JPS62102537A - Substrate processor - Google Patents

Substrate processor

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JPS62102537A
JPS62102537A JP60240454A JP24045485A JPS62102537A JP S62102537 A JPS62102537 A JP S62102537A JP 60240454 A JP60240454 A JP 60240454A JP 24045485 A JP24045485 A JP 24045485A JP S62102537 A JPS62102537 A JP S62102537A
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hand
substrate
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chuck
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小杉 雅夫
Yukio Tokuda
幸夫 徳田
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Abstract

PURPOSE:To reduce the size of a substrate processor by providing a hand for temporarily holding a processed substrate on a stage, supplying unprocessed substrate onto the stage by a single supplying and recovering hand, and recovering the processed substrate. CONSTITUTION:A wafer W1 is removed from a wafer carrier, and placed by a hand HA on a chuck WC. Then, an XY stage is moved, and the hand HC is rotated 180 deg. in parallel with the exposing operation of the wafer W1. Thereafter, the stage is moved to a delivering position side, and the wafer W1 is removed by the hand HC on the chuck WC on the way. Unexposed wafer W2 is brought from the hand HA onto the chuck WC, the the hand HC is simultaneously rotated 180 deg., and the exposed wafer is handed to the hand HA side.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の分野] 本発明は、半導体製造用として好適な基板処理装置に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of the Invention] The present invention relates to a substrate processing apparatus suitable for semiconductor manufacturing.

[発明の背景コ 半導体製造に用いられる露光装置としてステッパと呼ば
れる装置が知られている。このステッパは、基板例えば
半導体ウェハを投影レンズ下でステップ移動させながら
、原板すなわちレチクル上に形成されているパターン像
を投影レンズで縮小して1枚のウェハ上の複数箇所に順
次露光して行くものである。ステッパは、解像度および
重ね合せ精度等の性能面から、これからのアライナく露
光装置)の主流と見られている。
[Background of the Invention] A device called a stepper is known as an exposure device used in semiconductor manufacturing. This stepper moves a substrate such as a semiconductor wafer step by step under a projection lens, reduces a pattern image formed on an original plate or reticle using a projection lens, and sequentially exposes multiple locations on one wafer. It is something. Steppers are seen as the mainstream of future aligners (exposure devices) in terms of performance such as resolution and overlay accuracy.

このようなアライナで処理される半導体ウェハのサイズ
は製品である半導体デバイスの種類に応じて多様化して
いる。つまり、MOSメモリのような少品種大1生産デ
バイスでは、バッチ処理によるウェハ1枚当りの取得デ
バイス数を増やしてコストの低減を図るため、大口径の
半導体ウェハを用いている。この方面における半導体ウ
ェハのサイズは、現在φ6″ (φ 150#)が主流
であるが、1987年にはφ8″〜10″(φ 200
#I〜250#I)になるものと見込まれている。
The sizes of semiconductor wafers processed by such aligners are diversifying depending on the type of semiconductor device that is the product. That is, in devices such as MOS memories that are produced in small quantities and in large quantities, large diameter semiconductor wafers are used in order to reduce costs by increasing the number of devices acquired per wafer through batch processing. Currently, the mainstream size of semiconductor wafers in this field is φ6″ (φ150#), but in 1987, the size of semiconductor wafers increased from φ8″ to 10″ (φ200#).
#I~250#I).

一方、ゲートアレイ等の小量多品種生産デバイスでは、
半導体ウェハのサイズはφ3″〜φ4″に止まっている
。また、最近注目されているGaAsを基板とするFE
Tや発光素子などは結晶技術の困難なことから最大φ3
″である。
On the other hand, in low-volume, high-mix production devices such as gate arrays,
The size of semiconductor wafers remains at φ3'' to φ4''. In addition, FE with GaAs substrate, which has been attracting attention recently,
Due to the difficulty of crystal technology for T and light emitting elements, the maximum diameter is φ3.
”.

このような現状から、現在、口径8″〜10″の半導体
ウェハに対応し得るステッパで、しかも、φ3″〜φ4
″の半導体ウェハに用いた場合でも従来のφ3″〜φ4
″用露光装置に対してディメリットの少ない露光装置の
実現が切望されている。
Due to this current situation, there is currently a stepper that can handle semiconductor wafers with a diameter of 8" to 10", and a diameter of φ3" to φ4.
Even when used for semiconductor wafers with diameters of φ3″ to φ4
There is a strong desire to realize an exposure apparatus that has fewer disadvantages than exposure apparatuses for ``.

しかし、従来のφ3″〜φ4″用露光装置を単にφ8″
〜10″用にサイズアップしただけではφ3″〜φ4″
用として用いる場合以下の問題点が生じる。
However, the conventional exposure equipment for φ3″ to φ4″ can be replaced with just φ8″.
~ φ3″ to φ4″ just by increasing the size to 10″
When used for commercial purposes, the following problems arise.

すなわち、 ■XYステージのストロークはウェハサイズの3〜4倍
が必要であるが、このストローク増加によりこのXYス
テージ等を含む移動ステージのサイズが増大する。
That is, (1) The stroke of the XY stage needs to be three to four times the wafer size, but this increase in stroke increases the size of the moving stage including this XY stage and the like.

■従って、サイズアップ前のものと同じ精度を保証する
ことが困難になる。また、同じ精度を保証するにはガイ
ド等の剛性を上げる必要がある。
■Therefore, it becomes difficult to guarantee the same accuracy as before the size increase. Furthermore, in order to guarantee the same accuracy, it is necessary to increase the rigidity of the guide, etc.

■そのため、ステージ重隋はさらに大きくなり、■ステ
ージ重量とステージ移動時の加速度による撮動対策とし
てレンズ保持等の構造体の強化が必要で、 ■移動マスの増加による立ち上げおよび立ち下げ速度域
や振動増加による位置決め時間増等のため距離送りおよ
び位置決めに時間が掛る。
■As a result, the stage weight becomes even larger, ■It is necessary to strengthen the structure such as the lens holding as a countermeasure for imaging due to the stage weight and acceleration during stage movement, ■Start-up and fall speed range due to increase in moving mass Distance feed and positioning take time due to increase in positioning time due to increased vibration.

■XYステージのコストアップ、装置全体のサイズ増加
および装置全体のコストアップが無視できない。
■The increased cost of the XY stage, increased size of the entire device, and increased cost of the entire device cannot be ignored.

等である。etc.

これらのことが、従来装置を単にサイズアップしただけ
のφ8″〜10″用装置をφ3″〜φ4″またはφ5″
等の小口径ウェハ用として共用した場合に、専用礪例え
ばφ3″ウェハ専用機と比べて 装置が大きすぎる(■、■、■) 価格が高すぎる(■、■) スルーブツトが低下する(■) ということになり、ユーザに取って多大の不利益となり
、負担となる。
These factors mean that the device for φ8'' to 10'', which is simply an enlarged version of the conventional device, can be used for φ3'' to φ4'' or φ5''.
For example, when used for small diameter wafers such as, the equipment is too large compared to a dedicated machine for φ3" wafers (■, ■, ■) The price is too high (■, ■) The throughput decreases (■) This results in a great disadvantage and burden to the user.

そこで、現在、多様化するウェハのサイズに同一の露光
装置で対応でき、かつ小サイズウェハの処理においても
上述の不利益をユーザに負担させないようなコンパクト
な露光装置、および大口径ウェハにとって有利なウェハ
ハンドリング方法の開発が希求されている。
Therefore, we are currently developing compact exposure equipment that can handle diversifying wafer sizes with the same exposure equipment and that does not burden the user with the above-mentioned disadvantages even when processing small-sized wafers, and that are advantageous for large-diameter wafers. There is a need for the development of wafer handling methods.

この「ウェハハンドリング方法が有利」とは、例えば、 ■ウェハの交換時間を短縮しスルーブツトを向上させる ■ウェハの平面矯正にとって有利なチャック−ハンド間
の受け渡し方法である ■ウェハの搬送経路を最小限にし、装置のコンパクト化
を図る XYステージに載せるウェハ方向に自由度をもたゼる ■ウェハのリトライができる こと等である。
This ``advantageous wafer handling method'' means, for example: ■ It shortens wafer exchange time and improves throughput ■ It is a chuck-hand transfer method that is advantageous for flattening wafers ■ It minimizes the wafer transport path The advantages include the ability to make the wafer more compact and the degree of freedom in the direction of the wafer placed on the XY stage; and 2) the ability to retry the wafer.

[発明の目的] 本発明の目的は、基板処理装置をより小形化することに
ある。
[Object of the Invention] An object of the present invention is to further downsize a substrate processing apparatus.

[発明の概要および効果] 上記目的を達成するため本発明では、ステージ上の基板
を交換する際、ステージ上の処理済基板を一時保持する
ハンドを設は単一の供給・回収ハンドによって未処理基
板をステージ上に供給し、かつ一時保持ハンドに保持さ
れている処理済基板を回収することを容易にする。
[Summary and Effects of the Invention] In order to achieve the above object, the present invention provides a hand that temporarily holds the processed substrate on the stage when exchanging the substrate on the stage, and a single supply/recovery hand that holds the processed substrate on the stage. To easily supply a substrate onto a stage and recover a processed substrate held by a temporary holding hand.

このように単一のハンドによって基板を供給および回収
することにより従来別個に設けられていた回収ハンドが
不要となり装置を小形に構成することができる。
By supplying and collecting the substrates with a single hand in this manner, the conventionally separate collecting hand is no longer required, and the apparatus can be made compact.

[実施例の説明] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。[Explanation of Examples] Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第1図は、本発明の一実施例に係る半導体露光装置(ス
テッパ)のウェハ受け渡し位置におけるウェハステージ
とその近傍の概略構成を示す。同図の装置のレチクルス
テージ、投影レンズおよびTTLアライメント光学系等
は特に図示しないが、これらは従来の例えばφ3″ウェ
ハ用ステッパと同様に構成されているものとする。
FIG. 1 shows a schematic configuration of a wafer stage and its vicinity at a wafer transfer position of a semiconductor exposure apparatus (stepper) according to an embodiment of the present invention. Although the reticle stage, projection lens, TTL alignment optical system, etc. of the apparatus shown in the figure are not particularly shown, it is assumed that these are constructed in the same manner as a conventional stepper for, for example, φ3'' wafers.

同図において、WDは基盤で、この基盤WD上には、Y
方向に移動可能なステージWYとX方向に移動可能なス
テージWXとθ回転およびZ方向に移動(昇降)可能な
ステージθZからなるウェハステージが搭載されている
。ステージWYとステージWXとはXYステージを構成
する。また、基盤WD上には上記投影レンズ等地の構造
物も搭載または固定されている。
In the same figure, WD is a base, and on this base WD, Y
A wafer stage is mounted, which includes a stage WY that is movable in the direction WY, a stage WX that is movable in the X direction, and a stage θZ that is movable in the θ rotation and the Z direction (up and down). Stage WY and stage WX constitute an XY stage. Further, structures such as the projection lens described above are also mounted or fixed on the base WD.

MX、MYはレーザ干渉計を用いたレーザ測長系の光学
スフウェア、HAはウェハ供給・回収用のハンド、HB
は小口径ウェハ回収用のハンド、HCはウェハ移し換え
用のハンド、Wl 、W2はウェハ、WCはウェハチャ
ックである。ウェハチャックWCには、ハンドHBがチ
ャックWCから直接ウェハを回収する際、ウェハの裏面
側にハンドHBが侵入可能であるようにハンド逃げ部L
L。
MX and MY are optical software for laser length measurement using a laser interferometer, HA is a hand for supplying and collecting wafers, and HB
is a hand for collecting small diameter wafers, HC is a hand for transferring wafers, Wl and W2 are wafers, and WC is a wafer chuck. The wafer chuck WC has a hand relief part L so that the hand HB can enter the back side of the wafer when the hand HB directly collects the wafer from the chuck WC.
L.

LRを左右に設けである。また、ハンドHCはチャック
WC上からウェハを取り上げるためのフィンガ部FG1
このフィンガ部FGを昇降および回転するためのアーム
AM等からなる。アームAMの回転中心は取り上げるウ
ェハW1に対して漏心させである。
LR is provided on the left and right. In addition, the hand HC has a finger portion FG1 for picking up the wafer from the chuck WC.
It consists of an arm AM and the like for raising, lowering and rotating the finger portion FG. The center of rotation of arm AM is eccentric to the wafer W1 to be picked up.

第2図は、ウェハチャックWCの上面図およびA−A断
面図である。このチャックWCには上面に直線状の吸着
溝Gが多数設けてあり、これらの吸着溝を適宜グループ
分けして各グループごとにニップルDI 、D2 、D
3を介して別系統の真空が供給されるようになっている
。これらのグループは、このチャックWCに搭載するウ
ェハサイズに応じ、また、そのウェハをチャックWCで
移し換えた場合にもニップルD1またはD3のいずれか
に接続されたグループの吸着溝全部とニップルD2に接
続されたグループの吸着溝全部とが常にウェハに覆われ
るように設定しである。なお、吸着溝で構成されるパタ
ーンは、チャックwCに搭載するウェハのサイズおよび
移し換えた場合の状態に合せて、ウェハが常に良好に保
持され、かつ平面矯正されるならば任意に定めることが
できる。
FIG. 2 is a top view and an AA sectional view of the wafer chuck WC. This chuck WC has a large number of linear suction grooves G on its upper surface, and these suction grooves are divided into groups as appropriate, and nipples DI, D2, and D are arranged in each group.
3, a separate system of vacuum is supplied. These groups depend on the size of the wafer loaded on this chuck WC, and even when the wafer is transferred on the chuck WC, all suction grooves of the group connected to either nipple D1 or D3 and nipple D2 are selected. The setting is such that all suction grooves in the connected groups are always covered by the wafer. Note that the pattern composed of suction grooves can be arbitrarily determined depending on the size of the wafer loaded on the chuck wC and the state when transferred, as long as the wafer is always held well and flattened. can.

また、このチャックWCはウェハを線で支持しているが
、ウェハを点で支持するいわゆるビンチャック構成にし
てもよく、また、吸着溝の代りに多数の吸着孔を設けて
ウェハを面支持するようにしてもよい。
Further, although this chuck WC supports the wafer in a line, it may also have a so-called bottle chuck configuration in which the wafer is supported at a point, or a large number of suction holes are provided instead of suction grooves to support the wafer in a plane. You can do it like this.

第3図は第1図の装置の各動作段階を示す説明図である
。同図において、RTはレチクル、POは投影レンズで
ある。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing each operation stage of the apparatus of FIG. 1. In the figure, RT is a reticle and PO is a projection lens.

次に、上記構成に係る露光装冒の動作を説明する。ここ
では、第4図に示すように、XYステージの可![IJ
領1ii!TEをφ3″ウェハ専用嶺と同等の200履
x 230m (YステージWYの可動距離230M、
XステージWXの可動距離200m>、投影レンズPO
の有効画面をφ20awとし、5s+X16mの実素子
パターンをφ10″ウェハ上にできるだけ多く形成する
場合について説明する。投影レンズPOの有効画面がφ
20m+であるから、レチクルRT上に2個分の実素子
パターンを形成しておき、1回の露光で実素子パターン
2個(10MAX 16m+ )ずつを焼き付けること
で、スルーブツトの向上を図る。また、従来の露光方法
ではウェハW1をXYステージにどのように搭載しても
全面に実素子パターンを焼き付けることは不可能である
。従って、ここでは、第4図に示すように、ウェハの露
光面をそれぞれXYステージの可動領域に含まれる2つ
の領域に分割して一方の領域を露光後、XYステージに
対するウェハの位置を移し換えて他方の領域を露光する
。このようにウェハ上を2つの領域に分割して露光する
場合の処理し得るウェハの最大径は第4図からも明らか
なようにXYステージの矩形の可動領域の対角ストロー
クと、1回で露光する領域TEのサイズとにより定まる
Next, the operation of the exposure equipment according to the above configuration will be explained. Here, as shown in Figure 4, the XY stage is possible! [I.J.
Territory 1ii! TE is 200 shoes x 230m, which is equivalent to a ridge dedicated to φ3" wafers (Y stage WY movable distance 230M,
Movable distance of X stage WX 200m>, projection lens PO
The case where the effective screen of the projection lens PO is φ20aw and as many actual device patterns of 5s+X16m as possible are formed on the φ10'' wafer will be explained.The effective screen of the projection lens PO is φ20aw.
Since it is 20 m+, two real element patterns are formed on the reticle RT, and two real element patterns (10 MAX 16 m+) are printed in one exposure to improve the throughput. Further, with the conventional exposure method, it is impossible to print an actual element pattern on the entire surface of the wafer W1, no matter how it is mounted on the XY stage. Therefore, as shown in FIG. 4, the exposure surface of the wafer is divided into two regions each included in the movable region of the XY stage, and after exposing one region, the position of the wafer with respect to the XY stage is transferred. to expose the other area. As is clear from Figure 4, the maximum diameter of the wafer that can be processed when the wafer is divided into two areas for exposure is the diagonal stroke of the rectangular movable area of the XY stage, and the It is determined by the size of the area TE to be exposed.

レチクルRT等を設定模、露光開始が指令されると、こ
の露光装置は図示しないCPUの制御の下に以下の分割
露光動作を開始する。
When the reticle RT and the like are set and a command is given to start exposure, this exposure apparatus starts the following divided exposure operation under the control of a CPU (not shown).

すなわち、先ず、チャックWCを長径方向が第4図の可
動領域の対角線a−aの方向に一致するように傾けた状
態で、図示しないウェハキャリアからウェハW1を取り
出してハンドHAによりチャックWc上に載置する(第
3図a)。この時のチャックWCに対するウェハW1の
位置関係を第2図に二点鎖線で示す。ハンドHAは、ハ
ンドHCにウェハW2が保持されていれば、そのウェハ
を受け取って搬出する(第3図b)。
That is, first, with the chuck WC tilted so that the major axis direction coincides with the direction of the diagonal line a-a of the movable area in FIG. Place it (Figure 3a). The positional relationship of the wafer W1 with respect to the chuck WC at this time is shown in FIG. 2 by a two-dot chain line. If the hand HC holds the wafer W2, the hand HA receives and carries out the wafer (FIG. 3b).

続いて、XYステージを移動し、ウェハW1の第1領域
の第1シヨツトS11を投影レンズPOの下に送り込ん
で露光しく第3図b)、以下、XYステージを送りなが
ら順次812.813、・・・というように第4図の分
割線DLの右側の第1領域の全ショットをステップ・ア
ンド・リピートで露光して行く。この露光動作と並行し
てハンドHCを180°回転し第3図Cの状態にしてお
く。
Next, the XY stage is moved, and the first shot S11 of the first area of the wafer W1 is sent under the projection lens PO for exposure (Fig. 3b).Hereafter, while moving the XY stage, the first shot S11 of the first area of the wafer W1 is exposed. . . . All the shots in the first area on the right side of the dividing line DL in FIG. 4 are exposed in a step-and-repeat manner. In parallel with this exposure operation, the hand HC is rotated 180 degrees to the state shown in FIG. 3C.

第1f!4域の露光を終了すると、XYステージを受け
渡し位置側(図面右方向)へ移動させ、その途中でチャ
ックWc上のウェハW1をハンドHCに取り上げる(第
3図C)。そして、XYステージが受け渡し位置に達す
る(第3図d)と、ハンドHCを降下させてウェハW1
を再度チャックWc上に載置し、チャックWC側をウェ
ハW1の第2領域の下に位置させる(第3図e)。この
状態で上記同様にXYステージを移動し、ウェハW1の
第2領域の第1シヨツトS21を投影レンズPOの下に
送り込んで露光しく第3図f)、以下、S22、S23
、・・・というように第4図の分割線OLの左側の第2
領域の全ショットをステップ・アンド・リピートで露光
する。これらの露光動作と並行してハンドHAには新た
な未露光ウェハw2が供給されている(第3図f)。
1st f! When the exposure of the four areas is completed, the XY stage is moved to the transfer position side (rightward in the drawing), and on the way, the wafer W1 on the chuck Wc is picked up by the hand HC (FIG. 3C). Then, when the XY stage reaches the transfer position (Fig. 3 d), the hand HC is lowered to transfer the wafer W1.
is again placed on the chuck Wc, and the chuck WC side is positioned below the second region of the wafer W1 (FIG. 3e). In this state, the XY stage is moved in the same manner as above, and the first shot S21 of the second area of the wafer W1 is sent under the projection lens PO for exposure (FIG. 3f), hereinafter S22 and S23.
,... and so on, the second line on the left side of the dividing line OL in Fig. 4.
Expose all shots of the area in a step-and-repeat manner. In parallel with these exposure operations, a new unexposed wafer w2 is supplied to the hand HA (FIG. 3f).

このようにしてウェハ全面の露光を終了すると、XYス
テージを受け渡し位置まで移動させて、そこでチャック
Wc上の露光流ウェハW1をハンドHCに取り上げる(
第3図g)。そして、ハンドHAからは未露光ウェハW
2がチャックWc上に持ち来たらされ(第3図h)、同
時にハンドHCが180°回転されて、未露光ウェハを
wl、露光流ウェハをW2で示す第3図(a)の状態に
戻る。
When the exposure of the entire surface of the wafer is completed in this way, the XY stage is moved to the transfer position, where the exposed wafer W1 on the chuck Wc is picked up by the hand HC (
Figure 3g). Then, the unexposed wafer W is transferred from the hand HA.
2 is brought onto the chuck Wc (Fig. 3h), and at the same time, the hand HC is rotated 180 degrees to return to the state of Fig. 3(a), where the unexposed wafer is shown as wl and the exposed wafer is shown as W2. .

このようにハンドHAによるチャックwCがらのウェハ
搬出時は、先ず、ハンドHCがチャックWCから露光流
ウェハを取り上げ、さらに18o。
In this way, when the wafer is carried out from the chuck wC by the hand HA, the hand HC first picks up the exposed wafer from the chuck WC, and then moves the wafer 18o.

回転してこの露光流ウェハをハンドHA側に差し出す状
態となるため、チャックwcはハンドHAを逃げるため
の切欠が不要であり、ウェハをより広い範囲ですなわち
より安定に支持することができる。また、ウェハ回収用
のハンド(特に大口径ウェハ用ハンド)が不要であるた
め、装置の小型化に役立つ。
Since the chuck wc rotates to hold out the exposure flow wafer to the hand HA side, the chuck wc does not need a notch for letting the hand HA escape, and can support the wafer over a wider range, that is, more stably. Further, since a hand for collecting wafers (particularly a hand for large-diameter wafers) is not required, it is useful for downsizing the apparatus.

この装置において、チャックWC内に嵌まり込む大きさ
、つまり口径がチャックWCの短径例えばφ5″以下の
ウェハは、ハンドHBでXYステージより直接回収する
ようにしている。これにより、小口径ウェハを処理する
場合のハンドHCの交換または設定等の手間を省き、小
口径ウェハについては小口径ウェハ専用機と同様の使い
勝手を実現している。
In this apparatus, wafers that are large enough to fit into the chuck WC, that is, the diameter is less than the minor axis of the chuck WC, for example, φ5'', are collected directly from the XY stage by the hand HB. This eliminates the hassle of replacing or setting the hand HC when processing small-diameter wafers, and provides the same ease of use as a machine dedicated to small-diameter wafers.

この装置においては、1枚のウェハ露光中にウェハの移
し換えを行なっており、この分の時間的ロスが発生する
。・しかし、10インチフルストロークのXYステージ
と8インチフルストロークのXYステージとでは前述し
たようにそのマス等のため10″の装置の方が同一距離
のステップ時間は長い。例えば10IIW当りのステッ
プ時間は8″の装置が0.4秒とすれば、10″の装置
では0.5秒になる。
In this apparatus, wafers are transferred during exposure of one wafer, which causes a time loss.・However, between a 10 inch full stroke XY stage and an 8 inch full stroke XY stage, the step time for the same distance is longer for the 10'' device due to the mass etc. as mentioned above.For example, the step time per 10 IIW If it is 0.4 seconds for an 8" device, it will be 0.5 seconds for a 10" device.

従って、第4図のφ10″ウェハの場合、ショツト数は
250であるから、ウェハ1枚当りのステップ時間は8
″の装置が100秒、10″の装置では125秒となる
。つまり、8″の装置では、10秒の載せ換え時間を見
込んでも、ウェハ1枚当りの処理時間はまだ10″の装
置より15秒も短いことになる。
Therefore, in the case of a φ10'' wafer shown in Fig. 4, the number of shots is 250, so the step time per wafer is 8.
It takes 100 seconds for a 10'' device and 125 seconds for a 10'' device. In other words, in an 8" device, even if a 10 second reloading time is allowed, the processing time per wafer is still 15 seconds shorter than in a 10" device.

[変形例] なお、上述の実施例においては、チャックWCをY軸お
よびY軸に対して約45°、正確にはXYステージの可
動領域の対角線a〜aに平行となるように、傾けている
が、分割線OLをXまたはY軸に平行に設定し得る場合
、つまり、上述においてφ230rIn以下のウェハを
処理する場合については必ずしも傾ける必要はない。
[Modified example] In the above-mentioned embodiment, the chuck WC is tilted at an angle of about 45 degrees to the Y axis and the Y axis, more precisely, parallel to the diagonal line a to a of the movable area of the XY stage. However, when the dividing line OL can be set parallel to the X or Y axis, that is, when processing a wafer of φ230rIn or less in the above description, it is not necessarily necessary to tilt the dividing line OL.

また、上述においてはY軸およびY軸に対してチャック
WCを傾けているが、チャックWCは長径をY軸と平行
または直角にセットした状態で、ウェハ上のチップ配列
の方を傾けるようにしてもよい(第4図C参照)。この
場合、ウェハの主なステップ送りはXステージとYステ
ージとを同時に駆動して送ることができるため、従来の
Xステージのみで送る場合に比べてXステージとYステ
ージの速度が合成された速い速度となり、スルーブツト
の向上に役立つ。つまり、XステージとYステージとの
速度比が4:3であれば上記チップ配列をY軸に対しθ
= jan−1(3/ 4 )傾けた場合が速度5とな
り、最も速くなる。
Furthermore, in the above, the chuck WC is tilted with respect to the Y-axis and the Y-axis, but the chuck WC is set so that its major axis is parallel or perpendicular to the Y-axis, and the chip arrangement on the wafer is tilted. (See Figure 4C). In this case, the main step feeding of the wafer can be done by driving the X stage and Y stage simultaneously, so the combined speed of the X stage and Y stage is faster than when the conventional X stage is used alone. This increases speed and helps improve throughput. In other words, if the speed ratio of the X stage and Y stage is 4:3, the above chip arrangement is θ relative to the Y axis.
= jan-1 (3/4) When tilted, the speed is 5, which is the fastest.

また上述においては、露光途中のウェハ移し換え時、ウ
ェハを単純に昇降し、この昇降の間のXYステージの移
動ω分だけウェハをずらすようにしているが、1つの領
域の露光を終了したウェハを投影レンズPOの像面平面
と平行な方向に回転成分無しに移動する機構をXYステ
ージの上方に設け、この機構により上記移し換えを行な
うようにしてもよい。
Furthermore, in the above description, when transferring a wafer during exposure, the wafer is simply raised and lowered, and the wafer is shifted by the amount of movement ω of the XY stage during this raising and lowering. A mechanism for moving the image plane in a direction parallel to the image plane of the projection lens PO without a rotational component may be provided above the XY stage, and the above-mentioned transfer may be performed by this mechanism.

さらに、上述のハンドHBでウェハを回収する際にハン
ドHCによりXYステージからウェハを取り上げ、次に
このハンドHCを90″回転してハンドHBに引渡すよ
うにすればチャックWCのハンド逃げ部LR,LLは不
要となり、ウェハをより広い範囲ですなわちより安定に
支持することができる。
Furthermore, when collecting the wafer with the hand HB mentioned above, if the hand HC picks up the wafer from the XY stage, then rotates this hand HC by 90'' and transfers it to the hand HB, the hand relief part LR of the chuck WC, LL becomes unnecessary, and the wafer can be supported over a wider range, that is, more stably.

[他の実施例] 上述の実施例においては、チャックWCはXYステージ
上に載置したままウェハのみをXYステージに着脱(搬
入、搬出および移し換え)しているが、ウェハをチャッ
クに固定した状態でチャックごと一体としてXYステー
ジ着脱することも可能である。この場合、同一形状の2
個のチャックを用意して、一方がXYステージ上にある
とき使方はウェハ搬送系中にあるようにしておけば、供
給回収兼用ハンドHAによる未露光ウェハと露光ウェハ
との交換も問題無〈実施することができる。
[Other Examples] In the above-mentioned embodiments, only the wafer is loaded/unloaded (carried in, unloaded, and transferred) to/from the XY stage while the chuck WC is placed on the XY stage. It is also possible to attach and detach the XY stage together with the chuck. In this case, two of the same shape
If you prepare two chucks and use them in the wafer transport system when one is on the XY stage, there is no problem in exchanging unexposed wafers and exposed wafers using the supply/recovery hand HA. It can be implemented.

第5図は、ウェハWとウェハチャックWCとを一体化し
たままXYステージへの着脱(搬入(交換)→第1領域
露光→移し換え→第2領域露光→搬出(交換))を行な
う場合の動作説明図である。
FIG. 5 shows a case where the wafer W and the wafer chuck WC are attached to and removed from the XY stage while being integrated (carrying (exchange) → first area exposure → transfer → second area exposure → unloading (exchange)). It is an operation explanatory diagram.

この動作は、ウェハWとチャックWCとが常に一体であ
ることを除いては第3図のウェハのみを着脱する場合と
金(同様に行なわれる。
This operation is performed in the same manner as when only the wafer is loaded and unloaded in FIG. 3, except that the wafer W and chuck WC are always integrated.

このようにウェハWとチャックWCとを一体化して扱う
メリットは、ウェハを単独でハンドリングする場合に比
べてウェハ損傷の可能性が減ること、およびチャックW
Cの外形寸法を一定にすれば、ハンドHCおよび後述す
る第9図のハンドHへ等の機構部分をウェハ寸法に合わ
せて交換または設定し直す必要がないことである。
The advantages of handling the wafer W and chuck WC in this way are that the possibility of wafer damage is reduced compared to when handling the wafer alone, and the chuck W
If the external dimensions of C are made constant, there is no need to replace or reset the mechanical parts such as hand HC and hand H in FIG. 9, which will be described later, in accordance with the wafer dimensions.

第6図は、この一体化着脱に用いるためのチャックの一
例を示す。同図において、チャックWCはウェハWの口
径より直径のやや大きい円盤状に構成されている。NR
,NLはウェハを不図示のウェハキャリアに対して出し
入れする際などにチャックWCから分離して受け渡しす
るための切欠である。また、このチャックWCは直径方
向に突出させてウェハに覆われないようにした部分PR
FIG. 6 shows an example of a chuck used for this integration attachment/detachment. In the figure, the chuck WC is configured in the shape of a disk whose diameter is slightly larger than the diameter of the wafer W. N.R.
, NL are notches for separating the wafer from the chuck WC and transferring it when loading and unloading the wafer to and from a wafer carrier (not shown). In addition, this chuck WC has a portion PR that protrudes in the diametrical direction so as not to be covered by the wafer.
.

PLが設けてあり、この突出部PR,PLにそれぞれ位
置合せ用マークAR,Amが設けられている。このマー
クAR,ALとウェハ上のアライメントマークにより、
ウェハとチrツクとの相対位置関係を搬送系等において
予め計測しておけば、XYステージに載置した際、この
マークAR,ALを参照することにより、ウェハの位置
合せをより高速かつ高精度に行なうのに役立つ。また、
露光途中におけるウェハとチャックの一体化移し換えに
先立ってチャック上の位置合せマークAR。
PL is provided, and alignment marks AR and Am are provided on the protrusions PR and PL, respectively. With these marks AR, AL and alignment marks on the wafer,
If the relative positional relationship between the wafer and the chip is measured in advance in the transport system, etc., when the wafer is placed on the XY stage, by referring to the marks AR and AL, the wafer can be aligned faster and more efficiently. Helps you do it with precision. Also,
Alignment mark AR on the chuck prior to integration transfer of the wafer and chuck during exposure.

ALと装置側またはレチクル側基準マーク(不図示)と
XYステージの位置関係を読み取りこの値を記憶すると
ともに、移し換えの後、再度マークAR,ALと装置側
または上記レチクル側基準マークとXYステージの位置
関係を読み取り、移し換え前後の誤差を算出して回転成
分はθZステージによりこれを修正し、XY酸成分つい
てはこれをオフセット値としてXYステージの位置に加
味した上、ウェハ上の未露光領域を露光するようにすれ
ば、これもスルーブツトの向上に役立つ。
The positional relationship between AL and the equipment side or reticle side reference mark (not shown) and the XY stage is read and this value is memorized, and after the transfer, the positional relationship between the marks AR, AL and the equipment side or the reticle side reference mark (not shown) and the XY stage is stored again. After reading the positional relationship between the This will also help improve throughput if you expose more than

第7図は、前記一体化着脱式の他の実施例を示す。同図
において、HAはウェハチャックWC交換用ハンド、H
CはチャックWC昇降用ハンドである。動作は、第5図
に示したのと全く同様である。なお、ハンドHAはステ
ージWXYに対するウェハおよびチャック交換をウェハ
チャックWCを側面で保持して軸ASを中心に回転する
ことにより、実現している。
FIG. 7 shows another embodiment of the integrated removable type. In the same figure, HA is a wafer chuck WC replacement hand, H
C is a hand for lifting and lowering the chuck WC. The operation is exactly the same as shown in FIG. Note that the hand HA realizes wafer and chuck exchange with respect to the stage WXY by holding the wafer chuck WC on its side and rotating it around the axis AS.

搬送系において、未露光ウェハWOは供給キャリアSC
から取り出されて不図示のアリアライメント位置でプリ
アライメント後位置決めされて待橢しているウェハチャ
ックWCO上に載置された後、ウェハWOとWCOとの
一体物としてハンド)−IAに引き渡される。また、ハ
ンドl−I Aより受け取った露光済ウェハはチャック
とともに所定の位置まで搬送された後、チャックから分
離され回収キャリアRe内に収納される。
In the transport system, the unexposed wafer WO is transferred to the supply carrier SC.
The wafer is taken out from the wafer chuck WCO, pre-aligned at an alignment position (not shown), and placed on the waiting wafer chuck WCO. Further, the exposed wafer received from the hand I-IA is transported together with the chuck to a predetermined position, and then separated from the chuck and stored in the collection carrier Re.

第8図は、上記一体化着脱に好適なハンドHC。FIG. 8 shows a hand HC suitable for the above-mentioned integrated attachment and detachment.

チャックWCおよびステージWSの構造を模式的に示し
たものである。ウェハWおよびチャックWCをハンド1
−1cに引き渡す場合は、ハンドHCのゴムパツキンP
1の開口部でチャックWCの表面の孔H1を覆い、チュ
ーブT1を介して真空を供給する。すると、管路U1、
パツキンP1、管路U2および吸着孔H2が減圧され、
チャックWCは吸着孔H2でウェハWを吸着したままパ
ツキンP1でハンドHCに吸着される。なお、この場合
のチャックWCによるウェハWの吸着は、ウェハWとチ
ャックWCとの一体化が崩れない程度に実現されれば足
りるから、吸着孔H2はここではウェハWの周辺部に小
数が設けである。
It schematically shows the structure of chuck WC and stage WS. Hold wafer W and chuck WC in hand 1
-When handing over to 1c, rubber pads P of hand HC
1 covers the hole H1 on the surface of the chuck WC, and vacuum is supplied through the tube T1. Then, the pipe U1,
Packing P1, pipe line U2 and suction hole H2 are depressurized,
The chuck WC is sucked to the hand HC by the gasket P1 while holding the wafer W in the suction hole H2. Note that in this case, the suction of the wafer W by the chuck WC is sufficient as long as the wafer W and the chuck WC are not broken into one piece, so the suction holes H2 are provided in decimal numbers at the periphery of the wafer W. It is.

一方、ウェハWおよびチャックWCをステージWSに引
き渡す場合は、ステージWSのゴムパツキンP2の開口
部でチャックWCの裏面の孔H3を覆った状態で、チュ
ーブT2を介して真空を供給する。すると、チューブT
2からパツキンP2および管路U3を介して吸着孔H4
が減圧され、チャックWCは吸着孔H4でウェハWを吸
着したままパツキンP2でステージWSに吸着される。
On the other hand, when transferring the wafer W and chuck WC to the stage WS, vacuum is supplied through the tube T2 with the opening of the rubber gasket P2 of the stage WS covering the hole H3 on the back surface of the chuck WC. Then, tube T
2 to suction hole H4 via packing P2 and pipe U3.
is depressurized, and the chuck WC is sucked onto the stage WS by the gasket P2 while holding the wafer W in the suction hole H4.

なお、この場合のチャックWCによるウェハWの吸着は
、ウェハWを平面矯正する程度のものが好ましいので、
吸着孔H4はウェハWの裏面全体に渡って設けである。
Note that in this case, it is preferable that the wafer W be adsorbed by the chuck WC to the extent that the wafer W is flattened.
The suction holes H4 are provided over the entire back surface of the wafer W.

チャックWCには、必要に応じてさらに別の真空吸着系
例えば側面に開口を有するハンドHA用のものを設ける
ことも可能である。
The chuck WC may be further provided with another vacuum suction system, such as one for a hand HA having an opening on the side, as required.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の一実施例に係る半導体露光装置の要
部概観図、 第2図は、第1図におけるウェハチャックの拡大上面図
およびそのA−Alli面図、第3図は、第1図の装置
の動作説明図、第4図は、第1図の装置で露光するウェ
ハのチップ配置図および有効露光面内の実素子パターン
配置図、 第5図は、本発明の他の実施例の装置の動作説明図、 第6図は、第5図の装置で用いられるウェハチャックの
斜視図、 第7図は、本発明のさらに他の実施例に係る半導体露光
装置の概略上面図、 第8図は、第5または7図の装置に用いて好適なウェハ
チャック、移し換えハンドおよびXYステージの構造説
明図である。 RTニレチクル、PO:投影レンズ、 WY:Y方向移動ステージ、 WX : X方向移動ステージ、 θZ:θZステージ、WXY:XYステージ、HA:ウ
ェハ供給・回収用ハンド、 HB:小口径ウェハ回収用ハンド、 HCニウエハ移し換え用ハンド、AMニア−tW、Wl
 、W2 :ウエハ、DL二分割線、811、812.
・・・、 S21.822.・・・ニジヨツト、WC:
ウェハチャック、 AR,AL:位置合せ用マーク、 G:吸着溝、01 、 D2 、 D3 :ニツプル。
FIG. 1 is a schematic view of the main parts of a semiconductor exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged top view and an A-Alli side view of the wafer chuck in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is an explanatory diagram of the operation of the apparatus shown in FIG. 1, FIG. 4 is a chip layout diagram of a wafer exposed by the apparatus shown in FIG. 6 is a perspective view of a wafer chuck used in the apparatus of FIG. 5; FIG. 7 is a schematic top view of a semiconductor exposure apparatus according to still another embodiment of the present invention; FIG. 6 is a perspective view of a wafer chuck used in the apparatus of FIG. , FIG. 8 is a structural explanatory diagram of a wafer chuck, a transfer hand, and an XY stage suitable for use in the apparatus of FIG. 5 or 7. RT doubleticle, PO: projection lens, WY: Y-direction movement stage, WX: X-direction movement stage, θZ: θZ stage, WXY: XY stage, HA: wafer supply/retrieval hand, HB: small diameter wafer retrieval hand, HC new wafer transfer hand, AM near-tW, Wl
, W2: wafer, DL bisecting line, 811, 812.
..., S21.822. ... Nijiyotsuto, WC:
Wafer chuck, AR, AL: alignment mark, G: suction groove, 01, D2, D3: nipple.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、基板搬送手段と、基板ステージと、該基板ステージ
から処理済基板を取り上げる第1のハンドと、上記基板
搬送手段から受け取った未処理基板を上記基板ステージ
に載置するとともに上記第1のハンドから処理済基板を
受け取って基板搬送手段に引き渡す第2のハンドとを具
備することを特徴とする基板処理装置。 2、第1のハンドの回転軸と基板の中心を偏心させて保
持し回転することにより基板の位置を変えて第2のハン
ドへの引き渡しを容易にする特許請求の範囲第1項に記
載の基板処理装置。 3、第1のハンドを回転させて基板の方向を変えて基板
ステージ上に置く特許請求の範囲第2項に記載の基板処
理装置。 4、第2のハンドの基板移動方向とは別方向に基板を回
収するための第3のハンドを有し、第1のハンドを偏心
回転して処理済基板を第3のハンドに引き渡す特許請求
の範囲第2項に記載の基板処理装置。 5、大口径基板に対しては第2のハンドで基板の供給お
よび回収を行ない、小さな基板は供給を第2のハンドに
より、回収を第1のハンドおよび第3のハンドにより行
なう特許請求の範囲第4項に記載の基板処理装置。 6、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置である
特許請求の範囲第1〜5項のいずれか1つに記載の基板
処理装置。
[Claims] 1. A substrate transport means, a substrate stage, a first hand that picks up a processed substrate from the substrate stage, and places an unprocessed substrate received from the substrate transport means on the substrate stage. A substrate processing apparatus comprising: a second hand for receiving a processed substrate from the first hand and delivering the processed substrate to a substrate transport means. 2. The substrate according to claim 1, wherein the substrate is held eccentrically with respect to the rotation axis of the first hand and the center of the substrate and rotated to change the position of the substrate to facilitate handing over to the second hand. Substrate processing equipment. 3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the first hand is rotated to change the direction of the substrate and place the substrate on the substrate stage. 4. A patent claim that has a third hand for recovering the substrate in a direction different from the substrate movement direction of the second hand, and that the first hand is eccentrically rotated to deliver the processed substrate to the third hand. 2. The substrate processing apparatus according to item 2. 5. Scope of Claims: Large-diameter substrates are fed and collected by the second hand, small-sized substrates are fed by the second hand, and collected by the first and third hands. The substrate processing apparatus according to item 4. 6. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, which is a step-and-repeat type exposure apparatus.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006171509A (en) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp Substrate transfer apparatus, aligner, method for transferring substrate, and method for manufacturing microdevice
CN103534788A (en) * 2011-05-13 2014-01-22 株式会社尼康 Substrate-replacement method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5456356A (en) * 1977-10-14 1979-05-07 Hitachi Ltd Dicing device
JPS57145326A (en) * 1980-12-29 1982-09-08 Censor Patent Versuch Method and device for forming pattern on wafer by photosensing semiconductor wafer
JPS58216835A (en) * 1982-05-25 1983-12-16 ウイント・ライツ・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング Automatic conveyor for discoid body
JPS5954238A (en) * 1982-09-21 1984-03-29 Tatsumo Kk Conveyor for substrate
JPS59151426A (en) * 1983-01-21 1984-08-29 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ Device for photolithographically treating thin substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5456356A (en) * 1977-10-14 1979-05-07 Hitachi Ltd Dicing device
JPS57145326A (en) * 1980-12-29 1982-09-08 Censor Patent Versuch Method and device for forming pattern on wafer by photosensing semiconductor wafer
JPS58216835A (en) * 1982-05-25 1983-12-16 ウイント・ライツ・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング Automatic conveyor for discoid body
JPS5954238A (en) * 1982-09-21 1984-03-29 Tatsumo Kk Conveyor for substrate
JPS59151426A (en) * 1983-01-21 1984-08-29 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ Device for photolithographically treating thin substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006171509A (en) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp Substrate transfer apparatus, aligner, method for transferring substrate, and method for manufacturing microdevice
JP4674467B2 (en) * 2004-12-17 2011-04-20 株式会社ニコン Substrate transport method, substrate transport apparatus, exposure method, exposure apparatus, and microdevice manufacturing method
CN103534788A (en) * 2011-05-13 2014-01-22 株式会社尼康 Substrate-replacement method
CN106873313A (en) * 2011-05-13 2017-06-20 株式会社尼康 The replacing options of substrate

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