JPH02916A

JPH02916A - 液晶光学素子

Info

Publication number: JPH02916A
Application number: JP63242999A
Authority: JP
Inventors: Naoki Kato; 直樹加藤; Shuhei Yamamoto; 修平山本
Original assignee: Seiko Instruments Inc
Current assignee: Seiko Instruments Inc
Priority date: 1988-03-23
Filing date: 1988-09-28
Publication date: 1990-01-05
Anticipated expiration: 2011-10-02
Also published as: JP2540359B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は強誘電性液晶を用いて、光プリンターの中間
記録媒体１画像表示装置、光シャッター画像処理装置、
光情報処理システム等に使用される光書込液晶ライトパ
ルプ、可干渉光相関システム、画像処理システム、光情
報処理システム等に使用されるインコヒーレント・コヒ
ーレントあるいはフィルタまたディスクメモリ、メモリ
ーカード等に利用される光双安定性メモリを実現する液
晶光学素子に関する。

〔発明の概要〕

この発明はＳｍＣ液晶を用いて光プリンターの中間記録
媒体９画像表示装置、光シャッター、画像処理装置、光
情報処理システム等に使用されるされるインコヒーレン
ト、コヒーレント変換器あるいはフィルタ、またディス
クメモリ、メモリカード等に利用される光双安定性メモ
リを実現する液晶光学素子に関するものであり、一方の
電極上に光導電層を有し、液晶分子を配向させる膜とし
て、基板の法線方向に対して７５度がら８５度の範囲の
角度で一酸化珪素を斜方蒸着したものを用い、封入する
強誘電性液晶組成物として、エステル系ＳｍＣ液晶混合
物に光学活性物質を添加して強誘電性液晶組成物とした
ものを用いた事により、適正なプレティルト角を有する
ため強誘電性液晶分子のダイレクタを均一に配列するこ
とができ、かつ、広いコーン角を有し、また、配向膜層
表面と界面の強誘電性液晶分子の相互作用が小さいので
表面まで反転が起こるので双安定性を示し、コントラス
ト比が太き（、短い時間でレーザーなどの光でアドレッ
シングが可能で、解像度が高（バックアップ電源等を必
要とせずに像を保持することのできる液晶光学素子を提
供するものである。

〔従来の技術〕

従来、例えば光２込液晶ライトバルブにはアドレッシン
グ方法、液晶のモードとも様々な方式が用いられている
。アドレッシング方法としては、光導電膜を用いた光−
電気光学効果、レーザー光による熱書込み等があり、液
晶のモードとしてはＳｍＡの相転移、Ｃｈ−Ｎｅ相転移
、ＤＳＭさらには、−船釣なＴＮ、ＳＴＮ等が用いられ
、また、可干渉光相関システム、画像処理システム、光
情報処理システム等に利用される、インコヒーレント・
コヒーレント変換器では、主にＴＮ、ＤＳＭ等のモード
を用いた液晶ライトバルブ、あるいは、ＢＳＯ等の非線
形光学結晶が用いられ、更にディスクメモリ、メモリカ
ード等には主に磁気メモリが用いられ、またレーザー光
を用いるコンパクトディスク等もメモリとして用いられ
ている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記の光書込液晶ライトバルブでは、Ｔ
Ｎ、ＳＴＮ、ＤＳＭなどのモードを光ラユ電膜と組み合
わせた場合、光照射により書込まれた像が、光照射を打
ち切ると消えてしまうためＣＲＴなどで連続的に書き込
みを行っている必要があり、画素数１画素密度などはＣ
ＲＴの解像度に依存するため限界があり、コントラスト
にも問題があった。またＣｈ−Ｎｅ相転移（光導電膜型
など）、ＳｍＡ−Ｃｈ相転移（熱書込み）等では、双安
定性を有するため、光などにより順次走査。

書込みを行って、それを保持することができ、画素密度
を上げることができるが、応答速度が遅く書込みに時間
がかかり、また、コントラストが低いため広く用いられ
るには至らなかった。

また、従来のインコヒーレント・コヒーレント変換器に
使用される（ＴＮ、ＤＳＭ等のモードの）光書込液晶ラ
イトバルブはコントラスト比が低く、また、応答速度が
遅いのでリアルタイムの処理ができず、ＢＳＯ等の非線
形光学結晶を用いたものは、解像度が高くコントラスト
が良いが、大面積で欠陥の無い非線形光学結晶を得るこ
とが非常に難しいため、小さな面積の物しか実用化され
ておらず、また、コストが非常に高かった。

更に、従来用いられている磁気メモリは、簡便に書込み
と消去が行えるがアクセス時間が長くかかり、また、レ
ーザー光を用いるコンパクトディスクは高密度でかつア
クセス時間が速いが、消去。

書きなおしが出来ず、ＲＯＭとしてしか用いることがで
きないといった課題が各々にあった。

〔課題を解決するための手段〕

上記問題を解決するために、この発明は、一方の電極上
に光導電層を具備するとともに、液晶分子を配向させる
膜として、基板の法線方向から７５度から８５度の範囲
の角度で一酸化珪素を斜方蒸着した配向膜を用い、更に
封入する強誘電性液晶組成物として、エステル系ＳｍＣ
液晶混合物に光学活性物質を添加して強誘電性液晶組成
物としたものを用いた。

〔作用〕

その結果、前記配向膜と前記液晶組成物の組み合わせに
より、適正なプレティルト角を有するため強誘電性液晶
分子のダイレクタを均一に配列することができ、かつ、
広いコーン角を有し、また、配向膜層表面と界面の強誘
電性液晶分子の相互作用が小さいため表面まで反転が起
こるので、双安定性を有し、コントラスト比が大きく取
れ、また、光導電膜の材質を選択することにより、光２
込液晶ライトバルブやインコヒーレント・コヒーレント
変換器等の空間光変調器、また光双安定性メモリ等の記
憶素子が実現できる液晶光学素子を得ることができる。

〔実施例〕

以下に本発明の内容を図面を用いて詳細に説明する。

第１図は本発明に係わる液晶光学素子の断面図である。

液晶分子を挟持するためのガラスやプラス千ツク等の透
明基板１１　ａ　、　１１　ｂは、表面に透明電極層１
２ａ、１２ｂ、透明基板の法線方向から７５度から８５
度の範囲の角度で一酸化珪素を斜方薄着した配向膜層１
３ａ、１３ｂが設けられている。透明基＋７ｉ１１ａと
ｌｌｂはその配向膜ＩＪ１３ａ、　１３ｂ側を、スペー
サ１９を介して間隙を制御して対向させ、強誘電性液晶
Ｊｌｉ１４を挟持するようになっている。

また、光による書込み側の透明電極Ｆ１１２ａ上には光
導電層１５．遮光Ｎ１６．誘電体ミラー１７が配向膜１
１３ａとの間に積層、形成され、投影側の透明基板１１
ｂのセル外面には、無反射コーティング層１８が形成さ
れている。上記のような液晶ライトバルブによれば、セ
ル外面からの書込み光２０によって強誘電性液晶１１１
４に書込みが行われ、また、書込みにより形成された光
学情報は、投影光２１により読み出すことができる。

本実施例においては、先ず透明基板１１ａ、１１ｂとし
て透明ガラス基板を用意し、透明電極１１２ａ。

１２ｂとして表面にＩＴＯＪ明電極層を形成した。

先ず最初に、本発明を光書込液晶ライトバルブとして実
現する場合について説明する。

この場合、光による書込み側の透明電極ｊ！１２ａ上に
光導電層１５として＠能分離型有機光Ｒ電層を使用する
。更に遮光層１６．誘電体ミラー１７を積層、形成して
セル外面から書込み光２０によって強誘電性液晶Ｊｉｉ
１４に書込みを行うようにした。有機光導電層１５は、
電荷発生層と電荷移動層からなる。先ｆｉ３明電極１２
ａ上にε−Ｃｕフタロシアニンの微粉末３０重量部と飽
和ポリエステル樹脂（東洋紡製バイロン２００等）１０
重量部をテトラヒドロフランとともに、ボールミルで６
時間分散したのち〈？布。

乾燥を行い、乾燥後の膜厚が０．５μの電荷発生層を形
成し、更にその上に、ｐ−ジエチルアミノヘンズアルデ
ヒド１’−１’−ジフェニルヒドラゾン（西南香料製等
）とポリカーボネート樹脂（ＧＥ製レキサン等）を１：
２に混合して、ジクロルメタンとジクロルエタンの１＝
１混合溶媒に溶解したのち、バーコーターにして塗布し
、乾燥を行って乾燥後の膜厚が１０μの電荷移動層を形
成して、機能分離型有機光導電層を形成した。さらに、
前記膜上に投影光が光導電層に入射しないように遮光Ｊ
ｌｊ１６を設け、さらに、ＭｇＦｆｆｉとＺｎＳを交互
に多数層積層した誘電体ミラー１７を積層、形成した。

また、投影側の透明基板１１ｂのセル外面には、ＭｇＦ
、の蒸着により無反射コーティング層１Ｂが形成されて
いる。書込みにより形成された像は、直線偏光の投影光
２１の照射、偏光子を通した投影により読み出すことが
できるようにした。さらに両店板の透明量ｔｌｉ＋１２
ａ、　１２ｂ側に、−酸化珪素を法線方向から８２度の
角度で、かつ蒸着の法線方向にセントした膜厚計で２０
００人の厚さに斜方蒸着して、配向膜層１３ａ、１３ｂ
とする。透明基板１１ａ。

１１ｂはその配向膜層１３ａ、１３ｂ側を対向させ、直
径１．５μｍのグラスファイバーを加えた接着剤よりな
るスペーサ１９を介して間隙を制御、形成し、強誘電性
液晶７１１４を挟持するようにした。封入した強誘電性
液晶組成物は、エステル系ＳｍＣ液晶混合物に光学活性
物質を添加して強誘電性液晶組成物としたものを用いた
。本実施例においては、エステル系ＳｍＣ液晶混合物と
して、４−（（４−オクチル）フェニル）安息香酸（３
″−フルオ０．４”−オクチルオキシ）フェニルエステ
ルと、４−１４’−オクチルオキシ）フェニル）安息香
酸（３＃−フルオロ、４＃−オクチルオキシ）フェニル
エステルを１：１に混合したものを用い、これに光学活
性物質として５−オクチルオキシナフタレンカルボン酸
、１′−シアノエチルエステルを、２５重看％を加えて
強誘電性液晶組成物としたものを用いた。前記のように
して作成した光書込液晶ライトバルブは、光導電層が７
５０ｎｍから８５０ｎｍの波長の光に感度を有するので
、既に一般に用いられている７８０ｎｍ又は８３０ｎｍ
の光を出力する半導体レーザーを用いて有機光導電層１
５を有する透明基板１１ａの側から書込みを行うことが
できる。書込まれた光学情報は、あらかじめ書込み時の
印加力向と逆の電界印加により揃えられたＣダイレクタ
の方向（またはそれに直角方向）に偏光軸を合わせた偏
光子を通した投影光２１の照射、及び、前記の全消去時
の反射光の偏光方向に直角（または平行）の方向に検光
子を通した投影により読み出すことができる。

また、前記光導１１ｔＮ１５としてアモルファスシリコ
ン光導電層を形成する例につき説明する。

アモルファスシリコン光導ＴＪ、　層１５　ハ、Ｓ　ｒ
　Ｆ　ａを主体とするガスを放電分解して、１μｍの厚
さのａ−３ｉ−Ｈ層とすることにより、光導電層を形成
した。ここで該アモルファスシリコン光導電層１５は、
放電分解時にＰ、　Ｎ等を添加した膜組成でも良く、ま
た、ａ−３ｉ−Ｈ層上にｎ型、あるいはｐ型の、他の組
成の半導体膜を積層した構成であっても何ら差支えない
。

前記のようにして作成した液晶光学素子は、アモルファ
スシリコン光導電層が７５０ｎｍから８５０ｎｍの波長
の光に感度を有するので、既に一般に用いられている７
８０ｎｍ又は８３０ｎｍの光を出力する半導体レーザー
を用いて光導電層１５を有する透明基板１１ａの側から
書込みを行うことができる。

上記のようなアモルファスシリコンの光導電層によれば
、光導電膜表面の硬度が高く、表面が平滑であるので、
セルギヤツブ制御が容易で、適正なプレティルト角を有
するため強誘電性液晶分子のダイレクタを均一に配列す
ることができ、また、配向膜層表面と界面の強誘電性液
晶分子の相互作用が小さいので表面まで反転がおこり、
コントラスト比がより大きく取れる。

第２図は、本発明に係わる一酸化珪素の斜方蒸着による
配向膜層１３ａ、１３ｂの表面構造の模式拡大図である
。配向膜ＪＷ１３ａ、　１３ｂの表面は斜方蒸着の角度
に対応した傾いた柱状構造２２を有しており、この構造
によって液晶配向がなされている。

斜方蒸着の角度が７５度以下または８５度以上の場合、
強誘電性液晶分子が、ダイレクタが揃っており、かつ広
いコーン角を有し、また、表面まで反転が起こり、双安
定性を有するような配列をとる柱状構造が生成しない０
強誘電性液晶分子の配列は、−酸化珪素配向膜層表面と
界面のエステル系強誘電性液晶分子の極性相互作用が小
さいので、界面の強誘電性液晶分子の自発分極の方向が
規制されず、かつ、斜方蒸着による柱状構造による適正
なプレティルト角を有する事により発現するものであり
、前記柱状構造は、その角度が適正な範囲にあることが
要求される。斜方蒸着時の基板の法線方向からの入射角
が７５度から８５度の範囲では適正な角度の柱状構造が
生成するが、入射角が７５度以下の場合は柱状構造が生
成せずに溝状の構造となり、その溝に液晶分子が配列す
るためプレティルト角が発現せず、かつ、自発分穫の方
向が基板に垂直な二つの状態のうちの一方の安定状態が
溝により固定されるため片側がエネルギーが低く安定で
、他方が不安定となって双安定性が得られず、また、８
５度以上の場合は、殆ど基板に平行な方向からの入射で
あるため全面に均一な柱状構造が生成せずに塊状の構造
となって、適正なプレティルト角とならないため、強３
Ｍ’Ｒ性液晶分子の配列が形成されないのである。

第３図は、本発明の液晶光学素子の書込み側から全面に
光を照射しながら電極間に電圧を印加した場合の電圧−
透過率特性を示している。この場合、光導電層は全面に
わたり４適状Ｂ（低抵抗状態）になっており、印加電圧
は殆どロスされることなく強誘電性液晶層に印加される
。印加電圧は、０．１　Ｈｚ、２０Ｖｐ−ｐの三角波で
ある。図がらゎがるように該液晶光学素子は大きな双安
定性と、電界に対するスレッショルド特性を有している
。また、偏光子及び検光子に偏光度９９．９％、単体透
過率３８％の偏光板を用いた場合で、双安定状態間のコ
ントラスト比は、４００　　：　１以上の大きな値を示
した。

前記の双安定性により、全消去後に消去電界と逆方向の
電界を印加しながら光を照射することにより、強誘電性
液晶層のあるレベル以上の光が照射された部分でのみ液
晶分子の反転が起こり、また、それが安定に保持される
ため、光学情報の書込み、形成を行うことができるので
ある。

以下、本発明の液晶光学素子を光書込液晶ライトパルプ
に応用した例を説明する。

第４図は、本発明の液晶光学素子による光書込液晶ライ
トバルブを応用した、デジタルヵラーレ−ザープリンタ
ーの概念図である０図中３１ａ、３１ｂ、３１ｃが本発
明に係わる液晶光学素子であり、それぞれレーザースキ
ャナ３２により、Ｒ−Ｇ−８に対応する像が書込まれた
のち、投影光学系３３によりそれぞれの色に対応するフ
ィルターを用いて波長を限定した光でメディア３４上に
それぞれの色の像を形成する。前記メディア３４は、第
５図に示すようなそれぞれ異なった波長の光に反応して
硬化するマイクロカプセル５０ａ、５０ｂ、５０ｃに、
各々イエローＹ、シアンＣ，マゼンタＭのロイコ染料を
封入したものをヘース５１上に分散塗布したもので、発
色側を塗布したレシーバ−シート３５に圧接ローラ３６
で圧接することにより、レージ−バーシート３５上にカ
ラー画像を形成するものである。

前記のようなシステムに、本発明による光書込液晶ライ
トパルプを応用することにより、画像の品位が高く、出
力時間の短いデジタルカラーレーザープリンターを実現
することができた。

また、前記デジタルカラーレーザープリンターのメディ
ア３４の位置にスクリーンを置き、３色を同時に投影す
ることにより、高品位のカラープロジェクタ−を実現す
ることもできる。

次に、本発明の液晶光学素子をインコヒーレント・コヒ
ーレント変換器とする場合について説明する。この場合
、第１図の光導電層１５としてＣｄＳを真空蒸着したも
の、もしくはＳｅ、５ｅＴｅ等、あるいは有機物、また
、機能分離型の多層構成のものを使用する。その他の構
成は前述のものと同じものである。

上記のようなインコヒーレント・コヒーレント変換器に
よれば、セル外面からのインコヒーレントな書込み光２
０によって強誘電性液晶層１４に像形成が行われ、書込
みにより形成された像は、あらかじめ書込み時の印加方
向と逆の電界印加により揃えられたＣダイレクタの方向
（またはそれに直角方向）に偏光軸を合わせた偏光子を
通したコヒーレントな投影光２１の照射、及び、全消去
時の反射光の偏光方向に直角（または平行）な方向の検
光子を通した投影により読み出すことができる。

以下、本発明の液晶光学素子をインコヒーレント・コヒ
ーレント変換器として応用する場合の例を説明する。

第６図は、本発明に係わる液晶光学素子を用いた可干渉
光相関システムの概念図である。測定対象物４１からの
反射光は、レンズ４２により本発明に係わる液晶光学素
子４３上に結像される。ここで、本発明に係わる液晶光
学素子は、非線形光学結晶を用いたものに較べて大面積
であるため、測定対象物が大きくても対応でき、また、
ＴＮ、ＤＳＭ等のモードの液晶を用いたものに較べて応
答速度が速いため、リアルタイムに近い高速処理が可能
である。　？ｅｉ晶光学素子４３に生じた像には、偏光
ビームスプリンター４４により直線偏光に分けられ、そ
の偏光軸方向が全消去時の強誘電性液晶分子のダイレク
タ方向に合ったコヒーレント光４５が照射される。照射
光は、書込みによってダイレクタの反転が起こった部分
でのみ、複屈折による偏光状態の変換を受けて反射され
る。前記反射光は、再び偏光ビームスプリンター４４を
通り、複屈折による偏光状態の変換を受けた部分の強度
が必然的に低くなって、入射光４５のうち、偏光ビーム
スプリッタ−４４により液晶光学素子４３へ入射−しな
かった成分と合成され、レンズ４６、マツチドフィルタ
４７、レンズ４８を通って相関座標面４９上に結像させ
ることにより、光情報処理を行うものである０本応用例
に於いて、本発明の液晶光学素子によるインコヒーレン
ト・コヒーレント変換器を用いたことにより、大きな物
体にも用いることができ、かつ、リアルタイムに近い高
速処理が可能な可干渉光相関システムが実現される。

次に、本発明の液晶光学素子を光双安定性メモリとする
場合について説明する。この場合、第１図の光導電１１
５１５は、５ｉＦａを主体とするガスを放電分解して１
μｍの厚さのａ−３ｉ　−Ｈ層とした。ここで該光導電
Ｎ１５は、放電分解時にＰ、Ｎ等を添加した膜組成もし
くはａ−３ｉ−Ｈ層上にｎ型、あるいはｐ型の他の組成
の半導体膜を積層した構成、または印刷法などにより形
成された有機光導電膜や、Ｓｅ、５ｅＴｅなどの蒸着に
よる光導電膜を用いてもよい。尚、その他の構成は第１
図に示すとおりであり、既に説明済みのためここての説
明は省略する。

ここで書込まれたデータは、あらかじめ書込み時の印加
力向と逆の電界印加により揃えられたＣダイレクタの方
向（またはそれに直角方向）に偏光軸を合わせた偏光子
を通した読み出し光（投射光）２１の照射、及び、前記
の全消去時の反射光の偏光方向に直角（または平行）な
方向の検光子を通した反射光の強度測定により読み出す
ことができる。

このような液晶光学素子を用いたメモリは、データ密度
がレーザービームのスポット径に依存するので、ＣＤ−
ＲＯＭと同等の高密度記録ができ、かつ、アクセス速度
が速く、また、何度でも消去。

書き替えができ、バックアップ電源が不要な光双安定メ
モリであることが確認された。

以下、本発明の液晶光学素子を光双安定メモリに応用し
た例を説明する。

第７図は、本発明の液晶光学素子を用いた光デイスクメ
モリの概念図であり、第８図は、前記光デイスクメモリ
の中央部のみを拡大した図である。

第７図中の、メモリ部７１ａ、７１ｂの構造は、第１図
と同じであり、ＣＤピックアップと同様な構成に偏光子
及び検光子を付加した読み出し光学系７３をメモリ部７
１ａ、７１ｂの光Ｒ電層がない側に半導体レーザーを用
いた書込み光学系７２をメモリ部７１ａ、７１ｂの光導
電膜側に配置した。また、該光デイスクメモリ７０の中
央部は、第８図に示すように、透明電極基板の透明電極
が、それぞれ露出した部分８１３．８１ｂを設けてあり
、この部分に回転軸兼電極パッド８２ａ、８２ｂを接触
せしめて、露光ディスクメモリに電界を印加しながら回
転させる。走査は、この回転と書込み光学系７２及び読
み出し光学系７３のディスクの径方向の移動により行わ
れる。

本応用例の光デイスクメモリは、データ密度がレーザー
ビームのスポット径に依存するので、ＣＤ−ＲＯＭと同
等の高密度記録ができ、かつ、アクセス速度が速く、ま
た、何度でも消去、書き替えができ、バックアップ電源
が不要な光双安定メモリであることが確認された。

また、該光メモリは上記と異なり、カード型の形状に作
成し、書込みをポ１）、ボンミラー、またはガルバノミ
ラ−を用いた光学系、あるいハＬ　Ｅ　Ｄアレイ等によ
り行ったところ、高密度記録ができ、かつ、アクセス速
度が速く、また、何度でも消去、書き替えができ、バッ
クアップ電源が・不要な光双安定メモリであることが確
認された。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明の液晶光学素子によればコントラ
スト比が大きい上、応答速度が速くレーザー光などによ
る高速書込みが可能で、解像度の高い液晶ライトパルプ
や簡便な工程で製造でき解像度が高く、大面積で高速な
インコヒーレント・コヒーレント変換器及びコントラス
ト比が大きく、短い時間でレーザーなどの光でアドレッ
シングが可能で高密度で高速アクセスが出来、消去書き
替えが可能で、かつバンクアンプ電源が不要な光双安定
メモリが光導電層の変更のみで実現でき、もって光プリ
ンターの中間記録媒体、画像表示装置、光シヤツター、
可干渉相関システムその他の画像処理装置、光情報シス
テム等の性能・応用範囲を飛躍的に増大せしめるもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の液晶光学素子の断面図、第２図は本発
明の液晶光学素子に用いられる配向膜層の拡大図、第３
図は本発明の液晶光学素子の電圧−透過率特性図、第４
図は本発明の液晶光学素子を応用したデジタルカラーレ
ーザープリンターの概略図、第５図はデジタルカラーレ
ーザープリンターに用いたメディアの概念図、第６図は
本発明の液晶光学素子を用いた可干渉光相関システムの
概念図、第７図は本発明の液晶光学素子を用いた光デイ
スクメモリの概念図、第８図は本発明の液晶光学素子を
用いた光ディスクの動作説明図である。１１　ａ　、　１１　ｂ・・・透明基板１２ａ、１２ｂ
・・・透明電極層１３ａ、１３ｂ・・・配向膜層１４・　・　・　・　・１５・　・　・　・　・１６・　・　・　・　・１７・　・　・　・　・１８・　・　・　・　・１９・　・　・　・　・２０・　・　・　・　・２１・　・　・　・　・２２・　・　・　・　・３１ａ、３１ｂ。３２・　・　・　・　・３３・　・　・　・　・３４・　・　・　・　・３５・　・　・　・　・・・強誘電性液晶層・・光導電層・・遮光層・・誘電体ミラー・・無反射コーティング層・・スペーサ、接着削・・書込み光・・投影光・・柱状構造３１ｃ・・・液晶ライトパルプ・・レーザースキャナ・・投影光学系・・書込みメディア・・レシーバ−シート以

Claims

【特許請求の範囲】

一対の電極を有する透明基板間に双安定性を有する強誘
電性液晶組成物が挟持された空間光変調素子において、
一方の電極上に光導電層を具備し、液晶分子を配向させ
る膜として、基板の法線方向に対して７５度から８５度
の範囲の角度で一酸化珪素を斜方蒸着したものを用い、
封入する強誘電性液晶組成物として、エステル系強誘電
性液晶組成物を用いた事を特徴とする液晶光学素子。