数回の書
込み(初回は黒白画信号、次回以降は黒画信号の
み)が行なわれるように制御される。
The read signal LR is read out from this memory MEML, and before the switches SW1 and SW2 are switched, the memory MEMR that is currently being written is written multiple times ( Control is performed so that a black and white image signal is used the first time, and only a black image signal is used from the next time onwards.

この切替動作及び書込動作を第3図及び第4図
の本考案の具体例のブロツク図、及びタイムチヤ
ートを基に更に詳しく説明する。
This switching operation and writing operation will be explained in more detail based on the block diagram and time chart of a specific example of the present invention shown in FIGS. 3 and 4.

第3図の構成説明 第3図中、第2図に図示されるものと対応する
ものは同一記号で示されている。ここで、MICL
とMICRはそれぞれメモリMEMLとメモリMEMR
専用のモード指定部で、書込み又は読出しのモー
ドを指定するもの。次の、AICLとAICRはそれ
ぞれメモリMEMLとメモリMEMR専用のアドレ
ス指定部で、読取信号RDに対しては書込アドレ
スを、また送信信号SDに対しては読出アドレス
を指定するもの。また、ADRL,ADRRはそれぞ
れメモリMEMLとメモリMEMR専用のアドレス
信号であつて、A1〜A5,A′1〜A′3はアン
ドゲート、O1〜O5,O′1〜O′2はオアゲー
トである。
Explanation of the structure of FIG. 3 In FIG. 3, parts corresponding to those shown in FIG. 2 are indicated by the same symbols. Here, MICL
and MICR are memory MEML and memory MEMR respectively
A dedicated mode specification section that specifies the write or read mode. Next, AICL and AICR are address specifying sections dedicated to the memory MEML and memory MEMR, respectively, and specify the write address for the read signal RD and the read address for the send signal SD. Furthermore, ADRL and ADRR are address signals dedicated to memory MEML and memory MEMR, respectively, A1 to A5, A'1 to A'3 are AND gates, and O1 to O5, O'1 to O'2 are OR gates. .

第3図中のカウンタ(WCT,RCT)機能説明 更に、書込カウンタWCTと読出カウンタRCT
は以下に述べる機能をそれぞれ備えている。
Functional explanation of counters (WCT, RCT) in Figure 3 Furthermore, write counter WCT and read counter RCT
Each has the functions described below.

即ち、各々所定周波数のクロツク信号を画素
信号のビツト数以上計数してその計数値を出力
することにより、読出カウンタRCTは読出ア
ドレス信号RA1〜nを、一方、書込カウンタ
WCTは書込アドレス信号WA1〜nをそれぞ
れ出力する第1の機能を、 計数値が前述した一行の前半分のビツト数で
ある0〜511を計数する間、及び一行の後半分
の512〜1023を計数する間、(即ち0〜1023を計
数する間)で出力を一定のレベル例えばレベル
“1”に保持する第2の機能、即ち、書込カウ
ンタWCTでは書込メモリ指定信号IWSL,
IWSRを交互にレベル“1”に保持し、一方、
読出カウンタRCTでは切替信号IS1,IS2を
交互にレベル“1”に保持する第2の機能を、 更に、読出カウンタRCTの場合は、計数値
がm〜511(0≦m<511)迄を計数する間
〔IW2R〕、512〜n(512<n≦1023)迄を計
数する間〔IW2L〕、1024〜r(0)〔r
(0)はカウンタ値が“0”に戻るリターン・
ゼロを示す〕を計数する間のそれぞれで、出力
をレベル“1”に保持する第3の機能を、それ
ぞれが有している。
That is, by counting clock signals each having a predetermined frequency equal to or more than the number of bits of the pixel signal and outputting the counted value, the read counter RCT receives the read address signals RA1 to RAn, while the write counter
The WCT performs the first function of outputting write address signals WA1 to WAn, respectively, while the count value is counting 0 to 511, which is the number of bits in the first half of one line, and 512 to 1023, which is the number of bits in the second half of one line. (i.e., while counting 0 to 1023), the second function is to hold the output at a constant level, for example, level "1".
IWSR is held at level “1” alternately, while
The read counter RCT has a second function of alternately holding the switching signals IS1 and IS2 at level "1", and furthermore, the read counter RCT has a second function that keeps the switching signals IS1 and IS2 at level "1" alternately. [IW2R], counting from 512 to n (512<n≦1023) [IW2L], 1024 to r(0) [r
(0) is a return where the counter value returns to “0”.
Each has a third function of holding the output at level "1" during each counting of "0".

上記の書込カウンタWCTは読取素子CCDの読
取速度に同期したクロツクで駆動され、また、上
記の読出カウンタRTCは送信回線の送出速度に
同期したクロツクで駆動され、各々の書込カウン
タWCTと読出カウンタRCTは計数値“0”の時
点で同期するよう制御されている。
The write counter WCT mentioned above is driven by a clock synchronized with the reading speed of the reading element CCD, and the read counter RTC mentioned above is driven by a clock synchronized with the sending speed of the transmission line. The counter RCT is controlled to be synchronized when the count value is "0".

尚、読出カウンタRCTとカウンタWCTの出力
に示す記号は、各回路の同一記号の付された入力
線に対して接続される事を示している。
Note that the symbols shown for the outputs of the read counter RCT and the counter WCT indicate that they are connected to input lines with the same symbol of each circuit.

ここで、アドレス指定部AICLは論理ゲートA
2,A3,O2をメモリMEML内のアドレスを
指定するのに必要な個数だけ有し、他方のアドレ
ス指定部AICRはアドレス指定部AICLに同一な
論理ゲートA′2,A′3,O′2で構成され、その
入力信号については、アドレス指定部AICLと異
なる信号は、書込メモリ指定信号IWSLに替えた
書込メモリ指定信号IWSRと、書込指定信号
IWOLに替えた書込指定信号IWORと、切替信号
IS1に替えた切替信号IS2とである。
Here, the addressing part AICL is the logic gate A
2, A3, and O2 as many as necessary to specify the address in the memory MEML, and the other address specification section AICR has the same logic gates A'2, A'3, O'2 as the address specification section AICL. As for its input signals, the signals that are different from the address designation part AICL are the write memory designation signal IWSR, which is replaced with the write memory designation signal IWSL, and the write designation signal
Write designation signal IWOR replaced with IWOL and switching signal
The switching signal IS2 is changed to IS1.

第3図の動作説明 以下に第4図のタイムチヤートを基に第3図の
ブロツク図の動作を説明する。
Explanation of the operation of FIG. 3 The operation of the block diagram of FIG. 3 will be explained below based on the time chart of FIG. 4.

尚、動作説明は読出カウンタRCTのクロツク
区分により、第一期間(1024〜r(0))、第二期
間(0〜511)、第三期間(512〜1023)、第四期間
(1024〜r(0))……で行なう。
The operation will be explained based on the clock classification of the read counter RCT: the first period (1024 to r(0)), the second period (0 to 511), the third period (512 to 1023), and the fourth period (1024 to r(0)). (0))...

第一期間(1024〜r(0)) 先ず、書込カウンタWCTが動作して計数を開
始すると、前述の第1の機能により書込アドレス
信号WA1〜nを出力すると同時に、第2の機能
により計数値が0〜511までは書込メモリ指定信
号IWSLを、また、512〜1023までは書込メモリ
指定信号IWSRをそれぞれレベル“1”で出力
し、以降書込カウンタWCTは計数が0に戻る毎
にこれを反復していく。
First period (1024-r(0)) First, when the write counter WCT operates and starts counting, the first function described above outputs the write address signals WA1-n, and at the same time, the second function outputs the write address signals WA1-n. When the count value is 0 to 511, the write memory designation signal IWSL is output, and when the count value is 512 to 1023, the write memory designation signal IWSR is output at level "1", and after that, the count of the write counter WCT returns to 0. Repeat this each time.

一方、読出カウンタRCTは前述の第3の機能
により、1024〜r(0)の間にレベル“1”とな
る書込指定信号IW1を出力し、この出力をオア
ゲートO4およびO3を介して、それぞれIWOL
とIWOR(第4図のLWOL,IWOR中における破
線部分)として出力する。
On the other hand, the read counter RCT outputs the write designation signal IW1 which becomes level "1" between 1024 and r(0) by the above-mentioned third function, and sends this output through OR gates O4 and O3, respectively. IWOL
and IWOR (the broken line part in LWOL and IWOR in Figure 4).

この書込指定信号IW1がレベル“1”の期
間に、モード指定部MICLでは、アンドゲート
A1はレベル“1”となる読取信号RDの黒ビ
ツトが入力されると“開”となり、オアゲート
O1を介してメモリMEMLを書込モードにす
る状態〓W2〓となる。
During the period when the write designation signal IW1 is at the level "1", the AND gate A1 in the mode designation unit MICL becomes "open" when the black bit of the read signal RD whose level is "1" is input, and the OR gate O1 is opened. The state 〓W2〓 is reached in which the memory MEML is put into write mode.

このとき、書込カウンタWCTが0〜511を計
数する期間であれば、アドレス指定部AICLで
は、アンドゲートA2に入力される書込アドレ
ス信号WA1〜nは、レベル“1”となつた書
込指定信号IWOL(第4図中の破線部分)と書
込メモリ指定信号IWSLとにより、アンドゲー
トA2が“開”となるから、オアゲートO2を
介してメモリMEMLに対する書込のアドレス
情報ADRL0〜511として与えられる。
At this time, if the write counter WCT is in the period of counting 0 to 511, the write address signals WA1 to n input to the AND gate A2 in the addressing unit AICL are given as write address information ADRL0 to 511 for the memory MEML via the OR gate O2 because the AND gate A2 is opened by the write designation signal IWOL (the broken line portion in FIG. 4) which has reached level "1" and the write memory designation signal IWSL.

また、上記の書込指定信号IW1がレベル
“1”になつている同じ期間では、モード指定
部MICRでは、書込指定信号IW1がオアゲート
O′1を介してメモリMEMRに供給され、この
全期間でメモリMEMRを書込モードにする状
態〓W1〓とする。
Also, during the same period when the write designation signal IW1 is at level "1", the mode designation unit MICR outputs the write designation signal IW1 to the OR gate.
The signal is supplied to the memory MEMR via O'1, and the memory MEMR is in the write mode during this entire period (W1).

このとき、書込カウンタWCTが512〜1023を
計数する期間であれば、アドレス指定部AICR
には書込アドレス信号WA1〜nが供給されて
おり、書込メモリ指定信号IWSRと、オアゲー
トO3を介したレベル“1”となつている書込
指定信号IW1である書込指定信号IWORと、
上記の書込アドレス信号WA1〜nの3者がア
ンドゲートA′2に入力されているから、アン
ドゲートA′2に供給されている書込アドレス
信号WA1〜nは、オアゲートO′2を介してメ
モリMEMRに対する書込のアドレス情報
ADRR512〜1023として与えられ、メモ
リMEMRの入力端子Diに入力される読取信号
RDが全てアドレス指定部AICRで指定されたア
ドレスADRR512〜1023に蓄積される。
At this time, if the write counter WCT counts 512 to 1023, the address specification section AICR
are supplied with write address signals WA1 to WAn, a write memory designation signal IWSR, a write designation signal IWOR which is a write designation signal IW1 which is at level "1" via an OR gate O3,
Since the above three write address signals WA1 to WAn are input to the AND gate A'2, the write address signals WA1 to WAn supplied to the AND gate A'2 are passed through the OR gate O'2. Address information for writing to memory MEMR
Read signal given as ADRR512 to 1023 and input to input terminal Di of memory MEMR
All RDs are stored in addresses ADRR512 to ADRR1023 designated by the address designation section AICR.

以上の説明に関連して、第4図のADRL及び
ADRRは、各メモリMEML及びMEMRに対す
るモード信号を示し、読取信号RDを全て各メ
モリMEML,MEMRに書込む状態は〓W1〓で
示し、黒レベルの信号によつて既に蓄積済みの
読取信号RDを修正書込みする状態は〓W2〓で
各々示している。
In relation to the above explanation, the ADRL and
ADRR indicates a mode signal for each memory MEML and MEMR, and the state in which all read signals RD are written to each memory MEML and MEMR is indicated by 〓W1〓, and the already stored read signal RD is written by a black level signal. The state of correction writing is indicated by 〓W2〓.

第二期間(0〜511) メモリMEMRへの書込み〓W1〓及びメモリ
MEMLへの修正書込み〓W2〓を終了した以後
に、書込カウンタWCTと読出カウンタRCTのい
ずれもが“0”を計数すると、書込カウンタ
WCTは再び0から計数を開始し、計数値が0〜
511と512〜1023のそれぞれの間で書込アドレス信
号WA1〜n、書込メモリ指定信号IWSL,IWSR
を出力し、 一方、読出カウンタRCTからは切替信号IS1
がレベル“1”となつて出力されると共にメモリ
MEMLもしくはMEMRの読出アドレス信号とし
てRA1〜nがアドレス指定部AICL及びAICRに
供給される。
Second period (0 to 511) Writing to memory MEMR〓W1〓 and memory
If both the write counter WCT and the read counter RCT count “0” after completing the correction write to MEML〓W2〓, the write counter
WCT starts counting from 0 again, and the count value is 0~
Write address signals WA1-n, write memory designation signals IWSL, IWSR between 511 and 512-1023, respectively.
On the other hand, the read counter RCT outputs a switching signal IS1.
is output as level “1” and the memory
RA1 to RAn are supplied as read address signals of MEML or MEMR to addressing units AICL and AICR.

アドレス指定部AICLでは、切替信号IS1が
レベル“1”であるため、アンドゲートA3及
びオアゲートO2を介してメモリMEMLに読
出アドレス信号RA1〜nを読出しのアドレス
情報ADRL0〜511として供給する。尚この
期間で、アンドゲートA2は書込指定信号
IWOLがレベル“0”なので“閉”となり書込
アドレス信号WA1〜nの出力を阻止してい
る。
In the addressing section AICL, since the switching signal IS1 is at level "1", the read address signals RA1-n are supplied to the memory MEML as read address information ADRL0-511 via the AND gate A3 and the OR gate O2. During this period, AND gate A2 outputs the write designation signal.
Since IWOL is at level "0", it is "closed" and prevents output of write address signals WA1 to WAn.

また、モード指定部MICLは入力である信号
IW2L及び書込指定信号IW1が共にレベル
“0”であるためにオアゲートO1からの出力
はレベル“0”となり、メモリMEMLを読出
しモードにする状態〓R〓とする。また、メモ
リMEMLから読出した送信信号SDは切替信号
IS1により“開”状態となつたスイツチSW2
のアンドゲートA4及びオアゲートO5を介し
て、メモリMEMLから読出した一行の左半分
の画信号が回線に送出される。
Also, the mode specifying part MICL is the input signal.
Since both IW2L and write designation signal IW1 are at level "0", the output from OR gate O1 is at level "0", and the memory MEML is placed in the read mode (R). Also, the transmission signal SD read from the memory MEML is the switching signal
Switch SW2 becomes “open” state due to IS1
The image signal of the left half of one row read from the memory MEML is sent to the line via AND gate A4 and OR gate O5.

因に、こうしたメモリMEML,MEMRが読
出しモード状態にある事を第4図のメモリ
MEMLに対応する信号ADRL、メモリMEMR
に対応する信号ADRRでは、〓R〓で示してあ
る。
Incidentally, these memories MEML and MEMR are in read mode as shown in Figure 4.
Signal ADRL corresponding to MEML, memory MEMR
The signal ADRR corresponding to is indicated by 〓R〓.

同じ期間に、読出カウンタRCTは前記第3
の機能によつて“m”を計数してから、“511”
となる迄、レベル“1”を信号IW2Rとして
出力する。この信号IW2Rはモード指定部
MICRのアンドゲートA′1に入力され、アンド
ゲートA′1はレベル“1”となる読取信号RD
の黒ビツトが入力されると“開”となり、オア
ゲートO′1を介してメモリMEMRを書込モー
ドにする状態〓W2〓となる。この時、メモリ
MEMRの書込みアドレス情報ADRR512〜
1023は、書込カウンタWCTの書込アドレ
ス信号WA1〜nによつて成され、書込メモリ
指定信号IWSRがレベル“1”となり、信号IW
2Rの出力期間中、つまり書込指定信号IWOR
のレベル“1”の期間中にメモリMEMRに供
給される。
During the same period, the read counter RCT
After counting “m” by the function of “511”
The level "1" is output as the signal IW2R until the signal IW2R is reached. This signal IW2R is the mode designation part
The read signal RD is input to the AND gate A'1 of MICR, and the AND gate A'1 becomes level "1".
When the black bit of is inputted, it becomes "open" and the state W2 is established in which the memory MEMR is put into the write mode via the OR gate O'1. At this time, memory
MEMR write address information ADRR512~
1023 is performed by the write address signals WA1 to WAn of the write counter WCT, the write memory designation signal IWSR becomes level "1", and the signal IW
During the output period of 2R, that is, the write designation signal IWOR
is supplied to the memory MEMR during the period of level “1”.

第三期間(512〜1023) 次に、読出カウンタRCTが“512”を計数する
と、切替信号IS1の代りに切替信号IS2が立上
り、更に信号IW2Rの代りに信号IW2Lが立上
がる。これによりメモリMEMLは書込みモード
にされ、メモリMEMRは読出しモードにされ
る。
Third Period (512-1023) Next, when the read counter RCT counts "512", the switching signal IS2 rises instead of the switching signal IS1, and furthermore, the signal IW2L rises instead of the signal IW2R. This puts the memory MEML in write mode and the memory MEMR in read mode.

つまり、メモリMEMLについてみると、モ
ード指定部MICLには信号IW2Lが(読出カウ
ンタRCTが“n”をカウントする迄)レベル
“1”で入力され、オアゲートO1を介してメ
モリMEMLを書込みモードにする状態〓W1〓
となり、書込アドレスは、書込カウンタWCT
が計数値0〜511を計数することで書込メモリ
指定信号IWSLがレベル“1”となり、また読
出カウンタRCTからはオアゲートO4を介し
て書込指定信号IWOLがレベル“1”となるか
ら、書込カウンタWCTの書込アドレス信号
WA1〜nがアンドゲートA2、オアゲートO
2を介してメモリMEMLのアドレス情報0〜
511として供給される。
In other words, regarding the memory MEML, the signal IW2L is input to the mode specifying unit MICL at level "1" (until the read counter RCT counts "n"), and the memory MEML is set to the write mode via the OR gate O1. Condition〓W1〓
Therefore, the write address is the write counter WCT
By counting the count value 0 to 511, the write memory designation signal IWSL becomes level “1”, and the write designation signal IWOL from the read counter RCT becomes level “1” via OR gate O4, so the write Write counter WCT write address signal
WA1~n is AND gate A2, OR gate O
Memory MEML address information 0 through 2
511.

一方、メモリMEMRについてみると、切替
信号IS2がレベル“1”となり、また信号IW
2Rがレベル“0”なのでオアゲートO3を介
した書込指定信号IWORもレベル“0”となる
ため、モード指定部MICRの入力はレベル
“0”であり、出力もレベル“0”となつて読
出しモードとなる〓R〓になると共に、アドレ
ス指定部AICRではアンドゲートA′2が“閉”
状態、アンドゲートA′3が“開”状態となつ
て、読出アドレス信号RA1〜nだけがオアゲ
ートO′2を介してメモリMEMRにアドレス情
報ADRR512〜1023として供給される。
また切替信号IS2はスイツチSW2内のアンド
ゲートA5を〓開〓状態にするため、メモリ
MEMRから読出した一行の右半分の画信号が
アンドゲートA5、オアゲートO5を介して回
線に送出される。
On the other hand, regarding the memory MEMR, the switching signal IS2 is at level “1” and the signal IW
Since 2R is at level "0", the write designation signal IWOR via OR gate O3 is also at level "0", so the input of the mode designation section MICR is at level "0", and the output is also at level "0" for reading. mode becomes 〓R〓, and the AND gate A'2 is "closed" in the address specification section AICR.
In this state, the AND gate A'3 is in the "open" state, and only the read address signals RA1 to RAn are supplied to the memory MEMR via the OR gate O'2 as address information ADRR512 to ADRR1023.
In addition, the switching signal IS2 makes the AND gate A5 in the switch SW2 open, so the memory
The image signal of the right half of one line read from MEMR is sent to the line via AND gate A5 and OR gate O5.

以上の説明により、記録媒体上に記録された
画像の内の読取りの行なわれた一行分の読取信
号RDが、一旦各メモリMEML,MEMRに半分
づつ蓄積(状態〓W1〓)され、修正(状態
〓W2〓)された後に、読出(状態〓R〓、〓R〓)
され、連続した送信信号SDとして回線に送出
されることになる。
According to the above explanation, half of the read signal RD for one line of the image recorded on the recording medium is stored in each memory MEML and MEMR (state W1), and then modified (state W1). 〓W2〓), then read (state 〓R〓, 〓R〓)
and will be sent out to the line as a continuous transmission signal SD.

第四期間(1024〜r(0)) メモリMEMRの読出し状態〓R〓である期間
が終了すると、送信信号SDは同期信号送出期間
Tに入る。
Fourth period (1024 to r(0)) When the period in which the memory MEMR is in the read state 〓R〓 ends, the transmission signal SD enters the synchronization signal sending period T.

この期間Tの間にメモリMEMLでは前述の如
く、既に書込みモードにした状態〓W1〓におい
て記録された画像信号を修正モード〓W2〓によ
つて修正し、一方、メモリMEMRでは新たな走
査行からの読取信号RDの書込み期間〓W1〓にて
行なうようにする。
During this period T, the memory MEML modifies the image signal recorded in the write mode W1 as described above in the modification mode W2, while the memory MEMR modifies the image signal recorded from the new scanning line. This is done during the writing period of the read signal RD 〓W1〓.

尚、この同期信号送出期間Tには、図示されな
い回路系から読出カウンタRCTの書込指定信号
IW1の出力期間中に同期信号が作成されて出力
される。
Note that during this synchronization signal sending period T, a write designation signal for the read counter RCT is sent from a circuit system (not shown).
A synchronization signal is created and output during the output period of IW1.

本考案の効果 以上詳細に説明した如く、本考案によれば、2
つのメモリを設け、また走査を複数回行なうこと
により、一方のメモリからデータを読出している
間に他方のメモリへ初回走査時の画信号を蓄積
し、また次回走査時の画信号で修正を行ない、し
かもその修正に際しては、画像から読取つた黒画
素のみで行なつているから、効率良く正しい信号
を伝送できるばかりか、メモリの容量を一行分の
データを蓄積する容量だけにすることができる画
信号送出制御装置が実現される。
Effects of the present invention As explained in detail above, according to the present invention, two
By providing two memories and performing scanning multiple times, while reading data from one memory, the image signal from the first scan is stored in the other memory, and corrections are made using the image signal from the next scan. Moreover, since the correction is carried out using only the black pixels read from the image, it is not only possible to efficiently transmit the correct signal, but also to reduce the memory capacity to only the capacity for storing one line of data. A signal transmission control device is realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はフアクシミリ装置の画像読取方法の説
明図、第2図は本考案の原理を説明するブロツク
図、第3図は本考案の一実施例のブロツク図で、
第4図は第3図の動作タイムチヤートである。 図中、1は文字、1〜6は行、10は細い線、
CCDは読取素子、SW1,SW2はスイツチ、
MEML,MEMRはメモリ、WCTは書込カウン
タ、RCTは読出カウンタ、CONTは制御部、RD
は読取信号、SDは送信信号、LW,RWは書込信
号、LR,RRは読出信号、AICL,AICRはアドレ
ス指定部、MICL,MICRはモード指定部、
ADRL0〜511,ADRR512〜1023はア
ドレス情報、WA1〜nは書込アドレス信号、
RA1〜nは読出アドレス信号、IWSL,IWSRは
書込メモリ指定信号、IW1,IWOL,IWOR,
IW2L,IW2Rは書込指定信号、IS1,IS2は
切替信号である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of an image reading method of a facsimile device, FIG. 2 is a block diagram explaining the principle of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram of an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an operation time chart of FIG. 3. In the figure, 1 is a character, 1 to 6 are lines, 10 is a thin line,
CCD is a reading element, SW1 and SW2 are switches,
MEML, MEMR are memory, WCT is write counter, RCT is read counter, CONT is control unit, RD
is a read signal, SD is a transmission signal, LW, RW are write signals, LR, RR are read signals, AICL, AICR are address specification parts, MICL, MICR are mode specification parts,
ADRL0-511, ADRR512-1023 are address information, WA1-n are write address signals,
RA1 to n are read address signals, IWSL, IWSR are write memory designation signals, IW1, IWOL, IWOR,
IW2L and IW2R are write designation signals, and IS1 and IS2 are switching signals.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 画像が記録された媒体を行毎に走査し、単位走
査毎に画像から読取つた黒白の画信号を出力する
変換手段と、画信号を蓄積するメモリを有し、単
位走査毎に該変換手段が出力する画信号を該メモ
リに蓄積し、回線の送出速度に応じた所定周期で
該メモリから該画信号を読出す画信号送出制御装
置において、画信号を蓄積するメモリを第1と第
2のメモリと成し、単位走査毎の画信号を該第1
または第2のメモリに供給する画信号供給手段
と、該第1または第2のメモリから画信号を読出
す読出手段と、該画信号供給手段及び該読出手段
をそれぞれ所定周期で読出側または供給側に切替
えると共に単位走査毎の画信号の供給を第1また
は第2のメモリの一方に切替え且つ画信号読出し
を他方のメモリからに切替えるよう制御するスイ
ツチ手段を設け、画信号供給側に接続した一方の
メモリに対しては、前記記録媒体の単位走査を複
数回行ない、前記初回走査時の黒白の画信号を供
給蓄積し、前記次回走査時には該変換手段が検出
した黒の画信号を供給して蓄積された画信号を修
正せしめ、画信号読出側に接続した他方のメモリ
から画信号を読出すことを特徴とする画信号送出
制御装置。
It has a conversion means that scans a medium on which an image is recorded line by line and outputs a black and white image signal read from the image in each unit scan, and a memory that stores the image signal. In an image signal transmission control device that stores an image signal to be output in the memory and reads out the image signal from the memory at a predetermined period according to the transmission speed of the line, the memory for storing the image signal is divided into a first and a second memory. The image signal for each unit scan is stored in the first memory.
or a means for supplying an image signal to the second memory, a readout means for reading out the image signal from the first or second memory, and a means for supplying the image signal to the readout side or the readout means at a predetermined period. switch means connected to the image signal supply side, for controlling the supply of the image signal for each unit scan to one of the first or second memory and the readout of the image signal from the other memory. For one memory, unit scanning of the recording medium is performed a plurality of times, black and white image signals from the first scanning are supplied and stored, and black image signals detected by the converting means are supplied for the next scanning. 1. An image signal sending control device, which corrects an image signal stored in a memory, and reads out the image signal from another memory connected to an image signal reading side.
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