JPS6199101A - 合成樹脂製光学部品の反射防止膜及びその形成方法 - Google Patents
合成樹脂製光学部品の反射防止膜及びその形成方法Info
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- JPS6199101A JPS6199101A JP59221676A JP22167684A JPS6199101A JP S6199101 A JPS6199101 A JP S6199101A JP 59221676 A JP59221676 A JP 59221676A JP 22167684 A JP22167684 A JP 22167684A JP S6199101 A JPS6199101 A JP S6199101A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野 ・
本発明は、カメラ等の光学系(ファインダー。
レンズ等)に用いる合成樹脂製光学部品の反射防止膜及
びその形成方法(=関する。
びその形成方法(=関する。
従来技術
周知のごとく、レンズ、反射鏡、プリズム、ファインダ
ー等の光学部品は通常ガラスを素材として製作されてい
る。ところが、最近では軽量化。
ー等の光学部品は通常ガラスを素材として製作されてい
る。ところが、最近では軽量化。
生産性の向上、精度の向上、コストの低減化等の要請か
ら合成樹脂製光学部品が使用され始めている。
ら合成樹脂製光学部品が使用され始めている。
光学部品に反射防止膜をコーティングする際には、ガラ
スの場合、ガラス基材を数100℃に加熱し、真を蒸着
(二より単層、多層にコーティングすることができる。
スの場合、ガラス基材を数100℃に加熱し、真を蒸着
(二より単層、多層にコーティングすることができる。
ところが、合成樹脂製光学部品の場合1:は、ガラスと
同等の条件でコーティングしようとすると、加熱時に熱
変形、熱分解を生じ、光学部品としては精度上使用でき
ないものとなる。
同等の条件でコーティングしようとすると、加熱時に熱
変形、熱分解を生じ、光学部品としては精度上使用でき
ないものとなる。
そこで、合成樹脂製光学部品に反射防止膜をコーティン
グする方法として、一般に次のごとき手段が採用されて
いる。
グする方法として、一般に次のごとき手段が採用されて
いる。
第1の手段
合成樹脂製光学部品に塗布手段にてプライマーコートと
称するアンダーコート膜を塗膜形成し、その上に反射防
止膜を真空蒸着によりコーティングする方法であり、こ
の方法には、熱硬化法で行なうシリコーンコーティング
(塗膜形成法)とUV硬化法で行なうアクリル系コーテ
ィングとがある。
称するアンダーコート膜を塗膜形成し、その上に反射防
止膜を真空蒸着によりコーティングする方法であり、こ
の方法には、熱硬化法で行なうシリコーンコーティング
(塗膜形成法)とUV硬化法で行なうアクリル系コーテ
ィングとがある。
上記熱硬化法とUV硬化法とを比較した場合、硬化時間
の点ではUV硬化法がより有利である。
の点ではUV硬化法がより有利である。
ところが、現状の所定表面荒さを有する基材に対して、
光学精度上要求されるコーティング膜O21μm以下の
均等膜厚にコーティングするのは不可能に近く、特(:
、再現性、生産性(設備投資、塗膜材料管理、生産機管
理等による歩留り向上)を考慮した場合は極めて困難で
ある。そのために、上記熱硬化法、UV硬化法のいずれ
の場合にも光学精度上要求される均等膜厚を管理してコ
ーティングすることができない。そして、さらにその上
に真空蒸着コーティングする透明誘電体材料(二対して
、シリコーンコーテイング材は、密着性は良好であるが
、熱を付加する硬化法のために基材の形状精嘲が基材の
熱変形や膜の応力変形のため(二悪くなり、膜厚も不均
等で厚くなるため、反射率(透過高)特性が大きく変動
するという問題点があった。
光学精度上要求されるコーティング膜O21μm以下の
均等膜厚にコーティングするのは不可能に近く、特(:
、再現性、生産性(設備投資、塗膜材料管理、生産機管
理等による歩留り向上)を考慮した場合は極めて困難で
ある。そのために、上記熱硬化法、UV硬化法のいずれ
の場合にも光学精度上要求される均等膜厚を管理してコ
ーティングすることができない。そして、さらにその上
に真空蒸着コーティングする透明誘電体材料(二対して
、シリコーンコーテイング材は、密着性は良好であるが
、熱を付加する硬化法のために基材の形状精嘲が基材の
熱変形や膜の応力変形のため(二悪くなり、膜厚も不均
等で厚くなるため、反射率(透過高)特性が大きく変動
するという問題点があった。
他方、アクリル系コーテイング材は、UV硬化時間が数
10秒〜2.3分のため、熱による基材の形状精度低下
は少ないが、厚膜(:よる応力変形。
10秒〜2.3分のため、熱による基材の形状精度低下
は少ないが、厚膜(:よる応力変形。
さらには基本的な反射防止膜で用いる透明誘電体材料と
の密着性が悪いため、剥離が生ずるという大きな問題点
があった。
の密着性が悪いため、剥離が生ずるという大きな問題点
があった。
第2の手段
全て真空蒸着(=よって合成樹脂製光学部品の表面にA
fi20B 、 ZnO1、MgF、 、 SiO
等の透明誘電体膜を形成させる方法である。
fi20B 、 ZnO1、MgF、 、 SiO
等の透明誘電体膜を形成させる方法である。
しかしながら、上記方法の場合(=は、室温8度の低温
雰囲気の中では密着性、成膜耐久性が不十分であり、そ
のために、従来の真空コーティング法では全く不可能で
あり、反射防止膜の成形手段としては利用できないもの
である。
雰囲気の中では密着性、成膜耐久性が不十分であり、そ
のために、従来の真空コーティング法では全く不可能で
あり、反射防止膜の成形手段としては利用できないもの
である。
発明の目的
本発明は、成膜耐久性2合成樹脂製光学部品との密着性
及び耐候性が高く、かつ生産性の高い合成樹脂製光学部
品の反射防止膜とその成形方法を提供しようとするもの
である。
及び耐候性が高く、かつ生産性の高い合成樹脂製光学部
品の反射防止膜とその成形方法を提供しようとするもの
である。
発明の概要
本発明は、合成樹脂製光学部品に第一層とじて形成され
るSi被膜と、前記Si被膜上に第2層として形成され
る5ill膜とにより構成される反射防止膜と、前記反
射防止膜を前処理、真空コーティング処理、後処理によ
り形成する方法とを提供することにより、上記本発明の
目的を達成しようとするものである。
るSi被膜と、前記Si被膜上に第2層として形成され
る5ill膜とにより構成される反射防止膜と、前記反
射防止膜を前処理、真空コーティング処理、後処理によ
り形成する方法とを提供することにより、上記本発明の
目的を達成しようとするものである。
実 施 例
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明
する。
する。
本発明に係る合成樹脂製光学部品の反射防止膜は、光学
部品表面に第1層として形成されるSi被膜とこのSi
被膜上1:第2層として形成されるSiO彼膜とにより
構成されるのであるが、以下、上記構成の反射防止膜を
形成する方法I:ついて説明する。
部品表面に第1層として形成されるSi被膜とこのSi
被膜上1:第2層として形成されるSiO彼膜とにより
構成されるのであるが、以下、上記構成の反射防止膜を
形成する方法I:ついて説明する。
第1工程
射出成形等で成形されたアクリル等の合成樹脂製光学部
品の表面の汚れを洗浄にて十分除去する。
品の表面の汚れを洗浄にて十分除去する。
次に、乾燥機又は恒温槽で表面の成形歪、水分を除去す
るため3〜5 HR5,50〜80℃にて加熱アニール
処理をする。
るため3〜5 HR5,50〜80℃にて加熱アニール
処理をする。
第2工程
第1工程にて処理された合成樹脂製光学部品を第1図に
て示す真空蒸着装置1内に設置し、第1層のSi被膜及
び第2層のSiO被膜を順次蒸着して反射防止膜を形成
する。この第2工程の処理方法(二ついて第1図を用い
て説明する。
て示す真空蒸着装置1内に設置し、第1層のSi被膜及
び第2層のSiO被膜を順次蒸着して反射防止膜を形成
する。この第2工程の処理方法(二ついて第1図を用い
て説明する。
第1図は、真空蒸着装置1の概略縦断面を示すものであ
り、図(:おいて2で示すのはチャンバー。
り、図(:おいて2で示すのはチャンバー。
3で示すのはチャンバー2内を荒引排気又は水引排気す
るための真空排気口、4で示すのはO,、N。
るための真空排気口、4で示すのはO,、N。
又はAr等のガス封入口□、5で示すのはSi蒸着用の
電子銃、6で示すのはSiO蒸着用の抵抗加電極。
電子銃、6で示すのはSiO蒸着用の抵抗加電極。
7で示すのは被コーテイング材である合成樹脂製
i光学部品8を設置するための回転ドームで、回
転軸9を中心として回転することにより合成樹脂製光学
部品8表面≦二電子銃5.抵抗加熱電極からのSt蒸発
粒子1O2SiO蒸発粒子11を真空蒸着(コーティン
グ)しうるように設定構成されている。
i光学部品8を設置するための回転ドームで、回
転軸9を中心として回転することにより合成樹脂製光学
部品8表面≦二電子銃5.抵抗加熱電極からのSt蒸発
粒子1O2SiO蒸発粒子11を真空蒸着(コーティン
グ)しうるように設定構成されている。
12で示すのはヒーターで、チャンバー2内を10“〜
50℃C二加熱しうるようC二なっている。
50℃C二加熱しうるようC二なっている。
上記構成において、まず、第1工程にて洗浄。
アニール処理された合成樹脂製光学部品8を回転ドーム
7(:設置する。この際C;、電子銃5にStを、又抵
抗加熱電極6にSiOを仕掛け、真空排気口3から排気
を行なうととも1:、チャンバー2内をヒーター12を
介して10〜50℃に加熱する。そして、加熱と排気と
を同時1:行ないながらチャン六−2内の到達真空度が
5 X 10”” Torr Cなるまで真空排気を行
なう。
7(:設置する。この際C;、電子銃5にStを、又抵
抗加熱電極6にSiOを仕掛け、真空排気口3から排気
を行なうととも1:、チャンバー2内をヒーター12を
介して10〜50℃に加熱する。そして、加熱と排気と
を同時1:行ないながらチャン六−2内の到達真空度が
5 X 10”” Torr Cなるまで真空排気を行
なう。
チャンバー2内が上記到達真空度(−達した時点で、S
iを電子銃5を介してガス出しくSiの内部のガスを抜
きとること)を行ない、ガス出しの完了後に、O2をガ
ス封入口4から1〜3 X 10−’ Torrになる
まで導入する。そして、O2イオンで1〜10分間プレ
スパツタして合成樹脂製光学部品8表面の汚れ(コンタ
ミ)を除去するとともC二表面改質を行なう。合成樹脂
製光学部品8の表面をO2イオン(二てプレスパツタす
ると、プレスパツタ後の分光反射率特性をグラフ化した
第2図にて示すごとく表面反射率が時間の経過とともに
上り、表面改質が行なわれることが理解できる。即ち、
図において、実線13で示すグラフ図は、プレスパツタ
しない場合の反射率を示し、第1の破1114と第2の
破線15とで示す各グラフ図は、それぞれ3分、5分経
過時の反射率(罰を示すものであるが、図の測定結果か
ら明らかなごとく、表面反射率が時間の経過とともに向
上し、表面改質が行なわれているのが判断できる。なお
、第2図中、横軸は波長(nm)を示し、縦軸は反射率
(係)を示している。また、表面反射率は長時間プレス
パツタすればさら(:上るのではなく、逆に、長時間プ
レスパツタして処理しすぎると表面がエツチングしたよ
うに荒れを生じたり、合成樹脂が分解作用をおこしたり
するので、プレスパツタを長時間性なわない必要がある
。
iを電子銃5を介してガス出しくSiの内部のガスを抜
きとること)を行ない、ガス出しの完了後に、O2をガ
ス封入口4から1〜3 X 10−’ Torrになる
まで導入する。そして、O2イオンで1〜10分間プレ
スパツタして合成樹脂製光学部品8表面の汚れ(コンタ
ミ)を除去するとともC二表面改質を行なう。合成樹脂
製光学部品8の表面をO2イオン(二てプレスパツタす
ると、プレスパツタ後の分光反射率特性をグラフ化した
第2図にて示すごとく表面反射率が時間の経過とともに
上り、表面改質が行なわれることが理解できる。即ち、
図において、実線13で示すグラフ図は、プレスパツタ
しない場合の反射率を示し、第1の破1114と第2の
破線15とで示す各グラフ図は、それぞれ3分、5分経
過時の反射率(罰を示すものであるが、図の測定結果か
ら明らかなごとく、表面反射率が時間の経過とともに向
上し、表面改質が行なわれているのが判断できる。なお
、第2図中、横軸は波長(nm)を示し、縦軸は反射率
(係)を示している。また、表面反射率は長時間プレス
パツタすればさら(:上るのではなく、逆に、長時間プ
レスパツタして処理しすぎると表面がエツチングしたよ
うに荒れを生じたり、合成樹脂が分解作用をおこしたり
するので、プレスパツタを長時間性なわない必要がある
。
次(=、O2封入量を5 X 10−s〜I X 10
−’ Torrとなるように設定し、電子銃5の01反
応性蒸着でSiを合成樹脂製光学部材8表面に機械的膜
厚5〜20nm蒸着する。
−’ Torrとなるように設定し、電子銃5の01反
応性蒸着でSiを合成樹脂製光学部材8表面に機械的膜
厚5〜20nm蒸着する。
その後、8 X IF’ 〜3 X 10−’ Tor
r −二なるまで0、を導入し、O,プラズマ中でSi
Oを抵抗加熱電極6を介して蒸着する。
r −二なるまで0、を導入し、O,プラズマ中でSi
Oを抵抗加熱電極6を介して蒸着する。
なお、上記蒸着中は、チャンバー2内をヒーター12を
介して10〜50℃(二保持設定しておく。
介して10〜50℃(二保持設定しておく。
第3工程
蒸着により合成樹脂製光学部品8に第1層としてSi被
膜を形成し、その後に第2層としてSiO被膜を形成し
た後、真空徐冷な10〜30分行ない、その後に大気を
入れて大気リークする。
膜を形成し、その後に第2層としてSiO被膜を形成し
た後、真空徐冷な10〜30分行ない、その後に大気を
入れて大気リークする。
第4工程
大気にもどした後C二、蒸着を完了した合成樹脂1
表光学部88を・乾燥機(1示省略)又)11槽
(図示省略)を介して40〜70℃ζ;て5〜12HR
Sエージングする。これにより、成膜歪を除去するとと
もに成膜硬度も助長することができる。
表光学部88を・乾燥機(1示省略)又)11槽
(図示省略)を介して40〜70℃ζ;て5〜12HR
Sエージングする。これにより、成膜歪を除去するとと
もに成膜硬度も助長することができる。
第5工程
エージング後、自然冷却させて常温にもどす。
以上の工程で、合成樹脂製光学部品8表面に2層構造の
反射防止膜を形成することができるものである。特に、
本発明によれば、真空蒸着前に合成樹脂製光学部品8を
アニール処理すること(二より成形応力による歪を除去
することができ、又、まず第1層として密着性、耐久性
、耐候性の優れた5iil膜を蒸着し、次に第2層とし
て反射防止膜及び硬化膜としての機能を保有するSiO
被膜を蒸着して反射防止膜を形成させているので、合成
樹脂製光学部品8との密着性の良好な(従って、剥離し
にくい)、かつ耐久性、耐候性、硬度性の優れた反射防
止膜を形成することができるものである。
反射防止膜を形成することができるものである。特に、
本発明によれば、真空蒸着前に合成樹脂製光学部品8を
アニール処理すること(二より成形応力による歪を除去
することができ、又、まず第1層として密着性、耐久性
、耐候性の優れた5iil膜を蒸着し、次に第2層とし
て反射防止膜及び硬化膜としての機能を保有するSiO
被膜を蒸着して反射防止膜を形成させているので、合成
樹脂製光学部品8との密着性の良好な(従って、剥離し
にくい)、かつ耐久性、耐候性、硬度性の優れた反射防
止膜を形成することができるものである。
上記反射防止膜を形成した合成樹脂製光学部品8の耐久
性、耐候性、形状精度の評価結果を下表C二示す。なお
、合成樹脂基材としてはPMMA 、 CR−39,P
C,AS、 PS、 PSF並びCBK−7(ガラス基
材)の各基材を用いた。又、評価結果の良好な場合には
○印を付しである。
性、耐候性、形状精度の評価結果を下表C二示す。なお
、合成樹脂基材としてはPMMA 、 CR−39,P
C,AS、 PS、 PSF並びCBK−7(ガラス基
材)の各基材を用いた。又、評価結果の良好な場合には
○印を付しである。
表に示すごとく結果は全て良好であり、特に吸水性の小
さい樹脂は効果が大きかった。又、形状精度に関しては
コーティング前に対するコーテイング後の影響を測定し
た結果であり、又、ヒートサイクル(I)、ヒートサイ
クル(■)、温湿度テストに関しては耐クラツク性と形
状精度変化をみた結果である。表に示すとおり、全ての
基材1ニクラツクの発生は生じなかった。
さい樹脂は効果が大きかった。又、形状精度に関しては
コーティング前に対するコーテイング後の影響を測定し
た結果であり、又、ヒートサイクル(I)、ヒートサイ
クル(■)、温湿度テストに関しては耐クラツク性と形
状精度変化をみた結果である。表に示すとおり、全ての
基材1ニクラツクの発生は生じなかった。
第3図に反射率の測定結果を示す。図において横軸は波
長(nm)を示しており、縦軸は反射率(係)を示す。
長(nm)を示しており、縦軸は反射率(係)を示す。
図中、破線で示すグラフ16は、樹脂単体の場合、即ち
コーティングなしの場合の反射率を示し、3.71であ
った。これに対して、実線で示すグラフ17は、合成樹
脂基材をO2イオンでプレスパツタし、その後に表面に
Siを蒸着し、次いでSiOを蒸着して被膜形成させた
場合の反射率を示すものであり、図から明らかなように
、樹脂単体の場合に比してかなり反射率が低くなってい
る。
コーティングなしの場合の反射率を示し、3.71であ
った。これに対して、実線で示すグラフ17は、合成樹
脂基材をO2イオンでプレスパツタし、その後に表面に
Siを蒸着し、次いでSiOを蒸着して被膜形成させた
場合の反射率を示すものであり、図から明らかなように
、樹脂単体の場合に比してかなり反射率が低くなってい
る。
周知のように、カメラ用レンズのごとき光学部品は、可
視領域での反射は小さい方がよいので、第3図の測定結
果より、本発明によれば反射率の点においてもより良好
な光学部品を得ることができるのである。
視領域での反射は小さい方がよいので、第3図の測定結
果より、本発明によれば反射率の点においてもより良好
な光学部品を得ることができるのである。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、次のような効果を奏す
ることができる。
ることができる。
(1)反射防止膜の密着性、耐久性が優れ、膜が剥れた
りすることがない。
りすることがない。
(2)反射防止膜の耐候性が優れ、特(:、クラック発
生が全くない。
生が全くない。
(3) DIPコートがなく、又、高温加熱C;よる
真空蒸着コートをしないので、樹脂基材の形状精度が維
持できる。
真空蒸着コートをしないので、樹脂基材の形状精度が維
持できる。
(4)DIPコートがないので、大規模な設備投資が必
要ない。又、DIP液管理等の湿式における複雑な工程
管理1ニカを入れる必要がなく、真空コーティング範囲
のみの条件確認のみでよいので、品質管理が徹底できる
。
要ない。又、DIP液管理等の湿式における複雑な工程
管理1ニカを入れる必要がなく、真空コーティング範囲
のみの条件確認のみでよいので、品質管理が徹底できる
。
(5)真空コーティングのため、クリーン性も優れてお
り、容易に1産システム化を図ることができる。
り、容易に1産システム化を図ることができる。
第1図は本発明に係る反射防止膜の蒸着装置の概略縦断
面図、第2図及び第3図は本発明に係る反射防止膜の測
定結果を示すグラフ図である。 5・・・・・・電子銃 6・・・・・・抵抗加熱電極 7・・・・・・回転ドーム 8・・・・・・合成樹脂製光学部品 10・・・・・・Si蒸発粒子 11・・・・・・SiO蒸発粒子 12・・・・・・ヒーター 吋 手続補正書く自発) 昭和60年4月2日 昭和59年特許願第221676号 2、発明の名称 合成IIA脂製光学部品の反射防止膜及びその形成方法
3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都渋谷区幡ケ谷2丁目43番2号名 称
(037) オリンパス光学工業株式会社取締
役社長 下 山 敏 部 4、代理人 6、補正の対象 pn、 4.3.1 J 7、補正の内容 (1)明細書第9頁第12行目に記載する’5 X I
O−5Tarr」を’5XIO−らTorr−I X
10−5Torrpと補正する。 (2)明細書第1O頁第11行目に記載する「向上し」
を「上昇し、と補正する。 (3)明細書第14頁第15行目に記載する13.7%
1を「3.7%〜3.8%ヨと補正する。 (4)図面中箱2図及び第3図を別紙の通り補正する。 8、添付書類の目録
面図、第2図及び第3図は本発明に係る反射防止膜の測
定結果を示すグラフ図である。 5・・・・・・電子銃 6・・・・・・抵抗加熱電極 7・・・・・・回転ドーム 8・・・・・・合成樹脂製光学部品 10・・・・・・Si蒸発粒子 11・・・・・・SiO蒸発粒子 12・・・・・・ヒーター 吋 手続補正書く自発) 昭和60年4月2日 昭和59年特許願第221676号 2、発明の名称 合成IIA脂製光学部品の反射防止膜及びその形成方法
3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都渋谷区幡ケ谷2丁目43番2号名 称
(037) オリンパス光学工業株式会社取締
役社長 下 山 敏 部 4、代理人 6、補正の対象 pn、 4.3.1 J 7、補正の内容 (1)明細書第9頁第12行目に記載する’5 X I
O−5Tarr」を’5XIO−らTorr−I X
10−5Torrpと補正する。 (2)明細書第1O頁第11行目に記載する「向上し」
を「上昇し、と補正する。 (3)明細書第14頁第15行目に記載する13.7%
1を「3.7%〜3.8%ヨと補正する。 (4)図面中箱2図及び第3図を別紙の通り補正する。 8、添付書類の目録
Claims (8)
- (1)合成樹脂製光学部品基材に第1層として被膜形成
されるSi被膜と、前記Si被膜上に第2層として被膜
形成されるSiO被膜とよりなる合成樹脂製光学部品の
反射防止膜。 - (2)合成樹脂製光学部品をアニール処理した後ガスイ
オンでプレスパッタ処理し、しかる後にSi被膜を第1
層として形成し、しかる後にSiO被膜を第2層として
形成し、しかる後に後処理することを特徴とする合成樹
脂製光学部品の反射防止膜形成方法。 - (3)前記アニール処理は、合成樹脂製光学部品を洗浄
処理後、50〜80℃にて3〜5HRS乾燥機又は恒温
槽で処理されることを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の合成樹脂製光学部品の反射防止膜形成方法。 - (4)前記ガスイオンによるプレスパッタ処理は、O_
2、Ar又はN_2の各単体ガス又はそれらの混合ガス
のうちの少なくとも1種のガスイオンにて処理されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の合成樹脂製
光学部品の反射防止膜形成方法。 - (5)前記Si被膜は、真空槽内にO_2、N_2等の
反応性ガスを導入し、その雰囲気中にて反応蒸着させて
被膜することを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の
合成樹脂製光学部品の反射防止膜形成方法。 - (6)前記Si被膜は、合成樹脂製光学部品を真空中で
10〜50℃に加熱して被膜形成することを特徴とする
特許請求の範囲第2項記載の合成樹脂製光学部品の反射
防止膜形成方法。 - (7)前記SiO被膜は、O_2プラズマ中で反応蒸着
することにより被膜形成することを特徴とする特許請求
の範囲第2項記載の合成樹脂製光学部品の反射防止膜形
成方法。 - (8)前記後処理は、前記第一層、第2層の被膜形成後
に大気リークして取出した後、乾燥機又は恒温槽で50
〜70℃にて5〜12HRSエージングする処理である
ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の合成樹脂
製光学部品の反射防止膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59221676A JPS6199101A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 合成樹脂製光学部品の反射防止膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59221676A JPS6199101A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 合成樹脂製光学部品の反射防止膜及びその形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6199101A true JPS6199101A (ja) | 1986-05-17 |
Family
ID=16770523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59221676A Pending JPS6199101A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 合成樹脂製光学部品の反射防止膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6199101A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011093235A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | オリンパス株式会社 | 光学部品の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP59221676A patent/JPS6199101A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011093235A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | オリンパス株式会社 | 光学部品の製造方法 |
JPWO2011093235A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2013-06-06 | オリンパス株式会社 | 光学部品の製造方法 |
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