JPS6210211B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6210211B2 JPS6210211B2 JP54022218A JP2221879A JPS6210211B2 JP S6210211 B2 JPS6210211 B2 JP S6210211B2 JP 54022218 A JP54022218 A JP 54022218A JP 2221879 A JP2221879 A JP 2221879A JP S6210211 B2 JPS6210211 B2 JP S6210211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen fluoride
- freon
- carried out
- reaction
- catalyst
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 36
- AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Cl AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 13
- QCMJBECJXQJLIL-UHFFFAOYSA-L chromium(6+);oxygen(2-);difluoride Chemical compound [O-2].[O-2].[F-].[F-].[Cr+6] QCMJBECJXQJLIL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- XWCDCDSDNJVCLO-UHFFFAOYSA-N Chlorofluoromethane Chemical compound FCCl XWCDCDSDNJVCLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical compound [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQWFNAGFNGABOH-UHFFFAOYSA-K chromium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Cr+3] VQWFNAGFNGABOH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOPWNXZWBYDODV-UHFFFAOYSA-N Chlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)Cl VOPWNXZWBYDODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910021563 chromium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K trifluorochromium Chemical compound F[Cr](F)F FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C19/00—Acyclic saturated compounds containing halogen atoms
- C07C19/08—Acyclic saturated compounds containing halogen atoms containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/093—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens
- C07C17/20—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens of halogen atoms by other halogen atoms
- C07C17/202—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens of halogen atoms by other halogen atoms two or more compounds being involved in the reaction
- C07C17/206—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens of halogen atoms by other halogen atoms two or more compounds being involved in the reaction the other compound being HX
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/38—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
本発明は、高純度のテトラフルオロメタンの製
造法に関する。 テトラフルオロメタン(以下、フロン−14とい
う)は、半導体シリコンのドライエツチング(プ
ラズマエツチング)に用いられ、そのため高純度
のものが要求されている。 フロン−14の製造法は、従来から種々の方法が
知られている。 たとえば、モノクロロトリフルオロメタン(以
下、フロン−13という)を触媒の存在下でフツ化
水素と反応させる方法、トリフルオロメタンをフ
ツ素と反応させる方法、テトラフルオロエチレン
をフロン−14と炭素に熱分解する方法などがあ
る。 これらの方法のうち、モノクロロジフルオロメ
タンを原料とする方法は、フツ素を使用するため
高価であり、かつ危険である。テトラフルオロエ
チレンを原料とする方法は、急激な反応により行
うものであるから、連続的に、しかも安全にフロ
ン−14を製造することが困難である。 フロン−13を原料とする方法は、フツ素源とし
て安価なフツ化水素を使用できることに加え、連
続的に安全に行えるので比較的有利である。 しかしながら、この方法で製造されたフロン−
14には、不純物として未反応のフロン−13が必ず
混入しており、その除去は著しく困難である。た
とえば、フロン−13およびフツ化水素を、クロム
オキシフルオライドの存在下、400℃、フツ化水
素/フロン−13のモル比20/1、空間速度40/時
間というフツ素化に極めて有利な条件で反応させ
ても、フロン−14中にはフロン−13が200モル
ppmも混入しているのである。しかも、これは
フツ化水素を大過剰に用いるという不経済的な条
件のもとで得られた結果である。 さらに、いずれの方法においてもフロン−14の
精製は蒸留により行われるのであるが、その蒸留
は困難である。 フロン−14は、臨界温度が−45.7℃および臨界
圧力が38.2気圧であるから、蒸留には低温高圧の
装置を必要とし、装置は高価なものとなり、その
上、危険な操業を強いられるのである。 本発明の目的は、大過剰のフツ化水素を必要と
せず、高価な装置、危険な操業を要せずに高純度
のフロン−14を製造する方法を提供するにある。 この目的は、クロムオキシフルオライドを触媒
とする流通系にクロロトリフルオロメタンおよび
フツ化水素を通じ、次いで該流通系から排出され
たガスを酸性物質除去装置に通じた後、クロムオ
キシフルオライドを触媒とする流通系にフツ化水
素と共に通じる操作を1回または2回以上行う方
法により達成される。 この方法によれば、大過剰のフツ化水素、高価
な装置、危険な操業を要せずに、フロン−14中の
フロン−13の含量を十数ppm以下に減少させる
ことが可能になる。 本発明の製造法は、クロムオキシフルオライド
の存在下にフロン−13をフツ化水素と反応させる
第1段の反応、第1段の反応の生成物から塩化水
素のような酸性物質を除去する工程および酸性物
質が除去された生成物をクロムオキシフルオライ
ドの存在下にフツ化水素と反応させる第2段の反
応から成るものである。 第1段の反応においては、反応温度は約380〜
420℃が好ましい。380℃より低いときは反応率が
低くなるから、工業的に有利な反応率を得るため
には小さい空間速度で反応を行う必要があり、大
容量の反応器が必要となる。420℃より高いとき
は触媒の劣化が著しく工業的生産には適さない。 反応圧力は、任意に定めることができるが、1
〜5気圧が適当である。 空間速度は、10〜150/時間が好ましい。空間
速度は反応温度に依存して定められるものであ
り、小さいほど反応率がよくなるが10/時間より
小さくしても反応率にはほとんど変化が見られ
ず、一方、150/時間より大きくすれば反応率が
悪くなる。 フロン−13に対するフツ化水素の割合は、フロ
ン−13の1モルに対し、フツ化水素1〜10モルが
好ましい。フツ化水素の割合が増加するに従つて
反応生成物中のフロン−14に対するフロン−13の
量は減少するが、余りに割合を大きくすると、後
に行う酸性物質の除去の際に未反応のフツ化水素
も除去されてフツ化水素の損失を招くので、上限
は約10モルにする。一方、1モルより少なくなる
とフロン−13のフロン−14への変換が十分に行わ
れず、好ましくない。最も好ましいのはフロン−
13の1モルに対してフツ化水素2〜8モルであ
る。 酸性物質の除去は、反応生成物(未反応物も含
む)を水に通し、次いでアルカリ水溶液に通して
行うのがよい。この場合、酸性物質を除去した後
の反応生成物は塩化カルシウムなどを用いて乾燥
する必要がある。 第2段の反応においては、反応温度は380〜420
℃が好ましい。380℃より低いときは反応率が低
く、得られるフロン−14に含有されるフロン−13
の割合を十分小さくすることができない。420℃
より高いときは触媒の劣化が著しく、工業的生産
に適さない。 反応圧力は、任意に定めることができ、1〜5
気圧が適当である。 空間速度は、反応温度、最終生成物中のフロン
−13の含有量に従つて選択すればよく、弾常10〜
300/時間が好ましい。 酸性物質を除去した第1段の反応生成物(大部
分はフロン−14であり、少量のフロン−13を含
む)に対するフツ化水素の割合は、フロン−14と
フロン−13の合量1モルに対し0.2〜10モルが好
ましい。フツ化水素の割合が増加するに従つて、
フロン−14に対するフロン−13の割合は減少する
が、余りに割合を大きくすれば未反応のフツ化水
素の増大を来たして不経済である。上限は10モル
が好ましい。一方、0.2モルよりも小さくすると
きはフロン−13のフロン−14への変換が十分に行
われない。最も好ましいのは、フロン−14とフロ
ン−13の合量1モルに対し、フツ化水素0.3〜5
モルである。 これまでは、本発明の製造法を、フロン−13か
ら出発して二段の反応で高純度のフロン−14を得
る場合に基づいて説明してきたが、本発明では、
前記第2段の反応で得られた生成物を更に酸性物
質除去装置に通し、次いでクロムオキシフルオラ
イドを触媒とする流通系にフツ化水素と共に通じ
て第3段の反応を行うなど、この操作を複数回繰
り返して漸次純度を上げてより高純度のフロン−
14を製造することができる。 いずれの場合にも、第2段以後の反応を有利に
行うには、第1段の反応で得られる生成物のフロ
ン−13のフロン−14に対する割合を10モル%以
下、特に1モル%以下にするのが好ましい。 本発明に使用するクロムオキシフルオライド
は、公知のフツ素化触媒であつて、クロムに酸素
とフツ素が結合した化合物である。たとえば、3
価のクロムの水酸化物をフツ化水素の存在下に加
熱して製造される。加熱温度は200〜600℃が好ま
しい。また、水和フツ化クロム、たとえば
CrF3・3H2Oを酸素の存在下に約350〜750℃で加
熱することにより製造することができる(特公昭
43−10601号公報および米国特許第2745886号参
照)。 次に実施例および参考例を示し、本発明を具体
的に説明する。 参考例 1〜7 CrF3・H2Oを酸素気流中、500℃で処理して得
たクロムオキシフルオライド触媒ペレツト(直径
4mm、高さ6mm)300mlを、電気炉内に鉛直に設
置した直径1.5インチのハステロイC製パイプに
充填し、それぞれ第1表に示す温度に保つた。 反応はすべて大気圧で行い、パイプ上部から同
表に示す割合でフツ化水素およびフロン−13を同
表に示す空間速度で通じた。 得られた生成ガスを水洗し、次いでアルカリ水
溶液で洗浄した後、塩化カルシウムで乾燥し、液
体酸素で冷却したトラツプに捕集した。 トラツプ捕集前のガスをガスクロマトグラフイ
で分析した結果を第1表に示す。 この結果から、1段の反応では、反応温度を高
くし、フロン−13に対するフツ化水素の割合を大
にし、あるいは空間速度を小さくしても、せいぜ
い得られらるのはフロン−13を数百ppm程度含
有するフロン−14であることがわかる。
造法に関する。 テトラフルオロメタン(以下、フロン−14とい
う)は、半導体シリコンのドライエツチング(プ
ラズマエツチング)に用いられ、そのため高純度
のものが要求されている。 フロン−14の製造法は、従来から種々の方法が
知られている。 たとえば、モノクロロトリフルオロメタン(以
下、フロン−13という)を触媒の存在下でフツ化
水素と反応させる方法、トリフルオロメタンをフ
ツ素と反応させる方法、テトラフルオロエチレン
をフロン−14と炭素に熱分解する方法などがあ
る。 これらの方法のうち、モノクロロジフルオロメ
タンを原料とする方法は、フツ素を使用するため
高価であり、かつ危険である。テトラフルオロエ
チレンを原料とする方法は、急激な反応により行
うものであるから、連続的に、しかも安全にフロ
ン−14を製造することが困難である。 フロン−13を原料とする方法は、フツ素源とし
て安価なフツ化水素を使用できることに加え、連
続的に安全に行えるので比較的有利である。 しかしながら、この方法で製造されたフロン−
14には、不純物として未反応のフロン−13が必ず
混入しており、その除去は著しく困難である。た
とえば、フロン−13およびフツ化水素を、クロム
オキシフルオライドの存在下、400℃、フツ化水
素/フロン−13のモル比20/1、空間速度40/時
間というフツ素化に極めて有利な条件で反応させ
ても、フロン−14中にはフロン−13が200モル
ppmも混入しているのである。しかも、これは
フツ化水素を大過剰に用いるという不経済的な条
件のもとで得られた結果である。 さらに、いずれの方法においてもフロン−14の
精製は蒸留により行われるのであるが、その蒸留
は困難である。 フロン−14は、臨界温度が−45.7℃および臨界
圧力が38.2気圧であるから、蒸留には低温高圧の
装置を必要とし、装置は高価なものとなり、その
上、危険な操業を強いられるのである。 本発明の目的は、大過剰のフツ化水素を必要と
せず、高価な装置、危険な操業を要せずに高純度
のフロン−14を製造する方法を提供するにある。 この目的は、クロムオキシフルオライドを触媒
とする流通系にクロロトリフルオロメタンおよび
フツ化水素を通じ、次いで該流通系から排出され
たガスを酸性物質除去装置に通じた後、クロムオ
キシフルオライドを触媒とする流通系にフツ化水
素と共に通じる操作を1回または2回以上行う方
法により達成される。 この方法によれば、大過剰のフツ化水素、高価
な装置、危険な操業を要せずに、フロン−14中の
フロン−13の含量を十数ppm以下に減少させる
ことが可能になる。 本発明の製造法は、クロムオキシフルオライド
の存在下にフロン−13をフツ化水素と反応させる
第1段の反応、第1段の反応の生成物から塩化水
素のような酸性物質を除去する工程および酸性物
質が除去された生成物をクロムオキシフルオライ
ドの存在下にフツ化水素と反応させる第2段の反
応から成るものである。 第1段の反応においては、反応温度は約380〜
420℃が好ましい。380℃より低いときは反応率が
低くなるから、工業的に有利な反応率を得るため
には小さい空間速度で反応を行う必要があり、大
容量の反応器が必要となる。420℃より高いとき
は触媒の劣化が著しく工業的生産には適さない。 反応圧力は、任意に定めることができるが、1
〜5気圧が適当である。 空間速度は、10〜150/時間が好ましい。空間
速度は反応温度に依存して定められるものであ
り、小さいほど反応率がよくなるが10/時間より
小さくしても反応率にはほとんど変化が見られ
ず、一方、150/時間より大きくすれば反応率が
悪くなる。 フロン−13に対するフツ化水素の割合は、フロ
ン−13の1モルに対し、フツ化水素1〜10モルが
好ましい。フツ化水素の割合が増加するに従つて
反応生成物中のフロン−14に対するフロン−13の
量は減少するが、余りに割合を大きくすると、後
に行う酸性物質の除去の際に未反応のフツ化水素
も除去されてフツ化水素の損失を招くので、上限
は約10モルにする。一方、1モルより少なくなる
とフロン−13のフロン−14への変換が十分に行わ
れず、好ましくない。最も好ましいのはフロン−
13の1モルに対してフツ化水素2〜8モルであ
る。 酸性物質の除去は、反応生成物(未反応物も含
む)を水に通し、次いでアルカリ水溶液に通して
行うのがよい。この場合、酸性物質を除去した後
の反応生成物は塩化カルシウムなどを用いて乾燥
する必要がある。 第2段の反応においては、反応温度は380〜420
℃が好ましい。380℃より低いときは反応率が低
く、得られるフロン−14に含有されるフロン−13
の割合を十分小さくすることができない。420℃
より高いときは触媒の劣化が著しく、工業的生産
に適さない。 反応圧力は、任意に定めることができ、1〜5
気圧が適当である。 空間速度は、反応温度、最終生成物中のフロン
−13の含有量に従つて選択すればよく、弾常10〜
300/時間が好ましい。 酸性物質を除去した第1段の反応生成物(大部
分はフロン−14であり、少量のフロン−13を含
む)に対するフツ化水素の割合は、フロン−14と
フロン−13の合量1モルに対し0.2〜10モルが好
ましい。フツ化水素の割合が増加するに従つて、
フロン−14に対するフロン−13の割合は減少する
が、余りに割合を大きくすれば未反応のフツ化水
素の増大を来たして不経済である。上限は10モル
が好ましい。一方、0.2モルよりも小さくすると
きはフロン−13のフロン−14への変換が十分に行
われない。最も好ましいのは、フロン−14とフロ
ン−13の合量1モルに対し、フツ化水素0.3〜5
モルである。 これまでは、本発明の製造法を、フロン−13か
ら出発して二段の反応で高純度のフロン−14を得
る場合に基づいて説明してきたが、本発明では、
前記第2段の反応で得られた生成物を更に酸性物
質除去装置に通し、次いでクロムオキシフルオラ
イドを触媒とする流通系にフツ化水素と共に通じ
て第3段の反応を行うなど、この操作を複数回繰
り返して漸次純度を上げてより高純度のフロン−
14を製造することができる。 いずれの場合にも、第2段以後の反応を有利に
行うには、第1段の反応で得られる生成物のフロ
ン−13のフロン−14に対する割合を10モル%以
下、特に1モル%以下にするのが好ましい。 本発明に使用するクロムオキシフルオライド
は、公知のフツ素化触媒であつて、クロムに酸素
とフツ素が結合した化合物である。たとえば、3
価のクロムの水酸化物をフツ化水素の存在下に加
熱して製造される。加熱温度は200〜600℃が好ま
しい。また、水和フツ化クロム、たとえば
CrF3・3H2Oを酸素の存在下に約350〜750℃で加
熱することにより製造することができる(特公昭
43−10601号公報および米国特許第2745886号参
照)。 次に実施例および参考例を示し、本発明を具体
的に説明する。 参考例 1〜7 CrF3・H2Oを酸素気流中、500℃で処理して得
たクロムオキシフルオライド触媒ペレツト(直径
4mm、高さ6mm)300mlを、電気炉内に鉛直に設
置した直径1.5インチのハステロイC製パイプに
充填し、それぞれ第1表に示す温度に保つた。 反応はすべて大気圧で行い、パイプ上部から同
表に示す割合でフツ化水素およびフロン−13を同
表に示す空間速度で通じた。 得られた生成ガスを水洗し、次いでアルカリ水
溶液で洗浄した後、塩化カルシウムで乾燥し、液
体酸素で冷却したトラツプに捕集した。 トラツプ捕集前のガスをガスクロマトグラフイ
で分析した結果を第1表に示す。 この結果から、1段の反応では、反応温度を高
くし、フロン−13に対するフツ化水素の割合を大
にし、あるいは空間速度を小さくしても、せいぜ
い得られらるのはフロン−13を数百ppm程度含
有するフロン−14であることがわかる。
【表】
実施例 1〜4
参考例と同様の装置の系列(電気炉、パイプ、
水洗塔、アルカリ水溶液洗浄塔および塩化カルシ
ウム塔)のそれぞれに同様に触媒、試薬、洗浄液
を充填した系列2つを直列に接続する。第2の系
列のハステロイ製パイプの導入口にフツ化水素供
給管を接続し、第2の塩化カルシウム塔の次に液
体酸素で冷却したトラツプを接続して実施例1〜
4に用いた。 第1の系列では、参考例3または4の条件で反
応を行い、第2の系列での反応は、大気圧および
第2表に示す温度において、第1の系列に導入し
たフロン−13に対して同表に示す割合でフツ化水
素を加え、同表に示す空間速度(計算値)で行つ
た。トラツプ捕集前の生成ガスをガスクロマトグ
ラフイにより分析した結果を同表に示す。
水洗塔、アルカリ水溶液洗浄塔および塩化カルシ
ウム塔)のそれぞれに同様に触媒、試薬、洗浄液
を充填した系列2つを直列に接続する。第2の系
列のハステロイ製パイプの導入口にフツ化水素供
給管を接続し、第2の塩化カルシウム塔の次に液
体酸素で冷却したトラツプを接続して実施例1〜
4に用いた。 第1の系列では、参考例3または4の条件で反
応を行い、第2の系列での反応は、大気圧および
第2表に示す温度において、第1の系列に導入し
たフロン−13に対して同表に示す割合でフツ化水
素を加え、同表に示す空間速度(計算値)で行つ
た。トラツプ捕集前の生成ガスをガスクロマトグ
ラフイにより分析した結果を同表に示す。
【表】
実施例 5
水酸化クロムをフツ化水素気流中、450℃で処
理して得たクロムオキシフルオライド触媒ペレツ
ト(直径4mm、高さ6mm)300mlを、電気炉に鉛
直に設置した直径1.5インチのハステロイC製パ
イプに充填し、これに水洗塔、アルカリ水溶液洗
浄塔、次いで塩化カルシウム塔を接続した第1系
列に、この第1系列と同様の第2の系列を接続
し、次いで液体酸素で冷却したトラツプを接続し
た。また、第2の系列のハステロイ製パイプの導
入口にフツ化水素供給管を接続した。 この装置を用いて、第1の系列での反応は、
400℃、空間速度40/時間およびフツ化水素/フ
ロン−13の割合(モル比)が4.0の条件で行い、
第2の系列での反応は、400℃、空間速度16/時
間(計算値)およびフツ化水素/(フロン−13+
フロン−14)の割合(モル比)が1の条件で行つ
て高純度のフロン−14を製造した。 トラツプ捕集前の排出ガスをガスクロマトグラ
フイで分析したところフロン−13の割合は2モル
ppmであつた。
理して得たクロムオキシフルオライド触媒ペレツ
ト(直径4mm、高さ6mm)300mlを、電気炉に鉛
直に設置した直径1.5インチのハステロイC製パ
イプに充填し、これに水洗塔、アルカリ水溶液洗
浄塔、次いで塩化カルシウム塔を接続した第1系
列に、この第1系列と同様の第2の系列を接続
し、次いで液体酸素で冷却したトラツプを接続し
た。また、第2の系列のハステロイ製パイプの導
入口にフツ化水素供給管を接続した。 この装置を用いて、第1の系列での反応は、
400℃、空間速度40/時間およびフツ化水素/フ
ロン−13の割合(モル比)が4.0の条件で行い、
第2の系列での反応は、400℃、空間速度16/時
間(計算値)およびフツ化水素/(フロン−13+
フロン−14)の割合(モル比)が1の条件で行つ
て高純度のフロン−14を製造した。 トラツプ捕集前の排出ガスをガスクロマトグラ
フイで分析したところフロン−13の割合は2モル
ppmであつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 クロムオキシフルオライドを触媒とする流通
系にクロロトリフルオロメタンおよびフツ化水素
を通じ、次いで、該流通系から排出されたガスを
酸性物質除去装置に通じた後、クロムオキシフル
オライドを触媒とする流通系にフツ化水素と共に
通じる操作を1回または2回以上行うことを特徴
とする高純度のテトラフルオロメタンの製造法。 2 流通系から排出されたガスを酸性物質除去装
置に通じた後、クロムオキシフルオライドを触媒
とする流通系にフツ化水素と共に通じる操作を1
回行うものである特許請求の範囲第1項記載の製
造法。 3 流通系から排出されたガスを酸性物質除去装
置に通じた後、クロムオキシフルオライドを触媒
とする流通系にフツ化水素と共に通じる操作を2
回行うものである特許請求の範囲第1項記載の製
造法。 4 最初の流通系での反応を、クロロトリフルオ
ロメタン1モルに対しフツ化水素1〜10モルの割
合のガスを用いて行うものである特許請求の範囲
第1〜3項のいずれかに記載の製造法。 5 最初の流通系での反応を温度380〜420℃、圧
力1〜5気圧および空間速度10〜150/時間で行
うものである特許請求の範囲第1〜4項のいずれ
かに記載の製造法。 6 酸性物質除去装置を通じた後に加えるフツ化
水素の割合がクロロフルオロメタンとテトラフル
オロメタンの合量1モルに対し0.2〜10モルであ
る特許請求の範囲第1〜3項のいずれかに記載の
製造法。 7 2回目以後の流通系での反応を温度380〜420
℃、圧力1〜5気圧および空間速度10〜300/時
間で行うものである特許請求の範囲第1〜3項ま
たは第6項のいずれかに記載の製造法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2221879A JPS55113728A (en) | 1979-02-26 | 1979-02-26 | Preparation of high-purity tetrafluoromethane |
US06/124,271 US4264530A (en) | 1979-02-26 | 1980-02-25 | Process for preparing high purity tetrafluoromethane |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2221879A JPS55113728A (en) | 1979-02-26 | 1979-02-26 | Preparation of high-purity tetrafluoromethane |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55113728A JPS55113728A (en) | 1980-09-02 |
JPS6210211B2 true JPS6210211B2 (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=12076656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2221879A Granted JPS55113728A (en) | 1979-02-26 | 1979-02-26 | Preparation of high-purity tetrafluoromethane |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4264530A (ja) |
JP (1) | JPS55113728A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9105166D0 (en) * | 1991-03-12 | 1991-04-24 | Ici Plc | Chemical process |
CN102399126A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-04-04 | 天津市泰源工业气体有限公司 | 精馏与吸附组合提纯制备高纯四氟甲烷的方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2745886A (en) * | 1955-01-31 | 1956-05-15 | Dow Chemical Co | Process for fluorinating aliphatic halohydrocarbons with a chromium fluoride catalyst and process for preparing the catalyst |
US3258500A (en) * | 1959-08-17 | 1966-06-28 | Du Pont | Process for fluorinating halohydro-carbons |
-
1979
- 1979-02-26 JP JP2221879A patent/JPS55113728A/ja active Granted
-
1980
- 1980-02-25 US US06/124,271 patent/US4264530A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55113728A (en) | 1980-09-02 |
US4264530A (en) | 1981-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3818398B2 (ja) | 1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンの製造方法 | |
US3845191A (en) | Method of removing halocarbons from gases | |
JP2843694B2 (ja) | 1,1,1,2−テトラフルオルエタンの製造方法 | |
US3087975A (en) | Process for making halogenated organic compounds | |
US5208395A (en) | Manufacture of hydrofluorocarbons | |
KR102566765B1 (ko) | 시클로부텐의 제조 방법 | |
JPS6210211B2 (ja) | ||
US4102987A (en) | Process for preparing sulfuryl-fluoride and -chlorofluoride products | |
CN107540514A (zh) | 一种六氟乙烷的制备方法 | |
JP4765630B2 (ja) | フッ化カルボニルの製造方法および製造装置 | |
US3131028A (en) | Catalytic oxidation reaction of a hydrogen halide to produce the corresponding halogen in a single stage, homogeneous, vapor phase using no as a catalyst | |
CN1384049A (zh) | 三氟化氮的制备方法 | |
RU2072975C1 (ru) | Способ получения 1,1,1-трифторхлорэтана и 1,1,1,2-тетрафторэтана | |
US3061652A (en) | Preparation of perchlorethylene | |
JP3233310B2 (ja) | 1,1,1,2−テトラフルオロエタンの製造方法 | |
US2417059A (en) | Production of dichlorodifluoromethane | |
JPS59204149A (ja) | ヘキサフルオロアセトン水和物の精製方法 | |
JPS5842849B2 (ja) | 低級パ−フルオロアルカンの製造方法 | |
US3135582A (en) | Production and separation of cyanogen | |
JP2755530B2 (ja) | 含フッ素アルコールの製造方法 | |
KR20210113300A (ko) | 시클로부탄의 제조 방법 | |
CN210764338U (zh) | 一种四氟化碳的合成装置 | |
JPS6127322B2 (ja) | ||
JPH01149739A (ja) | 含水素フルオロクロロアルカンの製造方法 | |
CN103443065B (zh) | 二氟乙酰氯的提纯方法 |