JPS6197833A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6197833A JPS6197833A JP22002484A JP22002484A JPS6197833A JP S6197833 A JPS6197833 A JP S6197833A JP 22002484 A JP22002484 A JP 22002484A JP 22002484 A JP22002484 A JP 22002484A JP S6197833 A JPS6197833 A JP S6197833A
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- JP
- Japan
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- resist
- film
- film thickness
- thinnest
- solution
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ウェハのフォトレジストを除去する液
の化学反応の能力を簡易に判断する方法に関するもので
ある。
の化学反応の能力を簡易に判断する方法に関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点
半導体ウェハのフォトレジストを除去する方法は、通常
、一定の時間、一定のウェハー数を、フォトレジスト除
去液に浸たすものである。しかし、除去されるレジスト
の量はいつも一定とはならないため、レジスト除去液の
劣化現象を正確に排握して、安定した工程を確立するた
めに、レジスト除去液の化学反応能力を、正確に確認す
る必要がある。
、一定の時間、一定のウェハー数を、フォトレジスト除
去液に浸たすものである。しかし、除去されるレジスト
の量はいつも一定とはならないため、レジスト除去液の
劣化現象を正確に排握して、安定した工程を確立するた
めに、レジスト除去液の化学反応能力を、正確に確認す
る必要がある。
発明の目的
本発明は最も簡便かつ正確な方法を提供するものである
。
。
発明の構成
本発明は、異なる膜厚のフォトレジストを単一半導体ウ
ェハ上に形成し、同半導体ウェハ上のフォトレジストを
除去する液で処理する工程をそなえた半導体装置の製造
方法であり、これにより、フォトレジストを除去する液
の処理能力を遂−把握することが可能である。
ェハ上に形成し、同半導体ウェハ上のフォトレジストを
除去する液で処理する工程をそなえた半導体装置の製造
方法であり、これにより、フォトレジストを除去する液
の処理能力を遂−把握することが可能である。
実施例の説明
本発明を実施例により詳しくのべる。
第１図の断面図に示す様な、半導体ウェハー１に厚みの
異なるレジスト２を塗布したものを準備し、調べるべき
除去液に一定時間浸すことによって、液の反応能力を確
認する。ここで、最も薄いレジスト膜厚を、半導体製造
工程で使用する膜厚と同じにする。一定時間浸した後、
観察し、第２図の断面図のように、最も薄い膜厚のみが
除去され、他の異なった膜厚のレジスト２の一部が残っ
た場合に、このレジスト除去液は、除去能力がなくなっ
たと判断する。本発明においては、あらかじめ、レジス
ト膜厚とレジスト除去液のエツチング速度の′関係を求
めておくことにより、最低膜厚の数値を設定することが
可能である。
異なるレジスト２を塗布したものを準備し、調べるべき
除去液に一定時間浸すことによって、液の反応能力を確
認する。ここで、最も薄いレジスト膜厚を、半導体製造
工程で使用する膜厚と同じにする。一定時間浸した後、
観察し、第２図の断面図のように、最も薄い膜厚のみが
除去され、他の異なった膜厚のレジスト２の一部が残っ
た場合に、このレジスト除去液は、除去能力がなくなっ
たと判断する。本発明においては、あらかじめ、レジス
ト膜厚とレジスト除去液のエツチング速度の′関係を求
めておくことにより、最低膜厚の数値を設定することが
可能である。
発明の効果
レジスト膜厚とレジスト除去液によるレジストエッチ時
間の関係を求めておくことにより、厚みの異なるレジス
ト膜のうち最小の膜厚のレジストと他の膜厚のレジスト
を比較することにより、レジスト除去液のエツチング能
力を容易に知ることができる。
間の関係を求めておくことにより、厚みの異なるレジス
ト膜のうち最小の膜厚のレジストと他の膜厚のレジスト
を比較することにより、レジスト除去液のエツチング能
力を容易に知ることができる。
第１図は本発明実施例の初期段階のサンプル断面図、第
２図は同終了段階のサンプルの断面図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・厚みの異
なるフォトレジスト。 第１図
２図は同終了段階のサンプルの断面図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・厚みの異
なるフォトレジスト。 第１図
Claims (1)
- 異なる膜厚のフォトレジストを単一半導体ウェハ上に
形成し、同半導体ウェハ上のフォトレジストを除去する
液で処理する工程をそなえたことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22002484A JPS6197833A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22002484A JPS6197833A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197833A true JPS6197833A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16744736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22002484A Pending JPS6197833A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197833A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100342480B1 (ko) * | 2000-07-29 | 2002-06-28 | 김도열 | 상이한 깊이를 가진 박막층에 의한 3차원 실리콘 웨이퍼제조 방법 |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP22002484A patent/JPS6197833A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100342480B1 (ko) * | 2000-07-29 | 2002-06-28 | 김도열 | 상이한 깊이를 가진 박막층에 의한 3차원 실리콘 웨이퍼제조 방법 |
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