JPS6197954A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6197954A
JPS6197954A JP59218457A JP21845784A JPS6197954A JP S6197954 A JPS6197954 A JP S6197954A JP 59218457 A JP59218457 A JP 59218457A JP 21845784 A JP21845784 A JP 21845784A JP S6197954 A JPS6197954 A JP S6197954A
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JP
Japan
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lead
melting point
leads
low melting
point glass
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JP59218457A
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English (en)
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Toru Kobayashi
徹 小林
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、半導体装置、特に高集積化した半導体装置の
電極構造に適用して有効な技術に関するものである。
［背景技術］ 近年の電子機器の小型化に伴い、半導体装置にもさらに
高集積化が要求されつつある。
このような半導体装置の高集積化の要求に応えるものと
して、ひとつのパッケージに複数のペレットを搭載する
いわゆるマルチチップ型の半導体装置がある。
このマルチチップ型のように、高度に集積化した半導体
装置では、信号の取り出し等も複雑化してくるため、実
装基板等との電気的接続にあたっては多数の外部電極が
必要となる。
しかし、半導体装置は高集積化するほど多くの熱を発生
するため、パッケージにヒートシンク等の放熱構造を付
加することが必要不可欠となってくる。つまり、集積度
が更に高まった場合、ヒートシンク等の放熱構造にスペ
ースを取られ、外部電極の電極数が不足してくる恐れが
あることが本発明者によって指摘されたのである。
この点につき、リードもしくはピンを微細化して対処す
ることも考えられるが、リードもしくはピンの微細化に
も限界があり、もし技術的に可能であったとしても、強
度および電気的接続の偉績性が低下することが必至であ
ることが、さらに本発明者によって明らかにされた。
なお、マルチチップ型の半導体装置の実装技術として詳
しく述べである例としては、株式会社サイエンスフォー
ラム、昭和５８年１１月２８日発行［超ＬＳＩデバイス
ハンドブックＪ、Ｐ２３２〜Ｐ２４６がある。
［発明の目的］ 本発明の目的は高度に集積化した半導体装置の外部電極
数を確保し、実装基板等との信頬性の高い電気的接続を
行うことのできる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は半導体装置の高集積化を可能にする
ことができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、リードを電気的絶縁層を介して多重に設ける
ことによって外部電極数を増加し、高度に集積化した半
導体装置においても必要な外部電極数を確保するととも
に半導体装置の超高集積化を可能にするものである。
［実施例〕 第１図は本発明による一実施例である半導体装置を示す
部分断面図である。
本実施例の半導体装置１は、いわゆるガラス封止型半導
体装置であり、アルミナ等からなる基板２の中央部にシ
リコンまたはソリコンカーバイドを主成分とするマザー
チップ３が半田もしくは金、銀等のペースト４で取付け
られている。マザーチップ３の表面には複数のペレット
５がバンプ電価６を介していわゆるフェースダウンポン
ディングにより取付けられている。また基板２の周囲表
面には低融点ガラス７ａによって第１リード８ａが取付
けられており、該第１リード８ａ上には低融点ガラス７
ｂによってシリコンカーバイドを主成分とする層９ａが
設けられている。該シリコンカーバイドを主成分とする
層９ａの上面には低融点ガラス７ｃによって第２リード
８ｂが取付けられており、さらにこの上には低融点ガラ
ス７ｄによってシリコンカーバイド層９ｂが設けられ、
このノリコンカーバイド層９ｂ上には低融点ガラス７ｅ
によって第３リード８ｃが取付けられている。
第１、第２および第３リード３ａ、１３ｂ、ｇｃのイン
ナーリード側は各々その先端表面が露出するように段差
をもって取付けられており、各露出部１８　ａ、　　１
８　ｂ、　　１８　ｃはマザーチップ上に設けられた複
数のポンディングパッド１０と金等のワイヤ１１を用い
て各々電気的に接続されている。
リード８ａ、８ｂ、　　８ｃのアウターリードの先端は
、実装基板への面付は実装のために、図形の形状とされ
る。すなわち、ピングリントアレイ型半導体装１のよう
にパッケージの底面方向に複数列のリードを配設し、か
つ、面付は実装を可能とするものである。フラットバン
クパッケージのようにピンを細くしなくとも多数のリー
ドを形成できる。
また、該基板２の表面は第３リード８ｃ上に低融点ガラ
ス７ｆを介して取付けられたキャンプ１２により気密封
止されており、一方、基板２の裏面側にはアルミニウム
等からなるヒートシンクとしての放熱フィン１３がろう
材１４により取付けられている。
上記シリコンカーバイドを主成分とする部分３゜９ａお
よび９ｂは、ホントプレスによって所望の形状の板状物
として形成されたものを用いる。この板状物は、特開昭
５７−２５９１号公報に示される、０．１〜３．５重量
％のベリリウムを含むシリコンカーバイドの焼結体であ
る。この焼結体は電気絶縁性、熱伝導性に優れ、シリコ
ンに近似の熱膨張係数を有し、また、機械的強度が大き
いという特徴を持つ。
このように本実施例によれば、リード８ａ、８ｂ、８ｃ
を多重に取付けることにより、外部リードのリード本数
を増やすことができ、高集積化した半導体装置において
も必要な外部電極数を確保することができ、さらに超高
集積化を可能にすることができる。
また、高熱伝導性であるのでベレー／　）や多数のリー
ドからの放熱を促進し、かつリード間の絶縁を良好に行
うことができる。この絶縁構造は板状のシリコンカーバ
イドを主成分とする層を積層するだけで簡単に得ること
ができ、製造工程上有利である。特に、リードを実装基
板に挿入することなく、リード面を実装基板上の導体層
に相対するように接着する面付は実装用のリードを簡単
にパッケージに取り付けることができる。
［効果］ （１）、リードを電気的絶縁層を介して多重に設けるこ
とにより、リード本数を増加することができ、高集積化
した半導体装置であっても必要な外部電極数を確保する
ことができる。
ｆ２＋、　＋１１より半導体装置の集積度をさらに高め
ることができる。
＋３１．　ｆｉ＋より、リードピッチを小さくすること
なくリード本数を増加させることが可能となるため、電
気的接続に関して信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、実施例では、リードを３重に設けた場合につ
いて述べたが、これに限らず、２重または４重以上に設
けたものであワてもよい。
また、複数のペレットを搭載した半導体装置について述
べたが、単一のペレットを搭載した半導体装置であって
もよい。
さらに、ヒートシンクとしては放熱フィンについてのみ
説明したが、これに限定されるものでないこともいうま
でもない。
［利用分野］ 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である、いわゆるフラット
パッケージ型半導体装置に適用した場合について説明し
たが、これに限定されるものではなく、たとえばデュア
ルインラインパフケージ型等の他の型の半導体装置につ
いても適用して有効な技術に関するものである。
さらに、ガラス封止以外の他の封止方法によるパッケー
ジ、たとえばレジンモールドパッケージ等の半導体装置
について適用しても有効な技術に関するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による一実施例である半導体装置を示
す部分断面図である。 １・・・半導体装置、２・・・基板、３・・・マザーチ
ップ、４・・・ペースト、５・・・ペレット、６・・・
バンプ電極、７ａ、７ｂ、７ｃ。 ７ｄ、７ｅ、１１・・・低融点ガラス、８ａ・・・第１
　Ｕ−ド、８ｂ・・・第２リード、８Ｃ・・・第３リー
ド、９ａ、９ｂ・・・シリコンカーバイド層、１０・・
・ポンディングパッド、１１・・・ワイヤ、１２・・・
キャップ、１３・・・放熱フィン、１４−−　・ろう材
、１８ａ、１８ｂ。 第　　１　　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、面付け実装用のリードが電気的絶縁層を介して多重
    に設けられていることを特徴とする半導体装置。 ２、電気的絶縁層がシリコンカーバイドを主成分とする
    層からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    の半導体装置。 ３、半導体装置が二以上のペレットを搭載していること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
    半導体装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6444648U (ja) * 1987-09-10 1989-03-16
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