JPS62102579A - 集積型半導体レ−ザ装置 - Google Patents
集積型半導体レ−ザ装置Info
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- JPS62102579A JPS62102579A JP24053585A JP24053585A JPS62102579A JP S62102579 A JPS62102579 A JP S62102579A JP 24053585 A JP24053585 A JP 24053585A JP 24053585 A JP24053585 A JP 24053585A JP S62102579 A JPS62102579 A JP S62102579A
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- semiconductor laser
- laser device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置の構造に関し、特に低し
きい値、高効率で発振する高出力用集積型半導体レーザ
装置１ζ関するものである。
きい値、高効率で発振する高出力用集積型半導体レーザ
装置１ζ関するものである。
第２図ハＷ、 ５ｔｒｅｉｆｅｒ らが、ＬＡＳＥＲ
ＦＯＣＵＳ／ＥＬＥＣＴＲＯ０ＰＴＩＣ８Ｐ、 １００
（１９８４） ｉζ示している、従来の集積型半導体
レーザ装置の斜示図である。
ＦＯＣＵＳ／ＥＬＥＣＴＲＯ０ＰＴＩＣ８Ｐ、 １００
（１９８４） ｉζ示している、従来の集積型半導体
レーザ装置の斜示図である。
クラッド層、（５）はｎ形、ｐ形またはアンドープのＡ
ｌｘＧａ＋ −ｘＡｓ 活性層、＋４１はｐ形Ａ １
ｙＧａ ＋ −ｙＡｓ クラッド層、１］３はｎ形Ｇ
ａＡｓ ｆｉｌ流ブロブロック層り、またσルは窒化シ
リコン絶縁膜である。ここで窒化シリコン膜（１４１に
は１０本のストライブ状窓が開けてあり、Ｚｎ 拡散に
よりその下のｎ形電流ブロック層（１３１中にｐ彩度転
領域ｔｉｓを形成している。（８）、（９）はそれぞれ
ｎ形ＧａＡｓ 基板（１２１およびｐ形反転領域ｕ９上
に取り付けられた電極である。
ｌｘＧａ＋ −ｘＡｓ 活性層、＋４１はｐ形Ａ １
ｙＧａ ＋ −ｙＡｓ クラッド層、１］３はｎ形Ｇ
ａＡｓ ｆｉｌ流ブロブロック層り、またσルは窒化シ
リコン絶縁膜である。ここで窒化シリコン膜（１４１に
は１０本のストライブ状窓が開けてあり、Ｚｎ 拡散に
よりその下のｎ形電流ブロック層（１３１中にｐ彩度転
領域ｔｉｓを形成している。（８）、（９）はそれぞれ
ｎ形ＧａＡｓ 基板（１２１およびｐ形反転領域ｕ９上
に取り付けられた電極である。
このレーザ構造では電流はｐ形反転領域ａ９を通って流
れ、その下方に位置する活性領域＋１０においてレーザ
発振し、またそれぞれの活性領域は光のしみ出しのため
にカップリングが可能となり、コヒーレント光が得られ
る。
れ、その下方に位置する活性領域＋１０においてレーザ
発振し、またそれぞれの活性領域は光のしみ出しのため
にカップリングが可能となり、コヒーレント光が得られ
る。
また他方、ＭＯ−ＣＶＤ （ＩＶｉｅｔａｌ Ｏｒｇａ
ｎｉｃ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ″″１ ｆＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の特徴を生か
した別の従来第８図は三橋らが昭和６０年春季応用物理
学関係連合溝演会３０ ａ−ＺＢ−４で報告したＳＢＡ
レーザの斜−電流ブロック層であ（１゜この電流ブロッ
ク’：１（ｌａ）には断面が逆台形の溝αＤが堀られて
あり、その底部でｐ形ＡｌｙＧａ ＋ −ｙＡｓ 第１
クラッド層（２）が露出している。さらｉ（＋４１ Ｉ
ｔ １）形Ａｌ ｙＧａ ＋ −ｙＡｓ 第２クラッ
ド層、（５）はｐ形、ｎ形またはアンドープのＡｌｘＧ
ａ ＋ −ｘＡｓ活性層、（６）はｎ形Ａ１ｙＧａ＋
−ｙＡｓ クラッド層、（７）はｎ形ＧａＡｓ コ
ンタクト層であり、また（８）、（９）はそれぞれｎ形
ＧａＡｓ コンタクト層（７）およびｐ形ＧａＡｓ
基板（１）に取り付けられた電極である。
ｎｉｃ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ″″１ ｆＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の特徴を生か
した別の従来第８図は三橋らが昭和６０年春季応用物理
学関係連合溝演会３０ ａ−ＺＢ−４で報告したＳＢＡ
レーザの斜−電流ブロック層であ（１゜この電流ブロッ
ク’：１（ｌａ）には断面が逆台形の溝αＤが堀られて
あり、その底部でｐ形ＡｌｙＧａ ＋ −ｙＡｓ 第１
クラッド層（２）が露出している。さらｉ（＋４１ Ｉ
ｔ １）形Ａｌ ｙＧａ ＋ −ｙＡｓ 第２クラッ
ド層、（５）はｐ形、ｎ形またはアンドープのＡｌｘＧ
ａ ＋ −ｘＡｓ活性層、（６）はｎ形Ａ１ｙＧａ＋
−ｙＡｓ クラッド層、（７）はｎ形ＧａＡｓ コ
ンタクト層であり、また（８）、（９）はそれぞれｎ形
ＧａＡｓ コンタクト層（７）およびｐ形ＧａＡｓ
基板（１）に取り付けられた電極である。
このレーザ構造においては電流はｎ形ＧａＡｓ 電流
ブロック／Ｉ （３ａ）のストライプ状溝の開口部ｑＤ
を通って流れ、活性層（５）の開口部圓の上方に位置す
る部分αυが活性領域となる。またＭＯ−ＣＶＤ法を用
いることにより活性層（５）を溝形状と近い形に屈曲さ
せることができるため、屈曲部分Ｅζおいて水平方向Ｃ
ζ屈折率差を生じこの方向の光閉じ込めが可能になる。
ブロック／Ｉ （３ａ）のストライプ状溝の開口部ｑＤ
を通って流れ、活性層（５）の開口部圓の上方に位置す
る部分αυが活性領域となる。またＭＯ−ＣＶＤ法を用
いることにより活性層（５）を溝形状と近い形に屈曲さ
せることができるため、屈曲部分Ｅζおいて水平方向Ｃ
ζ屈折率差を生じこの方向の光閉じ込めが可能になる。
これｆζより低しきい値化、高効率化が達成できる。
第２図に示した従来の集積型半導体レーザ装置だ場合、
ｎ形電流ブロック層（８ａ）としてＧａＡｓを用いてい
るためｆζ、活性領域ｕ０からしみ出した光はこのＧａ
Ａｓ 電流ブロック層（８ａ）によって吸収され、各活
性領域間でのカップリングが困難となる問題点がある。
ｎ形電流ブロック層（８ａ）としてＧａＡｓを用いてい
るためｆζ、活性領域ｕ０からしみ出した光はこのＧａ
Ａｓ 電流ブロック層（８ａ）によって吸収され、各活
性領域間でのカップリングが困難となる問題点がある。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たものであり、ＳＢＡレーザを集積化し、低しさい値、
高効率で発振する高出力用集積型半導体レーザを得るこ
とを目的としたものである。
たものであり、ＳＢＡレーザを集積化し、低しさい値、
高効率で発振する高出力用集積型半導体レーザを得るこ
とを目的としたものである。
本発明に係る半導体レーザ装置は、電流ブロック層とし
てｎ形ＧａＡｓ のかわりＥ ｎ形Ａ１ｚＧａ＋ −
ｚＡｓ（Ｘ（Ｚ≦０．４）＠を用いることＥζより電流
ブロック層での光吸収を低減し、ＳＢＡレーザの集積化
を可能としたものである。
てｎ形ＧａＡｓ のかわりＥ ｎ形Ａ１ｚＧａ＋ −
ｚＡｓ（Ｘ（Ｚ≦０．４）＠を用いることＥζより電流
ブロック層での光吸収を低減し、ＳＢＡレーザの集積化
を可能としたものである。
この発明においてはブロック層（３）がｎ形ＡｌｚＧａ
＋−ｚＡｓからなっており、そのため活性領域ＧＯ＋か
ら水平方向にしみ出した光がブロック層（３）］ζ吸収
されず隣り合った活性領域間でのカップリングが容易暑
ζなる。またこの際電流ブロック層（３）のＡ１組成比
２を０．４以下としたため、Ｈ２０ｇ ： ＮＨ４０Ｈ
＝２０ ： １等の選択性エツチング液を用いて溝形成
が可能なため、再現性、制御性がよく、コストダウンｆ
ζつながる。
＋−ｚＡｓからなっており、そのため活性領域ＧＯ＋か
ら水平方向にしみ出した光がブロック層（３）］ζ吸収
されず隣り合った活性領域間でのカップリングが容易暑
ζなる。またこの際電流ブロック層（３）のＡ１組成比
２を０．４以下としたため、Ｈ２０ｇ ： ＮＨ４０Ｈ
＝２０ ： １等の選択性エツチング液を用いて溝形成
が可能なため、再現性、制御性がよく、コストダウンｆ
ζつながる。
以下、この発明の一実施例を図ｆζついて説明する。
第１図は本発明の一実施例による集積型半導体レーザ装
置を示す斜示図である。図ｆζおいて、（１）はｐ形Ｇ
ａＡｓ 基板、（２）は基板上に形成されたＰ形Ａ１ｙ
Ｇａ＋ −ｙＡｓ 第１クラッド層、（３）は第１クラ
ッド層（２）上１ζ成長されたｎ形ＡｌｚＧａ＋ −ｚ
Ａｓ 電流ブ０”／り層であり、この８層で基板領域を
形成している。
置を示す斜示図である。図ｆζおいて、（１）はｐ形Ｇ
ａＡｓ 基板、（２）は基板上に形成されたＰ形Ａ１ｙ
Ｇａ＋ −ｙＡｓ 第１クラッド層、（３）は第１クラ
ッド層（２）上１ζ成長されたｎ形ＡｌｚＧａ＋ −ｚ
Ａｓ 電流ブ０”／り層であり、この８層で基板領域を
形成している。
このうち電流ブロック層（３）には複数本のストライブ
状溝（１１１（ここでは８本）が形成されている。この
溝の断面形状は逆台形の形をしており、ｐ形第１クラッ
ド層（２）が溝底部Ｅζおいて露出するようになってい
る。このような溝の形成法としては、フォトレジストを
マスクとして例えば過酸化水素水：アンモニア水＝２０
：１の混合液等によりｎ形Ａ １ ｚＧａ ＋ −ｚＡ
ｓ １ｍ （３１をエツチングしｐ形Ａ１ｙＧａ ＋
−ｙＡｓ第１クラッド層（２）を露出させることにより
形成できる。ここでこのエツチング液でＡｌＧａＡｓ
をエラＡｌ ｚＧａ ＋ −ｚＡｓ 電流ブ０’／ケ
層（３）のＡ１組成比２を０．４以下、例えば０．２５
程度にし、ｐ形Ａｌ ｙＧａ Ｉ−ｚＡｓ 第１クラ
ッド層（２）のＡＩ組成比ｙを０．４以上、例えば０．
４５１ζ設定しておけば、深さ方向のエツチングは選択
的になされ、Ａ１ｚＧａ＋ −ｚＡｓ 電流ブロック層
（３）のみエツチングされ、第１クラッド層（２）の表
面でエツチングは事実上停止する。したがって本発明の
構造Ｅζよれば、溝形状、特に溝の深さを再現性よく制
御することが出来る。
状溝（１１１（ここでは８本）が形成されている。この
溝の断面形状は逆台形の形をしており、ｐ形第１クラッ
ド層（２）が溝底部Ｅζおいて露出するようになってい
る。このような溝の形成法としては、フォトレジストを
マスクとして例えば過酸化水素水：アンモニア水＝２０
：１の混合液等によりｎ形Ａ １ ｚＧａ ＋ −ｚＡ
ｓ １ｍ （３１をエツチングしｐ形Ａ１ｙＧａ ＋
−ｙＡｓ第１クラッド層（２）を露出させることにより
形成できる。ここでこのエツチング液でＡｌＧａＡｓ
をエラＡｌ ｚＧａ ＋ −ｚＡｓ 電流ブ０’／ケ
層（３）のＡ１組成比２を０．４以下、例えば０．２５
程度にし、ｐ形Ａｌ ｙＧａ Ｉ−ｚＡｓ 第１クラ
ッド層（２）のＡＩ組成比ｙを０．４以上、例えば０．
４５１ζ設定しておけば、深さ方向のエツチングは選択
的になされ、Ａ１ｚＧａ＋ −ｚＡｓ 電流ブロック層
（３）のみエツチングされ、第１クラッド層（２）の表
面でエツチングは事実上停止する。したがって本発明の
構造Ｅζよれば、溝形状、特に溝の深さを再現性よく制
御することが出来る。
ストライブ形成後、順次ｐ形Ａ ｌ ｙＧａ ＋ −ｙ
Ａｓ 第２クラツド層１４＋、ｐ形、ｎ形またはアンド
ープのＡｌｘＧａ ＋ −ｘＡｓ 活性層１５）、ｎ形
Ａ１ｙＧａ ＋ −ｙＡｓ クラッド層＋６１、ｎ形
ＧａＡｓ コンタクト層（７）を成長させる。
Ａｓ 第２クラツド層１４＋、ｐ形、ｎ形またはアンド
ープのＡｌｘＧａ ＋ −ｘＡｓ 活性層１５）、ｎ形
Ａ１ｙＧａ ＋ −ｙＡｓ クラッド層＋６１、ｎ形
ＧａＡｓ コンタクト層（７）を成長させる。
なお各層の厚さｔおよびＡＩ組成比ｘ、ｙ、ｚは、ｐ形
ＡｌｙＧａ＋ −ｙＡｓ 第１クラッド層（２）では
ｔ＝１〜１．５（μｍ） 、ｙ〜０．４５、ｎ形Ａ１ｚ
Ｇａ＋ −ｚＡｓ Ｅ流ブロック層（３）ではｔ＝ １
（ｐｒｎ） 、ｚ〜０．２５、ｐ形Ａ１ｙＧａ ＋
−ｙＡｓ 第２クラット層（４）ではｔ＝ｔ （ｔｔ
ｍ、’） 、ｙ〜０．４５、Ａ１ ｘＧａ ＋ −ｘＡ
ｓ活性層（５）ではｔ ＝ ０．１、ｘ〜ｏ、１５、ｎ
形ＡｌｙＧａ＋−ｙＡｓクラッド層（６）ではｊ＝ｌ〜
１．５μｍｙ〜０．４５で、ストライブそれぞれｎ形Ｇ
ａＡｓ コンタクト層（７）およびｐ形ＧａＡｓ
基板（１）に取り付けられた電極である。
ＡｌｙＧａ＋ −ｙＡｓ 第１クラッド層（２）では
ｔ＝１〜１．５（μｍ） 、ｙ〜０．４５、ｎ形Ａ１ｚ
Ｇａ＋ −ｚＡｓ Ｅ流ブロック層（３）ではｔ＝ １
（ｐｒｎ） 、ｚ〜０．２５、ｐ形Ａ１ｙＧａ ＋
−ｙＡｓ 第２クラット層（４）ではｔ＝ｔ （ｔｔ
ｍ、’） 、ｙ〜０．４５、Ａ１ ｘＧａ ＋ −ｘＡ
ｓ活性層（５）ではｔ ＝ ０．１、ｘ〜ｏ、１５、ｎ
形ＡｌｙＧａ＋−ｙＡｓクラッド層（６）ではｊ＝ｌ〜
１．５μｍｙ〜０．４５で、ストライブそれぞれｎ形Ｇ
ａＡｓ コンタクト層（７）およびｐ形ＧａＡｓ
基板（１）に取り付けられた電極である。
次に動作Ｃζついて説明する。
第１図においてｎ側電極（９）に正、ｎ側電極（８）に
ｐ形Ａ ｌ ｙＧａ ＋ −ｙＡｓ 第２クラッド層（
４＋の間のｐ−ｎ接合が逆バイアスとなるために電流が
流れず、ストライブ状ｉ ｔｌｌ）にのみ電流が流れ、
この部分の活性領域ｑ■でレーザ発振が起こる。このと
き活性領域ｔｌＯ］から水平方向ｆζしみ出した光が隣
りの活性領域に入り込むために各活性領域間において光
はカップリングし、コヒーレントな高出力光が得られる
。
ｐ形Ａ ｌ ｙＧａ ＋ −ｙＡｓ 第２クラッド層（
４＋の間のｐ−ｎ接合が逆バイアスとなるために電流が
流れず、ストライブ状ｉ ｔｌｌ）にのみ電流が流れ、
この部分の活性領域ｑ■でレーザ発振が起こる。このと
き活性領域ｔｌＯ］から水平方向ｆζしみ出した光が隣
りの活性領域に入り込むために各活性領域間において光
はカップリングし、コヒーレントな高出力光が得られる
。
集積型半導体レーザ１ζおいては各活性領域間に光を吸
収する領域が存在すると、光のカップリングの妨げとな
る。従来のＳＢＡレーザではブロック層としてＧａＡｓ
を用いていたため、活性領域からしみ出した光はここで
吸収されカップリングが困難であるが、これをＡ ｌ
ｚＧａ １−ｚＡｓ としてそのＡ１組成比２を活性
層のＡ１組成比Ｘより大きくし、光吸収を減らすことに
より、カップリングが可能となっている。
収する領域が存在すると、光のカップリングの妨げとな
る。従来のＳＢＡレーザではブロック層としてＧａＡｓ
を用いていたため、活性領域からしみ出した光はここで
吸収されカップリングが困難であるが、これをＡ ｌ
ｚＧａ １−ｚＡｓ としてそのＡ１組成比２を活性
層のＡ１組成比Ｘより大きくし、光吸収を減らすことに
より、カップリングが可能となっている。
なお上記実施においては、ＧａＡｓ／Ａ ｌＧａＡｓ系
レーザについて説明したが、本発明は他の材料を用いた
、例えばＩｎｐ／ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザにつ
いても適用できる。
レーザについて説明したが、本発明は他の材料を用いた
、例えばＩｎｐ／ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザにつ
いても適用できる。
−きい値、高効率で発振する高出力レーザ装置を得るこ
とができる効果がある。
とができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による集積型半導体レーザ装
置を示す斜示図、第２図はＭＯ−ＣＶＤ法を用いて製作
される従来の集積製半導体レーザの斜示図、第８図は別
の従来の半導体レーザの斜示図である。 （１）はｐ形ＧａＡｓ基板、（２）はｐ形Ａｌ ｙＧａ
＋ −ｙＡｓ 第１クラッド層、１３）、（ｓａ）
ｔｔ ｎ形ブロック７ｉ−ｉｌ、（４１はｐ形Ａｌ ｙ
Ｇａ ＋ −ｙＡｓ 第２クラッド層、（５ｊ ハＡ
ｌｘＧａ ＋ −ｘＡｓ活性層、（６）はｎ形ＡｌｙＧ
ａ＋ −ｙＡｓ ｍ ８ ’ｙ ラツ）’ Ｕ、（７
）はｎ形ＧａＡＳコンタクトＩｌ！、１．８）はｎ側電
極、（９）はｎ側電極、北は活性領域、■はｎ形ブロッ
ク層中に形成されたストライプ状溝、ｕ２はｎ形ＧａＡ
Ｓ基板、（ＩＪはｎ形ＧａＡｓブロック層、（稀は窒化
シリコン絶縁層、印はｐ彩度転領域である。 なお図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 等々力 達手続補正書（自
発） 昭和６１年１月２７日
置を示す斜示図、第２図はＭＯ−ＣＶＤ法を用いて製作
される従来の集積製半導体レーザの斜示図、第８図は別
の従来の半導体レーザの斜示図である。 （１）はｐ形ＧａＡｓ基板、（２）はｐ形Ａｌ ｙＧａ
＋ −ｙＡｓ 第１クラッド層、１３）、（ｓａ）
ｔｔ ｎ形ブロック７ｉ−ｉｌ、（４１はｐ形Ａｌ ｙ
Ｇａ ＋ −ｙＡｓ 第２クラッド層、（５ｊ ハＡ
ｌｘＧａ ＋ −ｘＡｓ活性層、（６）はｎ形ＡｌｙＧ
ａ＋ −ｙＡｓ ｍ ８ ’ｙ ラツ）’ Ｕ、（７
）はｎ形ＧａＡＳコンタクトＩｌ！、１．８）はｎ側電
極、（９）はｎ側電極、北は活性領域、■はｎ形ブロッ
ク層中に形成されたストライプ状溝、ｕ２はｎ形ＧａＡ
Ｓ基板、（ＩＪはｎ形ＧａＡｓブロック層、（稀は窒化
シリコン絶縁層、印はｐ彩度転領域である。 なお図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 等々力 達手続補正書（自
発） 昭和６１年１月２７日
Claims (4)
- （１）第１伝導形の化合物半導体基板、この基板上に直
接、あるいは第１伝導形の第１クラッド層を介して形成
された第２伝導形の電流ブロック層からなる基板領域と
、電流ブロック層中に形成された、断面が逆台形の形で
その底部に第１伝導型の第１クラッド層が露出している
複数本のストライプ状溝、およびこの上に形成された第
１伝導形の第２クラッド層、上記ストライプ状溝の近傍
で屈典した形の活性層、第２伝導形のクラッド層とを備
えたことを特徴とする集積型半導体レーザ装置。 - （２）上記（１）に於て、電流ブロック層を形成する結
晶のバンドギャップが、活性層を形成する結晶のバンド
ギャップより大きい事を特徴とする集積型半導体レーザ
装置。 - （３）上記（１）に於て、活性層としてＡｌ＿ｘＧａ＿
１＿−＿ｘＡｓ、電流ブロック層としてＡｌ＿ｚＧａ＿
１＿−＿ｚＡｓを用い、かつｘ＜ｚとしたことを特徴と
する集積型半導体レーザ装置。 - （４）上記（１）に於て、活性層としてＡｌ＿ｘＧａ＿
１＿−＿ｘＡｓ、第１クラッド層としてＡｌ＿ｙ＿１Ｇ
ａ＿１＿−＿ｙ＿１Ａｓ、電流ブロック層としてＡｌ＿
ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓを用い、かつｘ＜ｚ≦０．４≦
ｙ＿１であり、また上記ストライプ状溝の形成の際に、
過酸化水素水とアンモニア水を混合した選択性エッチン
グ液を用いたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24053585A JPS62102579A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 集積型半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24053585A JPS62102579A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 集積型半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102579A true JPS62102579A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0519996B2 JPH0519996B2 (ja) | 1993-03-18 |
Family
ID=17060977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24053585A Granted JPS62102579A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 集積型半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102579A (ja) |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24053585A patent/JPS62102579A/ja active Granted
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| J.APPL.PHYS=1982 * |
| J.APPL.PHYS=1983 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519996B2 (ja) | 1993-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |