JP2007005617A - Method, program, device for displaying progress, and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の進捗状況を表示する進捗状況表示方法、表示プログラム、及び表示装置、並びに当該方法等による表示を行いつつデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to a progress status display method, a display program and a display device for displaying the progress status of a predetermined process in which a plurality of partial processes are executed and the whole process is performed, and a device is manufactured while performing display by the method or the like The present invention relates to a device manufacturing method.
半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD(Charge Coupled Device:電荷結合素子)等)、薄膜磁気ヘッド、その他のデバイスは、基板処理装置を用いて基板に対して各種の処理を施すことにより製造される。基板処理装置が基板に対して施す処理は、例えば薄膜形成処理、フォトリソグラフィ処理、及び不純物の拡散処理等の処理があり、またこれらの処理を経た基板に形成された回路を検査・評価・修復(リペア)する処理がある。 Semiconductor devices, liquid crystal display devices, imaging devices (CCD (Charge Coupled Device), etc.), thin film magnetic heads, and other devices are manufactured by performing various types of processing on substrates using substrate processing equipment. Is done. The processing performed on the substrate by the substrate processing apparatus includes, for example, thin film formation processing, photolithography processing, and impurity diffusion processing, and the circuit formed on the substrate that has undergone these processing is inspected, evaluated, and repaired. There is a process to (repair).
上記のフォトリソグラフィ処理では、基板処理装置の一種である露光装置を用いて、マスクのパターンを投影光学系を介して感光剤が塗布された基板上の複数(十数〜数十)のショット領域に転写する露光処理が繰り返される。一般的に、デバイスを製造するためのデバイス製造ラインには、露光装置等の基板処理装置が複数設けられており、これによりデバイスの製造効率の向上が図られている。 In the photolithography process described above, an exposure apparatus, which is a kind of substrate processing apparatus, is used to form a plurality of (ten to several tens) shot regions on a substrate coated with a photosensitive agent through a projection optical system. The exposure process for transferring to is repeated. Generally, a device manufacturing line for manufacturing a device is provided with a plurality of substrate processing apparatuses such as an exposure apparatus, thereby improving the manufacturing efficiency of the device.
以下の特許文献1には、デバイス製造ラインに設けられた基板処理装置の各々から処理されている基板に関する情報を収集し、収集した情報に基づいてデバイス製造ライン内に存在する基板の処理状況を模式的に表示することで、基板の処理状況を容易且つ正確に把握するようにした技術が開示されている。
ところで、上記の基板処理装置は、複数の部位(ユニット)が協働して動作することによって所定の全体処理が行われるのが殆どである。例えば、上記の露光装置は、露光光として用いるレーザ光を射出するレーザユニット、マスク又は基板を搬送する搬送ユニット、マスク又は基板を移動可能に保持するステージユニット、及びマスクとウェハとの相対的な位置合わせを行うアライメントユニット等の複数のユニットから構成され、各々のユニットがそれぞれ所定の処理を行うことで一連の露光処理が行われる。 By the way, most of the above-described substrate processing apparatuses perform predetermined overall processing by a plurality of parts (units) operating in cooperation. For example, the exposure apparatus includes a laser unit that emits laser light used as exposure light, a transport unit that transports a mask or a substrate, a stage unit that holds the mask or substrate movably, and a relative relationship between the mask and the wafer. It is composed of a plurality of units such as alignment units that perform alignment, and a series of exposure processing is performed by each unit performing predetermined processing.
露光装置の処理状況を把握する上で、露光装置の各ユニットの各々の処理状況と露光処理全体の処理状況とを同時に把握したい場合がある。例えば、露光装置の立ち上げ時又は定期若しくは不定期のメンテナンス時には露光装置の装置状態を初期状態に設定するリセット処理が行われる。このリセット処理は、各ユニットで行われる個別のリセット処理が全て完了した時点でリセット処理全体が終了することになるが、リセット処理が終了しないユニットが存在するとリセット処理全体が完了するまでに長時間を要する。リセット処理の期間、デバイス製造自体は停止しているため、極力デバイスの製造効率の低下を防止するためには、リセット処理全体の進捗状況と各ユニットにおけるリセット処理の進捗状況を把握する必要がある。 When grasping the processing status of the exposure apparatus, there are cases where it is desired to simultaneously grasp the processing status of each unit of the exposure apparatus and the processing status of the entire exposure process. For example, when the exposure apparatus is started up or during regular or irregular maintenance, a reset process for setting the apparatus state of the exposure apparatus to an initial state is performed. This reset process ends when all the individual reset processes performed in each unit are completed, but if there is a unit that does not complete the reset process, it takes a long time to complete the entire reset process. Cost. During the reset process, device manufacturing itself has been stopped. Therefore, in order to prevent a decrease in device manufacturing efficiency as much as possible, it is necessary to grasp the progress of the entire reset process and the progress of the reset process in each unit. .
また、一般的に露光処理は複数の基板(例えば、数十枚)を単位としたロット単位で行われるが、デバイスを製造する場合には、1つのロットに対する露光処理がどの程度完了しているかの進捗状況を把握するとともに、各ユニットにおける基板処理の進捗状況又は1つの基板に対して行われる各種処理の進捗状況を把握する必要もある。 In general, exposure processing is performed in units of lots with a plurality of substrates (for example, several tens of substrates) as a unit. When manufacturing a device, how much exposure processing is completed for one lot. As well as the progress of substrate processing in each unit or the progress of various processes performed on one substrate.
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の全体的な進捗状況と部分処理の進捗状況とを共に容易に把握することができる進捗状況表示方法、表示プログラム、及び表示装置、並びに当該方法等による表示を行いつつデバイスを製造するデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and easily grasps both the overall progress status of a predetermined process in which a plurality of partial processes are executed and the entire process is performed, and the progress status of the partial process. It is an object of the present invention to provide a progress status display method, a display program, a display device, and a device manufacturing method for manufacturing a device while performing display using the method.
本発明は、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
上記課題を解決するために、本発明の進捗状況表示方法は、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の進捗状況を表示する進捗状況表示方法であって、前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも1つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示ステップを含むことを特徴としている。
この発明によると、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理が実行されている間においては、その全体処理の進捗状況と、部分処理のうちの少なくとも1つの部分処理の進捗状況とが同時に表示される。
上記課題を解決するために、本発明の進捗状況表示プログラムは、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の進捗状況を表示する進捗状況表示プログラムであって、前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも1つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示処理を有することを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の進捗状況表示装置は、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の進捗状況を表示する進捗状況表示装置(T)であって、前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも1つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示装置(54)を備えることを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明のデバイス製造方法は、上記の進捗状況表示方法を用いて前記全体処理進捗状況及び前記部分処理進捗状況を表示し、又は上記の進捗状況表示装置に前記全体処理進捗状況及び前記部分処理進捗状況を表示させつつデバイスを製造することを特徴としている。
The present invention adopts the following configuration corresponding to each diagram shown in the embodiment. However, the reference numerals with parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.
In order to solve the above problems, a progress status display method of the present invention is a progress status display method for displaying the progress status of a predetermined process in which a plurality of partial processes are executed and the entire process is performed, and the overall process A display step of simultaneously displaying the overall process progress status indicating the progress status of the process and the partial process progress status indicating the progress status of at least one of the plurality of partial processes.
According to the present invention, while a predetermined process in which a plurality of partial processes are executed and the whole process is executed, the progress of the whole process and the progress of at least one of the partial processes. The status is displayed at the same time.
In order to solve the above problems, a progress status display program of the present invention is a progress status display program for displaying the progress status of a predetermined process in which a plurality of partial processes are executed and the entire process is performed. And a display process for simultaneously displaying an overall process progress status indicating the progress status of the process and a partial process progress status indicating the progress status of at least one of the plurality of partial processes.
In order to solve the above-described problem, the progress status display device of the present invention is a progress status display device (T) that displays a progress status of a predetermined process in which a plurality of partial processes are executed and an entire process is performed, A display device (54) for simultaneously displaying the overall process progress status indicating the progress status of the overall process and the partial process progress status indicating the progress status of at least one of the plurality of partial processes; It is a feature.
In order to solve the above-described problems, the device manufacturing method of the present invention displays the overall process progress and the partial process progress using the progress display method, or displays the whole on the progress display device. A device is manufactured while displaying the progress of processing and the progress of partial processing.
本発明によれば、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の全体的な進捗状況と部分処理の進捗状況とが同時に表示されるため、これらの進捗状況を共に容易に把握することができるという効果がある。
また、所定の処理の全体的な進捗状況と部分処理の進捗状況とが同時に表示されるため、所定の処理の実行中にトラブルが発生した場合には、それらの表示からトラブルの原因究明を早期に発見することもできるという効果がある。
According to the present invention, since the overall progress status of a predetermined process in which a plurality of partial processes are executed and the overall process is performed and the progress status of the partial process are displayed at the same time, these progress statuses can be easily displayed together. There is an effect that it can be grasped.
In addition, since the overall progress status of a given process and the progress status of a partial process are displayed at the same time, if a problem occurs during the execution of a given process, the cause of the trouble can be quickly identified from those displays. It has the effect that it can also be discovered.
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による進捗状況表示方法、表示プログラム、及び表示装置、並びにデバイス製造方法について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態が適用される露光装置の概略構成を示す図である。図1に示す露光装置EXは、半導体素子を製造するための露光装置であり、マスクとしてのレチクルRと基板としてのウェハWとを同期移動させつつ、レチクルRに形成されたパターンを逐次ウェハW上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置である。 Hereinafter, a progress display method, a display program, a display device, and a device manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus to which an embodiment of the present invention is applied. An exposure apparatus EX shown in FIG. 1 is an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element. The pattern formed on the reticle R is sequentially transferred to the wafer W while the reticle R as a mask and the wafer W as a substrate are moved synchronously. This is a reduction projection type exposure apparatus of a step-and-scan method for transferring the image on the top.
尚、以下の説明においては、必要であれば図中にXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。このXYZ直交座標系は、XY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。また、露光時におけるレチクルR及びウェハWの同期移動方向(走査方向)はY方向に設定されているものとする。 In the following description, if necessary, an XYZ orthogonal coordinate system is set in the drawing, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. In this XYZ orthogonal coordinate system, the XY plane is set to a plane parallel to the horizontal plane, and the Z axis is set to the vertical upward direction. Further, it is assumed that the synchronous movement direction (scanning direction) of reticle R and wafer W during exposure is set in the Y direction.
図1に示す露光装置EXはクリーンルーム内に設置された本体チャンバC1と、本体チャンバC1の−Y側に隣接するように設置された搬送チャンバC2とを備えている。本体チャンバC1及び搬送チャンバC2は、互いの開口a1,a2を介して内部空間が連結されている。本体チャンバC1内には、露光装置本体の大部分が収納されている。露光装置本体は、レチクルR上のスリット状(矩形状又は円弧状)の照明領域を均一な照度を有する露光光ELで照明する照明光学系ILS、レチクルRを保持するレチクルステージRST、レチクルRのパターンの像をウェハW上に投影する投影光学系PL、ウェハWを保持するウェハステージWST、アライメント検出系AS、及び主制御系CT等を含んで構成される。尚、照明光学系ILSの一部、並びに主制御系CT及び主制御系CTに接続される端末装置Tは、本体チャンバC1及び搬送チャンバC2の外部に配置されている。 The exposure apparatus EX shown in FIG. 1 includes a main body chamber C1 installed in a clean room and a transfer chamber C2 installed adjacent to the −Y side of the main body chamber C1. The main chamber C1 and the transfer chamber C2 are connected to each other through the openings a1 and a2. Most of the exposure apparatus main body is accommodated in the main body chamber C1. The exposure apparatus main body includes an illumination optical system ILS that illuminates a slit-shaped (rectangular or arc-shaped) illumination area on the reticle R with exposure light EL having uniform illuminance, a reticle stage RST that holds the reticle R, and a reticle R A projection optical system PL that projects a pattern image onto the wafer W, a wafer stage WST that holds the wafer W, an alignment detection system AS, a main control system CT, and the like are configured. A part of the illumination optical system ILS and the main control system CT and the terminal device T connected to the main control system CT are arranged outside the main body chamber C1 and the transfer chamber C2.
照明光学系PLは、本体チャンバC1及び搬送チャンバC2の外部に配置された光源ユニット、並びに、オプティカル・インテグレータを含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、集光レンズ系、レチクルブラインド、及び結像レンズ系等(何れも不図示)を含んで構成されている。この照明光学系ILSの構成等については、例えば特開平9−320956に開示されている。ここで、上記の光源ユニットとしては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、若しくはF2レーザ光源(波長157nm)、Kr2レーザ光源(波長146nm)、Ar2レーザ光源(波長126nm)等の紫外レーザ光源、銅蒸気レーザ光源、YAGレーザの高調波発生光源、固体レーザ(半導体レーザ等)の高調波発生装置、又は水銀ランプ(i線等)等も使用することができる。 The illumination optical system PL includes a light source unit disposed outside the main body chamber C1 and the transfer chamber C2, and an illuminance uniformizing optical system including an optical integrator, a beam splitter, a condensing lens system, a reticle blind, and an imaging lens. It includes a system and the like (both not shown). The configuration of the illumination optical system ILS is disclosed in, for example, JP-A-9-320956. Here, as the light source unit, a KrF excimer laser (wavelength 248 nm), an ArF excimer laser (wavelength 193 nm), an F 2 laser light source (wavelength 157 nm), a Kr 2 laser light source (wavelength 146 nm), an Ar 2 laser light source ( An ultraviolet laser light source having a wavelength of 126 nm), a copper vapor laser light source, a harmonic generation light source of a YAG laser, a harmonic generation device of a solid-state laser (semiconductor laser, etc.), or a mercury lamp (i-line, etc.) can also be used. .
レチクルステージRSTは、照明光学系ILSの下方(−Z方向)に水平に配置されたレチクル支持台(定盤)11の上面上を走査方向(Y方向)に所定ストロークで移動可能なレチクル走査ステージ12と、このレチクル走査ステージ12上に載置され、レチクル走査ステージ12に対してX方向、Y方向、及びZ軸回りの回転方向(θZ方向)にそれぞれ微小駆動可能なレチクル微動ステージ13とを備えている。このレチクル微動ステージ13上にレチクルRが真空吸着又は静電吸着等により保持される。
Reticle stage RST is a reticle scanning stage that can move with a predetermined stroke in the scanning direction (Y direction) on the upper surface of reticle support base (surface plate) 11 that is horizontally disposed below illumination optical system ILS (−Z direction). 12 and a reticle
上記レチクル微動ステージ13上の一端には移動鏡14が設けられており、レチクル支持台11上にはレーザ干渉計(以下、レチクル干渉計という)15が配置されている。レチクル干渉計15から射出されたレーザ光は移動鏡14の鏡面に照射され、その反射光と参照光との干渉光をレチクル干渉計15が受光することによって、レチクル微動ステージ13のX方向、Y方向、及びZ軸回りの回転方向(θX,θY,θZ方向)の位置が検出される。
A
上述のレチクル干渉計15により検出されたレチクル微動ステージ13の位置情報(又は速度情報)は、装置全体の動作を統轄制御する主制御系CTに供給される。主制御系CTは、レチクル走査ステージ12駆動用のリニアモータ、レチクル微動ステージ13駆動用のボイスコイルモータ等を含むレチクル駆動装置16を介してレチクル走査ステージ12及びレチクル微動ステージ13の動作を制御する。
Position information (or velocity information) of reticle
投影光学系PLは、複数の屈折光学素子(レンズ素子)を含んで構成され、物体面(レチクルR)側と像面(ウェハW)側の両方がテレセントリックで所定の縮小倍率β(βは例えば1/4,1/5等)を有する屈折光学系が使用されている。この投影光学系PLの光軸AXの方向は、XY平面に直交するZ方向とされている。尚、投影光学系PLが備える複数のレンズ素子の硝材は、露光光ELの波長に応じて、例えば石英又は蛍石が用いられる。また、本実施形態では、レチクルRに形成されたパターンの倒立像をウェハW上に投影する投影光学系PLを例に挙げて説明するが、勿論パターンの正立像を投影するものであっても良い。 The projection optical system PL is configured to include a plurality of refractive optical elements (lens elements), and both the object plane (reticle R) side and the image plane (wafer W) side are telecentric and have a predetermined reduction magnification β (β is, for example, Refractive optical systems having 1/4, 1/5, etc.) are used. The direction of the optical axis AX of the projection optical system PL is a Z direction orthogonal to the XY plane. For example, quartz or fluorite is used as the glass material of the plurality of lens elements provided in the projection optical system PL according to the wavelength of the exposure light EL. In the present embodiment, the projection optical system PL that projects an inverted image of the pattern formed on the reticle R onto the wafer W will be described as an example. Of course, even if an upright image of the pattern is projected. good.
ウェハステージWSTは、投影光学系PLの下方(−Z方向)に配置されており、ウェハXY駆動ステージ18、支点19a〜19c、及びウェハテーブル20を含んで構成されている。ウェハXY駆動ステージ18は、ウェハ支持台(定盤)17の上面(基準平面)上をX方向及びY方向に移動可能に構成されており、このウェハXY駆動ステージ18上にZ方向に伸縮自在な3個の支点19a〜19cが設けられている。これら3つの支点19a〜19cは、例えばウェハウェハテーブル20の中心に関して各々が互いに120°の角度をなすように配置されている。支点19a〜19cは、例えばロータリーモータ及びカムを使用する方式、積層型圧電素子(ピエゾ素子)、又はボイスコイルモータ(ここではボイスコイルモータとする)等を使用して構成される。
Wafer stage WST is arranged below projection optical system PL (−Z direction), and includes wafer
ウェハテーブル20は、支点19a〜19c上に載置されており、支点19a〜19cの伸縮量を制御することでZ方向の微動(X軸回りの回転及びY軸回りの回転を含む)が可能である。ウェハテーブル20上に設けられた不図示のウェハホルダを介してウェハWが真空吸着又は静電吸着等により保持される。3個の支点19a〜19cは主制御系CTにより制御される。支点19a〜19cを均等に伸縮させることにより、ウェハテーブル20のZ方向の位置を調整することができ、3個の支点19a〜19cの伸縮量を個別に調整することにより、ウェハテーブル20のX軸及びY軸の回りの傾斜角を調整することができる。
The wafer table 20 is placed on the
ウェハテーブル20上の一端には移動鏡21が設けられており、ウェハステージWSTの外部にはレーザ光を移動鏡21の鏡面(反射面)に照射するレーザ干渉計(以下、ウェハ干渉計という)22が設けられている。このウェハ干渉計22は、移動鏡21の鏡面にレーザ光を照射して得られる反射光と参照光との干渉光を受光することによって、ウェハテーブル20のX方向及びY方向の位置、並びに姿勢(X軸,Y軸,Z軸周りの回転θX,θY,θZ)が検出される。
A moving
主制御系CTは、ウェハ干渉計22の検出結果に基づいてウェハ駆動装置23を介してウェハテーブル20の位置及び姿勢を制御する。主制御装置CTによるウェハステージWSTの移動制御により、ウェハステージWSTは、図1に示す通り、投影光学系PLの直下の露光位置(投影光学系PLを介したパターンの転写位置)と、本体チャンバC1の開口a1付近に設定されたウェハWの受け渡し位置、即ちローディングポジションとの間の移動が可能になっている。
The main control system CT controls the position and orientation of the wafer table 20 via the
アライメント検出系ASは、投影光学系PLのY方向の側面部に配置されている(尚、図1においては図示の都合上、投影光学系PLの+X方向側に図示している)。このアライメント検出系ASは、ウェハW上に設定された区画領域(以下、ショット領域又はショットという)に付設されたアライメントマーク(ウェハアライメントマーク)を撮像して画像処理を行ってウェハアライメントマークの位置を検出し、その検出結果を主制御系CTに出力する。アライメント検出系ASの光学系の光軸は、投影光学系PLの光軸AXと平行とされている。かかるアライメント検出系ASの詳細な構成は、例えば特開平9−219354号公報及びこれに対応する米国特許第5,859,707号等に開示されている。 The alignment detection system AS is arranged on the side surface portion in the Y direction of the projection optical system PL (in FIG. 1, for convenience of illustration, it is shown on the + X direction side of the projection optical system PL). This alignment detection system AS images the alignment mark (wafer alignment mark) attached to the partition area (hereinafter referred to as a shot area or a shot) set on the wafer W, performs image processing, and performs the position of the wafer alignment mark. And the detection result is output to the main control system CT. The optical axis of the optical system of the alignment detection system AS is parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL. The detailed configuration of the alignment detection system AS is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-219354 and US Pat. No. 5,859,707 corresponding thereto.
更に、投影光学系PLの側方には、送光系24a及び受光系24bから構成され、投影光学系PLに関してレチクルR上の照明領域と共役なウェハW上の露光スリット領域の内部及びその近傍に設定された複数の検出点でそれぞれウェハWの表面のZ方向(光軸AX方向)の位置を検出する多点AFセンサ24が設けられる。多点AFセンサ24は、投影光学系PLの光軸AX方向におけるウェハWの表面位置及び姿勢(X軸,Y軸周りの回転θX,θY:レベリング)を検出するものである。主制御系CTは、多点AFセンサ24の検出結果に基づいて支点19a〜19cの伸縮量を制御してウェハテーブル20のX軸及びY軸の回りの傾斜角を調整する。
Further, on the side of the projection optical system PL, a
主制御系CTは、以上の説明した制御以外に、ウェハテーブル20上に形成された不図示の基準部材を用いてベースライン量(投影光学系PLを介した投影像の投影中心と、アライメント検出系ASの計測視野中心との距離)を求める制御を行う。また、アライメント検出系ASでウェハW上に形成されたウェハアライメントマークのうちの代表的な数個(3〜9個程度)を計測した結果と予め記録されている各ショット領域の設計値とを用いてEGA(エンハンスト・グローバル・アライメント)演算を行い、ウェハW上の全ショット領域の配列座標を求める。 In addition to the control described above, the main control system CT uses a reference member (not shown) formed on the wafer table 20 to detect the baseline amount (projection center of the projected image via the projection optical system PL and alignment detection). Control for obtaining a distance from the center of the measurement visual field of the system AS. In addition, the result of measuring several representative (about 3 to 9) wafer alignment marks formed on the wafer W by the alignment detection system AS and the pre-recorded design values of each shot area are obtained. EGA (enhanced global alignment) calculation is performed to obtain array coordinates of all shot areas on the wafer W.
そして、主制御系CTは、上記のEGA演算で求めたショットの配列座標を上記のベースライン量で補正した配列座標に基づいてウェハ駆動装置23を介してレチクルステージRSTとウェハステージWSTの相対的な位置合わせを行う。その後で、レチクルステージRSTとウェハステージWSTとの同期移動を制御するとともに露光光ELの露光量を制御し、更にはAFセンサ41の検出結果に基づいてウェハWのZ方向における位置及び姿勢を制御しつつウェハWを露光する。尚、主制御系CTの詳細な構成については後述する。
Then, the main control system CT compares the reticle stage RST and the wafer stage WST via the
また、露光装置EXは、ウェハWをウェハステージWSTに搬送する搬送系と、その搬送系により搬送されるウェハWのプリアライメントを行うプリアライメント系とを更に備える。搬送系の一部をなすロードスライダ34は、ウェハWを真空吸着又は静電吸着等により保持可能である。このロードスライダ34は、ウェハWを保持したまま、後述する搬送機構により、本体チャンバC1と搬送チャンバC2との間を、開口a1,a2を通過して、Y方向に移動可能に構成されている。搬送チャンバC2内でウェハWを受け取ったロードスライダ34は、+Y方向に移動して、本体チャンバC1内のウェハステージWSTのローディングポジションの上方に移動する。そして、ロードスライダ34からローディングポジションに位置するウェハステージWST上にウェハWのロードが実現される。
Exposure apparatus EX further includes a transport system for transporting wafer W to wafer stage WST, and a pre-alignment system for performing pre-alignment of wafer W transported by the transport system. The
図2は、プリアライメント系を含むウェハWの搬送系の概略構成を示す上面透視図である。図2に示す通り、ウェハWの搬送系は、フロントオープニングユニファイドポッド(Front Opening Unified Pod:以下、「FOUP」という)30からウェハWを取り出すロードロボット31と、ロードロボット31からロードスライダ34へのウェハWの受け渡しの中継を行い、その中継の間にウェハWに対するプリアライメントを行うプリアライメントステージ32と、プリアライメントステージ32上に搭載されたターンテーブル33と、前述のロードスライダ34と、ロードスライダ34をY方向に駆動するY駆動機構35と、露光済みのウェハWをウェハステージWSTからアンロードするためのアンロードスライダ36と、アンロードスライダ36からウェハWを受け取るアンロードロボット37とを含んで構成されている。
FIG. 2 is a top perspective view showing a schematic configuration of the transfer system for the wafer W including the pre-alignment system. As shown in FIG. 2, the transfer system for the wafer W includes a
FOUP30は、例えば特開平8−279546号公報に開示された搬送コンテナと同様のものであり、一方の面のみに開口部が設けられ、この開口部を開閉する扉(蓋)を有する開閉型のコンテナ(密閉型のウェハカセット)である。このFOUP30の中には、ウェハWが複数枚上下方向(Z方向)に所定間隔を隔てて収納されている。このFOUP30は、不図示のFOUP搬送装置により、図2に示される位置にセッティングされる。このセッティングにより、搬送チャンバC2に配設されたFOUP30用の開口a3が上記FOUP30の開口部と連結される。そして、その開口部の扉が開かれた状態では、開口部及び開口a3を介してFOUP30内部のウェハWを搬送チャンバC2内に搬入可能となっている。
The
ロードロボット31は、アームの先端にウェハWを吸着保持して搬送可能な、水平多関節ロボットであり、主に、FOUP30からプリアライメントステージ32へのウェハWの搬送、アンロードロボット37からの露光済みのウェハの回収を行う。ロードロボット31の姿勢制御は、主制御系CTの指示の下、ロードロボット31の関節等に組み込まれた不図示の回転モータ等の駆動により行われる。
The
プリアライメントステージ32は、XY平面内を移動可動なステージである。このプリアライメントステージ32は、Y方向に関し、ロードスライダ34へのウェハWの受け渡しが可能な位置と、ロードロボット31によるウェハWの受け渡しが可能な位置との間の移動が少なくとも可能となるように構成されている。プリアライメントステージ32の制御は、主制御系CTの指示の下、図1に示されるリニアモータ等の駆動機構の駆動により行われる。図2においては、ロードスライダ34へのウェハWの受け渡しが可能な位置にプリアライメントステージ32が配置されている状態を図示している。
The
ターンテーブル33は、プリアライメントステージ32の+Z側の表面上略中央部に配設されており、上下動可能であってウェハWを保持してZ軸に平行な回転軸を中心に自転可能なテーブルである。このターンテーブル33の+Z側の端面には、真空吸着或いは静電吸着等により、ウェハWを吸着保持するための円板状のウェハ吸着保持面が設けられており、ターンテーブル33の自転により、この吸着保持面に吸着保持されたウェハWを回転させることが可能である。この回転は、主制御系CTの指示の下、不図示の駆動機構の駆動により行われる。
The
尚、プリアライメントステージ32のXY位置、ターンテーブル33の回転位置及びウェハ吸着保持面(ウェハ)の高さ等に関する情報は、不図示の位置検出センサや、プリアライメントステージ32、ターンテーブル33を駆動するモータの駆動量をモニタするセンサ等によって検出され、主制御系CTに送られている。主制御系CTは、その情報に基づいて、プリアライメントステージ32のXY位置、ターンテーブル33の位置(回転位置、Z位置)を制御する。
Information on the XY position of the
ロードスライダ34は、図2に示す通り、搬送チャンバC2の開口a2及び本体チャンバC1の開口a1を通り、搬送チャンバC2側から本体チャンバC1側に跨ってY方向に延びるY駆動機構35に接続されている。ロードスライダ34は、主制御系CTの指示の下、Y駆動機構35の駆動により、搬送チャンバC2と本体チャンバC1との間をY方向に移動(スライド)可能であり、搬送チャンバC2に移動してターンテーブル33上に保持されたウェハWを受け取り、+Y側に移動して、ローディングポジション上方にウェハWを搬送する。
As shown in FIG. 2, the
アンロードスライダ36は、ロードスライダ34の下方(−Z側)を、Y方向に移動(スライド)可能に構成されている。このアンロードスライダ36は、露光が終了したウェハWをウェハステージWSTからアンロードする際に、ウェハWを保持して上昇したセンタテーブルCTからウェハWを真空吸着等による吸着により受け取って、+Y側に移動し、ウェハWの受け渡し位置に移動する。このアンロードスライダ36の駆動も、主制御系CTの指示の下、不図示の駆動機構の駆動により行われる。
The unload
アンロードロボット37は、その受け渡し位置で、アンロードスライダ36からウェハWを受け取り、例えばロードロボット31にウェハWを受け渡す水平多関節ロボットである。このアンロードロボット37の姿勢制御も、主制御系CTの指示の下、アンロードロボット37の関節等に組み込まれた不図示の回転モータ等の駆動により行われる。
The unload
即ち、本実施形態では、ロードロボット31、ロードスライダ34、プリアライメントステージ32(ターンテーブル33を含む)、Y駆動機構35、アンロードスライダ36、アンロードロボット37等により、ウェハWの搬送系が構成されている。ウェハWの搬送系に含まれるこれらの装置の何れかが、ウェハWの搬送系に含まれる他の装置又はウェハステージWSTにウェハWを受け渡したとき、及びウェハWの搬送系に含まれる他の装置又はウェハステージWSTからウェハWが受け渡されたときには、その旨を示す信号が主制御系CTに出力される。
That is, in the present embodiment, the load system of the wafer W is constituted by the
次に、主制御系CTの構成について説明する。図3は、主制御系CTの概略構成を示すブロック図である。図3に示す通り、本実施形態の露光装置に設けられる主制御系CTは、統括的な制御を行うメインプロセッサ40と、メインプロセッサ40の制御の下で前述した露光装置EXに設けられる各種の装置(制御ユニット)を制御するユニットコントローラUCとを備えている。ユニットコントローラUCは、ステージコントローラ41、アライメントコントローラ42、及びウェハローダコントローラ43等を含んで構成されている。
Next, the configuration of the main control system CT will be described. FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of the main control system CT. As shown in FIG. 3, the main control system CT provided in the exposure apparatus of this embodiment includes a
ステージコントローラ41はレチクルステージRST及びウェハステージWST等の動作を制御する。具体的には、図1に示すレーザ干渉計15によって検出されたレチクルステージRSTの位置情報を参照しながらレチクルステージRSTの位置決め動作等を制御する。また、レーザ干渉計22によって検出されたウェハステージWSTの位置情報を参照しながらウェハステージWSTの位置決め動作等を制御する。
アライメントコントローラ42は、アライメント検出系AS、及びレチクルRの位置を検出するレチクルアライメント検出系RAS(図1においては図示を省略している)を制御する。このアライメントコントローラ42が行う制御は、例えば、アライメント検出系ASが備える送光系24aから検知ビームの射出を開始する制御、レチクルアライメント検出系RASを所定の計測位置へ移動させる制御、及びこれらの検出系で検出された信号を所定のアルゴリズムに従って処理する制御等である。
The
また、ウェハローダコントローラ43は、図2に示すウェハWの搬送系に含まれるロードロボット31、プリアライメントステージ32、ターンテーブル33、ロードスライダ34、Y駆動機構35、アンロードスライダ36、及びアンロードロボット37の動作を制御する。これらのユニットコントローラUCはメインプロセッサ40から出力される制御コマンドに応じて各種処理装置を制御する。
The
以上、ユニットコントローラUCを構成する代表的なユニットについて説明したが、ユニットコントローラUCは、上記以外にボディコントローラ、レチクルローダコントローラ、I/Oコントローラ、レンズコントローラ、照明ユニットコントローラ、ビーム自己調整コントローラ等を含んで構成される。ボディコントローラは露光装置EXをなす各装置を支持する不図示のコラム等を制御し、レチクルローダコントローラはレチクルRを搬送するレチクルローダの制御を行う。I/Oコントローラは露光装置EXで扱われる各種信号(各種データ)の入出力を制御し、レンズコントローラは投影光学系PLの光学特性を制御する。更に、照明ユニットコントローラは照明光学系ILSを制御して露光光の照度、照明領域の大きさ等を制御し、ビーム自己調整コントローラは光源ユニットから射出されるレーザ光(レーザビーム)の出力パワー等を制御する。 The representative units constituting the unit controller UC have been described above. The unit controller UC includes a body controller, a reticle loader controller, an I / O controller, a lens controller, an illumination unit controller, a beam self-adjusting controller, etc. in addition to the above. Consists of including. The body controller controls a column (not shown) that supports each apparatus constituting the exposure apparatus EX, and the reticle loader controller controls the reticle loader that transports the reticle R. The I / O controller controls input / output of various signals (various data) handled by the exposure apparatus EX, and the lens controller controls optical characteristics of the projection optical system PL. Furthermore, the illumination unit controller controls the illumination optical system ILS to control the illuminance of the exposure light, the size of the illumination area, etc., and the beam self-adjustment controller, the output power of the laser light (laser beam) emitted from the light source unit, etc. To control.
以上の構成において、メインプロセッサ40が、ユニットコントローラUCの各々に制御信号を出力し、ユニットコントローラUCの各々に対して制御下にある各装置の動作を制御させると、露光装置EXにおいて所期の動作(露光動作等)が実行される。ユニットコントローラUCは、メインプロセッサ40の制御信号に基づいて制御下にある各装置を制御している際に、それらの状態を示すステータス信号をメインプロセッサ40に対して出力する。ここで、ユニットコントローラUCの各々からメインプロセッサ40に出力されるステータス信号は、例えば以下に示すリセット処理の進捗状況を示す信号、図2に示す搬送系におけるウェハWの搬送状況を示す信号、ウェハWを露光する際の進捗状況を示す信号、エラー信号、その他の信号がある。メインプロセッサ40は、これらのステータス信号を参照しつつ各ユニットコントローラUCを制御する。
In the above configuration, when the
ここで、リセット処理とは、露光装置EXの立ち上げ時又は定期若しくは不定期のメンテナンス時に行われる露光装置EXの装置状態を初期状態に設定する処理である。このリセット処理は、ユニットコントローラUCの各々で行われる個別のリセット処理が全て完了した時点でリセット処理全体が終了する。このリセット処理時において、メインプロセッサ40は、ユニットコントローラUCの各々と通信を行って、ユニットコントローラUCの各々におけるリセット処理の進捗状況とリセット処理全体の進捗状況とを把握する。
Here, the reset process is a process of setting the apparatus state of the exposure apparatus EX to the initial state when the exposure apparatus EX is started up or during regular or irregular maintenance. This reset process is completed when all the individual reset processes performed in each of the unit controllers UC are completed. During the reset process, the
尚、リセット処理が開始されてから終了するまで(リセット処理全体が完了するまで)の間には、ユニットコントローラUCをなす複数のコントローラの個別のリセット処理が並列して行われることもあれば、1つのコントローラのリセット処理のみが行われることもある。また、1つのコントローラで行われるリセット処理が複数の処理からなる場合もある。更に、複数のコントローラが相互に関連して行われることもある。 It should be noted that individual reset processing of a plurality of controllers constituting the unit controller UC may be performed in parallel between the start and end of the reset processing (until the entire reset processing is completed). Only the reset process of one controller may be performed. In some cases, the reset process performed by one controller includes a plurality of processes. In addition, multiple controllers may be performed in conjunction with each other.
次に、各露光装置EXに設けられる端末装置Tについて説明する。図4は、端末装置Tの外観図である。図4に示す通り、端末装置Tは、端末本体51、キーボード52及びマウス53、並びに液晶表示装置又はCRT(Cathode Ray Tube)等のディスプレイ54を含んで構成される。端末本体51は、CPU(中央処理装置)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、通信インタフェース部、及びハードディスク(これらについては図示を省略)、並びにCD−ROMドライブ又はDVD(登録商標)−ROMドライブ等のドライブ装置55を含んで構成される。
Next, the terminal device T provided in each exposure apparatus EX will be described. FIG. 4 is an external view of the terminal device T. As shown in FIG. 4, the terminal device T includes a terminal
端末本体51に設けられたハードディスクには、例えばドライブ装置55を介して読み込まれた各種プログラムが記録されている。オペレータがキーボード52又はマウス53を操作して指示に応じたプログラムを起動させて所定の処理を実行させると、その実行結果がディスプレイ54に表示される。本実施形態においては、端末装置Tに露光装置EXで行われる各種処理の進捗状況を表示するプログラムが実装されている。このプログラムは、主制御系CTとの間で通信を行って主制御系CTからオペレータの指示に応じた所定の情報を取得して露光装置EXで行われる各種処理の進捗状況を表示する。
Various programs read through the
端末装置Tは、露光処理EXで行われる処理のうち、その処理に関するデータ(進捗状況を算出することができるデータ)が主制御系CTから得られるものであれば、任意の処理について進捗状況を表示することができる。以下では、(1)リセット処理、(2)ウェハ搬送処理、及び(3)露光処理についての進捗状況の表示例について説明する。 As long as the data related to the process (data for which the progress can be calculated) is obtained from the main control system CT among the processes performed in the exposure process EX, the terminal device T displays the progress for any process. Can be displayed. Hereinafter, a display example of the progress status of (1) reset processing, (2) wafer transfer processing, and (3) exposure processing will be described.
(1)リセット処理
露光装置EXに対してリセット処理を行わせるには、オペレータがキーボード52又はマウス53を操作し、端末装置Tに対して所定の指示を行ってリセット処理用プログラムを起動させる必要がある。オペレータの指示によってリセット処理用プログラムが起動すると、端末装置Tには図5に示す表示ウィンドウWD1が表示される。図5は、リセット処理時における端末装置Tのディスプレイ54の表示例を示す図である。図5に示す表示ウィンドウWD1には、リセット処理全体の進捗状況(全体処理進捗状況)を示す表示領域R11及びユニットコントローラUCをなすコントローラ各々のリセット処理の進捗状況を表示する表示領域R12、並びにリセット処理を開始させる「スタート」ボタンB11及びリセット処理を終了させる「終了」ボタンB12が設けられている。
(1) Reset processing In order to cause the exposure apparatus EX to perform reset processing, the operator must operate the
図5に示す例においては、リセット処理全体の進捗状況を示すプログレッシブバー(又は、プログレスバーともいう)が表示領域R11に設けられている。また、表示領域R12には、ユニットコントローラUCをなすコントローラの名称C1が複数表示されており、コントローラの名称C1の各々に対応してチェックボックスC2とそのコントローラの進捗状況を文字で表示する表示欄C3とが設けられている。例えば、前述したボディーコントローラの名称C1として「Body Controller」が表示されており、この表示の画面左側に1つのチェックボックスが設けられており、画面右側に「Not Execute」なる文字列が表示された1つの表示欄C3が設けられている。尚、リセット処理を開始する前には、全ての表示欄C3の表示が「Not Execute」になっている。 In the example shown in FIG. 5, a progressive bar (also referred to as a progress bar) indicating the progress of the entire reset process is provided in the display area R11. In the display area R12, a plurality of names C1 of the controllers forming the unit controller UC are displayed, and a check box C2 corresponding to each of the controller names C1 and a display field for displaying the progress of the controller in characters. C3 is provided. For example, “Body Controller” is displayed as the body controller name C1 described above, one check box is provided on the left side of the display, and the character string “Not Execute” is displayed on the right side of the screen. One display column C3 is provided. Before starting the reset process, all the display columns C3 are displayed as “Not Execute”.
表示領域R2に設けられたチェックボックスC2は、対応しているコントローラに対してリセット処理を行うか否か及びそ進捗状況を表示するか否かを選択するためものである。オペレータがマウス53を操作し、チェックが付されていないチェックボックスの表示位置にマウスカーソルを移動させてクリック操作すると、チェックボックスC2にチェックを付すことができる。また、チェックが付されているチェックボックスC2に対して同様の操作を行うと、チェックを消すことができる。図5に示す例では、7個のチェックボックスC2が表示されているが、オペレータはこれらの内の1つ又は複数を選択することができる。
A check box C2 provided in the display region R2 is used to select whether or not to perform a reset process on the corresponding controller and whether or not to display the progress status. When the operator operates the
オペレータがマウス53を操作してチェックボタンC2の1つ又は複数を選択した上で、「スタート」ボタンB1を押下すると、端末装置Tから主制御系CTにリセット処理の開始指令信号が出力されてリセット処理が開始される。尚、ここでは、ウェハローダコントローラ43とレチクルローダコントローラに対応するチェックボックスにチェックが付されているとする。リセット処理が開始されると、主制御系CTに設けられたメインプロセッサ40は、ユニットコントローラUCに含まれるコントローラの各々に対してリセット処理を開始させる制御信号を出力する。この制御信号を受信すると、ユニットコントローラUCに含まれるコントローラ(ウェハローダコントローラ43とレチクルローダコントローラ)の各々は、個別にリセット処理を開始する。
When the operator operates the
ユニットコントローラUCに設けられたコントローラの各々がリセット処理を行っている間において、メインプロセッサ40は一定の時間間隔でコントローラの各々に対して問い合わせ信号を出力する。この問い合わせ信号を受信すると、ユニットコントローラUCに設けられたコントローラの各々は、メインプロセッサ40に対してステータス信号を出力する。ステータス信号を受信したメインプロセッサ40は各々のコントローラにおけるリセット処理の進捗状況を算出するとともに、リセット処理全体の進捗状況を算出する。尚、リセット処理全体の進捗状況は、例えばユニットコントローラUCの設計上リセット処理に要する時間を100%とし、又は露光装置EXの立ち上げ時に実際にリセット処理を実行させた時に要した時間を100%とし、この時間に対する経過時間の割合で算出しても良い。
While each of the controllers provided in the unit controller UC is performing the reset process, the
算出されたリセット処理全体の進捗状況は表示領域R11にプログレッシブバーで表示され、各コントローラの個別の進捗状況は表示欄C3の各々に文字列で表示される。図5に示す例では、リセット処理の全体が終了すると表示領域R11に表示されたプログレッシブバーの表示が100%になり、各コントローラのリセット処理が終了すると、そのコントローラに対応してリセット処理表示領域R12に設けられた表示欄C3の表示が「Completed」になる。ここで、リセット処理中における表示欄C3の文字列はそのコントローラにおけるリセット処理の実施率(パーセント表示)で表示しても良く、オペレータに対してそのコントローラの状態を知らせる文字列(例えば、ウェハローダコントローラ43の場合には、現在どの部位の初期化を行っているかを示す文字列)で表示しても良い。
The calculated progress status of the entire reset process is displayed as a progressive bar in the display area R11, and the individual progress status of each controller is displayed as a character string in each of the display columns C3. In the example shown in FIG. 5, when the entire reset process is completed, the display of the progressive bar displayed in the display area R11 becomes 100%. When the reset process of each controller is completed, the reset process display area corresponding to the controller is displayed. The display in the display column C3 provided in R12 becomes “Completed”. Here, the character string in the display column C3 during the reset process may be displayed as the reset process execution rate (percent display) in the controller, and a character string (for example, a wafer loader) that informs the operator of the state of the controller. In the case of the
以上の通り、本実施形態では、オペレータが複数のチェックボックスC2を選択することで、複数のコントローラで個別に行われるリセット処理の進捗状況が表示欄C3の各々に別々に同時に表示されるとともに、リセット処理全体の進捗状況とが表示される。これにより、オペレータはリセット処理の進捗状況を容易に把握することができる。また、これらの表示は1つの表示ウィンドウWD1内に表示されるため、オペレータはリセット処理の進捗状況の把握が更に容易になる。 As described above, in the present embodiment, when the operator selects a plurality of check boxes C2, the progress status of the reset process individually performed by the plurality of controllers is displayed separately in each of the display columns C3, The progress of the entire reset process is displayed. Thereby, the operator can easily grasp the progress of the reset process. Further, since these displays are displayed in one display window WD1, the operator can more easily grasp the progress of the reset process.
更に、表示領域R11に表示されているプログレッシブバーからリセット処理の全体が完了するまでに要する時間を予測することができるため、例えば残りの時間に応じて他の作業を行うか否かの判断を行うことができる。また更に、表示領域R12の表示から、例えばリセット処理にエラーが生じたときにその原因となったコントローラ(ユニット)を表示領域R12の表示から容易に特定することができる。 Furthermore, since the time required for the entire reset process to be completed can be predicted from the progressive bar displayed in the display area R11, for example, it is determined whether or not to perform other work according to the remaining time. It can be carried out. Furthermore, from the display in the display area R12, for example, when an error occurs in the reset process, the controller (unit) that caused the error can be easily identified from the display in the display area R12.
尚、図5に示す例では、リセット処理全体の進捗状況をプログレッシブバーで表示し、各コントローラにおけるリセット処理の進捗状況を文字列で表示していたが、これらは文字表示、グラフ表示、及びイラスト表示で行っても良い。例えば、図6に示す通り、各コントローラ(ユニット)におけるリセット処理を棒グラフで表示しても良い。図6は、表示ウィンドウWD1に設けられた表示領域R12の他の表示例を示す図である。 In the example shown in FIG. 5, the progress status of the entire reset process is displayed by a progressive bar, and the progress status of the reset process in each controller is displayed by a character string. However, these are a character display, a graph display, and an illustration. It may be done by display. For example, as shown in FIG. 6, reset processing in each controller (unit) may be displayed as a bar graph. FIG. 6 is a diagram showing another display example of the display region R12 provided in the display window WD1.
図6に示す例では、各コントローラ(ユニット)の進捗状況が、符号A0を付した部分から符号A1を付した部分までの棒グラフとして表示されている。また、1つのコントローラにおいても複数の処理が行われてリセット処理が行われる場合には、各々の処理毎の進捗状況を階層的に表示しても良い。図6に示す例では、Unit4なる表示がなされているコントローラに対して階層表示がなされている。この例では、そのコントローラ内において行われる処理の進捗状況が、符号B0を付した部分から符号B1を付した部分までの矢印の長さで表示されている。以上の表示を行うと、オペレータが各コントローラにおけるリセット処理の進捗状況を直感的に即座に把握することができる。
In the example illustrated in FIG. 6, the progress status of each controller (unit) is displayed as a bar graph from a portion denoted by reference symbol A0 to a portion denoted by reference symbol A1. Further, when a reset process is performed by performing a plurality of processes in one controller, the progress status of each process may be displayed hierarchically. In the example illustrated in FIG. 6, hierarchical display is performed for the controller that is displayed as
(2)ウェハ搬送処理
露光装置EXの搬送系によるウェハWの搬送処理は、所定枚数のウェハWを収納するFOUP30が図2に示す位置にセッティングされた後で、オペレータが端末装置Tを操作してウェハWの露光処理を開始させる指示、又はウェハWの搬送を開始させる指示を行うと開始される。尚、ここでは、FOUP30に1ロット分のウェハ(25枚)が収納されているとする。オペレータによる指示がなされると、その旨を示す信号が端末装置Tから主制御系CTに出力される。これにより、主制御系CTからウェハローダコントローラ43に制御信号が出力されて搬送処理が開始される。
(2) Wafer Transport Processing The wafer W transport processing by the transport system of the exposure apparatus EX is performed by the operator operating the terminal device T after the
主制御系CTからウェハローダコントローラ43に制御信号が出力されると、ロードロボット31はFOUP30から1枚のウェハWを取り出し、そのウェハWをプリアライメントステージ32の上方に位置させる。次に、ターンテーブル33が上昇して+Z方向に移動すると、ターンテーブル33によってウェハWの底面が保持された状態になる。この状態でターンテーブル33が更に上昇するか又はロードロボット31が下降することにより、ロードロボット31からターンテーブル33へウェハWが受け渡される。尚、この時点においては、ロードスライダ34及びアンロードスライダ36は所定の待機位置に位置しているものとする。ロードロボット31は、ウェハWをターンテーブル33に受け渡した後、−Y側に退避する。
When a control signal is output from the main control system CT to the
ウェハWがターンテーブル33上に保持されると、プリアライメントステージ32がターンテーブル33及び保持されたウェハWを所定の角速度で回転させ、ラインセンサ等のセンサを用いてウェハWのノッチ(又はオリエンテーションフラット)を検出する。主制御系CTは、この検出結果に基づいて、ウェハWの回転量θ1と、ターンテーブル33の中心に対するウェハWの中心のXY2次元方向の偏心量(ΔX1,ΔY1)とを検出する。尚、このウェハWの回転量θ1とウェハWの中心位置の偏心量(ΔX1,ΔY1)の求め方は、例えば特開平10−12709号公報に開示されているので詳細な説明を省略する。尚、この工程は、ウェハWの回転及び位置をラフに調整する「プリ1計測工程」とも呼ばれる。
When the wafer W is held on the
次に、プリアライメントステージ32は、検出したウェハWの回転量θ1とウェハWの中心位置の偏心量(ΔX1,ΔY1)とがキャンセルされるように、ウェハWの位置調整を行う。回転量 θ1は、ターンテーブル33を回転させることにより調整し、偏心量(ΔX1,ΔY1)は、プリアライメントステージ32をX方向、Y方向に駆動することにより調整する。この回転調整と偏心調整の順序としては、偏心調整を先に行い、偏心調整後に回転調整を行うのが望ましい。即ち、プリアライメントステージ32のXY移動後に、プリアライメントステージ32が一旦停止し、その後で、ターンテーブル33の回転動作を行なうのが望ましい。
Next, the
次いで、主制御系CTは、プリアライメントステージ32を+Y方向に所定距離(一定距離)だけ移動させる。これにより、ウェハWの位置を高い精度で調整する不図示のプリアライメント装置による計測が可能な位置にウェハWが位置するようになる。不図示のプリアライメント装置は、ウェハWのエッジの少なくとも3箇所を撮像し、撮像結果を主制御系CTに出力する。主制御系CTは、送られてきた撮像結果から、ウェハWの回転量θ2を求める。そして、求められた回転量θ2がキャンセルされるように、ターンテーブル33を回転し、ウェハWの向きを所望の向きにファイン回転調整する。尚、工程を「プリ2計測工程」と呼ぶものとする。
Next, the main control system CT moves the
次に、ウェハWはターンテーブル33からロードスライダ34に受け渡される。この受け渡しは、退避位置にあったロードスライダ34が、Y駆動機構35の駆動により−Y方向に進み、ターンテーブル33上に保持されたウェハWに干渉することなく通過して、その指部がウェハWを保持することが可能な位置まで進入した後、ターンテーブル33が下降することにより実現される。ここで、ウェハWがロードスライダ34に保持された後で、上記のプリ2計測工程で用いた不図示のプリアライメント装置により、ロードスライダ34上に保持されたウェハWのウェハ座標系における位置情報(中心位置座標(XC,YC)及び回転量θC)を求めるのが望ましい。
Next, the wafer W is transferred from the
次に、主制御系CTは、ウェハWを保持したロードスライダ34を所定距離(一定距離)だけ+Y方向に移動させてローディングポジションに位置させる。このときのウェハステージWSTの停止位置は、上記プリ2計測工程において検出されたウェハWの位置情報(ロードスライダ34上に保持されたウェハWの位置情報の方が望ましい)に基づいて算出された位置ずれ量だけ、設計上のローディングポジションからずれた位置とする。
Next, the main control system CT moves the
ここで、不図示のマーク検出系を用いてロードスライダ34の位置情報(位置及び回転量)を検出する「プリ3計測工程」を設けるのが望ましい。そして、上記のプリ2計測工程で検出されたウェハWの位置情報(更には、上記のプリ3計測工程の検出結果)に基づいて、ウェハステージWST上において推定されるウェハWのロード位置を求め、実際のロード位置との位置ずれを算出しておく。そして、ロードスライダ34からウェハステージWST上にウェハWを受け渡し、その後でロードスライダ34を所定の待機位置に待避させる。以上の動作により、新たなウェハWがウェハステージWST上に保持される。
Here, it is desirable to provide a “pre-3 measurement step” for detecting position information (position and rotation amount) of the
ウェハステージWST上のウェハW(露光済みのウェハ)がある場合には、そのウェハWのアンロードは、上記のロードスライダ34によるウェハWのロードと並行して行われる。つまり、主制御系CTは、ウェハステージWSTがローディングポジションに配置されているときにアンロードスライダ36をローディングポジションに配置し、ロードスライダ34からウェハステージWSTに新たなウェハWがロードされる前に、露光済みのウェハWをウェハステージWSTからアンロードスライダ36に受け渡す制御を行う。
When there is a wafer W (exposed wafer) on wafer stage WST, unloading of wafer W is performed in parallel with loading of wafer W by
露光済みのウェハWがウェハステージWSTからアンロードスライダ36に受け渡されると、アンロードスライダ36はY駆動機構35の駆動により−Y方向に進み、ウェハWをアンロードロボット37に受け渡すための受け渡し位置に移動する。移動が完了すると、ウェハWはアンロードスライダ36からアンロードロボット37に受け渡される。アンロードロボット37に受け渡されたウェハWは、アンロードロボット37からロードロボット31に受け渡され、ロードロボット31によってFOUP30に戻されるか、或いは不図示の搬送系に受け渡され、インラインに接続された不図示のコータ・デベロッパ(以下、「C/D」と略述する)に搬送される。
When the exposed wafer W is delivered from the wafer stage WST to the unload
以上説明した搬送処理が行われている間に、ウェハWの搬送系においてウェハWの受け渡しが行われると、その旨を示す信号がウェハローダコントローラ43から主制御系CTに出力される。この信号は端末装置Tからの要求があると主制御系CTから端末装置Tに出力され、端末装置Tはこの信号に基づいて搬送処理の進捗状況をディスプレイ54に表示する。
If the transfer of the wafer W is performed in the transfer system of the wafer W while the transfer process described above is performed, a signal indicating that is output from the
図7は、搬送処理時における端末装置Tのディスプレイ54の表示例を示す図である。図7に示す表示ウィンドウWD2には、搬送処理全体の進捗状況(全体処理進捗状況)を示す表示領域R21及び搬送系をなす装置各々の搬送処理の進捗状況(部分処理進捗状況)を表示する表示領域R22、並びにウェハローダコントローラ43等から出力される各種メッセージ(搬送系の状態を示す情報)を表示する表示領域R23が設けられている。
FIG. 7 is a diagram illustrating a display example of the
図7に示す例においては、搬送処理全体の進捗状況を示すプログレッシブバーが表示領域R21に設けられている。このプログレッシブバーは、1ロット分(25枚)のウェハWの搬送処理が完了すると100%になるものである。また、表示領域R22には、搬送系を構成する各装置が模式的に表示されている。図7に示す通り、FOUP30、ロードロボット31、プリアライメントステージ32、ロードスライダ34、ウェハステージWST、アンロードスライダ36、及びアンロードロボット37が、ブロックP0〜P6として模式的に表示されている。また、前述したインライン接続された不図示のコータ・デベロッパへ搬送するウェハWを一時的に載置するテーブル(図示省略)と、コータ・デベロッパからのウェハWを一時的にを載置するテーブル(図示省略)とがブロックP7,P8としてそれぞれ模式的に表示されている。
In the example shown in FIG. 7, a progressive bar indicating the progress of the entire transport process is provided in the display area R21. This progressive bar is 100% when the transfer processing of one lot (25 wafers) of wafers W is completed. In the display area R22, each device constituting the transport system is schematically displayed. As shown in FIG. 7, the
FOUP30を表すブロックP0にはFOUP30に最初に収納されていたウェハWの枚数(又は、収納可能なウェハWの最大枚数)と、FOUP30に現在収納されているウェハWの残り数とを表示する表示部位d0が設けられている。また、他のブロックP1〜P8にはPOUP30に収納されていたウェハWのうちの搬送処理を行っているウェハWのウェハ番号を表示する表示部位d1〜d8がそれぞれ設けられている。
A block P0 representing the
図7においては、FOUP30を示すブロックP0の表示部位d0にウェハWの残り枚数が0である旨の表示「0/25」が表示され、また、プリアライメントステージ32を表すブロックP2の表示部位d2にウェハ番号「20」が表示され、ウェハステージWSTを表すブロックP4の表示部位d4にウェハ番号「19」が表示され、アンロードロボット37を表すブロックP6の表示部位d6にウェハ番号「18」が表示されている場合を例示している。かかる表示から、その時点においては、全てのウェハWがFOUP30から搬出され、第18番目のウェハWがアンロードロボット37に搬送され、第19番目のウェハWのウェハステージWST上に保持され、第20番目のウェハWがプリアライメントステージ30上に配置されていることが直感的に分かる。尚、各ブロックP0〜P9に設けられた表示部位d0〜d8の表示は、ウェハWの搬送処理の進捗に合わせて変化する。
In FIG. 7, a display “0/25” indicating that the remaining number of wafers W is 0 is displayed on the display part d0 of the block P0 indicating the
以上の通り、本実施形態では、1ロット分全体の搬送処理の進捗状況が表示領域R21に表示されるとともに、搬送系をなす装置の各々が何番目のウェハWを搬送しているかを示す進捗状況が表示領域R22に表示される。これにより、オペレータは搬送処理の進捗状況を容易に把握することができる。また、これらの表示は1つの表示ウィンドウWD2内に表示されるため、オペレータは搬送処理の進捗状況の把握が更に容易になる。 As described above, in the present embodiment, the progress status of the transfer process for the entire lot is displayed in the display region R21, and the progress indicating which wafer W is transferred by each of the apparatuses constituting the transfer system. The situation is displayed in the display area R22. Thereby, the operator can easily grasp the progress of the conveyance process. In addition, since these displays are displayed in one display window WD2, the operator can more easily grasp the progress of the conveyance process.
尚、図5に示す例では、搬送処理全体の進捗状況をプログレッシブバーで表示し、搬送系をなす装置の各々をブロックP0〜P8で表示していたが、搬送処理全体の進捗状況は、文字表示、グラフ表示、及びイラスト表示で行っても良い。また、表示領域R22には、搬送系をなす各装置をブロックP0〜P8で示してどの装置に何番目のウェハWが搬送されているかを表示していたが、ウェハW各々の搬送状況を表示してもよい。 In the example shown in FIG. 5, the progress status of the entire transport process is displayed by a progressive bar, and each of the devices constituting the transport system is displayed by blocks P0 to P8. You may perform by a display, a graph display, and an illustration display. In the display area R22, each device constituting the transfer system is indicated by blocks P0 to P8, indicating which number of wafers W are transferred to which device, but the transfer status of each wafer W is displayed. May be.
図8は、表示ウィンドウWD2に設けられた表示領域R22の他の表示例を示す図である。図8に示す通り、画面縦方向には、ウェハWのウェハ番号が順次表示されており、その右側にはウェハW毎の搬送の進捗状況がプログレッシブバーで表示されている。FOUP30から取り出されていないウェハW(図8に示す例ではウェハ番号「11」〜「25」)については進捗状況が0%であり、搬送が完了したウェハW(図8に示す例ではウェハ番号「1」〜「6」)については進捗状況が100%になる。搬送途中のウェハW(図8に示す例ではウェハ番号「8」〜「10」)については、進捗状況に応じた表示がなされる。図8に示す表示を行うことで、各ウェハWの搬送状況を直感的に把握することができる。 FIG. 8 is a diagram showing another display example of the display region R22 provided in the display window WD2. As shown in FIG. 8, the wafer numbers of the wafers W are sequentially displayed in the vertical direction of the screen, and the progress of the transfer for each wafer W is displayed on the right side by a progressive bar. The progress of the wafer W that has not been removed from the FOUP 30 (wafer numbers “11” to “25” in the example shown in FIG. 8) is 0%, and the wafer W that has been transferred (wafer number in the example shown in FIG. 8). For “1” to “6”), the progress is 100%. For the wafer W being transferred (wafer numbers “8” to “10” in the example shown in FIG. 8), a display corresponding to the progress is made. By performing the display shown in FIG. 8, the transfer status of each wafer W can be intuitively grasped.
(3)露光処理
上記の(2)で説明した搬送処理において、新たなウェハWがウェハステージWST上に保持されると、そのウェハWに対する露光処理が開始される。露光処理が開始されると、主制御系WSTは、ウェハWを保持したウェハステージWSTをアライメント検出系ASの下方に移動させる。移動が完了すると、まずアライメント検出系ASを用いてウェハWに形成されたサーチマークが観察され、これにより所謂サーチアライメントが実行される。尚、このサーチアライメントの詳細については、例えば特開平2−272305号公報及びこれに対応する米国特許第5,151,750号等に詳細に開示されている方法と同様な方法を用いることができる。
(3) Exposure Process In the transfer process described in (2) above, when a new wafer W is held on wafer stage WST, the exposure process for wafer W is started. When the exposure process is started, main control system WST moves wafer stage WST holding wafer W below alignment detection system AS. When the movement is completed, first, a search mark formed on the wafer W is observed using the alignment detection system AS, and so-called search alignment is executed. For details of the search alignment, a method similar to the method disclosed in detail in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2-272305 and US Pat. No. 5,151,750 corresponding thereto can be used. .
サーチアライメントが終了すると、アライメント検出系ASでウェハW上に形成されたウェハアライメントマークのうちの代表的な数個(3〜9個程度)が観察され、これにより所謂ファインアライメントが実行される。このファインアライメントでは、主制御系CTが、数個のウェハアライメントマークの計測結果と予め記録されている各ショット領域の設計値とを用いてEGA(エンハンスト・グローバル・アライメント)演算を行い、ウェハW上の全ショット領域の配列座標を求める。 When the search alignment is finished, representative several (about 3 to 9) wafer alignment marks formed on the wafer W are observed by the alignment detection system AS, and so-called fine alignment is executed. In this fine alignment, the main control system CT performs EGA (enhanced global alignment) calculation using the measurement results of several wafer alignment marks and the design values of each shot area recorded in advance, and the wafer W The array coordinates of all the upper shot areas are obtained.
そして、主制御系CTは、上記のEGA演算で求めたショットの配列座標を予め計測したベースライン量で補正した配列座標に基づいてウェハ駆動装置23を介してレチクルステージRSTとウェハステージWSTの相対的な位置合わせを行う。その後で、レチクルステージRSTとウェハステージWSTとの同期移動を制御するとともに露光光ELの露光量を制御し、更にはAFセンサ41の検出結果に基づいてウェハWのZ方向における位置及び姿勢を制御しつつウェハWを露光する。ウェハWには複数のショット領域が設定されているが、これらショット領域の全てに対してレチクルステージRSTとウェハステージWSTとを同期させつつ露光を行う。
Then, the main control system CT compares the reticle stage RST and the wafer stage WST via the
ウェハW上の全てのショット領域に対する露光が終了すると、上記(2)で説明した通り、露光されたウェハWがアンロードスライダ36により搬出され、これとともにロードスライダ34により新たなウェハWがウェハステージWST上に搬入される。そして、新たなウェハWに対しても同様に露光処理が行われる。尚、1ロットのウェハW対する露光処理が開始される前に、不図示のレチクルライブラリから所定のレチクルRがレチクルステージRST上に搬送されてウェハステージWSTに対するレチクルRの相対的な位置合わせが行われる。また、これとともに、アライメント検出系ASを用いてベースライン量の計測が行われる。
When the exposure for all the shot areas on the wafer W is completed, the exposed wafer W is unloaded by the unload
図9は、露光処理時における端末装置Tのディスプレイ54の表示例を示す図である。図9に示す表示ウィンドウWD3には、露光処理全体の進捗状況(全体処理進捗状況)を示す表示領域R31及び露光処理に含まれる個々の処理の進捗状況(部分処理進捗状況)を表示する表示領域R32、並びに露光を行っているショット領域の位置情報、露光条件等の各種情報を表示する表示領域R33が設けられている。ここで、露光処理とは、狭義にはウェハステージWST上に保持されたウェハWを露光する処理をいうが、広義にはレチクルR及びウェハWの搬送及びアライメント、ベースラインチェック、アライメントマークの計測等の露光に先立って又は露光の後に行われる各種処理(予備処理)が含まれる。図9に示す表示ウィンドウWD3には、露光処理(狭義)及び予備処理の進捗状況が表示されている。
FIG. 9 is a diagram showing a display example of the
図9に示す例においては、露光処理と予備処理とを含めた広義の露光処理全体の進捗状況を示すプログレッシブバーが表示領域R31に設けられている。このプログレッシブバーは、1枚のウェハWに対する露光処理(予備処理含む)が終了すると100%になるものである。また、表示領域R32には、ウェハWの外径形状とショット領域とを模式的に示したウェハマップが表示される表示部位E0と、レチクルRに関して行われる予備処理の実行状況を表示する表示部位E1と、ウェハWに関して行われる予備処理及び露光処理又は計測処理の実行状況を表示する表示部位E2とが設けられている。 In the example shown in FIG. 9, a progressive bar indicating the progress of the entire exposure process including the exposure process and the preliminary process is provided in the display region R31. This progressive bar is 100% when the exposure process (including the preliminary process) for one wafer W is completed. In the display region R32, a display region E0 on which a wafer map schematically showing the outer diameter shape and shot region of the wafer W is displayed, and a display region on which the execution status of the preliminary process performed on the reticle R is displayed. E1 and a display part E2 for displaying the execution status of the preliminary processing and exposure processing or measurement processing performed on the wafer W are provided.
表示部位EOには、ウェハW上に設定されたショット領域が模式的に示されており、各々のショット領域にはショット番号が付されている。この表示部位E0に表示されたショット領域のうち、露光光ELが実際に照射されるショット領域に対応する部分が点灯する。また、表示部位E1には、レチクルRの搬送が行われている最中に点灯する点灯部f1、レチクルRのアライメントが行われている最中に点灯する点灯部f2、及びベースラインチェックが行われている最中に点灯する点灯部f3が設けられている。表示部E3には、ウェハWの搬送が行われている最中に点灯する点灯部f4、ウェハWのアライメントが行われている最中に点灯する点灯部f5、及び露光又は計測(例えば、照度計測等)が行われている最中に点灯する点灯部f6が設けられている。 The display region EO schematically shows shot areas set on the wafer W, and each shot area is given a shot number. Of the shot area displayed on the display part E0, the part corresponding to the shot area to which the exposure light EL is actually irradiated is turned on. In addition, the display portion E1 includes a lighting portion f1 that is lit while the reticle R is being transported, a lighting portion f2 that is lit while the alignment of the reticle R is being performed, and a baseline check. There is provided a lighting part f3 that is lit during the lighting. The display unit E3 includes a lighting unit f4 that is lit while the wafer W is being transferred, a lighting unit f5 that is lit while the wafer W is being aligned, and exposure or measurement (eg, illuminance). A lighting part f6 that is lit while measurement is being performed is provided.
従って、1つのロットに対する露光処理が行われると、前述した通り、レチクルRの搬送、アライメント、及びベースラインチェックが順次行われる訳であるが、これらの処理が実際に行われると、表示部位E1の点灯部f1,f2,f3が順次点灯する。また、FOUP30からウェハWが取り出されて搬送されると、表示部位E2の点灯部f4が点灯し、ウェハステージWSTに搬送されたウェハWに対するアライメントが行われると表示部位E2の点灯部f5が点灯する。そして、ウェハWに対する露光処理が開始されると、表示部位E2の点灯部f6が点灯するとともに、露光光ELが照射されたショット領域が順次点灯することになる。尚、点灯部f1〜f6は処理が終了すると消灯するが、表示部位E1に表示されたショット領域のうち、露光されたショット領域はウェハWが搬出されるまで点灯し続ける。
Therefore, when the exposure process for one lot is performed, as described above, the conveyance of the reticle R, the alignment, and the baseline check are sequentially performed. However, when these processes are actually performed, the display portion E1 is displayed. The lighting portions f1, f2, and f3 are sequentially turned on. When the wafer W is taken out from the
以上の通り、本実施形態では、予備処理を含めた露光処理全体の搬送処理の進捗状況が表示領域R31に表示されるとともに、予備処理及び露光処理(狭義)の進捗状況が表示領域R32に表示される。これにより、オペレータは露光処理の進捗状況を容易に把握することができる。また、これらの表示は1つの表示ウィンドウWD3内に表示されるため、オペレータは露光処理の進捗状況の把握が更に容易になる。 As described above, in the present embodiment, the progress status of the entire exposure process including the preliminary process is displayed in the display area R31, and the progress status of the preliminary process and the exposure process (in a narrow sense) is displayed in the display area R32. Is done. Thereby, the operator can easily grasp the progress of the exposure process. Further, since these displays are displayed in one display window WD3, the operator can further easily grasp the progress of the exposure process.
尚、図9に示す例では、予備処理を含めた露光処理全体の搬送処理の進捗状況をプログレッシブバーで表示し、予備処理及び露光処理(狭義)の各々の処理状況を表示領域R32に表示していたが、狭義の露光処理の進捗状況を表示領域R31のプログレッシブバーで表示し、ショット領域個々の露光処理状況を表示部位E0に表示しても良い。かかる表示を行う場合には、ショット領域が露光される度に表示領域R31のプログレッシブバーが延び、全てのショット領域の露光が終了すると進捗状況は100%になる。ショット領域個々の露光処理状況の表示としては、例えば露光光ELが照射されている時間(積算露光量)に応じて、ショット領域の輝度を高くする表示が考えられる。 In the example shown in FIG. 9, the progress status of the transfer process of the entire exposure process including the preliminary process is displayed by a progressive bar, and the process statuses of the preliminary process and the exposure process (in a narrow sense) are displayed in the display area R32. However, the progress status of the exposure process in a narrow sense may be displayed with a progressive bar in the display area R31, and the exposure process status of each shot area may be displayed on the display part E0. When such a display is performed, the progressive bar of the display area R31 extends each time the shot area is exposed, and the progress status becomes 100% when the exposure of all the shot areas is completed. As a display of the exposure processing status of each shot area, for example, a display in which the brightness of the shot area is increased in accordance with the time during which the exposure light EL is irradiated (integrated exposure amount) can be considered.
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態においては、露光装置EXで行われる処理の進捗状況を表示する場合を例に挙げて説明したが、本発明は、露光装置以外の基板処理装置で行われる処理の進捗状況を表示する場合にも適用することができる。ここで、露光装置以外の基板処理装置としては、例えば基板に形成された回路を検査する検査装置、基板に形成されたパターンを評価する評価装置、及び基板に形成された回路の修復(リペア)を行うリペア装置が挙げられる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to the said embodiment, It can change freely within the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the case of displaying the progress status of the process performed by the exposure apparatus EX has been described as an example. However, the present invention shows the progress status of the process performed by the substrate processing apparatus other than the exposure apparatus. It can also be applied to display. Here, as the substrate processing apparatus other than the exposure apparatus, for example, an inspection apparatus that inspects a circuit formed on the substrate, an evaluation apparatus that evaluates a pattern formed on the substrate, and repair (repair) of the circuit formed on the substrate. A repair device that performs
また、端末装置Tに設けられたディスプレイ54に対する前述した各表示は、上記の例に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更することができる。例えば、前述したリセット処理の進捗状況を表示する場合には、図5の表示領域R12に設けられた表示欄C3に表示させる文字は、コントローラのステータスに応じて色分け表示しても良い。また、図7に示す表示領域R22に表示されたブロックP1〜P8の表示部位d0〜d8は、ウェハWが存在する場合には、例えば緑色表示し、ウェハWが存在しない場合には白色表示する等の色分け表示を行っても良い。また、図9に示す表示領域R32における表示も適当に色分け表示しても良い。
Moreover, each display mentioned above with respect to the
また、上記実施形態における露光装置EXは、国際公開第99/49504号公報に開示されているような液浸法を用いる露光装置であってもよく、液浸法を用いない露光装置であってもよい。液浸法を用いる露光装置は、投影光学系PLとウェハWとの間を局所的に液体で満たす液浸露光装置、特開平6−124873号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置、特開平10−303114号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置の何れの露光装置であっても良い。 The exposure apparatus EX in the above embodiment may be an exposure apparatus using an immersion method as disclosed in International Publication No. 99/49504, and is an exposure apparatus that does not use an immersion method. Also good. An exposure apparatus using an immersion method is an immersion exposure apparatus that locally fills the space between the projection optical system PL and the wafer W with a liquid, such as a substrate to be exposed as disclosed in JP-A-6-124873. An immersion exposure apparatus for moving a held stage in a liquid tank, a liquid tank having a predetermined depth is formed on a stage as disclosed in JP-A-10-303114, and a substrate is held therein. Any of the immersion exposure apparatuses may be used.
また、上記の露光装置は、半導体素子の製造に用いられてデバイスパターンを半導体ウェハ上へ転写する露光装置、液晶表示素子(LCD)等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等の何れであっても良い。更には、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハ等に回路パターンを転写する露光装置であっても良い。 Also, the above exposure apparatus is used for manufacturing a display including a liquid crystal display element (LCD), etc., used for manufacturing a semiconductor element, and for transferring a device pattern onto a semiconductor wafer. Any of an exposure apparatus used for manufacturing a thin film magnetic head, an exposure apparatus used for transferring a device pattern onto a ceramic wafer, and an exposure apparatus used for manufacturing an image pickup device such as a CCD may be used. Furthermore, an exposure apparatus that transfers a circuit pattern onto a glass substrate or a silicon wafer to manufacture a reticle or mask used in an optical exposure apparatus, EUV exposure apparatus, X-ray exposure apparatus, electron beam exposure apparatus, or the like. There may be.
次に、マイクロデバイスの製造方法について説明する。図10は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造工程の一例を示すフローチャートである。図10に示すように、まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウェハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。 Next, a method for manufacturing a micro device will be described. FIG. 10 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of a microdevice (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, etc.). As shown in FIG. 10, first, in step S10 (design step), a function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and a pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S11 (mask manufacturing step), a mask (reticle) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S12 (wafer manufacturing step), a wafer is manufactured using a material such as silicon.
次に、ステップS13(ウェハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。 Next, in step S13 (wafer processing step), as will be described later, an actual circuit or the like is formed on the wafer using lithography and the like using the mask and wafer prepared in steps S10 to S12. Next, in step S14 (device assembly step), device assembly is performed using the wafer processed in step S13. This step S14 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S15 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S14 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.
図11は、半導体デバイスの場合における、図10のステップS13の詳細なフローの一例を示す図である。図11において、ステップS21(酸化ステップ)においてはウェハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においてはウェハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。 FIG. 11 is a diagram showing an example of a detailed flow of step S13 of FIG. 10 in the case of a semiconductor device. In FIG. 11, in step S21 (oxidation step), the surface of the wafer is oxidized. In step S22 (CVD step), an insulating film is formed on the wafer surface. In step S23 (electrode formation step), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step S24 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer. Each of the above steps S21 to S24 constitutes a pretreatment process at each stage of the wafer processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.
ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウェハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウェハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。 At each stage of the wafer process, when the above-described pre-processing step is completed, the post-processing step is executed as follows. In this post-processing step, first, in step S25 (resist formation step), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step S26 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the wafer by the lithography system (exposure apparatus) and the exposure method described above. Next, in step S27 (development step), the exposed wafer is developed, and in step S28 (etching step), the exposed members other than the portion where the resist remains are removed by etching. In step S29 (resist removal step), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
31 ロードロボット(搬送ユニット)
32 プリアライメントステージ(搬送ユニット)
34 ロードスライダ(搬送ユニット)
35 Y駆動機構(搬送ユニット)
36 アンロードスライダ(搬送ユニット)
37 アンロードロボット(搬送ユニット)
54 ディスプレイ(表示装置)
EX 露光装置(基板処理装置)
R レチクル(マスク)
T 端末装置(状況表示装置)
W ウェハ(基板)
31 Road robot (conveyance unit)
32 Pre-alignment stage (conveyance unit)
34 Load slider (transport unit)
35 Y drive mechanism (conveyance unit)
36 Unload slider (transport unit)
37 Unloading robot (transport unit)
54 Display (display device)
EX exposure equipment (substrate processing equipment)
R reticle (mask)
T terminal device (status display device)
W wafer (substrate)
Claims (23)
前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも1つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示ステップを含むことを特徴とする進捗状況表示方法。 A progress status display method for displaying a progress status of a predetermined process in which a plurality of partial processes are executed and an entire process is performed,
And a display step of simultaneously displaying an overall process progress status indicating the progress status of the overall process and a partial process progress status indicating a progress status of at least one partial process among the plurality of partial processes. Progress display method.
前記部分処理進捗状況は、前記基板処理装置に設けられる前記ユニット毎のリセット処理に係る処理の開始から完了までの進捗状況である
ことを特徴とする請求項6記載の進捗状況表示方法。 The overall process progress status is a progress status from the start to the completion of the reset process,
The progress status display method according to claim 6, wherein the partial processing progress status is a progress status from the start to the completion of processing related to reset processing for each unit provided in the substrate processing apparatus.
前記部分処理進捗状況は、前記搬送ユニット内における前記基板の搬送進捗状況である
ことを特徴とする請求項8記載の進捗状況表示方法。 The overall processing progress status is a progress status until the transfer of all of the predetermined number of the substrates is completed by the transfer processing performed in the transfer unit,
The progress display method according to claim 8, wherein the partial processing progress is a transport progress of the substrate in the transport unit.
前記部分処理進捗状況は、前記基板に施す処理に関連する処理としての予備処理の進捗状況であることを特徴とする請求項10記載の進捗状況表示方法。 The overall process progress status is a progress status until the processing to be performed on the partitioned area on the substrate is completed,
11. The progress status display method according to claim 10, wherein the partial process progress status is a progress status of a preliminary process as a process related to a process applied to the substrate.
前記基板に施す処理に関連する処理は、前記マスク及び前記基板の搬送処理並びに前記マスクと前記基板との相対的な位置合わせを行うアライメント処理の少なくとも1つの処理を含むことを特徴とする請求項11記載の進捗状況表示方法。 The substrate processing apparatus is an exposure apparatus that transfers a mask pattern to each of the partition regions on the substrate,
The process related to the process performed on the substrate includes at least one process of a transfer process of the mask and the substrate and an alignment process of performing relative alignment between the mask and the substrate. 11. A progress display method according to 11.
前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも1つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示処理を有することを特徴とする進捗状況表示プログラム。 A progress status display program for displaying the progress status of a predetermined process in which a plurality of partial processes are executed and the entire process is performed,
And a display process for simultaneously displaying an overall process progress status indicating the progress status of the overall process and a partial process progress status indicating a progress status of at least one of the plurality of partial processes. Progress display program.
前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも1つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示装置を備えることを特徴とする進捗状況表示装置。 A progress status display device that displays the progress status of a predetermined process in which a plurality of partial processes are executed and the entire process is performed,
A display device that simultaneously displays the overall process progress status indicating the progress status of the overall process and the partial process progress status indicating the progress status of at least one of the plurality of partial processes is provided. Progress display device.
The progress status display method according to any one of claims 1 to 12 is used to display the overall processing progress status and the partial processing progress status, or any one of claims 18 to 22. A device manufacturing method comprising manufacturing the device while displaying the overall processing progress status and the partial processing progress status on the progress status display device according to claim 1.
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