JPS62102232A - 光導電型液晶ライトバルブ - Google Patents
光導電型液晶ライトバルブInfo
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- JPS62102232A JPS62102232A JP24331585A JP24331585A JPS62102232A JP S62102232 A JPS62102232 A JP S62102232A JP 24331585 A JP24331585 A JP 24331585A JP 24331585 A JP24331585 A JP 24331585A JP S62102232 A JPS62102232 A JP S62102232A
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- Japan
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- liquid crystal
- layer
- photoconductive
- light valve
- light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光導電効果と液晶の１見光学効果を用いた光専
電気型液晶ライトバルブの改良に関する。
電気型液晶ライトバルブの改良に関する。
さらには、それを用いた光書き造型投射表示装置に関す
る。
る。
本発明は光導電型液晶ライトバルブ、並びにそれを用い
た光書き込み型投射表示装置において、液晶層に、電荷
保持あるいは、双安定性による残像保持特性を持たせ、
さらには交流駆動の採用、光導電層を正負対称特性とす
ることによって、高速光ビーム書き込み可能な信頼性の
高い光導電ライトバルブを提供するものである。さらに
このライトバルブを用いることによって、高精細な動画
表示が可能な光書き込み型投射表示装置を提供するもの
である。
た光書き込み型投射表示装置において、液晶層に、電荷
保持あるいは、双安定性による残像保持特性を持たせ、
さらには交流駆動の採用、光導電層を正負対称特性とす
ることによって、高速光ビーム書き込み可能な信頼性の
高い光導電ライトバルブを提供するものである。さらに
このライトバルブを用いることによって、高精細な動画
表示が可能な光書き込み型投射表示装置を提供するもの
である。
従来の光導型液晶ライトバルブは、ニスアイディー′７
２ ダイジェスト ７ｏ頁、ニスアイディー°７９ ダ
イジェスト ２２頁、アプライドヒジ、クスＬ／ター
３４巻１９７９ ４５０頁に記載のような、常時、１０
ＫＨ２程の交流電圧によってバイアスされ、光照射され
た場所の光導電体の抵抗低下により、その場所の液晶層
に電圧が印加され、光照射が終了すると電圧は印加され
ないものであった。
２ ダイジェスト ７ｏ頁、ニスアイディー°７９ ダ
イジェスト ２２頁、アプライドヒジ、クスＬ／ター
３４巻１９７９ ４５０頁に記載のような、常時、１０
ＫＨ２程の交流電圧によってバイアスされ、光照射され
た場所の光導電体の抵抗低下により、その場所の液晶層
に電圧が印加され、光照射が終了すると電圧は印加され
ないものであった。
さらに電流効果型の動的散乱モードでは像情報の保持は
難しく、信頼性も低かった。
難しく、信頼性も低かった。
またこのライトバルブを用いた従来の投射型表示装置は
像の保持のために書き込み光としてＣＲＴ（陰極線管）
を用いる必要があった。書き込み光にレーザー光をもち
いた投射型表示装置としては米国特許３９７１９３”ｌ
に開示されたものもあるがこれについても上述した光導
電型ライトバルブを用いたものであった。
像の保持のために書き込み光としてＣＲＴ（陰極線管）
を用いる必要があった。書き込み光にレーザー光をもち
いた投射型表示装置としては米国特許３９７１９３”ｌ
に開示されたものもあるがこれについても上述した光導
電型ライトバルブを用いたものであった。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の従来技術では液晶層の電気光学効果が生じているの
は光照射時だけであり、光走査により光照射が終了した
瞬間からは画像保持が行われない。このために螢光体の
残光特性が利用できるＣＲＴを書き込み光源としなけれ
ばならなかった。またレーザービーム走査による書き込
みの場合は、レーザー光照射時には液晶層に電気光学的
なスポットが形成されても、レーザービームが走査され
、書き込み光が消失すると、形成されたスポットは、た
だちに消失してしまう欠点を有していた。さらに直流駆
動モードでは信頼性が低下し、充分な保持特性が得られ
なかった。
述の従来技術では液晶層の電気光学効果が生じているの
は光照射時だけであり、光走査により光照射が終了した
瞬間からは画像保持が行われない。このために螢光体の
残光特性が利用できるＣＲＴを書き込み光源としなけれ
ばならなかった。またレーザービーム走査による書き込
みの場合は、レーザー光照射時には液晶層に電気光学的
なスポットが形成されても、レーザービームが走査され
、書き込み光が消失すると、形成されたスポットは、た
だちに消失してしまう欠点を有していた。さらに直流駆
動モードでは信頼性が低下し、充分な保持特性が得られ
なかった。
従って従来の光導電型液晶ライトバルブを使用した投射
表示装置は、ＣＲＴ画像の？ｊ［製表示にすぎず、高精
細化はＣＲＴの問題となっていた。またレーザービーム
書き込み方式の場合、高精細化に伴う高速走査、高速ア
ドレスによって、液晶層が電気向学効果を生している実
質的な時間が短くなり、結果としてコントラストの低下
を招いた。
表示装置は、ＣＲＴ画像の？ｊ［製表示にすぎず、高精
細化はＣＲＴの問題となっていた。またレーザービーム
書き込み方式の場合、高精細化に伴う高速走査、高速ア
ドレスによって、液晶層が電気向学効果を生している実
質的な時間が短くなり、結果としてコントラストの低下
を招いた。
また従来の高精細型表示装置は熱光学効果のため応答が
遅く、動画対応は不可能であった。
遅く、動画対応は不可能であった。
本発明の光導電型液晶ライトバルブは、残像保持特性を
持った液晶層、光導電層を用いたことを特徴とする。さ
らに液晶層及び光導電層は光照射によって生じた光電荷
をその等価電気容量に保持し、残像保持を行うことを特
徴としている。また液晶層の双安定状態によって残像保
持を行なうことを特徴としている。
持った液晶層、光導電層を用いたことを特徴とする。さ
らに液晶層及び光導電層は光照射によって生じた光電荷
をその等価電気容量に保持し、残像保持を行うことを特
徴としている。また液晶層の双安定状態によって残像保
持を行なうことを特徴としている。
光伝導層の電気的特性は、正負対称であることを特徴と
し、交流駆動を可能としている。
し、交流駆動を可能としている。
次にこれを用いた光書き込み型投射表示装置は、レーザ
ービーム画像書込系、投射光学、光導電型ライトバルブ
から構成されることを特徴とし、また交流駆動のための
電圧印加手段を存することを特徴としている。さらにそ
の交流周期は一画面形成周期に等しいことを特徴として
いる。
ービーム画像書込系、投射光学、光導電型ライトバルブ
から構成されることを特徴とし、また交流駆動のための
電圧印加手段を存することを特徴としている。さらにそ
の交流周期は一画面形成周期に等しいことを特徴として
いる。
本発明の上記の構成によれば、光照射によって光導電層
に光電荷が生じ、この光電荷は電圧印加手段から与えら
れる電界によりドリフトし、液晶層の印加電圧を変化さ
せる。この電圧により液晶の構造転移が生じ、これに伴
う電気光学効果が生しる。液晶の印加電圧の変化分は、
液晶層及び光導電層の等価電気容量に保持される。ある
いは、双安定性の液晶モードを採用し、液晶の構造で記
憶させてもよい。いずれにしても、誘起された光電荷あ
るいは電圧を保持することが可能となり、非常に短いア
ドレス光照射であっても、液晶層の電気光学効果を持続
することができる。
に光電荷が生じ、この光電荷は電圧印加手段から与えら
れる電界によりドリフトし、液晶層の印加電圧を変化さ
せる。この電圧により液晶の構造転移が生じ、これに伴
う電気光学効果が生しる。液晶の印加電圧の変化分は、
液晶層及び光導電層の等価電気容量に保持される。ある
いは、双安定性の液晶モードを採用し、液晶の構造で記
憶させてもよい。いずれにしても、誘起された光電荷あ
るいは電圧を保持することが可能となり、非常に短いア
ドレス光照射であっても、液晶層の電気光学効果を持続
することができる。
本発明の光書き込み型投射表示装置は、前述したように
高速の書き込み光に対応できる液晶ライトバルブに、高
速なレーザービーム画像書込系によってビーム走査ＷＩ
＠を形成し、この潜像を投射光学系で投影しディスプレ
イとするものである。
高速の書き込み光に対応できる液晶ライトバルブに、高
速なレーザービーム画像書込系によってビーム走査ＷＩ
＠を形成し、この潜像を投射光学系で投影しディスプレ
イとするものである。
また、電界効果型の液晶モードを用いた本発明では、直
流動体での液晶劣下を防止するために、交流駆動を行な
い信頼性を向上させている。さらにその反転周期を一画
面形成周期に等しくとり、画面の均一性を向上させてい
る。
流動体での液晶劣下を防止するために、交流駆動を行な
い信頼性を向上させている。さらにその反転周期を一画
面形成周期に等しくとり、画面の均一性を向上させてい
る。
（実施例）
実施例１
実施例１は液晶層及び光導電層の等価電気容量によって
残像保持が行われる場合である。
残像保持が行われる場合である。
第１図はライトバルブの断面図である。ｉ３明基板■の
間に、■の１明電橋、それに結線された交流電源■、さ
らに透明を指間には光導電層■、光反射層■、液晶層■
が挟持された構造となっている。
間に、■の１明電橋、それに結線された交流電源■、さ
らに透明を指間には光導電層■、光反射層■、液晶層■
が挟持された構造となっている。
第２図は光導電層を透明を極■とフロート電極０間で挟
んだサンドイッチ型光導電層を用いた場合の断面図であ
る。構成は第１図とほど同様である。光導電層の構造を
対称としたために光導電層の電気特性は正負対称となり
、外部印加電圧を交流としても正負半周期におけるライ
トバルフ動作を等価にすることができている。
んだサンドイッチ型光導電層を用いた場合の断面図であ
る。構成は第１図とほど同様である。光導電層の構造を
対称としたために光導電層の電気特性は正負対称となり
、外部印加電圧を交流としても正負半周期におけるライ
トバルフ動作を等価にすることができている。
次に作用を説明する。第３図はライトバルブの等価回路
を示している。これによると、光照射０により光導電層
■に光！荷が生成され、これによる光を流１．ｃＯが流
れる。光電尚は光導電層の等価電気容量Ｃ，，０と液晶
層の等価電気容＠Ｃ，ｃ■に蓄積され、液晶層にはそれ
に応した電圧が印加される０次に光が遮断され、光電荷
生成が止まると、Ｃ，ｃとＣＬＣに蓄積されていた電荷
は、液晶層の等低抵抗ＲＬｃ■と光導電層の等低抵抗Ｒ
ＰＣ■を通してリークを起こす０本実施例のライトバル
ブはＲＰＣ〉ＲＬＣとすることにより、電荷のリークを
Ｒｕｅに集中させ、さらに電界効果型の液晶モードを採
用し、ＲＬＣを大きくとり保持性能の向上を計ったもの
である。この結果、リークの時定数はＲ目を（Ｃｌｃ”
Ｃｐｃ）となり、電界効果型の液晶を用いると、数１
０〜数１００ ｍ５ｅｃ程となる。この値は、高速光書
き込みを行っても十分な残像特性を得ることができるも
のである。
を示している。これによると、光照射０により光導電層
■に光！荷が生成され、これによる光を流１．ｃＯが流
れる。光電尚は光導電層の等価電気容量Ｃ，，０と液晶
層の等価電気容＠Ｃ，ｃ■に蓄積され、液晶層にはそれ
に応した電圧が印加される０次に光が遮断され、光電荷
生成が止まると、Ｃ，ｃとＣＬＣに蓄積されていた電荷
は、液晶層の等低抵抗ＲＬｃ■と光導電層の等低抵抗Ｒ
ＰＣ■を通してリークを起こす０本実施例のライトバル
ブはＲＰＣ〉ＲＬＣとすることにより、電荷のリークを
Ｒｕｅに集中させ、さらに電界効果型の液晶モードを採
用し、ＲＬＣを大きくとり保持性能の向上を計ったもの
である。この結果、リークの時定数はＲ目を（Ｃｌｃ”
Ｃｐｃ）となり、電界効果型の液晶を用いると、数１
０〜数１００ ｍ５ｅｃ程となる。この値は、高速光書
き込みを行っても十分な残像特性を得ることができるも
のである。
本実施例では光導電層としてボロンドープのアモルファ
スシリコン、比抵抗１０１２Ω備を２μｍにグロー放電
法により、透明電極であるＩＴＯ膜（インジウム・ナイ
ン・オキサイド）上にデポジションしたものを用いた。
スシリコン、比抵抗１０１２Ω備を２μｍにグロー放電
法により、透明電極であるＩＴＯ膜（インジウム・ナイ
ン・オキサイド）上にデポジションしたものを用いた。
液晶層は電界効果型ＴＮ（ツイステノドメマチノク）モ
ード液晶、この液晶（ま市販の高信頼性ネマチック液晶
（例えば、メルクジャパン■ＺＬＩ−１５６５等）を用
いた。
ード液晶、この液晶（ま市販の高信頼性ネマチック液晶
（例えば、メルクジャパン■ＺＬＩ−１５６５等）を用
いた。
光反射層はＭ ｇ Ｆ ｚ ／ Ｃｅ Ｏ□の誘電体多
層膜から成り、投射光が光導電層に影響しないように可
視域から近赤外光を反射している。また第２図に示すサ
ンドインチ構造とする場合に設置するフロート電極は、
本実施例においてＩＴＯ膜を用いたが、面方向の絶縁が
とれれば、有効であり、きわめて薄い数１０人の島状澤
着膜、あるいはメノンユ状のパターニングした電極も用
いることができる。またフロート電極の材料はＩＴＯに
限らず、金属を用いてもよい。
層膜から成り、投射光が光導電層に影響しないように可
視域から近赤外光を反射している。また第２図に示すサ
ンドインチ構造とする場合に設置するフロート電極は、
本実施例においてＩＴＯ膜を用いたが、面方向の絶縁が
とれれば、有効であり、きわめて薄い数１０人の島状澤
着膜、あるいはメノンユ状のパターニングした電極も用
いることができる。またフロート電極の材料はＩＴＯに
限らず、金属を用いてもよい。
駆動は半周期３ Ｑ ｍ５ｅｃの短形電圧を透明′：、
掻間指間えている。さらに半周期は一画面生成時間に一
致させている。
掻間指間えている。さらに半周期は一画面生成時間に一
致させている。
実施例２
実施例２は液晶層が構造的な保持特性を有する場合であ
る。ライトバルブの構造は実施例１と同様であるが、液
晶層の構造が双安定状９をとる液晶モードとなっている
点が異なっている。また作用においても、光導電層の働
き、液晶フの印加電圧変化は実施例１と同様である。し
たがって、以下は、双安定状態による保持と具体的な構
造について説明する。
る。ライトバルブの構造は実施例１と同様であるが、液
晶層の構造が双安定状９をとる液晶モードとなっている
点が異なっている。また作用においても、光導電層の働
き、液晶フの印加電圧変化は実施例１と同様である。し
たがって、以下は、双安定状態による保持と具体的な構
造について説明する。
双安定状暢をとる電界効果液晶モードとしては、強誘電
性液晶の表面安定化双安定モート （アプライド、ヒジ
ノクスレター、３６巻、１９８０．８９９頁）やコレス
テリック−ネマチック相転移に伴う双安定モード（ブロ
シーデインダス オブエス アイ ディー ２１巻 １
９８０ ７１頁）が知られている。
性液晶の表面安定化双安定モート （アプライド、ヒジ
ノクスレター、３６巻、１９８０．８９９頁）やコレス
テリック−ネマチック相転移に伴う双安定モード（ブロ
シーデインダス オブエス アイ ディー ２１巻 １
９８０ ７１頁）が知られている。
本発明はいずれも採用することができるが、ここでは強
誘電性液晶の双安定モードを用いた場合を説明する。
誘電性液晶の双安定モードを用いた場合を説明する。
実施例１で説明したように、光照射箇所の液晶層に電圧
が印加される。この時の電圧は第３図に示すように直流
の正方向であり、光照射（選択）箇所の強誘電性液晶は
特定方向を向く。これに対し、光が照射されない箇所は
、方向変化はない。
が印加される。この時の電圧は第３図に示すように直流
の正方向であり、光照射（選択）箇所の強誘電性液晶は
特定方向を向く。これに対し、光が照射されない箇所は
、方向変化はない。
こうして−全画面が光走査によって生成される。
次に外部印加電圧の極性を負方向に変え、前走査のまっ
たく逆に、非選択箇所を光照射して走査する。これによ
り非選択箇所は前走査の選択箇所の次の走査時に、逆向
きの電界が与えられ、双安定方向のもう一方の配向状態
をとる。さらに次の走査ではふたたび選択箇所に光照射
され、またこの時の外部印加電圧は正方向である０次に
は再び非選択箇所の書き込みが行われる。このように、
選択、非選択を各々、交互に光書き込みし、画像を形成
する方法である。
たく逆に、非選択箇所を光照射して走査する。これによ
り非選択箇所は前走査の選択箇所の次の走査時に、逆向
きの電界が与えられ、双安定方向のもう一方の配向状態
をとる。さらに次の走査ではふたたび選択箇所に光照射
され、またこの時の外部印加電圧は正方向である０次に
は再び非選択箇所の書き込みが行われる。このように、
選択、非選択を各々、交互に光書き込みし、画像を形成
する方法である。
また、全画面を一度消去して、選択箇所の光書き込み法
も存効である。簡単に説明すると全面消去時は、負方向
の直流を外部より印加し、全面露光用光源で双安定方向
の一方向に液晶分子を全面配列する０次に正方向の外部
印加電圧を与え、光走査によって選択箇所を書き込む手
法である。
も存効である。簡単に説明すると全面消去時は、負方向
の直流を外部より印加し、全面露光用光源で双安定方向
の一方向に液晶分子を全面配列する０次に正方向の外部
印加電圧を与え、光走査によって選択箇所を書き込む手
法である。
いずれも外部印加電圧は矩形波交流となり、像の書き込
み、及び保持は電界効果による双安定状態を利用したも
のである。
み、及び保持は電界効果による双安定状態を利用したも
のである。
本実施例では強誘電性液晶としてＤＯＢＡＭＢＣ（ｐ−
ｄｅｃｙｌｏｘｙｂｅｎｚｙｌ １ｄｅｎｅ−ｐ’−ａ
ｍｉｎｏ−２−ｍｅｔｈｙｌ−ｂｕｔｙｌｃｉｎｎａｍ
ａｔｅ）、を２μｍギャップの配向処理された層とした
。光導電体、光反射層は実施例１と同様な膜構成とした
。
ｄｅｃｙｌｏｘｙｂｅｎｚｙｌ １ｄｅｎｅ−ｐ’−ａ
ｍｉｎｏ−２−ｍｅｔｈｙｌ−ｂｕｔｙｌｃｉｎｎａｍ
ａｔｅ）、を２μｍギャップの配向処理された層とした
。光導電体、光反射層は実施例１と同様な膜構成とした
。
実施例３
実施例３は本発明のライトバルブを用いて、レーザー光
書き込み型投射表示装置とした場合である。第４図はそ
の構成図である。ライトバルブ［相］は走査レーザー光
０によって書き込まれ、投射光［相］は照明系０、入射
光、出射光分離ミラー０によってライトバルブ上の潜像
を投射レンズ［相］によりスクリーン＠上に投射する。
書き込み型投射表示装置とした場合である。第４図はそ
の構成図である。ライトバルブ［相］は走査レーザー光
０によって書き込まれ、投射光［相］は照明系０、入射
光、出射光分離ミラー０によってライトバルブ上の潜像
を投射レンズ［相］によりスクリーン＠上に投射する。
書き込みレーザー光は、レーザー光ａ［相］からのレー
ザー光０は変調器０８経て、水平偏向器［相］、垂直偏
向器０で走査ビームとなる。走査ビームは集束、補正光
学系■によってライトバルブ上に集束される。■は、変
調器、偏向器、ライトバルブ駆動ｔａ□、を制御、同期
するコントローラである。
ザー光０は変調器０８経て、水平偏向器［相］、垂直偏
向器０で走査ビームとなる。走査ビームは集束、補正光
学系■によってライトバルブ上に集束される。■は、変
調器、偏向器、ライトバルブ駆動ｔａ□、を制御、同期
するコントローラである。
本実施例は２０００Ｘ２０００ドツトをアドレスする？
）＋ 画対応のグラフィックシステムである。
）＋ 画対応のグラフィックシステムである。
Ｈｅ−Ｎｅ、５ｍｗレーザーをＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏｘの
電気光学高速変調器により画像信号に対応して光チ＝＋
７プし、水平偏向器に音響光学偏向器、垂直偏向器にガ
ルバノミラ−を用いた偏向系によってラスクー走査を行
った。ライトバルブはアモルファスシリコン ＴＮ液晶
モード系を用いた。また入出力光分離ミラー◎は、中心
に穴の開いたミラーを用いて、出射光はその穴を通り抜
ける構造となっている。またライトバルブ駆動電源［相
］は、−画面生成毎に正負が反転する短形波を発生する
。
電気光学高速変調器により画像信号に対応して光チ＝＋
７プし、水平偏向器に音響光学偏向器、垂直偏向器にガ
ルバノミラ−を用いた偏向系によってラスクー走査を行
った。ライトバルブはアモルファスシリコン ＴＮ液晶
モード系を用いた。また入出力光分離ミラー◎は、中心
に穴の開いたミラーを用いて、出射光はその穴を通り抜
ける構造となっている。またライトバルブ駆動電源［相
］は、−画面生成毎に正負が反転する短形波を発生する
。
このような高精細動画システムは、高速光スキャンとな
り、本発明の自己保持１ａ能を要するライトバルブでな
ければ、十分な表示コントラストは得られない。本実施
例は、優れた保持機能を有する本発明のライトバルブを
有効に活用した表示装置を構成するものである。
り、本発明の自己保持１ａ能を要するライトバルブでな
ければ、十分な表示コントラストは得られない。本実施
例は、優れた保持機能を有する本発明のライトバルブを
有効に活用した表示装置を構成するものである。
以上述べたように本発明によれば、残像保持特性を持っ
た液晶層、及び光導電層を用い、対称駆動を可能とした
ことにより、高速先回き込みにも十分対応できる。高コ
ントラストな液晶ライトバルブを構成することができる
。また交流駆動ができる電界効果型液晶モードとの組み
合わせにより信頬性の向上が計れた。
た液晶層、及び光導電層を用い、対称駆動を可能とした
ことにより、高速先回き込みにも十分対応できる。高コ
ントラストな液晶ライトバルブを構成することができる
。また交流駆動ができる電界効果型液晶モードとの組み
合わせにより信頬性の向上が計れた。
またこのライトバルブを用いた投射表示Ｗ Ｈは、レー
ザービーム高速書き込み系との組み合わせにより 高精
細な動画対応の均一性に優れたディスプレイを構成でき
る。
ザービーム高速書き込み系との組み合わせにより 高精
細な動画対応の均一性に優れたディスプレイを構成でき
る。
本発明はこのよ・）に動画対応できる高精細ディスプレ
イとして、従来にはない画期的なものである。
イとして、従来にはない画期的なものである。
第１図は本発明のライトバルブの断面図第２図は本発明
のサンドインチ型光伝１層を用いたライトバルブの断面
図 第３図はライトバルブの等価回路図 第４図は本発明のレーザー光書き込み型投射表示装置の
構成図である。 １・・・・・・透明基板 ２・・・・透明電極 ３・・・・・・交流ｔａ ４・・・・・・光導電層 ５・・・・・・光反射層 ６・・・・・・液晶層 ７・・・・・・フロート電極 １４・・・・・光導電型液晶ライトバルブ１７・・・・
・・光変調器 １８・・・・・・水平偏向器 １９・・・・・垂直偏向器 ２２・・・・・・入射光、出射光分離ミラー２３・・・
・・・照明系 ２４・・・・・・投射レンズ 以上 第１図 て〉トイツナＶ光イ玖４．！＃Ｉと用いＴζライト１＼
・・１し７パ ６ 眸１７． 図第２図
のサンドインチ型光伝１層を用いたライトバルブの断面
図 第３図はライトバルブの等価回路図 第４図は本発明のレーザー光書き込み型投射表示装置の
構成図である。 １・・・・・・透明基板 ２・・・・透明電極 ３・・・・・・交流ｔａ ４・・・・・・光導電層 ５・・・・・・光反射層 ６・・・・・・液晶層 ７・・・・・・フロート電極 １４・・・・・光導電型液晶ライトバルブ１７・・・・
・・光変調器 １８・・・・・・水平偏向器 １９・・・・・垂直偏向器 ２２・・・・・・入射光、出射光分離ミラー２３・・・
・・・照明系 ２４・・・・・・投射レンズ 以上 第１図 て〉トイツナＶ光イ玖４．！＃Ｉと用いＴζライト１＼
・・１し７パ ６ 眸１７． 図第２図
Claims (7)
- （１）光導電層、液晶層、光反射層、電圧印加手段、及
びこれらを封止する透明基板を主構成要素とする光導電
型液晶ライトバルブにおいて、前記液晶層及び、前記光
導電層は、残像保持特性を有することを特徴とする光導
電型液晶ライトバルブ。 - （２）前記液晶層及び、前記光導電層は、光照射によっ
て光導電層に生じた光電荷を保持する等価電気容量を有
する電界効果型液晶モードであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光導電型液晶ライトバルブ。 - （３）前記液晶層は、光導電層の光導電効果によって生
じた印加電圧の変化に従った双安定状態を有する電界効
果型液晶モードであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光導電型液晶ライトバルブ。 - （４）前記光導電層は、電気的に正負対称な特性を有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導電
型液晶ライトバルブ。 - （５）前記光導電型ライトバルブ及びレーザービーム画
像書込系、投射工学系から構成されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光導電型液晶ライトバルブ
。 - （６）前記光書き込み型投射表示装置は、液晶層を交流
駆動する電圧印加手段を有することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光導電型液晶ライトバルブ。 - （７）前記交流駆動周期は、一画面形成周期に等しいこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導電型液
晶ライトバルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24331585A JPS62102232A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24331585A JPS62102232A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102232A true JPS62102232A (ja) | 1987-05-12 |
Family
ID=17102005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24331585A Pending JPS62102232A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102232A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02916A (ja) * | 1988-03-23 | 1990-01-05 | Seiko Instr Inc | 液晶光学素子 |
| JPH02144524A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空間光変調素子及び神経ネットワーク回路 |
| JPH0329926A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Seiko Instr Inc | 光書込液晶ライトバルブ |
| US5231282A (en) * | 1991-01-22 | 1993-07-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical writing type liquid crystal light valve and writing apparatus therefor |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP24331585A patent/JPS62102232A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02916A (ja) * | 1988-03-23 | 1990-01-05 | Seiko Instr Inc | 液晶光学素子 |
| JPH02144524A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空間光変調素子及び神経ネットワーク回路 |
| JPH0329926A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Seiko Instr Inc | 光書込液晶ライトバルブ |
| US5231282A (en) * | 1991-01-22 | 1993-07-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical writing type liquid crystal light valve and writing apparatus therefor |
| US5281806A (en) * | 1991-01-22 | 1994-01-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical writing type liquid crystal light valve and writing apparatus therefor |
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