JPS62108525A - Method and apparatus for surface treating - Google Patents

Method and apparatus for surface treating

Info

Publication number
JPS62108525A
JPS62108525A JP24702585A JP24702585A JPS62108525A JP S62108525 A JPS62108525 A JP S62108525A JP 24702585 A JP24702585 A JP 24702585A JP 24702585 A JP24702585 A JP 24702585A JP S62108525 A JPS62108525 A JP S62108525A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
active particles
surface treatment
treated
particles
active
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24702585A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Ninomiya
健 二宮
Keizo Suzuki
敬三 鈴木
Shigeru Nishimatsu
西松 茂
Osami Okada
岡田 修身
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP24702585A priority Critical patent/JPS62108525A/en
Publication of JPS62108525A publication Critical patent/JPS62108525A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To prevent a surface to be treated from damaging, contaminating, rising at its temperature by controlling incident amount and direction to the surface with active particles as electrically neutral particles, and selecting particle seeds mainly reacted with the surface. CONSTITUTION:Active particles formed of an active particle generator 1 become electrically neutral by a neutralizer 2, are aligned in the directions by a direction controller 3, then incident to a wafer 4, and the wafer 4 is held through a temperature controller 5 at a sample base 6. A raw material gas is fed through a pipe 9 to a chamber 8, DC or high frequency voltage is applied to electrodes 10, 10' to generate a discharge. The type and the quantity of the active particles are controlled by the generating means. When the discharge gas type is varied and the type of the active particles, the pressure of the discharge gas and the incident power are altered, the quantity of the active particles can be changed. Thus, the surface of the sample can be accurately treated without damaging, contaminating rising of the temperature.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は固体表面を処理する表面処理方法およびその装
置に係り、特に、半導体素子製造に好適な無損傷、無汚
染、高選択かつ低温プロセスを実現する表面処理方法お
よびその装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a surface treatment method and apparatus for treating a solid surface, and particularly to a non-damaging, non-contaminating, highly selective and low-temperature process suitable for manufacturing semiconductor devices. The present invention relates to a surface treatment method and an apparatus therefor.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

従来の表面処理方法、特に半導体素子製造におけるドラ
イプロセスではイオンビームまたはプラズマが用いられ
ていた(管野卓雄編著[半導体プラズマプロセス技術」
、産業図書、1980) 、 シかし、この方法では被
処理体である素子(または試料)の表面や素子近傍の固
定表面(たとえば真空室内壁や試料台表面)に高運動エ
ネルギー(約100eV以上)のイオン、原子2分子電
子等が入射し、素子表面の損傷、汚染が不可避的に形成
される。また、このような高エネルギー粒子の入射によ
る素子表面の温度上昇も発生する。半導体素子の製造精
度が減少(1μm以下)して行くとこのような損傷、汚
染および温度上昇は重大な問題となってくる。また、近
い将来に実現が期待されている3次元構造の半導体素子
にはこのような損傷、汚染、温度上昇は致命的であり、
従来のドライプロセス技術・装置は使用不可能となる6
〔発明の目的〕 本発明の目的は、処理すべき表面の損傷、汚染。
Conventional surface treatment methods, especially dry processes in semiconductor device manufacturing, have used ion beams or plasma (edited by Takuo Kanno [Semiconductor Plasma Process Technology])
, Sangyo Tosho, 1980) However, in this method, high kinetic energy (approximately 100 eV or more ) ions, atomic two-molecule electrons, etc. are incident, and damage and contamination of the element surface are inevitably formed. Furthermore, the temperature of the element surface increases due to the incidence of such high-energy particles. As the manufacturing precision of semiconductor devices decreases (below 1 μm), such damage, contamination, and temperature rise become serious problems. In addition, such damage, contamination, and temperature rise are fatal to semiconductor devices with three-dimensional structures, which are expected to be realized in the near future.
Conventional dry process technology/equipment becomes unusable6
[Object of the invention] The object of the invention is to treat damage and contamination of the surface to be treated.

温度上昇の少ない表面処理方法およびその装置を提供す
ることにある。
It is an object of the present invention to provide a surface treatment method that causes little temperature rise and an apparatus therefor.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

約100eVから表面処理の分野(特に半導体素子製造
分野)ではドライプロセスが活発に用いられている。こ
こで、ドライプロセスとはこれ以前のウェットプロセス
(溶液を用いる方法)に対する言葉であり、試料表面を
真空中または気相中にて表面処理する方法を言う、従来
のドライプロセスでは気相としてプラズマまたはイオン
ビームが用いられており、試料表面に入射する電子、イ
オン、イオンビームの運動エネルギーは数sV〜10’
eV に分布している(第9図)、一方、結晶中の原子
ディスプレースメントエネルギー(Displacem
ent energy原子を正規の結晶格子位置からず
らすために必要なエネルギー)、Edは約10eVであ
る(たとえば、Si結晶ではEd=12.9eV)。
From about 100 eV onwards, dry processes are actively used in the field of surface treatment (particularly in the field of semiconductor device manufacturing). Here, the term "dry process" refers to the previous wet process (method using a solution), and refers to a method in which the sample surface is treated in a vacuum or gas phase. Alternatively, an ion beam is used, and the kinetic energy of electrons, ions, and ion beams incident on the sample surface is several sV to 10'
eV (Figure 9), while the atomic displacement energy in the crystal (Displacem
ent energy (the energy required to displace an atom from its normal crystal lattice position), Ed is approximately 10 eV (for example, Ed = 12.9 eV in a Si crystal).

このため、従来ドライプロセスでは試料表面に損傷が不
可逆的に形成された。また、このような高エネルギー粒
子の入射によって試料温度も上昇し、場合によっては3
00℃以上になった。このような試料温度上昇は試料表
面に結晶欠陥(損傷)を形成したり、プロセスの適用範
囲を極端に限定していた。さらに、このような高エネル
ギー粒子が試料近傍の表面(たとえば真空室内壁や試料
台表面)に入射すると、この表面を構成する物質を物理
、化学的にスパッタし、これが試料表面に再付着して表
面汚染を発生させた。以上述べたような損傷汚染、温度
上昇は表面処理技術(特に半導体素子製造技術)におい
て致命的である。
Therefore, in the conventional dry process, damage was irreversibly formed on the sample surface. In addition, the sample temperature increases due to the incidence of such high-energy particles, and in some cases, the temperature of the sample increases
The temperature has reached 00℃ or higher. Such an increase in sample temperature may cause crystal defects (damage) to be formed on the sample surface or extremely limit the range of application of the process. Furthermore, when such high-energy particles enter a surface near the sample (for example, the vacuum chamber wall or the sample stage surface), they physically and chemically sputter the substances that make up this surface, causing them to re-adhere to the sample surface. Caused surface contamination. The damage, contamination, and temperature rise described above are fatal in surface treatment technology (particularly in semiconductor device manufacturing technology).

ドライプロセスにおいてなすべき本質的なことは、試料
表面または気相中での物理、化学反応を用いて試料表面
物質を除去したり(エツチング)試料表面に物質を堆積
したり(デポジション、エピタキシ)、試料表面物質を
改質したり(酸化。
The essential things that must be done in the dry process are removing substances on the sample surface (etching) and depositing substances on the sample surface (deposition, epitaxy) using physical and chemical reactions on the sample surface or in the gas phase. , modifying the sample surface substance (oxidation.

窒化等)することである、この際に、物理反応よりむし
ろ化学反応の方が主役となる。これは、化学反応の方が
変化に富んだ反応を実現できるからである。
In this case, chemical reactions rather than physical reactions take center stage. This is because chemical reactions can achieve a greater variety of reactions.

第9図に示すように、化学反応に関係したエネルギー(
化学結合エネルギー)は0.1〜10eVの範囲内に分
布しており、結晶欠陥を発生させるエネルギーは約10
eVである。従って、ドライプロセスを実行するために
用いるエネルギーとしては0.1〜10eV の範囲が
最適である。これによって、損傷、汚染、温度上昇を発
生させずにドライプロセスを実行できる。
As shown in Figure 9, the energy (
Chemical bond energy) is distributed within the range of 0.1 to 10 eV, and the energy that generates crystal defects is approximately 10 eV.
It is eV. Therefore, the optimum energy to use for carrying out the dry process is in the range of 0.1 to 10 eV. This allows dry processes to be carried out without damage, contamination, or temperature increases.

0.1〜10eVのエネルギーを供給するためには、イ
オンやイオンビー11ではなく電気的に中性な活性粒子
(原子・分子)を用いることが最適である。第9図によ
れば、被処理面への中性粒子(電荷を持たない粒子)の
入射エネルギーは10−2〜1eV程度の範囲内にある
ので、中性粒子の入射では結晶欠陥は起こらない、また
、原子・分子の回転、振動、電子励起エネルギーも10
eV以下の範囲内にある。従って、基底状態(並進運動
エネルギーのみを持つ状態)あるいは、回転、振動、電
子励起された電気的に中性な原子・分子を用いることが
最適である。
In order to supply energy of 0.1 to 10 eV, it is optimal to use electrically neutral active particles (atoms/molecules) rather than ions or ion bees 11. According to Figure 9, the incident energy of neutral particles (particles with no electric charge) on the surface to be processed is within the range of about 10-2 to 1 eV, so crystal defects do not occur when neutral particles are incident. , and the rotational, vibrational, and electronic excitation energies of atoms and molecules are also 10
It is within the range of eV or less. Therefore, it is optimal to use electrically neutral atoms and molecules that are in the ground state (a state that has only translational kinetic energy) or that are rotated, vibrated, or electronically excited.

これら電気的に中性な活性粒子(以下、特に断わらない
限り、単に「活性粒子」と記す)を用いて表面処理(特
に半導体関連の表面処理)を精度良く行うためには、活
性粒子の種類、被処理面への入射量、入射方向を制御す
ることが必要である。
In order to accurately perform surface treatment (especially semiconductor-related surface treatment) using these electrically neutral active particles (hereinafter simply referred to as "active particles" unless otherwise specified), the types of active particles must be selected. It is necessary to control the amount and direction of incidence on the surface to be processed.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

〈実施例1〉 第1図に最も簡単な実施例を示した。活性粒子発生器1
で作られた(荷電粒子を含む)活性粒子は、中和器2に
よって電気的に中性になり、方向制御器3で方向を揃え
られた後ウェハ4に入射する。ウェハ4は温度制御器5
を介して試料台6に保持されている。
<Example 1> The simplest example is shown in FIG. Active particle generator 1
The active particles (including charged particles) made in the above are made electrically neutral by the neutralizer 2, aligned in direction by the direction controller 3, and then incident on the wafer 4. Wafer 4 is temperature controller 5
It is held on the sample stage 6 via.

以下に、活性粒子発生器1、中和器2.方向制御器3の
内容を詳しく述べる。
Below, active particle generator 1, neutralizer 2. The contents of the direction controller 3 will be described in detail.

活性粒子発生器1における活性粒子の発生方法としては
、放電、光照射(紫外、可視、赤外光等)、電子線照射
、加熱(ヒータ加熱)、イオンビーム照射、分子線照射
等が考えられる。これらのうち、代表的な放電、光照射
電子線照射、加熱による具体例を第2図に示した。第2
図(a)および(b)は放電を用いる活性粒子の発生方
法である。原材料気体はパイプ9を通してチャンバ8に
導入される。
Possible methods for generating active particles in the active particle generator 1 include electric discharge, light irradiation (ultraviolet, visible, infrared light, etc.), electron beam irradiation, heating (heater heating), ion beam irradiation, molecular beam irradiation, etc. . Among these, typical examples using discharge, light irradiation, electron beam irradiation, and heating are shown in FIG. Second
Figures (a) and (b) show a method for generating active particles using electrical discharge. Raw material gas is introduced into chamber 8 through pipe 9.

第2図(a)では電極10.10’にDCもしくは高周
波(数10 K Hz 〜100 M Hz程度)電圧
を印加することによって放電が発生する6第2図(b)
では放電の発生に有磁場マイクロ波放電を用いている。
In Fig. 2(a), a discharge is generated by applying a DC or high frequency (about several tens of KHz to 100 MHz) voltage to the electrode 10.10'6 Fig. 2(b)
In this method, a magnetic field microwave discharge is used to generate the discharge.

マグネトロン14で発生したマイクロ液を導波管13に
より導き放電管12内に導入する。この時ソレノイドコ
イル15により放電管内に磁場を形成することにより、
有磁場マイクロ波放電が発生する(マイクロ波の導入の
みで放電可能な場合もあり、ソレノイドコイル15は不
可欠なものではない)、これらの放電により作られた活
性粒子が噴出孔11を通してチャンバ7に流入する。第
2図(c)および(d)は光を用いる活性粒子の発生方
法である。
The micro liquid generated by the magnetron 14 is guided through the waveguide 13 and introduced into the discharge tube 12 . At this time, by forming a magnetic field within the discharge tube by the solenoid coil 15,
Magnetic field microwave discharges are generated (in some cases, discharge is possible only by introducing microwaves, so the solenoid coil 15 is not essential), and the active particles created by these discharges enter the chamber 7 through the ejection hole 11. Inflow. FIGS. 2(c) and 2(d) show a method of generating active particles using light.

第2図(Q)ではレーザ19からのレーザ光を、第2図
(d)ではランプ20.20’ をそれぞれ光源として
用いている。レーザ光やランプ光は石英製窓18.18
’ を通してチャンバ8内に入射される。特に第2図(
c)では反射鏡16.16’を用いてレーザ光を多重反
射させ、実効的光路長を長くするよう配慮している。こ
の実施例では、原子・分子の励起、解離エネルギーに相
当する波長の光を入射することにより活性粒子を作り出
している。第3図(e)は、パイプ9を通してチャンバ
8内に導入した原材料気体に、電子、線源21からの電
子線を照射することにより活性粒子を発生させる方法で
ある。電子線源21では、エネルギーの揃った電子線が
発生することが望ましい。第2図(f)は加熱による活
性粒子の発生方法である。
In FIG. 2(Q), a laser beam from a laser 19 is used as a light source, and in FIG. 2(d), a lamp 20, 20' is used as a light source. For laser light and lamp light, use a quartz window 18.18
' into the chamber 8 through. Especially in Figure 2 (
In c), consideration is given to multiply reflecting the laser beam using the reflecting mirrors 16 and 16' to lengthen the effective optical path length. In this embodiment, active particles are created by injecting light with a wavelength corresponding to the excitation and dissociation energy of atoms and molecules. FIG. 3(e) shows a method of generating active particles by irradiating the raw material gas introduced into the chamber 8 through the pipe 9 with electrons and an electron beam from the radiation source 21. It is desirable that the electron beam source 21 generates an electron beam with uniform energy. FIG. 2(f) shows a method of generating active particles by heating.

以上、活性粒子の発生方法について具体例を述べたが、
これら発生手段を用いることにより活性粒子の種類およ
び量を制御することが可能になる。
Above, we have described specific examples of how to generate active particles.
By using these generation means, it is possible to control the type and amount of active particles.

たとえば、第2図(a)、(b)では放電ガス種を変え
ることにより活性粒子の種類を、放電ガス圧力や入射電
力を変えることにより活性粒子の量を変化させることが
可能である。中性FyK子はSiエツチングにおける主
反応種であるaFx放電を例に具体的数値をあげると、
第2図(a)では放電により発生するチャンバ8内のF
原子濃度は(1110”Qll−”以下であり、第2図
(b)ではFZ放電ガス圧力を1O−1Z〜10Pa 
 まで変化させることにより、102〜10”am−’
が得られる。従って、放電ガス圧力や入射電力を変化さ
せることにより、噴出口11より吹き出すF原子量も(
これら濃度に従って)変化させることが可能である。
For example, in FIGS. 2(a) and 2(b), it is possible to change the type of active particles by changing the type of discharge gas, and the amount of active particles by changing the discharge gas pressure and incident power. Taking the example of aFx discharge, which is the main reactive species in Si etching, the neutral FyK particles have specific numerical values:
In FIG. 2(a), F in the chamber 8 generated by discharge is shown.
The atomic concentration is less than (1110"Qll-"), and in Fig. 2(b), the FZ discharge gas pressure is set to 1O-1Z~10Pa.
By changing up to 102~10"am-'
is obtained. Therefore, by changing the discharge gas pressure and the incident power, the amount of F atoms blown out from the ejection port 11 can also be changed (
(according to these concentrations).

光を用いた第2図(c)では、光の持つ特長、すなわち
、エネルギー単色性を用いて活性位子種の制御が可能で
ある。レーザ光あるいはランプ光源の波長を選択するこ
とにより、分子中の特定の結合のみを選択したり、原子
・分子を特定のレベルへ励起することが可能である。ま
た、レーザ光、ランプ光の出力を変化させることにより
、あるいはチャンバ8内に導入する原材料気体の圧力を
変えることにより、活性粒子の量を制御することができ
る。たとえば、第2図(c)では、波長2000人、出
力10W/cdの紫外レーザ光が10−”TorrのF
2に照射された場合(、Fzの2000人での吸収断面
積を10”’cdと仮定)、F2の解離率は10%とな
る。第2図(f)でも第2図(c)と同様に活性粒子の
種類および量の制御が可能である。特に、活性粒子の量
に関する具体例をあげると、真空室8内にFzを〜5 
Torr以下導入し約800℃に加熱すると、F2のう
ち約50%が解離する。活性粒子発生器1に第2図に示
した各方法を用いることにより、活性粒子の種類および
量の制御が可能となる。
In the case of FIG. 2(c) using light, it is possible to control the active ions using the characteristic of light, that is, energy monochromaticity. By selecting the wavelength of the laser beam or lamp light source, it is possible to select only specific bonds in a molecule or to excite atoms and molecules to a specific level. Furthermore, the amount of active particles can be controlled by changing the output of the laser beam or lamp light, or by changing the pressure of the raw material gas introduced into the chamber 8. For example, in Fig. 2(c), an ultraviolet laser beam with a wavelength of 2000 people and an output of 10 W/cd is
2 (assuming that the absorption cross section of Fz in 2000 people is 10''cd), the dissociation rate of F2 is 10%. Similarly, it is possible to control the type and amount of active particles.In particular, to give a specific example regarding the amount of active particles, Fz ~5
When introduced at less than Torr and heated to about 800° C., about 50% of F2 dissociates. By using the methods shown in FIG. 2 in the active particle generator 1, it becomes possible to control the type and amount of active particles.

次に中和器2の内容を述べる。先に述べたように、試料
表面にイオンが入射した場合、イオン衝撃により試料表
面に損傷が発生する。また、低速の(10eV以下)イ
オンでは損傷の発生は少ないが、絶縁物(S i Ox
、S osN+等)の表面処理では試料表面の帯電が起
こり絶縁物の誘電破壊が発生する(この問題は、たとえ
ば、MOSのゲート酸化膜のドライエツチングで特に深
刻である)。
Next, the contents of the neutralizer 2 will be described. As mentioned above, when ions are incident on the sample surface, damage occurs to the sample surface due to ion bombardment. In addition, low-velocity (10 eV or less) ions cause less damage, but insulators (S i Ox
, SosN+, etc.), the surface of the sample is charged, causing dielectric breakdown of the insulator (this problem is particularly serious, for example, in dry etching of the gate oxide film of a MOS).

従って、上記問題点を解決するためには試料表面に荷電
粒子が照射されないよう配慮する必要がある。中和器2
はこの荷電粒子の除去および電気的に中和することを目
的に設置されている。
Therefore, in order to solve the above problems, it is necessary to take care not to irradiate the sample surface with charged particles. Neutralizer 2
is installed for the purpose of removing and electrically neutralizing these charged particles.

第3図に中和器2の具体例を示した。第3図(a)は「
中和」という意味から考えると違和感があるが、荷電粒
子の除去という中和器2の目的から考えると有効である
ので具体例に含めた。第3図(a)では噴出口11に近
接して複数枚のグリッド24を設け、これらグリッドの
電位を独立に制御する。たとえば、初段のグリッドをア
ース電位にして、第2段目を正電位にすることにより正
イオンを、第3段目を負電位にして最終段のグリッドを
アース電位とすることにより負イオンと電子をそれぞれ
除去することができる。この結果、グリッド24を通過
する粒子は(電気的に中性な)活性粒子のみになる。
A specific example of the neutralizer 2 is shown in FIG. Figure 3(a) shows “
Although this may seem strange when considered in terms of the meaning of "neutralization," it is included in the specific example because it is effective when considered from the purpose of the neutralizer 2, which is to remove charged particles. In FIG. 3(a), a plurality of grids 24 are provided close to the jet nozzle 11, and the potentials of these grids are independently controlled. For example, by setting the first stage grid to ground potential and the second stage to positive potential, positive ions are generated, and by setting the third stage to negative potential and the final stage grid to ground potential, negative ions and electrons are generated. can be removed respectively. As a result, the only particles passing through the grid 24 are (electrically neutral) active particles.

第3図(b)はフィラメント27より発生する熱電子を
用いて生イオンを中和する方式である。この方式では負
イオンや電子を取り除くことはできないので、第3図(
a)と同じく複数枚のグリッド30が後方に設置されて
いる。これにより負イオンおよび電子を除去する。第3
図(b)タイプの実施例が最も有効であると考えられる
のは、第3図(c)のような構造を用いた場合である。
FIG. 3(b) shows a method in which thermionic electrons generated from the filament 27 are used to neutralize raw ions. This method cannot remove negative ions and electrons, so Figure 3 (
As in a), a plurality of grids 30 are installed at the rear. This removes negative ions and electrons. Third
The embodiment of the type shown in FIG. 3(b) is considered to be most effective when the structure shown in FIG. 3(c) is used.

説明のために活性粒子発生器1(真空室8内の部分)も
合わせて図に示した。真空室8内での活性粒子発生方法
は第2図(a)と同じである。第2図(a)との違いは
、電極10′に細孔32があけられており、かつ細孔3
2と噴出口11とが中心線を一致して近接して配置され
ていることにある。このため、放電により発生した(電
気的に中性な)活性粒子の他にイオンも細孔32および
噴出口11を通してチャンバ7に流入する。チャンバ7
に流入したイオンのうち正イオンは第3図(b)と同様
に電気的に中和される。従って、グリッド30を通して
チャンバ7内に流入する活性粒子の量は、この中和され
るイオンの量だけ増加する。第3図(c)に示された方
式は、第3図(a)に示された方式に比べ、イオンを中
和して積極的に利用しようとする方式であり、活性粒子
の量を増加させる優れた方式である。
For the sake of explanation, the active particle generator 1 (the part inside the vacuum chamber 8) is also shown in the figure. The method of generating active particles within the vacuum chamber 8 is the same as that shown in FIG. 2(a). The difference from FIG. 2(a) is that the electrode 10' has a pore 32 and the pore 3
2 and the spout 11 are arranged close to each other with their center lines coincident. Therefore, in addition to the (electrically neutral) active particles generated by the discharge, ions also flow into the chamber 7 through the pores 32 and the ejection port 11. chamber 7
Of the ions that have flowed into the tube, positive ions are electrically neutralized as shown in FIG. 3(b). The amount of active particles flowing into chamber 7 through grid 30 is therefore increased by this amount of neutralized ions. The method shown in Figure 3(c), compared to the method shown in Figure 3(a), is a method that attempts to neutralize and actively utilize ions, increasing the amount of active particles. This is an excellent way to

最後に方向制御器の内容を述べる。微細加工を行うため
にはマスクどおりの表面処理(たとえばエツチング)を
行う必要がある。このためには、一方向のみの速度成分
を持つ(あるいは、一方向の速度成分がその他の方向の
速度成分に比べ十分大きい)活性粒子を作り出すことが
必要である。
Finally, we will discuss the contents of the direction controller. In order to perform microfabrication, it is necessary to perform surface treatment (for example, etching) according to the mask. For this purpose, it is necessary to create active particles that have a velocity component in only one direction (or a velocity component in one direction that is sufficiently larger than velocity components in other directions).

活性粒子発生器1および中和器2を通してチャンバ7に
流入する活性粒子は、ウェハ4面に必ずしも垂直に入射
するとは限らない。方向制御器3は。
The active particles flowing into the chamber 7 through the active particle generator 1 and the neutralizer 2 do not necessarily enter the wafer 4 surface perpendicularly. The direction controller 3 is.

活性粒子の速度を一定方向に揃えるための手段である。This is a means for aligning the speed of active particles in a fixed direction.

方向制御器3の具体例を第40図(a)、(b)に示し
た。第4図(a)は細孔板32を通して活性粒子を吹き
出させる方式であり、第4図(b)は冷却装置35に接
続された冷却板34を介して活性粒子を吹き出させる方
式である。第4図(a)は活性粒子として分子振動励起
された粒子を用いる場合に有効である6分子振動励起さ
れた粒子は、細孔板32の細孔33を通過する間に細孔
33の内壁に衝突する。この衝突により1分子振動励起
状態が緩和されて粒子の化学的に活性な性質が失われる
A specific example of the direction controller 3 is shown in FIGS. 40(a) and 40(b). 4(a) shows a method in which active particles are blown out through a perforated plate 32, and FIG. 4(b) shows a method in which active particles are blown out through a cooling plate 34 connected to a cooling device 35. FIG. 4(a) is effective when using molecularly vibrationally excited particles as active particles.While the molecularly vibrationally excited particles pass through the pores 33 of the pore plate 32, the inner walls of the pores 33 collide with This collision relaxes the vibrationally excited state of one molecule, causing the particle to lose its chemically active properties.

従って、細孔33の内壁に無衝突で細孔33を通過した
振動励起された粒子のみが化学的に活性であり、ウェハ
4と反応する。細孔33の内壁に無衝突で細孔33を通
過するということは1粒子がX方向(図示)に十分大き
な速度成分を持つ場合に限り可能である。この結果、細
孔33を通過した粒子のうちウェハ4と反応可能な粒子
はX方向に十分大きな速度成分を持つ粒子のみであり、
活性粒子の方向が制御されたことになる。第4図(a)
に示されたように、複数枚の細孔板32を用いれば活性
粒子の方向はさらに精度良くX方向に制御される。この
方法は振動励起されることによって化学的に活性となる
粒子に有効な方法である。その他の活性粒子の方向を制
御するためには、第4図(b)に示された方法が有効で
ある。第4図(b)では、活性粒子は冷却装置35によ
って冷却された冷却板34の細孔33を通過する。冷却
板34は液体窒素温度(70°K)から液体ヘリウム温
度(40”K)程度に冷却されている。このような低温
に冷却された面は粒子を吸着させる作用を有する。従っ
て、細孔33を通過する間に細孔33の内壁に衝突した
活性粒子は吸着されるから、細孔33を通過する活性粒
子は実質的にX方向のみの速度成分を持つ。
Therefore, only the vibrationally excited particles that have passed through the pores 33 without colliding with the inner walls of the pores 33 are chemically active and react with the wafer 4 . Passing through the pore 33 without colliding with the inner wall of the pore 33 is possible only when one particle has a sufficiently large velocity component in the X direction (as shown). As a result, among the particles that have passed through the pores 33, the only particles that can react with the wafer 4 are particles that have a sufficiently large velocity component in the X direction.
The direction of the active particles is now controlled. Figure 4(a)
As shown in , if a plurality of porous plates 32 are used, the direction of the active particles can be controlled in the X direction with even greater precision. This method is effective for particles that become chemically active due to vibrational excitation. In order to control the direction of other active particles, the method shown in FIG. 4(b) is effective. In FIG. 4(b), the active particles pass through the pores 33 of the cooling plate 34, which are cooled by the cooling device 35. In FIG. The cooling plate 34 is cooled from the liquid nitrogen temperature (70°K) to the liquid helium temperature (40"K). The surface cooled to such a low temperature has the effect of adsorbing particles. Therefore, the pores are Since the active particles colliding with the inner walls of the pores 33 while passing through the pores 33 are adsorbed, the active particles passing through the pores 33 substantially have a velocity component only in the X direction.

以上、実施例1に関し個々の構成要素を具体的に開示し
た。実施例1は第2図〜第4図に示した具体例を組み合
わせて構成されるものである。また、第2図〜第4図に
示された具体例を組み合わせて1つの構成要素とするこ
とも可能である。たとえば、活性粒子発生器1では、第
2図(a)と第2図(c)を組み合わせて活性粒子を発
生させるとか、あるいは、方向制御器3では第5図(a
)と第5図(b)を組合せるとかが考えられる。もちろ
ん、これら組合は複合効果をねらったものである。また
噴出口11の大きさには特に制限を設けない。
The individual components of Example 1 have been specifically disclosed above. Embodiment 1 is constructed by combining the specific examples shown in FIGS. 2 to 4. Further, it is also possible to combine the specific examples shown in FIGS. 2 to 4 into one component. For example, the active particle generator 1 generates active particles by combining the methods shown in FIG. 2(a) and FIG. 2(c), or the direction controller 3 generates active particles as shown in FIG.
) and FIG. 5(b) may be combined. Of course, these combinations are aimed at compound effects. Further, there is no particular restriction on the size of the jet nozzle 11.

個々の実施例が最大の効果を発揮するように大きさが決
定される。
Each embodiment is sized for maximum effectiveness.

実施例1を用いることにより、電気的に中性な活性粒子
の種類、量、方向を制御することが可能になる。
By using Example 1, it becomes possible to control the type, amount, and direction of electrically neutral active particles.

〈実施例2〉 実施例1では活性粒子の分離手段を特に設けていなかっ
た。このため、活性粒子の種類を制御することを考えた
場合(すなわち、特定の活性粒子の利用を考えた場合)
、利用可能な活性粒子の種類が限定される可能性がある
。そこで、本実施例では、実施例1に活性粒子分離手段
を付加した。
<Example 2> In Example 1, no means for separating active particles was specifically provided. Therefore, when considering controlling the type of active particles (i.e., when considering the use of specific active particles)
, the types of active particles available may be limited. Therefore, in this example, active particle separation means was added to Example 1.

第5図に本実施例の構成を示した。活性粒子発生器1で
発生した活性粒子は、活性粒子分離器37で分離され、
中和器2および方向制御器3を通過した後ウェハに照射
される。ここで、活性粒子発生器1.中和器2.方向制
動器3に関しては既に実施例1で述べたと同様である。
FIG. 5 shows the configuration of this embodiment. The active particles generated by the active particle generator 1 are separated by an active particle separator 37,
After passing through the neutralizer 2 and direction controller 3, the wafer is irradiated. Here, active particle generator 1. Neutralizer 2. The directional brake 3 is the same as that already described in the first embodiment.

以下では、活性粒子分離器37について説明する。The active particle separator 37 will be explained below.

活性粒子分離器37の具体例を第6図に示した。A specific example of the active particle separator 37 is shown in FIG.

第6図(a)はチャンバ8内で発生したイオンをスリッ
ト38を用いて引き出し、質量分離器39で質量分離す
ることにより、特定のイオン種のみを選択して中和器2
に送り込む方式である。中和器2によりイオンは電気的
に中性な粒子となるから、結果的には質量分離された活
性粒子が生成されることになり、活性粒子の種類を選択
することが可能である。第6図(a)において、スリッ
ト38はチャンバ8内にあるが、チャンバ7内にあって
もよい。第6図(、)においてはスリット38がどこに
設置されるかが問題ではなく、生成したイオンを質量分
離して中和器2に送り込むことが本質である6第6図(
b)は回転円板41.41’を用いて質量分離する方法
である。回転円板41.41’には単数または複数の通
過口42が設けられており、噴出口11の中心線を周期
的に通過口42が横切るようになっている。回転円板4
1の通過口42が噴出口11に一致した時のみ複数種の
粒子が回転円板41を通過する。各粒子の飛躍速度&±
粒粒子上よって異るため、回転円板41′番こ到達する
時刻が粒子種によって異なる0丁度、回転円板41′の
通過口42位置に来てbする粒子種のみが回転円板41
′を通過する。この方法で4±、噴出口11を通してイ
オンと活性粒子の両省力1混合して吹き出したとしても
、両者の速度が異なれ1f、活性粒子のみを質量分離し
て取り出すことも可能である。この場合には、第5図に
示された中和器2はなくてもかまわない、また、第6図
(b ) c::示された方式では、中和器2と活性粒
子分離器36の位置を入れかえてもかまわない。
FIG. 6(a) shows that the ions generated in the chamber 8 are extracted using the slit 38 and are mass-separated by the mass separator 39, so that only specific ion species are selected and sent to the neutralizer 2.
This is a method to send it to. Since the ions are turned into electrically neutral particles by the neutralizer 2, mass-separated active particles are produced as a result, and the type of active particles can be selected. Although the slit 38 is located within the chamber 8 in FIG. 6(a), it may also be located within the chamber 7. In Fig. 6(,), it does not matter where the slit 38 is installed, but the essence is to separate the generated ions by mass and send them to the neutralizer 2.
b) is a method of mass separation using rotating disks 41, 41'. The rotating disk 41 , 41 ′ is provided with one or more passage ports 42 such that the passage ports 42 periodically cross the center line of the spout 11 . rotating disk 4
A plurality of types of particles pass through the rotating disk 41 only when one passage port 42 coincides with the jet port 11. Jump speed of each particle &±
Since the particle size differs depending on the particle, the time at which the particle reaches the rotating disk 41' differs depending on the particle type.
′. In this method, even if both ions and active particles are mixed and blown out through the ejection port 11, it is also possible to separate the active particles by mass and take out only the active particles if the velocities of the two are different. In this case, the neutralizer 2 shown in FIG. 5 may be omitted, and in the system shown in FIG. It doesn't matter if you change the position of .

本実施例によれば、活性粒子の種類を広範四番こ制御で
きるので、実施例1に比べより高精度で表面処理が可能
となる。
According to this embodiment, the types of active particles can be controlled over a wide range, so that surface treatment can be performed with higher precision than in the first embodiment.

〈実施例3〉 実施例3は第7図に示すように実施例1もこレーザ発生
装置43を付加し、活性粒子にレーザ光照射を可能にし
た実施例である。レーザ光は石英製窓44を通して活性
粒子に照射される。レーザ光照射により活性粒子をさら
に励起して、ウェハ4との反応性を高めることができる
。本実施例は実施例2に対しても適用可能である。レー
ザ光のかわりに、適当なランプ光源を用いても同等の効
果が期待できる。
<Example 3> As shown in FIG. 7, Example 3 is an example in which a laser generator 43 is added to Example 1 to enable active particles to be irradiated with laser light. The laser light is applied to the active particles through the quartz window 44 . The active particles can be further excited by laser light irradiation to increase their reactivity with the wafer 4. This embodiment is also applicable to the second embodiment. Similar effects can be expected by using a suitable lamp light source instead of laser light.

本実施例では、レーザ光は方向制御器の後段で照射され
るが、チャンバ7内であればどの位置で照射してもかま
わない。また、レーザ光以外のエネルギー供給源の使用
も(活性粒子を再励起する限りにおいて)可能である。
In this embodiment, the laser beam is irradiated after the direction controller, but it may be irradiated at any position within the chamber 7. It is also possible to use energy sources other than laser light (as long as they re-excite the active particles).

〈実施例4〉 被処理表面への活性粒子の入射量、入射方向。<Example 4> Amount and direction of incidence of active particles on the surface to be treated.

および活性粒子の種類を制御するためには、これらのa
m手段が装置に設置されていることが望ましい。
and to control the type of active particles, these a
Preferably, m means are installed in the device.

第8図は実施例1にこれらの観測手段を付加した一実施
例である。本実施例においては、レーザ45よりのレー
ザ光をチャンバ7内に入射して活性粒子を励起し、励起
された粒子が他エネルギー準位へ遷移する際に発するけ
い光を分光器48を用いてflft!測することで、活
性粒子の種類および入射量を観測する。また、被処理面
へレーザ46からのレーザ光をあて、その反射光を検出
器49でモニタすることにより表面処理の進行状況をモ
ニタしている。これらのモニタ信号はコントローラ50
に入力され信号処理される。この信号処理の過程であら
かじめコントローラ50に入力されている条件に対し判
断を行い、電源50やバルブ52をフィードバック制御
することが可能である。
FIG. 8 shows an embodiment in which these observation means are added to the first embodiment. In this embodiment, a laser beam from a laser 45 is input into a chamber 7 to excite active particles, and a spectrometer 48 is used to detect fluorescence emitted when the excited particles transition to another energy level. flft! By measuring, the type and amount of active particles can be observed. Further, the progress of the surface treatment is monitored by applying a laser beam from a laser 46 to the surface to be treated and monitoring the reflected light with a detector 49. These monitor signals are sent to the controller 50
input and signal processing. In the process of this signal processing, it is possible to perform feedback control of the power source 50 and the valve 52 by making a judgment regarding the conditions that have been input to the controller 50 in advance.

本実施例の要点は活性粒子の種類、被処理面への入射量
、入射方向等を観測する手段を有することである。従っ
て1図に示した構成、観測装置以外にも多くの構成、I
ll装置があり得る。
The key point of this embodiment is to have means for observing the type of active particles, the amount of incidence on the surface to be treated, the direction of incidence, etc. Therefore, in addition to the configuration shown in Figure 1 and the observation device, many configurations and I
There can be ll devices.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、電気的に中性な活性粒子の種類、被処
理面への入射量、入射方向を制御できるので、試料表面
の損傷、汚染、温度上昇を発生させずに高精度で表面処
理が可能である。
According to the present invention, since it is possible to control the type of electrically neutral active particles, the amount of incidence on the surface to be treated, and the direction of incidence, the surface of the sample can be precisely Processing is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す表面処理装置の構成図
、第2図は活性粒子発生方式の具体例を示す構成図、第
3図は荷重粒子除去方式もしくは荷重粒子中和方式の具
体例を示す構成図、第4図は活性粒子方向制御方式の具
体例を示す構成図、第5図は本発明の他の実施例を示す
表面処理装置の構成図、第6図は活性粒子発生方式の具
体例を示す構成図、第7図は本発明の他の実施例を示す
表面処理装置の構成図、第8図は本発明の他の実施例を
示す粒子fiR測手測音段する表面処理装置の構成図、
第9図は化学反応に関係したエネルギーの相互関係を示
す特性図である。 1・・・活性粒子発生器、2・・・中和器、3・・・方
向制御器、4・・・ウェハ、5・・・温度制御器、6・
・・試料台。 7・・・チャンバ、8・・・チャンバ、9・・・パイプ
、10゜10’・・・電極、11・・・噴出口、12・
・・放電管。 13・・・導波管、14・・・マグネトロン、15・・
・ソレノイドコイル、16.16’・・・反透鏡、17
・・・穴、18.18’・・・石英製窓、19・・・レ
ーザ、20゜20′・・・ランプ、21・・・電子線源
、22・・・ヒータ、23・・・熱シールド、24・・
・グリッド、25.25’・・・電源、26・・・電源
、27・・・フィラメント、28゜28′・・・電極板
、29・・・電源、30・・・グリッド、31・・・電
源、32・・・細孔板、33・・・細孔、34・・・冷
却板、35・・・冷却装置、36・・・熱シールド、3
7・・・活性粒子分離器、38・・・スリット、39・
・・質量分離器、40・・・電源、41.41’・・・
回転円板、42・・・通過口、43・・・レーザ、44
.44’・・・石英製窓、45・・・レーザ、46・・
・レーザ、47・・・光学フィルタ、48・・・分光器
、49・・・検出器、第 2 目 第 3 口 (α) (b) 第 4 図 (α) 第 6 口 (し)
Fig. 1 is a block diagram of a surface treatment apparatus showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a block diagram showing a specific example of an active particle generation method, and Fig. 3 is a block diagram of a loaded particle removal method or a loaded particle neutralization method. Fig. 4 is a block diagram showing a specific example of the active particle direction control system, Fig. 5 is a block diagram of a surface treatment apparatus showing another embodiment of the present invention, and Fig. 6 is a block diagram showing a specific example of the active particle direction control method. Fig. 7 is a block diagram showing a specific example of the generation method; Fig. 7 is a block diagram of a surface treatment device showing another embodiment of the present invention; Fig. 8 is a particle fiR measuring instrument sound measuring stage showing another embodiment of the present invention. A configuration diagram of the surface treatment equipment,
FIG. 9 is a characteristic diagram showing the interrelationship of energies related to chemical reactions. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Active particle generator, 2... Neutralizer, 3... Direction controller, 4... Wafer, 5... Temperature controller, 6...
...Sample stand. 7... Chamber, 8... Chamber, 9... Pipe, 10°10'... Electrode, 11... Spout, 12...
...discharge tube. 13... Waveguide, 14... Magnetron, 15...
・Solenoid coil, 16.16'... anti-transparent mirror, 17
... Hole, 18.18'... Quartz window, 19... Laser, 20°20'... Lamp, 21... Electron beam source, 22... Heater, 23... Heat Shield, 24...
・Grid, 25.25'...Power source, 26...Power source, 27...Filament, 28°28'...Electrode plate, 29...Power source, 30...Grid, 31... Power supply, 32... Pore plate, 33... Pore, 34... Cooling plate, 35... Cooling device, 36... Heat shield, 3
7... Active particle separator, 38... Slit, 39...
...Mass separator, 40...Power supply, 41.41'...
Rotating disk, 42... Passing port, 43... Laser, 44
.. 44'...Quartz window, 45...Laser, 46...
・Laser, 47... Optical filter, 48... Spectrometer, 49... Detector, 2nd eye 3rd port (α) (b) Fig. 4 (α) 6th port (shi)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、化学的に活性な粒子を用いる表面処理方法において
、上記活性粒子が電気的に中性な粒子であり、かつ、被
処理面への入射量、入射方向が制御されており、被処理
面と反応する主たる粒子種が選択されていることを特徴
とする表面処理方法。 2、上記活性粒子の被処理面への入射量、入射方向、被
処理面と反応する主たる粒子種、および表面処理結果の
うち少なくとも1つ以上を表面処理途中あるいは表面処
理中に観測して、これら観測結果をもとに上記入射量、
入射方向、粒子種を制御することを特徴とする特許請求
範囲第1項記載の表面処理方法。 3、原材料気体の導入手段、原材料気体からの活性粒子
の発生手段、処理すべき試料の保持手段とを有する表面
処理装置において、上記発生手段が原材料気体構成粒子
へのエネルギー供給量を制御可能な発生手段であり、か
つ、活性粒子の発生に伴つて生成される荷重粒子を除去
もしくは中和する手段と、被処理表面への電気的に中性
な活性粒子の入射方向を制御可能な手段とを有すること
を特徴とする表面処理装置。 4、上記活性粒子発生手段によつて生成される活性粒子
を特定の粒子種に分離可能な手段を有することを特徴と
する特許請求範囲第3項記載の表面処理装置。 5、活性粒子の被処理面への入射量、入射方向、被処理
面と反応する主たる粒子種、および表面処理結果のうち
、少なくとも1つ以上を表面処理途中あるいは表面処理
中に観測可能な手段を有することを特徴とする特許請求
範囲第3項または第4項記載の表面処理装置。 6、上記観測手段よりの観測信号を処理する手段を有し
、かつ処理された信号をもとに、活性粒子の被処理面へ
の入射量、入射方向、被処理面と反応する主たる粒子種
のうち少なくとも1つ以上を自動制御可能な制御手段を
有することを特徴とする特許請求範囲第5項記載の表面
処理装置。
[Claims] 1. In a surface treatment method using chemically active particles, the active particles are electrically neutral particles, and the amount and direction of incidence on the surface to be treated is controlled. A surface treatment method characterized in that the main particle species that react with the surface to be treated are selected. 2. Observing at least one of the amount of active particles incident on the surface to be treated, the direction of incidence, the main particle species reacting with the surface to be treated, and the surface treatment results during or during the surface treatment, Based on these observation results, the above incident amount,
The surface treatment method according to claim 1, characterized in that the incident direction and particle type are controlled. 3. In a surface treatment apparatus having a means for introducing a raw material gas, a means for generating active particles from the raw material gas, and a means for holding a sample to be treated, the generating means can control the amount of energy supplied to the particles constituting the raw material gas. A means for generating and removing or neutralizing loaded particles generated with the generation of active particles, and a means capable of controlling the direction of incidence of electrically neutral active particles onto the surface to be treated. A surface treatment device comprising: 4. The surface treatment apparatus according to claim 3, further comprising means capable of separating the active particles generated by the active particle generating means into specific particle types. 5. Means that can observe at least one of the following: the amount of active particles incident on the surface to be treated, the direction of incidence, the main particle species that react with the surface to be treated, and the surface treatment results during or during surface treatment. A surface treatment apparatus according to claim 3 or 4, characterized in that it has the following. 6. A means for processing the observation signal from the observation means, and based on the processed signal, determines the amount of active particles incident on the surface to be treated, the direction of incidence, and the main particle species that react with the surface to be treated. 6. The surface treatment apparatus according to claim 5, further comprising control means capable of automatically controlling at least one of the above.
JP24702585A 1985-11-06 1985-11-06 Method and apparatus for surface treating Pending JPS62108525A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24702585A JPS62108525A (en) 1985-11-06 1985-11-06 Method and apparatus for surface treating

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24702585A JPS62108525A (en) 1985-11-06 1985-11-06 Method and apparatus for surface treating

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62108525A true JPS62108525A (en) 1987-05-19

Family

ID=17157284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24702585A Pending JPS62108525A (en) 1985-11-06 1985-11-06 Method and apparatus for surface treating

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62108525A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63304626A (en) * 1987-06-05 1988-12-12 Hitachi Ltd Surface treatment and equipment therefor
JPH01215023A (en) * 1988-02-24 1989-08-29 Hitachi Ltd Surface treatment and device therefor
JPH0282616A (en) * 1988-09-20 1990-03-23 Sanyo Electric Co Ltd Formation of amorphous semiconductor thin film
JPH0380531A (en) * 1989-05-24 1991-04-05 Hitachi Ltd Method and apparatus for surface treating and thin film member
JPH03124024A (en) * 1989-10-06 1991-05-27 Sharp Corp Manufacture of semiconductor device
JPH09139364A (en) * 1995-11-14 1997-05-27 Nec Corp Neutral particle beam processor
JP2004535672A (en) * 2001-07-13 2004-11-25 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド Method and apparatus for low energy ion generation and transport by microjets in plasma processing

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5324782A (en) * 1976-08-20 1978-03-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Forming method of high molecular film patterns by negative resist
JPS5833834A (en) * 1981-08-24 1983-02-28 Hitachi Ltd Plasma sputter-etching apparatus
JPS58202533A (en) * 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd Surface treatment device
JPS5966123A (en) * 1982-10-08 1984-04-14 Hitachi Ltd Dry processing apparatus
JPS59169135A (en) * 1983-03-16 1984-09-25 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS59205720A (en) * 1983-05-09 1984-11-21 Nec Corp Etching apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5324782A (en) * 1976-08-20 1978-03-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Forming method of high molecular film patterns by negative resist
JPS5833834A (en) * 1981-08-24 1983-02-28 Hitachi Ltd Plasma sputter-etching apparatus
JPS58202533A (en) * 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd Surface treatment device
JPS5966123A (en) * 1982-10-08 1984-04-14 Hitachi Ltd Dry processing apparatus
JPS59169135A (en) * 1983-03-16 1984-09-25 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS59205720A (en) * 1983-05-09 1984-11-21 Nec Corp Etching apparatus

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63304626A (en) * 1987-06-05 1988-12-12 Hitachi Ltd Surface treatment and equipment therefor
JPH01215023A (en) * 1988-02-24 1989-08-29 Hitachi Ltd Surface treatment and device therefor
JPH0282616A (en) * 1988-09-20 1990-03-23 Sanyo Electric Co Ltd Formation of amorphous semiconductor thin film
JPH0380531A (en) * 1989-05-24 1991-04-05 Hitachi Ltd Method and apparatus for surface treating and thin film member
JPH03124024A (en) * 1989-10-06 1991-05-27 Sharp Corp Manufacture of semiconductor device
JPH09139364A (en) * 1995-11-14 1997-05-27 Nec Corp Neutral particle beam processor
JP2004535672A (en) * 2001-07-13 2004-11-25 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド Method and apparatus for low energy ion generation and transport by microjets in plasma processing

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4097695B2 (en) Parallel ion optical element and high current low energy ion beam device
JP2842344B2 (en) Neutral beam processing equipment
JPH05326452A (en) Equipment and method for plasma treatment
JP7369835B2 (en) System and method for processing workpieces using a neutral atomic beam
JPS62108525A (en) Method and apparatus for surface treating
US5082685A (en) Method of conducting plasma treatment
JPH0542813B2 (en)
JP2002289582A (en) Neutral particle beam treatment device
EP0562848A2 (en) Surface treating method
JP3503787B2 (en) Thin film formation method
JPS61177728A (en) Apparatus for irradiation with low-energy ionized particle
JPH06224156A (en) Surface treating method and apparatus
JPH0713949B2 (en) Photoreaction method and device
JP3331542B2 (en) Surface treatment apparatus and method
JPH0481325B2 (en)
JPH08259400A (en) Etching of diamond and device therefor
JPH0822979A (en) Method and apparatus for substance treatment
JPS62229844A (en) Thin-film deposition method
JP2768317B2 (en) Surface treatment equipment
JPS63110733A (en) Surface treatment device
JPH01189123A (en) Removing method for polymer resin film
JPH01278023A (en) Method and device for dry etching
JPH04206721A (en) Surface treatment method and its device
JPH01207654A (en) Manufacture of gas sensor
JPH01292827A (en) Focused and charged beam etching apparatus