JPS6197185A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS6197185A JPS6197185A JP21657184A JP21657184A JPS6197185A JP S6197185 A JPS6197185 A JP S6197185A JP 21657184 A JP21657184 A JP 21657184A JP 21657184 A JP21657184 A JP 21657184A JP S6197185 A JPS6197185 A JP S6197185A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz tube
- melting zone
- single crystal
- crystal
- zone
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フローティングゾーン法(以下?Z法と略記
)の自動制御による単結晶の製造方法に関する。 − 〔従来の技術〕 従来の72装置は、実公昭51−22894に示す如く
、単純な円筒形状の石英管を使用し、結晶の自動制御は
行なわれていない。そこで発明者は既に特願昭58−1
81214に示す如く、ラインセンサあるいはエリアセ
ンサを用いてランプパワー、溶融帯の高さにフィードバ
ックをかける単結晶の製造方法を出願している。
)の自動制御による単結晶の製造方法に関する。 − 〔従来の技術〕 従来の72装置は、実公昭51−22894に示す如く
、単純な円筒形状の石英管を使用し、結晶の自動制御は
行なわれていない。そこで発明者は既に特願昭58−1
81214に示す如く、ラインセンサあるいはエリアセ
ンサを用いてランプパワー、溶融帯の高さにフィードバ
ックをかける単結晶の製造方法を出願している。
従来の72装置では、自動制御機栴を備えていない為、
装置の監視が不可欠であり、コストアップの要因となっ
ていた。又発明者による特願昭58−181214にお
いても、石英管表面からの元の乱反射があり、溶融帯の
画像信号に、ノイズが入る為、自動制御にミスが発生す
るという問題点を有する。
装置の監視が不可欠であり、コストアップの要因となっ
ていた。又発明者による特願昭58−181214にお
いても、石英管表面からの元の乱反射があり、溶融帯の
画像信号に、ノイズが入る為、自動制御にミスが発生す
るという問題点を有する。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、Fz装置を長時間(50時間
以上)自動運転し、良質な単結晶を得ることにある。
その目的とするところは、Fz装置を長時間(50時間
以上)自動運転し、良質な単結晶を得ることにある。
本発明の単結晶の製造方法は、ハロゲンランプ等の高温
の光源から発する光を、反射鏡、又はレンズを用いて集
光し、該集光部において、原料棒と種結晶とを、溶融帯
を仲介として接合して、フローティングゾーンを形成し
、ラインセンサあるいはエリアセンサを用いて、該溶融
帯の直径、高さ、外形形状等を測足し、これをランプパ
ワー、あるいは?J?a帯の高さにフィードバックしつ
つ、前記原料棒、溶融帯、種結晶を一定速度で移動する
ことにより、種結晶上に結晶を析出させるIPz法にお
いて、ラインセンサあるいはエリアセンサと対向する部
分に孔を設けた石英管を用いて結晶育成を行なうことを
”特徴とする。
の光源から発する光を、反射鏡、又はレンズを用いて集
光し、該集光部において、原料棒と種結晶とを、溶融帯
を仲介として接合して、フローティングゾーンを形成し
、ラインセンサあるいはエリアセンサを用いて、該溶融
帯の直径、高さ、外形形状等を測足し、これをランプパ
ワー、あるいは?J?a帯の高さにフィードバックしつ
つ、前記原料棒、溶融帯、種結晶を一定速度で移動する
ことにより、種結晶上に結晶を析出させるIPz法にお
いて、ラインセンサあるいはエリアセンサと対向する部
分に孔を設けた石英管を用いて結晶育成を行なうことを
”特徴とする。
第1図は本発明の実施例における?2装置の正面図であ
る。
る。
1は回転楕円面鏡、2はノ・ロゲレランプ、3&ま石英
管、4はガス導入口、5はガス排出口、6&ま原料棒、
7は種結晶、8は溶融帯、9は上部シャフト、10は下
部シャフト、11はレンズ(含プリズム)、12はノ1
−7ミラー、15はラインセンサ(又はエリアセンサ)
、14はスクリーンである。
管、4はガス導入口、5はガス排出口、6&ま原料棒、
7は種結晶、8は溶融帯、9は上部シャフト、10は下
部シャフト、11はレンズ(含プリズム)、12はノ1
−7ミラー、15はラインセンサ(又はエリアセンサ)
、14はスクリーンである。
11sシヤフト9に、原料棒6をセットし、下部シャフ
ト10に種結晶7をセットする。次にノ・ロゲンランプ
2のパワーを上げ、回転楕円面鏡1により該ハロゲンラ
ンプの光を石英管5の中央部に集光する。この時ガス導
入口4から雰囲気ガスを導入し、ガス排出口5から雰囲
気ガスを排出する。集光部において、原料棒6の先端と
、種結晶7の先端とを溶融接触させて、浴融帯8を形成
する。この時上部シャフト9及び下部シャフト10番ま
、同方向ないしは逆方向に回転させ、上下のシャフトを
同時に下方へ移動することにより結晶を育成する。結晶
の育成状況はレンズ11を経て、スクリーン14上で随
時監視し、ノS−7ミラー12を経て、センサ13へ入
射する画像を処理して、ランプパワーあるいは溶融帯の
高さへフィードバックして自動制御を行なう。
ト10に種結晶7をセットする。次にノ・ロゲンランプ
2のパワーを上げ、回転楕円面鏡1により該ハロゲンラ
ンプの光を石英管5の中央部に集光する。この時ガス導
入口4から雰囲気ガスを導入し、ガス排出口5から雰囲
気ガスを排出する。集光部において、原料棒6の先端と
、種結晶7の先端とを溶融接触させて、浴融帯8を形成
する。この時上部シャフト9及び下部シャフト10番ま
、同方向ないしは逆方向に回転させ、上下のシャフトを
同時に下方へ移動することにより結晶を育成する。結晶
の育成状況はレンズ11を経て、スクリーン14上で随
時監視し、ノS−7ミラー12を経て、センサ13へ入
射する画像を処理して、ランプパワーあるいは溶融帯の
高さへフィードバックして自動制御を行なう。
第2図に本発明の自動制御システムのブロック図を示す
。
。
21は光学系、22はセンサ部、23はコントローラ部
、24はキー人力部、25はAD変換器、26はDA変
換器、27は表示部、28はプリンタ一部、29はラン
プパワーコントロール部、30はギヤツブ調葺部である
。
、24はキー人力部、25はAD変換器、26はDA変
換器、27は表示部、28はプリンタ一部、29はラン
プパワーコントロール部、30はギヤツブ調葺部である
。
溶融帯の像は光学系21を経て、センナ部22に到達し
、コントローラ部25で演算処理される。処理された信
号は、AD変換器25を経て、うy7’パワーコントロ
ール部29でランプパワーを1’?Q N3し、溶融帯
の温度を制御する。あるいはギャップaS部30で溶融
帯の高さを制御する。
、コントローラ部25で演算処理される。処理された信
号は、AD変換器25を経て、うy7’パワーコントロ
ール部29でランプパワーを1’?Q N3し、溶融帯
の温度を制御する。あるいはギャップaS部30で溶融
帯の高さを制御する。
ランプパワーあるいはギャップはDA変換器26を経て
、コントローラ部23に再度フィート。
、コントローラ部23に再度フィート。
バックする。
一方キー人力部24では初期の各種定数をインプットし
、表示s27はその時のランプノくワー等を表示する。
、表示s27はその時のランプノくワー等を表示する。
更にプリンタ一部28では所定の時間毎にランプパワー
、溶融帯径、溶融帯の高さ等をプリントアウトする。
、溶融帯径、溶融帯の高さ等をプリントアウトする。
第5図に本発明の実施例における?2装置の部分側面図
を示す。
を示す。
31は回転楕円面鏡、35は孔αを設けた石英管、36
は原料棒、37は種結晶、58は溶融帯、41はレンズ
である。
は原料棒、37は種結晶、58は溶融帯、41はレンズ
である。
溶融帯38の像は、孔αを経てレンズ41に到達し、更
に光学系を経てセンサ部に結像する。
に光学系を経てセンサ部に結像する。
以上述べたように本発明によれば、溶融帯の状況を、石
英管に設けた孔を経て直接セ杷すヘ樽入して信号処理を
行ない、ランプパワーあるいは溶融帯にフィードバック
しながら結晶育成を行なう為、信号のSN比が大巾に向
上し、50時間以上にわたって安定した結晶育成が行な
えるという効果を有する。更に自動制御で結晶育成を行
なった場合、パワーの増減を微妙(0,1〜1.0ワッ
ト単位)にコントロールする為、手動の場合(2〜5ワ
ット単位]に比較して、色調が均一で、しかも結晶欠陥
が少ないという効果を有する。
英管に設けた孔を経て直接セ杷すヘ樽入して信号処理を
行ない、ランプパワーあるいは溶融帯にフィードバック
しながら結晶育成を行なう為、信号のSN比が大巾に向
上し、50時間以上にわたって安定した結晶育成が行な
えるという効果を有する。更に自動制御で結晶育成を行
なった場合、パワーの増減を微妙(0,1〜1.0ワッ
ト単位)にコントロールする為、手動の場合(2〜5ワ
ット単位]に比較して、色調が均一で、しかも結晶欠陥
が少ないという効果を有する。
従って本発明によれば、ルビー、サファイア。
アレキサンドライ)%の宝石用単結晶は勿sb、Y工G
、YAG 、GGG等の工業用単結晶の高品質化及び
低価格化に大きく貢献する効果を有する。
、YAG 、GGG等の工業用単結晶の高品質化及び
低価格化に大きく貢献する効果を有する。
第1図は本発明の実施例における?2装置の正面図。
第2図は本発明の自動制御システムのブロック図。
第3図は本発明の実施例における1z装置の部分側面図
。 第1図
。 第1図
Claims (1)
- ハロゲンランプ等の高温の光源から発する光を、反射鏡
、又はレンズを用いて集光し、該集光部において、原料
棒と種結晶とを、溶融帯を仲介として結合して、フロー
ティングゾーンを形成し、ラインセンサあるいはエリア
センサを用いて、該溶融帯の直径、高さ、外形形状等を
測定し、これをランプパワー、あるいは溶融帯の高さに
フィードバックしつつ、前記原料棒、溶融帯、種結晶を
一定速度で移動することにより種結晶上に結晶を析出さ
せる、フローティングゾーン法において、ラインセンサ
あるいはエリアセンサと対向する部分に孔を設けた石英
管を用いて結晶育成を行なうことを特徴とする単結晶の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21657184A JPS6197185A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21657184A JPS6197185A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6197185A true JPS6197185A (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=16690506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21657184A Pending JPS6197185A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6197185A (ja) |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP21657184A patent/JPS6197185A/ja active Pending
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