JPS6197127A - 半金属前駆物質粉末の製造方法 - Google Patents
半金属前駆物質粉末の製造方法Info
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 38
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 23
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 69
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 32
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 25
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 24
- 230000004807 localization Effects 0.000 claims description 23
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 17
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000007712 rapid solidification Methods 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- NVZBIFPUMFLZLM-UHFFFAOYSA-N [Si].[Y] Chemical compound [Si].[Y] NVZBIFPUMFLZLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011802 pulverized particle Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 21
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 13
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 10
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 4
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- -1 +7 um and aluminum Chemical compound 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 2
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910000601 superalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000254158 Lampyridae Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001800 Shellac Polymers 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)manganese Chemical compound [Si]=[Mn]=[Si] FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000011222 crystalline ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910002106 crystalline ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010902 jet-milling Methods 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010951 particle size reduction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001350 scanning transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004208 shellac Substances 0.000 description 1
- ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N shellac Chemical compound OCCCCCC(O)C(O)CCCCCCCC(O)=O.C1C23[C@H](C(O)=O)CCC2[C@](C)(CO)[C@@H]1C(C(O)=O)=C[C@@H]3O ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N 0.000 description 1
- 229940113147 shellac Drugs 0.000 description 1
- 235000013874 shellac Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000956 solid--liquid extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 239000010930 yellow gold Substances 0.000 description 1
- 229910001097 yellow gold Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
- C01B21/0682—Preparation by direct nitridation of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は前駆物質粉末を使用してセラミックを製造する
技術に、関するものであり、更に詳細には、窒化ケイ素
及び窒化ケイ素ベース組成物の製造に有効な半金属(メ
タロイド)前駆物質粉末を製造する方法に関するもので
ある。
技術に、関するものであり、更に詳細には、窒化ケイ素
及び窒化ケイ素ベース組成物の製造に有効な半金属(メ
タロイド)前駆物質粉末を製造する方法に関するもので
ある。
本発明のバック及び先行技術の所説
半金属前駆物質粉末はセラミックの製造に有効である。
このような粉末の1つはケイ素粉末であって、妥尚な加
熱条件下でガス窒化を施して望化ケイ累を生成すること
ができる。前駆物質粉末は、これまでは融解ケイ素のよ
うな前駆物質のインビットを鋳造し、次に破砕し、摩砕
して粉末状態にするのが普通であった。インビットを鋳
造する融解液体は残留不利物を官有している。これらの
不りの物理特性を弱化する。インビット鋳造のケイ素で
は粗大不純物局在化物を避けることは不可能で、ケイ素
中のケイ化鉄及びアルミニウムのような第二相が局在化
物中の鋳造半金属の粒界で生成しく第二相粒子)、これ
は粒度が肉眼で十分見ることの出来る犬ささてちる(5
0μから200μまで及びこれ以上)。マトリックス金
属の破壊は次の破砕及び製粉で容易であるが、金属間化
合物は可搬性がわずかあるために残ることが出来、実際
に残る。空気分級では、原則として、不純物の最大局在
化物の多くを除去することはできるが、半金属重量平均
粒度(2μから8μまで)と同程度、及びこれよりも大
きい不純物局在化物は残ることがめる。インイツト鋳造
技法の差違(鋳型のゆるやかな回転対静止のような)、
及び製粉技法の差違(乾燥ボールミル製粉対ジェットミ
ル製粉のような)では、凝固の際に生成する不純物局在
化物は除去が困雑になりがちであるという意味では、生
じる効果はほんのわずかである。
熱条件下でガス窒化を施して望化ケイ累を生成すること
ができる。前駆物質粉末は、これまでは融解ケイ素のよ
うな前駆物質のインビットを鋳造し、次に破砕し、摩砕
して粉末状態にするのが普通であった。インビットを鋳
造する融解液体は残留不利物を官有している。これらの
不りの物理特性を弱化する。インビット鋳造のケイ素で
は粗大不純物局在化物を避けることは不可能で、ケイ素
中のケイ化鉄及びアルミニウムのような第二相が局在化
物中の鋳造半金属の粒界で生成しく第二相粒子)、これ
は粒度が肉眼で十分見ることの出来る犬ささてちる(5
0μから200μまで及びこれ以上)。マトリックス金
属の破壊は次の破砕及び製粉で容易であるが、金属間化
合物は可搬性がわずかあるために残ることが出来、実際
に残る。空気分級では、原則として、不純物の最大局在
化物の多くを除去することはできるが、半金属重量平均
粒度(2μから8μまで)と同程度、及びこれよりも大
きい不純物局在化物は残ることがめる。インイツト鋳造
技法の差違(鋳型のゆるやかな回転対静止のような)、
及び製粉技法の差違(乾燥ボールミル製粉対ジェットミ
ル製粉のような)では、凝固の際に生成する不純物局在
化物は除去が困雑になりがちであるという意味では、生
じる効果はほんのわずかである。
本発明では、急速冷却は、経済的に粒度な減じ、あるい
は不純物局在化物を除去する重要な方法の補助であるこ
とを見い出した。前駆物質構成要素として有効になり得
る液体金属の極度の急速冷却は、最近20年間に種々の
目的で研究された。ガラス負金属粉末アトマイゼーショ
ンの資約は米国特許第4,211,587号明細書に列
挙しである。
は不純物局在化物を除去する重要な方法の補助であるこ
とを見い出した。前駆物質構成要素として有効になり得
る液体金属の極度の急速冷却は、最近20年間に種々の
目的で研究された。ガラス負金属粉末アトマイゼーショ
ンの資約は米国特許第4,211,587号明細書に列
挙しである。
同様に、鉄/ケイ素/ホウ素合金の高速鋳造を行って(
米国特許第4.586.896号明細書)特性を磁気コ
ア損失の低い形態に改良した変圧器コア物質を提供した
。これらの各技法では高速冷却(必ずしも急速冷却では
ない)を使用しているが、半金属はほんの少量だけ、し
かもX−線回折で検査した場合に、結晶−一りの全くな
いがラス質金属を生成するだけを配合していた。それ故
、このような特許の教示では、本明細書に関係のある問
題、すなわち結晶性セラミックに欠陥を発生させる虞の
ある粒界第二相、すなわち不純物の局在化物を全く含有
しないセラミック用の結晶性前駆物質粉末を製する問題
に遭遇しない。
米国特許第4.586.896号明細書)特性を磁気コ
ア損失の低い形態に改良した変圧器コア物質を提供した
。これらの各技法では高速冷却(必ずしも急速冷却では
ない)を使用しているが、半金属はほんの少量だけ、し
かもX−線回折で検査した場合に、結晶−一りの全くな
いがラス質金属を生成するだけを配合していた。それ故
、このような特許の教示では、本明細書に関係のある問
題、すなわち結晶性セラミックに欠陥を発生させる虞の
ある粒界第二相、すなわち不純物の局在化物を全く含有
しないセラミック用の結晶性前駆物質粉末を製する問題
に遭遇しない。
主要量を使用する半金属に急速凝固を使用する試みは、
米国特許第4,347,199号明細書(及び関連のあ
る米国特許第4,419.060号明細iI)に示して
あり、高伝熱ガス又は流体を使用して、回転円盤で微粉
砕した液滴を冷却している。このような技法は単に、後
にシリコーン重合体の製造に使用することのできる粗大
な球形の粉末粒子な提供する目的で開発された。このよ
うな技法では不純物局在化の問題に遭遇、あるいは正し
く認識することなく、従って、このような局部的な濃縮
物を避けるのに十分な高速の冷却を使用する必要がなか
った。
米国特許第4,347,199号明細書(及び関連のあ
る米国特許第4,419.060号明細iI)に示して
あり、高伝熱ガス又は流体を使用して、回転円盤で微粉
砕した液滴を冷却している。このような技法は単に、後
にシリコーン重合体の製造に使用することのできる粗大
な球形の粉末粒子な提供する目的で開発された。このよ
うな技法では不純物局在化の問題に遭遇、あるいは正し
く認識することなく、従って、このような局部的な濃縮
物を避けるのに十分な高速の冷却を使用する必要がなか
った。
遅い冷却速度は、不純物の投縄を促進し、且つ極度に遅
い冷却速度は、ケイ素の精製及びゾーン精製技法の基本
原理であり、且つインゴット鋳造合金中の樹枝状偏析及
び組成物コアリングの原因である。これらの各結果は、
前駆物質の非局在化、換言すれば、不純物、すなわち第
二相添加物をもつと均一な分布にしようとする場合には
避けなければならない。ケイ素の精製品の製造に偏析を
使用することは、デーロス(Boulos)が米国特許
第4,379.777号明細書に発表した。ケイ素をプ
ラズマ中で加熱して急冷する。融解した粒子を凝固させ
れば、不純物の一部は生成する粒子の表面に移動する。
い冷却速度は、ケイ素の精製及びゾーン精製技法の基本
原理であり、且つインゴット鋳造合金中の樹枝状偏析及
び組成物コアリングの原因である。これらの各結果は、
前駆物質の非局在化、換言すれば、不純物、すなわち第
二相添加物をもつと均一な分布にしようとする場合には
避けなければならない。ケイ素の精製品の製造に偏析を
使用することは、デーロス(Boulos)が米国特許
第4,379.777号明細書に発表した。ケイ素をプ
ラズマ中で加熱して急冷する。融解した粒子を凝固させ
れば、不純物の一部は生成する粒子の表面に移動する。
表面に偏析した不純物の固液抽出を反復組み合わせるこ
とによって、高純度のケイ素を得る。偏析は、すべてユ
ニオンカーバイド社(σn1on Carbide C
orporation)出願の米国特許の第4.193
,974号明細書、第4.−193,975号明細書及
び第4,195.067号明細書で、アルミニウム金属
の添加による関連のある方法でも使用している。融解物
質の指向性凝固を毎時60℃の速度で行って、凝固融成
物の不純物濃度の高い独立した領域及び不純物濃度の低
い別の領域を得る。
とによって、高純度のケイ素を得る。偏析は、すべてユ
ニオンカーバイド社(σn1on Carbide C
orporation)出願の米国特許の第4.193
,974号明細書、第4.−193,975号明細書及
び第4,195.067号明細書で、アルミニウム金属
の添加による関連のある方法でも使用している。融解物
質の指向性凝固を毎時60℃の速度で行って、凝固融成
物の不純物濃度の高い独立した領域及び不純物濃度の低
い別の領域を得る。
本発明の概要
本発明は不純物相が著しく微細な粒状をしているセラミ
ック物質を製造するのに有効な半金属前駆物質粉末の製
造方法である。本発明の前駆物質粉末は、化学的な均一
性が改良されておって、物理的信頼性の一段と大きいセ
ラミックを一段と低いコストで製造するのに重要である
。
ック物質を製造するのに有効な半金属前駆物質粉末の製
造方法である。本発明の前駆物質粉末は、化学的な均一
性が改良されておって、物理的信頼性の一段と大きいセ
ラミックを一段と低いコストで製造するのに重要である
。
半金属前駆物質粉末を製造する本明細書の方法は、
((10) 選定した半金属を融解して液体にし、且
つ(kl) 不純物又は他の添加物成分局在化物を実
質的に均一に凝固粒子全体に分布させる速度で抜き取っ
た部分を急速に凝固させて、局在化物間の間隔を実質的
に1μから25μまでの範囲に保たせ、且つ該局在化物
の粒度な、平均で、1μあるいはこれ以下にする方法で
、液体の部分を抜き取る、 工程を包含する。好ましい実施態様では、このような各
局在化物の粒度は1μか又はこれ以下である。上記の冷
却速度は、105℃/秒に等しいか、もつと大きいのが
好ましく、且つ抜き取りは、液体を微粉砕して粒子にし
、これを急速に凝固させることによって行うのが好まし
い。半金属はrルマニウム又はケイ素が有利である。
つ(kl) 不純物又は他の添加物成分局在化物を実
質的に均一に凝固粒子全体に分布させる速度で抜き取っ
た部分を急速に凝固させて、局在化物間の間隔を実質的
に1μから25μまでの範囲に保たせ、且つ該局在化物
の粒度な、平均で、1μあるいはこれ以下にする方法で
、液体の部分を抜き取る、 工程を包含する。好ましい実施態様では、このような各
局在化物の粒度は1μか又はこれ以下である。上記の冷
却速度は、105℃/秒に等しいか、もつと大きいのが
好ましく、且つ抜き取りは、液体を微粉砕して粒子にし
、これを急速に凝固させることによって行うのが好まし
い。半金属はrルマニウム又はケイ素が有利である。
本発明では更に、第二相オキシ窒化物を形成する添加物
金属を含有する半金属前駆物質粉末を製造する方法を包
含し、この方法は (a) 第二相形成添加物金属を、選定した半金属の
融解した本体に溶解して溶液にし、 (b)) 該浴液な微粉砕して液滴として急速に凝固
させて、粒度分布が2μから50μまでになっている粒
子にし、且つ該凝固は、不純物及び添加物金属局在化物
を実質的に均一に粒子全体に分布させて、局在稜間の間
隔を実質的に1μから25μまでの範囲を≠たtミ±=
保たせるのに有効な速度で行い、且つ (c) 該粒子中の添加物金属を酸化する、工程を包
含する。
金属を含有する半金属前駆物質粉末を製造する方法を包
含し、この方法は (a) 第二相形成添加物金属を、選定した半金属の
融解した本体に溶解して溶液にし、 (b)) 該浴液な微粉砕して液滴として急速に凝固
させて、粒度分布が2μから50μまでになっている粒
子にし、且つ該凝固は、不純物及び添加物金属局在化物
を実質的に均一に粒子全体に分布させて、局在稜間の間
隔を実質的に1μから25μまでの範囲を≠たtミ±=
保たせるのに有効な速度で行い、且つ (c) 該粒子中の添加物金属を酸化する、工程を包
含する。
第二相形成添加物金属はイツトリウム、又はイツトリウ
ム配合アルミニウムを包含するのが好ましい。酸化工程
は、イツトリウム(2重量%から15重量%まで)及び
アルミニウム配合イツトリウム(Al: 0から1.3
重量%まで)のような添加物金属がY2O3及びA72
03を形成するように、制御された雰囲気焼きなましに
よる内部酸化で行うのが最も良い。局在化物は粒度を1
μ又はこれ以下に制限するのが有利である。
ム配合アルミニウムを包含するのが好ましい。酸化工程
は、イツトリウム(2重量%から15重量%まで)及び
アルミニウム配合イツトリウム(Al: 0から1.3
重量%まで)のような添加物金属がY2O3及びA72
03を形成するように、制御された雰囲気焼きなましに
よる内部酸化で行うのが最も良い。局在化物は粒度を1
μ又はこれ以下に制限するのが有利である。
急速凝固は、融解した半金属及び添加物の流れを微粉砕
する回転円盤を使用して行うことができ、次に微粉砕し
た液滴に、ヘリウムのような高熱交換流体を作用させる
のが好ましい。得られる粉末は粒度分布が5μから90
μまでであり、形状は不規側球状体が特徴である。
する回転円盤を使用して行うことができ、次に微粉砕し
た液滴に、ヘリウムのような高熱交換流体を作用させる
のが好ましい。得られる粉末は粒度分布が5μから90
μまでであり、形状は不規側球状体が特徴である。
図面の要約
第1図は、本発明に従って、融解半金属(ヤ金品位のケ
イ素)の急速凝固を行って得られる微細構造の模式説明
図でおる。
イ素)の急速凝固を行って得られる微細構造の模式説明
図でおる。
本発明を実施する最良の方法
冷却速度と不純物局在化物との間の関係本発明では、部
分凝固した°半金属前部物質の液滴中の固相と液相との
間の境界を、不純物又は金属添加物が拡散して液体中に
消え去ることができないうちに、累早く本質的に移動す
ることによつ詳細には、本発明では、次にケイ素のよう
な粉末の化学結合で窒化ケイ素を製造するために、改良
された半金属前駆物質粉末を明確に製造することのでき
る方法を提供する。本明細書では半金属を、ゲルマニウ
ム、ケイ素、リン、ホウ素及びアンチモンの群を示すの
に使用し、これらは全部1200℃から1800’Oま
での温度帯域で容易に液化させることかできる。本明、
ia書では、ケイ素及びゲルマニウムが特に重要である
。
分凝固した°半金属前部物質の液滴中の固相と液相との
間の境界を、不純物又は金属添加物が拡散して液体中に
消え去ることができないうちに、累早く本質的に移動す
ることによつ詳細には、本発明では、次にケイ素のよう
な粉末の化学結合で窒化ケイ素を製造するために、改良
された半金属前駆物質粉末を明確に製造することのでき
る方法を提供する。本明細書では半金属を、ゲルマニウ
ム、ケイ素、リン、ホウ素及びアンチモンの群を示すの
に使用し、これらは全部1200℃から1800’Oま
での温度帯域で容易に液化させることかできる。本明、
ia書では、ケイ素及びゲルマニウムが特に重要である
。
窒化ケイ素を製造するケイ素の反応結合では、一定のオ
キシ象化物の存在が賦化生成物の次の処理に重要である
ことを、他の新事実によって、見い出した。窒化操作の
結果として、このようなオキシ窒化物を製造しようとす
る場合には、オキシ窒化物を製造するだめの成分を不純
物と同様に処理し、且つ濃度の局在化を防止して、前駆
物質粉末全体で、はるかに微細な粒度及び均一な化学組
成を得るようにしなければならない。オキシ窒化物で窒
化ケイ素を製造するためには、イツ) +7ウム及びア
ルミニウムのような、ケイ素粉末に添加する金属を実質
的にサブミクロン規模で分散させなければならない。こ
の分散は、ケイ素の凝固中に固液の境界が非常に速く移
動するために、不純物又は添加物金属が固相中で、粒度
が実質的にわずかサブミクロンの局在化物に同伴される
のを確実にすることによって、成し遂げることができる
。
キシ象化物の存在が賦化生成物の次の処理に重要である
ことを、他の新事実によって、見い出した。窒化操作の
結果として、このようなオキシ窒化物を製造しようとす
る場合には、オキシ窒化物を製造するだめの成分を不純
物と同様に処理し、且つ濃度の局在化を防止して、前駆
物質粉末全体で、はるかに微細な粒度及び均一な化学組
成を得るようにしなければならない。オキシ窒化物で窒
化ケイ素を製造するためには、イツ) +7ウム及びア
ルミニウムのような、ケイ素粉末に添加する金属を実質
的にサブミクロン規模で分散させなければならない。こ
の分散は、ケイ素の凝固中に固液の境界が非常に速く移
動するために、不純物又は添加物金属が固相中で、粒度
が実質的にわずかサブミクロンの局在化物に同伴される
のを確実にすることによって、成し遂げることができる
。
凝固の速度が緩慢過ぎれば、不純物又は添加物金属を液
相中で濃縮させ、従って大きな局在化物が大量存在する
ことになる。本明細書では局在化物を不純物又は添加物
金属の単一のアグロメV−ジョン又は析出物を意味する
のに使用し、この析出物はケイ素の粒界粒子の境界で生
じる。緩慢な凝固速度はケイ素のゾーン精製を用いるf
IIIl!!の基礎であり、且つインゴット鋳造超合金
中の樹枝状偏析及びコアリングの根源であることを思い
起こすべきである。本発明の実施例では、不純物又は合
金形成元素が凝固の進行につれて、固体中に同伴される
(実質的にわずかミクロン粒度の局在化物で)というゾ
ーン精製の反対が起つたことを示す。
相中で濃縮させ、従って大きな局在化物が大量存在する
ことになる。本明細書では局在化物を不純物又は添加物
金属の単一のアグロメV−ジョン又は析出物を意味する
のに使用し、この析出物はケイ素の粒界粒子の境界で生
じる。緩慢な凝固速度はケイ素のゾーン精製を用いるf
IIIl!!の基礎であり、且つインゴット鋳造超合金
中の樹枝状偏析及びコアリングの根源であることを思い
起こすべきである。本発明の実施例では、不純物又は合
金形成元素が凝固の進行につれて、固体中に同伴される
(実質的にわずかミクロン粒度の局在化物で)というゾ
ーン精製の反対が起つたことを示す。
本明細書で使用する粒度では、部分的に凝固した液滴か
又は完全に凝固した粒子のどちらかの粒子の最大横断寸
法を意味する。粒度分布は、アトマイゼーション又は微
粉砕した粒子の粒度の範囲である。完全に凝固したと藪
の粒子の粒度分布は、アトマイゼーション又は微粉砕し
たときのものとあまり変わりがない。
又は完全に凝固した粒子のどちらかの粒子の最大横断寸
法を意味する。粒度分布は、アトマイゼーション又は微
粉砕した粒子の粒度の範囲である。完全に凝固したと藪
の粒子の粒度分布は、アトマイゼーション又は微粉砕し
たときのものとあまり変わりがない。
本発明によって、融解状態の前駆物質金属は、ケイ素に
関しては、106℃/秒に等しいか、これよりも速い速
度、好ましくは2X10”C!/秒から10X10’℃
/秒までの速度で急速凝固をさせなければならないこと
を見い出した。この極度に速い凝固速度を、融解金属を
粉砕して微細な液滴又は粒子にするのと同時に得るため
には、円盤アトマイゼーション、融解抜き取り、及び超
音波アトマイゼーションを包含する、種々の機械的な技
法を使用することができる。これらのすべての場合に、
融解した半金属液体を粉砕して液滴又は粒子にする。円
盤アトマイゼーションの場合では、このような液滴な半
金属液体の薄いシートか滴の直径は、半金属液体の表面
張力、粘度及び密度と相関関係がある。このような半金
属液体のパラメータは変化するが、ケイ素に関しては、
表面張力は825ダイン/anから860ダイン/cI
!Lまでの範囲であり、粘度は約Q、4 cPであり、
且つ密度は約3.21/cWL3である。融解したケイ
素牛金属の粘度が水の粘度よりも低いのは注目に値する
。。
関しては、106℃/秒に等しいか、これよりも速い速
度、好ましくは2X10”C!/秒から10X10’℃
/秒までの速度で急速凝固をさせなければならないこと
を見い出した。この極度に速い凝固速度を、融解金属を
粉砕して微細な液滴又は粒子にするのと同時に得るため
には、円盤アトマイゼーション、融解抜き取り、及び超
音波アトマイゼーションを包含する、種々の機械的な技
法を使用することができる。これらのすべての場合に、
融解した半金属液体を粉砕して液滴又は粒子にする。円
盤アトマイゼーションの場合では、このような液滴な半
金属液体の薄いシートか滴の直径は、半金属液体の表面
張力、粘度及び密度と相関関係がある。このような半金
属液体のパラメータは変化するが、ケイ素に関しては、
表面張力は825ダイン/anから860ダイン/cI
!Lまでの範囲であり、粘度は約Q、4 cPであり、
且つ密度は約3.21/cWL3である。融解したケイ
素牛金属の粘度が水の粘度よりも低いのは注目に値する
。。
円盤アトマイゼーション
本明細書の好ましい実施態様のために、円盤アトマイゼ
ーションを重用して、微小液滴を、ヘリウムのような、
熱伝導度及び熱容量の大きいガスの中を高い相対速度で
通過させることによって、非常に高い冷却速度にする。
ーションを重用して、微小液滴を、ヘリウムのような、
熱伝導度及び熱容量の大きいガスの中を高い相対速度で
通過させることによって、非常に高い冷却速度にする。
円盤アトマイゼーションによって、このような急速凝固
を行つ装置は、本明細書で、併せて参考資料とする米国
特許第4,078,873号明細書に記載しである。半
金属(ケイ素)を、真空タンクに入れておる真空炉で誘
導融解し、イツトリウム及びアルミニウムのような合金
にする成分の予定量を炉の中の半金属に加える。半金属
液体をタンディツシュ(tundish)に注ぎ入れ、
タンディツシュの底の計測オリフィスを経て急速回転し
ている銅円盤に向って流す。
を行つ装置は、本明細書で、併せて参考資料とする米国
特許第4,078,873号明細書に記載しである。半
金属(ケイ素)を、真空タンクに入れておる真空炉で誘
導融解し、イツトリウム及びアルミニウムのような合金
にする成分の予定量を炉の中の半金属に加える。半金属
液体をタンディツシュ(tundish)に注ぎ入れ、
タンディツシュの底の計測オリフィスを経て急速回転し
ている銅円盤に向って流す。
水冷タービンで円盤を駆動して回転させる。半金属物質
の水平噴霧を、上部から下向きの方向に、且つ半金属液
体の水平tIXgに対して直角に噴出する高速度ヘリウ
ムで冷却する。添加金属と合金にしたケイ素の凝固した
粗大粒子を、アトマイゼーション操作を囲む室の底に集
め、若干の微小粒子はヘリウムガスで導管からサイクロ
ン分離器に運んで、実収する。
の水平噴霧を、上部から下向きの方向に、且つ半金属液
体の水平tIXgに対して直角に噴出する高速度ヘリウ
ムで冷却する。添加金属と合金にしたケイ素の凝固した
粗大粒子を、アトマイゼーション操作を囲む室の底に集
め、若干の微小粒子はヘリウムガスで導管からサイクロ
ン分離器に運んで、実収する。
代表的ニハ、先端速度が967rL/秒で、24.00
0回転/分で回転し、且つヘリウムガスが噴霧された半
金属に対して、温度約80℃で約o、91ゆ7秒の質量
流速及び約マツハ(nach) 0.7の速度で噴出し
、且つケイ素をタンディツシュから約0.065M/秒
の流速で取り出す、直径6インチ(7,61)の円盤に
対して、推定冷却速度約1.6X10”’O/秒を得る
ことができる。この冷却速度で、不純物局在化物は非常
にこまかに分散されて、実収粒子は40μよりも小さい
粒子(平均粒度)が50チある粒度と推定される。
0回転/分で回転し、且つヘリウムガスが噴霧された半
金属に対して、温度約80℃で約o、91ゆ7秒の質量
流速及び約マツハ(nach) 0.7の速度で噴出し
、且つケイ素をタンディツシュから約0.065M/秒
の流速で取り出す、直径6インチ(7,61)の円盤に
対して、推定冷却速度約1.6X10”’O/秒を得る
ことができる。この冷却速度で、不純物局在化物は非常
にこまかに分散されて、実収粒子は40μよりも小さい
粒子(平均粒度)が50チある粒度と推定される。
タンディシュからの金属の回転している円盤上の回転速
度及び流速は半金属液体の液滴の粒度に若干の作用を及
ぼす。例えば、回転速度が12.000回転/分から6
4,000回転/分まで変化すれば、液体ケイ素半金属
の液滴の推定平均粒度は92μから減少して26μまで
変化する。タンディツシュから放散される流速が10M
/秒から40ば7秒まで変化する場合には、ケイ素の平
均粒度は計算上で44μから61μまで変化する。この
ように、凝固粒子の50%又はそれ以上について、粒子
の平均直径を推定し、且つ制御することができる。
度及び流速は半金属液体の液滴の粒度に若干の作用を及
ぼす。例えば、回転速度が12.000回転/分から6
4,000回転/分まで変化すれば、液体ケイ素半金属
の液滴の推定平均粒度は92μから減少して26μまで
変化する。タンディツシュから放散される流速が10M
/秒から40ば7秒まで変化する場合には、ケイ素の平
均粒度は計算上で44μから61μまで変化する。この
ように、凝固粒子の50%又はそれ以上について、粒子
の平均直径を推定し、且つ制御することができる。
冷却速度
放出した所望の粒度について、伝熱係数の計算を行、う
ことができ、そして、これで冷却、すなわち凝固速度の
決定がしやすくなる。伝熱係数は、ガスと液滴との間の
温度差に、液滴の表面積及び伝熱速度を乗じた積と一次
の関係にある。主な伝熱は伝導によるもので、輻射によ
るものではない。
ことができ、そして、これで冷却、すなわち凝固速度の
決定がしやすくなる。伝熱係数は、ガスと液滴との間の
温度差に、液滴の表面積及び伝熱速度を乗じた積と一次
の関係にある。主な伝熱は伝導によるもので、輻射によ
るものではない。
冷却速度の決定には、レイノルズ(Keynolas)
数、プラントル(Prandtl)数、及びヌツセルト
(Nusselt) gを包含する、6つの無次元量を
使用する。ヌツセルト数はレイノルズ数とプラントル数
のべきの指数を経験的に適合させて決定する。
数、プラントル(Prandtl)数、及びヌツセルト
(Nusselt) gを包含する、6つの無次元量を
使用する。ヌツセルト数はレイノルズ数とプラントル数
のべきの指数を経験的に適合させて決定する。
伝熱速度を液滴当たりの熱容量で除して冷却速度を得る
。冷却速度の情報は、これで固液相境界速度の移動する
速度がわかるので重要であり、これを不純物の拡散速度
と比較することができる。
。冷却速度の情報は、これで固液相境界速度の移動する
速度がわかるので重要であり、これを不純物の拡散速度
と比較することができる。
固液相境界速度はガスへの伝熱を凝固の潜熱と均衡させ
て推定することができる。平均速度は粒子の半径の0.
79倍に等しい球体の境界に近似させる。ケイ素につい
ての固液相境界速度のような速度は約1゜18信/秒で
あり、通常は1cIrL/秒と1.5α/秒との間のQ
囲にある。不純物拡散性は粒子の完全凝固についての時
間と同様な時間について計算することができる。ゲルマ
ニウム及びケイ素の不純物拡散についての実験値は、他
の著者が1460℃で約6.6 X 105crrt”
7秒であると報告した。
て推定することができる。平均速度は粒子の半径の0.
79倍に等しい球体の境界に近似させる。ケイ素につい
ての固液相境界速度のような速度は約1゜18信/秒で
あり、通常は1cIrL/秒と1.5α/秒との間のQ
囲にある。不純物拡散性は粒子の完全凝固についての時
間と同様な時間について計算することができる。ゲルマ
ニウム及びケイ素の不純物拡散についての実験値は、他
の著者が1460℃で約6.6 X 105crrt”
7秒であると報告した。
方法
本発明な実施する好ましい方法は下記の通りである、
11) 半金属を融解し、且つ均質化する、但し融解
状態の半金属に一定の第二相形成ふ加物金属を溶解して
溶液にしてもよい。
状態の半金属に一定の第二相形成ふ加物金属を溶解して
溶液にしてもよい。
(2)計画した添加物成分の溶解をしても、あるいはし
なくても、液体半金属を単に微粉末化して、粒度分布が
2μ−から50μまでの粒子にするのに有効なだけでな
く、局在化物間の間隔を実質的VC1μから25μまで
の範囲(保ち、且つ各局在化物の粒度を1μ又はこれ以
下にして、本来の不純物及び(又は)添加物金属局在化
物を粒子全体に均一に分布させるのにも有効な速度で、
液体半金属を急速に凝固させる。
なくても、液体半金属を単に微粉末化して、粒度分布が
2μ−から50μまでの粒子にするのに有効なだけでな
く、局在化物間の間隔を実質的VC1μから25μまで
の範囲(保ち、且つ各局在化物の粒度を1μ又はこれ以
下にして、本来の不純物及び(又は)添加物金属局在化
物を粒子全体に均一に分布させるのにも有効な速度で、
液体半金属を急速に凝固させる。
(3)添加物金属が凝固金属中に存在する場合には、粒
子を酸化させて、得られる粒子を、ケイ素及び第二相酸
化物の混合物として存在させる。
子を酸化させて、得られる粒子を、ケイ素及び第二相酸
化物の混合物として存在させる。
添加物金属はイツトリウム及びアルミニウムから成る群
から選定するのが好ましく、この各添加物金属は、窒化
して次の熱間圧搾及び焼結技法にとって非常に好ましい
独特の第二相酸化物のある窒化ケイ素にするのに有効な
ケイ素前駆物質粉末を製造するのに特に適している。添
加物金属は、イツトリウムについては2重量%から15
重量%までの量、又アルミニウムについては1.6重量
%までの量を添加する。半金属はケイ素又はゲルマニウ
ムが好ましい。急速縦画は、ケイ素については、10”
O/秒に等しいか又はこれよりも速い速度で行い、且つ
凝固粒子の酸化は、制御された雰囲気焼きなまし中の内
部酸化によって行う。
から選定するのが好ましく、この各添加物金属は、窒化
して次の熱間圧搾及び焼結技法にとって非常に好ましい
独特の第二相酸化物のある窒化ケイ素にするのに有効な
ケイ素前駆物質粉末を製造するのに特に適している。添
加物金属は、イツトリウムについては2重量%から15
重量%までの量、又アルミニウムについては1.6重量
%までの量を添加する。半金属はケイ素又はゲルマニウ
ムが好ましい。急速縦画は、ケイ素については、10”
O/秒に等しいか又はこれよりも速い速度で行い、且つ
凝固粒子の酸化は、制御された雰囲気焼きなまし中の内
部酸化によって行う。
実施例1
本実施例では、添加物金属を計画的に添加していないヤ
金品位のケイ素について、ケイ化物粒子の微細分散がで
きることを示す。これらの不純物は、精錬工程の残留物
のような、微ii:=分(すなわち、代表的には1.5
1!量チよりも少ない)として存在している。インtッ
ト鋳造ヤ金品位のケイ素をインターV−り社(工nte
r1ake 、工nc、)のグローブ メタラジカル
デージョン(GlobeMet(10)lurgic(
10) Division)が提供したが、化学組成は
Fe 0.35 %、Oa O,[] 21 %、AI
0.18%及びMn0.014%であった。この物質
の形状はインプットから砕いた%インチの厚切れであり
が。ケイ素淳切れを5102るつぼに入れ、ケイ素の融
点以上に加熱した。回転している円盤を融成物の表面に
浸して、厚ぢが約25μで幅が1謂かあった。
金品位のケイ素について、ケイ化物粒子の微細分散がで
きることを示す。これらの不純物は、精錬工程の残留物
のような、微ii:=分(すなわち、代表的には1.5
1!量チよりも少ない)として存在している。インtッ
ト鋳造ヤ金品位のケイ素をインターV−り社(工nte
r1ake 、工nc、)のグローブ メタラジカル
デージョン(GlobeMet(10)lurgic(
10) Division)が提供したが、化学組成は
Fe 0.35 %、Oa O,[] 21 %、AI
0.18%及びMn0.014%であった。この物質
の形状はインプットから砕いた%インチの厚切れであり
が。ケイ素淳切れを5102るつぼに入れ、ケイ素の融
点以上に加熱した。回転している円盤を融成物の表面に
浸して、厚ぢが約25μで幅が1謂かあった。
不純物相の分布を研究するために、このようにして製造
した粒子のリボンをイオンavAエツチングして、・電
子顕微鏡用に調製した。シーメンス(siemens)
102透過電子頑微鏡の検査では、ケイ化物粒子温存
化物は平均の大きさが0.2Pよりも大きくないことを
示した。第1図は、このようにして観察した粒子局在化
物の写実的説明図である。薄黒い領域は原子番号の大き
い領域に相当する、電子線不透明度の大きい領域を示す
。これらの第二相粒子はケイ化鉄及びケイ化マンがンの
ような4移金属ケイ化物であることが確認され、実質的
に均一に分布していることを示している。
した粒子のリボンをイオンavAエツチングして、・電
子顕微鏡用に調製した。シーメンス(siemens)
102透過電子頑微鏡の検査では、ケイ化物粒子温存
化物は平均の大きさが0.2Pよりも大きくないことを
示した。第1図は、このようにして観察した粒子局在化
物の写実的説明図である。薄黒い領域は原子番号の大き
い領域に相当する、電子線不透明度の大きい領域を示す
。これらの第二相粒子はケイ化鉄及びケイ化マンがンの
ような4移金属ケイ化物であることが確認され、実質的
に均一に分布していることを示している。
第二相粒子の粒度が微細である上に、粒子の大きさも、
インビット鋳造物質に比較して粒度が小さくなった。不
純物分布の均一性は予期した通りインゴット鋳造ケイ素
よりも確かに良かった。不純物粒子の粒度0.2μは、
製粉したケイ素粉末の代表的な重量平均粒度2μから8
μまでよりも実質的に細かいので、臨界的なケイ化物の
欠陥粒度に関する機械的性質を改善することがで亀る。
インビット鋳造物質に比較して粒度が小さくなった。不
純物分布の均一性は予期した通りインゴット鋳造ケイ素
よりも確かに良かった。不純物粒子の粒度0.2μは、
製粉したケイ素粉末の代表的な重量平均粒度2μから8
μまでよりも実質的に細かいので、臨界的なケイ化物の
欠陥粒度に関する機械的性質を改善することがで亀る。
ケイ化物局在化物間の間隔は実質的に1μから25μま
での範囲内にあった。
での範囲内にあった。
実施例2
本実施例では計画的に大きな割合の添加物が存在してい
た場合について、第二相の分布の均一性が改良されるこ
とを示す。クイ巣会金を基準にして10.1重量%のイ
ツトリウムを融成物に添加したが、これは窒化ケイ素中
でY2O38重量%に当量の窒化ケイ素(窒化損失後)
に相当する。融成物には電子品位のケイ素(純度が99
.999 %よりも良い)を使用し、且つイツトリウム
10.1%に相当する割合で、純度99.9 %のイツ
トリウム金属(ウィスコンシン州(Wisconsin
) 、ミルクオ−キー[:Milwaukee)のセラ
ック/ピュア(Oerac /Pure〕から購入)と
共に8102るつぼで融解した。
た場合について、第二相の分布の均一性が改良されるこ
とを示す。クイ巣会金を基準にして10.1重量%のイ
ツトリウムを融成物に添加したが、これは窒化ケイ素中
でY2O38重量%に当量の窒化ケイ素(窒化損失後)
に相当する。融成物には電子品位のケイ素(純度が99
.999 %よりも良い)を使用し、且つイツトリウム
10.1%に相当する割合で、純度99.9 %のイツ
トリウム金属(ウィスコンシン州(Wisconsin
) 、ミルクオ−キー[:Milwaukee)のセラ
ック/ピュア(Oerac /Pure〕から購入)と
共に8102るつぼで融解した。
混合するために、ある時間対流かき混ぜなしてから、急
速に回転している円盤を融成物の表面に浸して、凝固速
度が約5X10’℃/秒で急速に凝固させた物質のリボ
ンを抜き取った。
速に回転している円盤を融成物の表面に浸して、凝固速
度が約5X10’℃/秒で急速に凝固させた物質のリボ
ンを抜き取った。
リボンをX線分析して、選定領域の回折では、ケイ素の
外に、高温ケイ化イツトリウムが存在することを示した
。走査透過顕微鏡の検査ではケイ化イツトリウムの連続
した粒界相の存在を示した。
外に、高温ケイ化イツトリウムが存在することを示した
。走査透過顕微鏡の検査ではケイ化イツトリウムの連続
した粒界相の存在を示した。
この添加物相の代表的な厚さは肌2μであった。
又、粒度は微細であり(インゴット鋳造物質に比較して
)、且つ実施例1の場合よりも粒度は著しく均一であっ
た。粒度は約2μであった。粒界中のケイ化物の薄膜は
不純物又は金属添加物の局在化物の均一な分布と一致す
る。
)、且つ実施例1の場合よりも粒度は著しく均一であっ
た。粒度は約2μであった。粒界中のケイ化物の薄膜は
不純物又は金属添加物の局在化物の均一な分布と一致す
る。
これで、大量に存在する第二相の微細な分布がわかる。
製粉後には、酸化物としての焼結添加物の分布は均一な
液相焼結収縮の助けになることが期待される。
液相焼結収縮の助けになることが期待される。
実施例6
本実施例では、実施例1の純粋でない物質と実施例20
計画的な大量の添加物と乞組み合わせて行った実施例を
示す。厚切れにして%インチの形状にしたヤ金品位のイ
ンゴット鋳造ケイ素を、5102るつぼで、イツトリウ
ム10.1重量%(ケイ素合金基準)に相当する量のイ
ツトリウム金属と共に融解した。かき混ぜた後に、回転
している円盤を融成物の表面に浸して、急速に凝固した
物質のりピンを抜き取った。
計画的な大量の添加物と乞組み合わせて行った実施例を
示す。厚切れにして%インチの形状にしたヤ金品位のイ
ンゴット鋳造ケイ素を、5102るつぼで、イツトリウ
ム10.1重量%(ケイ素合金基準)に相当する量のイ
ツトリウム金属と共に融解した。かき混ぜた後に、回転
している円盤を融成物の表面に浸して、急速に凝固した
物質のりピンを抜き取った。
走査透過電子顕微鏡で検査して、ケイ化物の連続した粒
界相を見い出した(実施例2のときと同様)。実施例2
と同様に、連続した粒界相の厚さは、インプット鋳造し
て製粉したケイ素の代表的な重量平均粒度の2μから8
μまでよりも実質的に細かかった。
界相を見い出した(実施例2のときと同様)。実施例2
と同様に、連続した粒界相の厚さは、インプット鋳造し
て製粉したケイ素の代表的な重量平均粒度の2μから8
μまでよりも実質的に細かかった。
このように更に経済性の良いヤ金品位のケイ素で、添加
物相の均一性を改良することができる。
物相の均一性を改良することができる。
実施例4
本実施例では、ケイ素を窒化して反応結合させた窒化ケ
イ素を製造するのに使用する温度でした熱処理に対して
、第二相粒子の微細な粒度が維持されることを示す。
イ素を製造するのに使用する温度でした熱処理に対して
、第二相粒子の微細な粒度が維持されることを示す。
添加物を計画的には加えていないヤ金品位のケイ素から
、実施例1に従って製造した、急速に凝固させたケイ素
のりピンを、アルミするつぼと接触している支持ケイ素
リボンに重ねた。密閉管状炉に送り込むアンモニアと窒
素との混合物で、窒素50%及び水素50%の連続的に
流れている雰囲気を準備した。温度を上げ、1000°
Cにして1時間保持し、1050℃にして1時間保持し
、1100°0にして1時間保持し、1160℃にして
6時間保持した。試料を窒素雰囲気の気流中で室温まで
冷却した。
、実施例1に従って製造した、急速に凝固させたケイ素
のりピンを、アルミするつぼと接触している支持ケイ素
リボンに重ねた。密閉管状炉に送り込むアンモニアと窒
素との混合物で、窒素50%及び水素50%の連続的に
流れている雰囲気を準備した。温度を上げ、1000°
Cにして1時間保持し、1050℃にして1時間保持し
、1100°0にして1時間保持し、1160℃にして
6時間保持した。試料を窒素雰囲気の気流中で室温まで
冷却した。
得られた物質の走査透過電子顕微鏡による検査では、ケ
イ素中にケイ化物の微細な分散が残っていることを示し
た。不純物共融温度の50°C以内で同感状態処理をし
た結果として、ケイ化物は平認められなかった。
イ素中にケイ化物の微細な分散が残っていることを示し
た。不純物共融温度の50°C以内で同感状態処理をし
た結果として、ケイ化物は平認められなかった。
本実施例の微細分散粒度が安定なことは、完全に窒化さ
せる長時間にわたって分散が安定であることを示してい
る。
せる長時間にわたって分散が安定であることを示してい
る。
実施例5
本実施例では、実施例の1から6までで使用した融成物
抜き取り過程とは別の過程で急速凝固させる粉末製造法
の評価をする。詳細には、金属超合金の大量生産につい
て記載した急速凝固方法、すなわち、米国特許第4.0
78.875号明細書による、不活性ガス急冷を用いる
円盤アトマイゼーションについて評価を行う。
抜き取り過程とは別の過程で急速凝固させる粉末製造法
の評価をする。詳細には、金属超合金の大量生産につい
て記載した急速凝固方法、すなわち、米国特許第4.0
78.875号明細書による、不活性ガス急冷を用いる
円盤アトマイゼーションについて評価を行う。
ヤ金品位のケイ素融成物250稽!−を製造して、これ
を1480°Cに加熱し、温度1450℃で取り出す。
を1480°Cに加熱し、温度1450℃で取り出す。
ケイ素を、24.000回転/分で回転し、先端速度が
96m1秒の直径6インチの円盤で円盤アトマイゼーシ
ョンする。水平に噴霧させた液体ケイ素の液滴を、下向
きに、且つ液体噴霧に対して直角の方向に向けた、温度
約80’C1質量流速肌91 kg/秒、及び速度約0
.7マツハのヘリウムガス噴射に接触させる。半金属液
体及び円盤アトマイゼーション装置の特性に基づいて、
液体の冷却速度を2X106℃/秒から6X10’−C
/秒までの範囲になるように定めた。
96m1秒の直径6インチの円盤で円盤アトマイゼーシ
ョンする。水平に噴霧させた液体ケイ素の液滴を、下向
きに、且つ液体噴霧に対して直角の方向に向けた、温度
約80’C1質量流速肌91 kg/秒、及び速度約0
.7マツハのヘリウムガス噴射に接触させる。半金属液
体及び円盤アトマイゼーション装置の特性に基づいて、
液体の冷却速度を2X106℃/秒から6X10’−C
/秒までの範囲になるように定めた。
得られた前駆物質粉末の分析では、不純物局在化物は均
一に分布され、且つ距離が実質的に1μから25μまで
の範囲内で微細に離れた間隔を保ち、粒度が1μよりも
大きい粒子が全くないことを示している。第二相がこの
ように微細な粒子になり均一に分布されているので、こ
の粉末を熱痔融させた物品の物理特性は高められるであ
ろう。
一に分布され、且つ距離が実質的に1μから25μまで
の範囲内で微細に離れた間隔を保ち、粒度が1μよりも
大きい粒子が全くないことを示している。第二相がこの
ように微細な粒子になり均一に分布されているので、こ
の粉末を熱痔融させた物品の物理特性は高められるであ
ろう。
第1図はヤ金品位のケイ素を融解し、本発明の方法に従
って急速凝固させた場合の結晶→螢←構造を示す顕微鋭
写真である。
って急速凝固させた場合の結晶→螢←構造を示す顕微鋭
写真である。
Claims (11)
- (1)窒化ケイ素を包含する物体の製造に使用するのに
有効な半金属前駆物質の製造において、(a)選定した
半金属を融解して液体にし、且つ(b)該液体の部分を
、不純物又は他の添加物成分局在化物を、抜き取つた部
分全体に実質的に均一に分布させて、該局在化物間の間
隔を実質的に1μから25μまでの範囲に保たせ、且つ
該局在化物の粒度を平均で1μ又はこれ以下にする速度
で、抜き取つた部分を急速に凝固させる方法で抜き取る
、 工程を特徴とする製造方法。 - (2)急速な凝固を10^5℃/秒に等しいか、又はも
つと速い冷却速度で行う、第(1)項に記載の方法。 - (3)半金属はゲルマニウム又はケイ素のどちらかであ
る、第(1)項に記載の方法。 - (4)液体の抜き取りは、液体を微粉砕して粒度分布が
2μから50μまでの粒子にするアトマイゼーションに
よる第(1)項に記載の方法。 - (5)物理的な信頼性が一段と高く、且つ一段とコスト
の低いセラミックの製造に有効な、化学的均一性の改良
された半金属前駆物質粉末の製造において、 (a)第二相を形成する添加物金属を、選定した半金属
の融解した本体に溶解して溶液を作り、(b)溶液を微
粉砕して、粒度分布が2μから50μまでの粒子にし、
且つ添加物金属及びそれの不純物局在化物を粒子全体に
実質的に均一に分布させて、該局在化物間の間隔を実質
的に1μから25μまでの範囲に保たせるのに有効な速
度で粒子を急速に凝固させ、且つ (c)該粒子中の添加物金属を酸化する、 工程による製造方法。 - (6)酸化を、制御された雰囲気焼きなましの下での内
部酸化によつて行う第(5)項に記載の方法。 - (7)添加物金属はイットリウム2重量%から15重量
まで、アルミニウム1.3重量%までを包含し、且つ半
金属はケイ素から成る、第(6)項に記載の方法。 - (8)酸化を行つて、イットリウム及びアルミニウムを
酸化イットリウム及び酸化アルミニウムにし、この両者
が次の窒化操作中にイットリウム・ケイ素オキシ窒化物
を生成する量で存在する、第(7)項に記載の方法。 - (9)局在化物を1μ又はこれ以下の粒度に制限する、
第(5)項に記載の方法。 - (10)急速凝固は、回転円盤上で溶液の流れを衝突さ
せて流れを微粉砕し、且つ微粉砕された粒子を高交換ガ
スで処理することによつて行う、第(5)項に記載の方
法。 - (11)高熱交換ガスはヘリウムである、第(10)項
に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US660759 | 1984-10-15 | ||
US06/660,759 US4687606A (en) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | Metalloid precursor powder and method of making same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6197127A true JPS6197127A (ja) | 1986-05-15 |
JPH0132166B2 JPH0132166B2 (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=24650854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60228544A Granted JPS6197127A (ja) | 1984-10-15 | 1985-10-14 | 半金属前駆物質粉末の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4687606A (ja) |
JP (1) | JPS6197127A (ja) |
CA (1) | CA1280858C (ja) |
DE (1) | DE3535912A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017031461A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | Jfeスチール株式会社 | 水アトマイズ金属粉末の製造方法 |
JP2017031462A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | Jfeスチール株式会社 | 水アトマイズ金属粉末の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2675158B1 (fr) * | 1991-04-15 | 1994-05-06 | Pechiney Electrometallurgie | Produits abrasifs et/ou refractaires a base d'oxynitrures, fondus et solidifies. |
FR2716675B1 (fr) * | 1994-02-25 | 1996-04-12 | Pechiney Electrometallurgie | Silicium métallurgique à microstructure contrôlée pour la préparation des halogénosilanes. |
WO1999019102A1 (en) * | 1997-10-14 | 1999-04-22 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter targets and methods of making same |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3364015A (en) * | 1963-06-24 | 1968-01-16 | Grace W R & Co | Silicon alloys containing rare earth metals |
US3854940A (en) * | 1970-06-08 | 1974-12-17 | Ppg Industries Inc | Electroconductive, corrosion resistant high silicon alloy |
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US4193975A (en) * | 1977-11-21 | 1980-03-18 | Union Carbide Corporation | Process for the production of improved refined metallurgical silicon |
US4195067A (en) * | 1977-11-21 | 1980-03-25 | Union Carbide Corporation | Process for the production of refined metallurgical silicon |
US4193974A (en) * | 1977-11-21 | 1980-03-18 | Union Carbide Corporation | Process for producing refined metallurgical silicon ribbon |
US4386896A (en) * | 1979-03-23 | 1983-06-07 | Allied Corporation | Apparatus for making metallic glass powder |
US4221587A (en) * | 1979-03-23 | 1980-09-09 | Allied Chemical Corporation | Method for making metallic glass powder |
CA1147698A (en) * | 1980-10-15 | 1983-06-07 | Maher I. Boulos | Purification of metallurgical grade silicon |
US4355057A (en) * | 1981-03-02 | 1982-10-19 | United Technologies Corporation | Formation of alloy powders through solid particle quenching |
US4347199A (en) * | 1981-03-02 | 1982-08-31 | Dow Corning Corporation | Method and apparatus for rapidly freezing molten metals and metalloids in particulate form |
US4402905A (en) * | 1982-03-05 | 1983-09-06 | Westinghouse Electric Corp. | Production of a polycrystalline silicon aluminum alloy by a hot pressing technique |
US4419060A (en) * | 1983-03-14 | 1983-12-06 | Dow Corning Corporation | Apparatus for rapidly freezing molten metals and metalloids in particulate form |
-
1984
- 1984-10-15 US US06/660,759 patent/US4687606A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-10-03 CA CA000492217A patent/CA1280858C/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-08 DE DE19853535912 patent/DE3535912A1/de active Granted
- 1985-10-14 JP JP60228544A patent/JPS6197127A/ja active Granted
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017031461A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | Jfeスチール株式会社 | 水アトマイズ金属粉末の製造方法 |
JP2017031462A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | Jfeスチール株式会社 | 水アトマイズ金属粉末の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4687606A (en) | 1987-08-18 |
CA1280858C (en) | 1991-03-05 |
JPH0132166B2 (ja) | 1989-06-29 |
DE3535912C2 (ja) | 1987-12-17 |
DE3535912A1 (de) | 1986-04-17 |
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