JPS6194382A - ２端子薄膜光検知器 - Google Patents
２端子薄膜光検知器Info
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- JPS6194382A JPS6194382A JP60219977A JP21997785A JPS6194382A JP S6194382 A JPS6194382 A JP S6194382A JP 60219977 A JP60219977 A JP 60219977A JP 21997785 A JP21997785 A JP 21997785A JP S6194382 A JPS6194382 A JP S6194382A
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
衾所皇ｌ形
本発明は半導体光検知装置、より詳しくは、２端子ドー
プ剤変調薄膜半導体光検知器に関し、該検知器は大面積
画像サンサー系に特に適している。
プ剤変調薄膜半導体光検知器に関し、該検知器は大面積
画像サンサー系に特に適している。
透明基体上への大面積に亘っての沈着し易さおよび再現
性のある電子装置操作の得やすさによって、結晶化ケイ
素薄膜中の装置は大面積ディスプレイ、光検知器、画像
センサーおよび集積光学素子を包含する応用に多くの可
能性を示している。
性のある電子装置操作の得やすさによって、結晶化ケイ
素薄膜中の装置は大面積ディスプレイ、光検知器、画像
センサーおよび集積光学素子を包含する応用に多くの可
能性を示している。
ケイ素は、その感光性によって、ホトダイオード、ホト
トランジスタおよび電荷結合装置の構造の光センサーに
使用されている。通常、これらの構造は嵩高（バルク）
の単結晶性ケイ素基体上に作製される。これら形状物の
全体の寸法はケイ素ウェハーの寸法によって決まる。大
画像面積を読み取るための光集合光学素子の使用は嵩の
ある感知装置を必要とする。
トランジスタおよび電荷結合装置の構造の光センサーに
使用されている。通常、これらの構造は嵩高（バルク）
の単結晶性ケイ素基体上に作製される。これら形状物の
全体の寸法はケイ素ウェハーの寸法によって決まる。大
画像面積を読み取るための光集合光学素子の使用は嵩の
ある感知装置を必要とする。
任意の大面積の透明基体上での無定形ケイ素（ａ−３ｉ
：Ｈ）薄膜の沈着しやすさにより、これらの薄膜は接触
原稿人力走査搬用の大面積画像センサー系で使用されて
いる。（例えば、米国特許第４．４１９．６９６号参照
）。しかしながら、ａ−Ｓｔ：Ｈでの低いキャリヤー移
動性のために、その感光性および速度は、一般に、嵩高
の結晶性ケイ素（ｃ−３ｉ）中で作製されたセンサーに
比べ乏しいことが見い出されている。
：Ｈ）薄膜の沈着しやすさにより、これらの薄膜は接触
原稿人力走査搬用の大面積画像センサー系で使用されて
いる。（例えば、米国特許第４．４１９．６９６号参照
）。しかしながら、ａ−Ｓｔ：Ｈでの低いキャリヤー移
動性のために、その感光性および速度は、一般に、嵩高
の結晶性ケイ素（ｃ−３ｉ）中で作製されたセンサーに
比べ乏しいことが見い出されている。
レーザー結晶化における最近の進歩は高性能ＴＰＴ形成
用の嵩高の無定形基体上で欠陥のない単結晶性ケイ素薄
膜の形成を可能にし、透明基体上へのフラットパネルデ
ィスプレイおよび画像センサーのような直接画像大面積
電子装置への応用を可能にしている。例えば、米国特許
第４，４０９，７２４号参照されたい。また、ＴＰＴシ
フトレジスターの最近の実例は個々のトランジェントの
局部的切換から応用分野を拡大させつつあり、画像処理
でしばしば遭遇するデータ速度（ｄａｔａ ｒａｔｅ）
において十分な高速性を有する論理回路（ｌｏｇｉｃ
ｃｉｒｃｕｉｔｓ）を包含している。例えば、１９８３
年マサチューセッツ州ボストンで開催された１９８３マ
テリアルヅリサーチソサイアテイの会９１（Ｐｒ、ｏｃ
ｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ｔｈｅ １９８３ Ｍａｔｅｒｉ
ａｌｓ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ ５ｏｃｉｅｔｙ）のＮＭＯ
Ｓロジ・ｌり サーキット イン レーザー クリスタ
ライズド シリコン オン コーラ“（ＮＭＯ５Ｌｏｇ
ｉｃ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ ｉｎ Ｌａ５ｅｒ Ｃｙｓｔ
ａｌｌｉｊｅｒ ５ｉｌｉｃｏｎｏｎ Ｑｕａｒｔｚ）
″および編集者Ｊｏｈｎ Ｃ，Ｃ１Ｆａｎｎ および
Ｎ、Ｍ、Ｊｏｈｎｓｏｎにより発行された刊行物“エネ
ルギービームーソリッドインターアクンヨン トランジ
ェント サーマル プロセシング（ＥｅｎｅｒｇｙＢｅ
ａｍ−Ｓｏｌｉｄ Ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓ ＆ Ｔ
ｒａｎｓｒｅｎｔ ＴｈｅｒｍａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎ
ｇ） 、Ｖｏｌ、 ２３、ｐｐ、５５１−５５８（Ｅｌ
ｓｅｖｉｅｒ社、ニューヨーク、１９８４）“における
Ａ、Ｃｈｉａｎｇ等を参照されたい。
用の嵩高の無定形基体上で欠陥のない単結晶性ケイ素薄
膜の形成を可能にし、透明基体上へのフラットパネルデ
ィスプレイおよび画像センサーのような直接画像大面積
電子装置への応用を可能にしている。例えば、米国特許
第４，４０９，７２４号参照されたい。また、ＴＰＴシ
フトレジスターの最近の実例は個々のトランジェントの
局部的切換から応用分野を拡大させつつあり、画像処理
でしばしば遭遇するデータ速度（ｄａｔａ ｒａｔｅ）
において十分な高速性を有する論理回路（ｌｏｇｉｃ
ｃｉｒｃｕｉｔｓ）を包含している。例えば、１９８３
年マサチューセッツ州ボストンで開催された１９８３マ
テリアルヅリサーチソサイアテイの会９１（Ｐｒ、ｏｃ
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ａｌｓ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ ５ｏｃｉｅｔｙ）のＮＭＯ
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ライズド シリコン オン コーラ“（ＮＭＯ５Ｌｏｇ
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ｇ） 、Ｖｏｌ、 ２３、ｐｐ、５５１−５５８（Ｅｌ
ｓｅｖｉｅｒ社、ニューヨーク、１９８４）“における
Ａ、Ｃｈｉａｎｇ等を参照されたい。
絶縁性基体上でのケイ素薄膜の結晶化、例えば走査ＣＷ
レーザーによりパターン化しカプセル化された形状の溶
融石英は従来技術においてよく報告されている。例えば
、米国特許第４，３３０，３６３号および刊行物“レー
ザー アンド エレクトロン−ビーム ソリッド イン
ターアクション アンド マテリアル プロセシング（
Ｌａｓｅｒ ＆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｂｅａｍ ５ｏｌ
ｉｄ Ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ ＆ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）編集者Ｊ、Ｆ、Ｇｉｂｂ
ｏｎｓ等、Ｖｏｌ、 １″、特に、′プロセスシング
アンド プロパティース オンＣＷ レーザーリクリス
タライズド シリコンフィルム オン アモファース
サブストレイツ（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ａｎｄ Ｐｒ
ｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＣＷ Ｌａ５ｅｒ−Ｒｅｃｒ
ｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ ５ｉｌｔｃｏｎ Ｆｉｌｍｓ
ｏｎ ＡｍｏｒｐｈｏｕｓＳｕｂｓ ｔｒａ ｔｅｓ）
″なる表題の４６３〜４７０ベージのＮ０Ｍ Ｊｏｈｎ
ｓｏｎ等の論文（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ社、ニューヨーク、
１９８１）を参照されたい。最近の技術の急激な進歩は
走査ＣＷレーザーの溶融領域通路から前傾斜した固形化
を包含している。構造的な欠陥は側方欠陥低減法によっ
て大きく減少させ得るかあるいは消去さえさせ得、かく
して極めて高割合、＜１（１０＞の内子面配向（ｉｎ−
ｐｌａｎｅ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）を有する（１（
１０）の組織化された単結晶性ケイ素島状部の形成を可
能にする。前出の１９８３マテリアルヅ リサーチ ソ
サイエサー ミーティングの会報およびり、Ｆｅｎｎｅ
ｌｌ等の、“ディフェクト リダクション バイ チル
チドゾーン クリスクリゼーション オン パターンド
シリコンフィルム オン フユーズド シリカ（Ｄｅ
ｆｅｃｔｉｏｎＲｅｄｕｃｔｉｏｎ ｂｙ Ｆｉｔｌｅ
ｄ Ｚｏｎｅ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ５ｉｌｉｃｏｎ Ｆｉｌｍｓ
ｏｎ Ｆｕｓｅｄ ５ｉｌｉｃａ） ”〔編集者Ｊｏ
ｈｎ Ｃ，Ｃ，ＦａｎｎおよびＮ、Ｍ、Ｊｏｈｓｏｎに
ょるエネルギー ビーム−ソリッド インターアクショ
ン アンド トランジェント サーマル プロセシシン
グ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｂｅａｍ−３ｏｌｉｄ Ｉｎｔｅｒ
ａｃｔｉｏｎｓ ＆Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｔｈｅｒｍａ
ｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ） 、Ｖｏｌ、 ２３、ｐｐ
４０３−４０８、（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ 、ニューヨーク
、１９８４）で発行された〕を参照されたい。
レーザーによりパターン化しカプセル化された形状の溶
融石英は従来技術においてよく報告されている。例えば
、米国特許第４，３３０，３６３号および刊行物“レー
ザー アンド エレクトロン−ビーム ソリッド イン
ターアクション アンド マテリアル プロセシング（
Ｌａｓｅｒ ＆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｂｅａｍ ５ｏｌ
ｉｄ Ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ ＆ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）編集者Ｊ、Ｆ、Ｇｉｂｂ
ｏｎｓ等、Ｖｏｌ、 １″、特に、′プロセスシング
アンド プロパティース オンＣＷ レーザーリクリス
タライズド シリコンフィルム オン アモファース
サブストレイツ（Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ａｎｄ Ｐｒ
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ｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ ５ｉｌｔｃｏｎ Ｆｉｌｍｓ
ｏｎ ＡｍｏｒｐｈｏｕｓＳｕｂｓ ｔｒａ ｔｅｓ）
″なる表題の４６３〜４７０ベージのＮ０Ｍ Ｊｏｈｎ
ｓｏｎ等の論文（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ社、ニューヨーク、
１９８１）を参照されたい。最近の技術の急激な進歩は
走査ＣＷレーザーの溶融領域通路から前傾斜した固形化
を包含している。構造的な欠陥は側方欠陥低減法によっ
て大きく減少させ得るかあるいは消去さえさせ得、かく
して極めて高割合、＜１（１０＞の内子面配向（ｉｎ−
ｐｌａｎｅ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）を有する（１（
１０）の組織化された単結晶性ケイ素島状部の形成を可
能にする。前出の１９８３マテリアルヅ リサーチ ソ
サイエサー ミーティングの会報およびり、Ｆｅｎｎｅ
ｌｌ等の、“ディフェクト リダクション バイ チル
チドゾーン クリスクリゼーション オン パターンド
シリコンフィルム オン フユーズド シリカ（Ｄｅ
ｆｅｃｔｉｏｎＲｅｄｕｃｔｉｏｎ ｂｙ Ｆｉｔｌｅ
ｄ Ｚｏｎｅ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ５ｉｌｉｃｏｎ Ｆｉｌｍｓ
ｏｎ Ｆｕｓｅｄ ５ｉｌｉｃａ） ”〔編集者Ｊｏ
ｈｎ Ｃ，Ｃ，ＦａｎｎおよびＮ、Ｍ、Ｊｏｈｓｏｎに
ょるエネルギー ビーム−ソリッド インターアクショ
ン アンド トランジェント サーマル プロセシシン
グ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｂｅａｍ−３ｏｌｉｄ Ｉｎｔｅｒ
ａｃｔｉｏｎｓ ＆Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｔｈｅｒｍａ
ｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ） 、Ｖｏｌ、 ２３、ｐｐ
４０３−４０８、（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ 、ニューヨーク
、１９８４）で発行された〕を参照されたい。
絶縁性基体上でのレーザー結晶化ケイ素薄膜技術におけ
るこれらの進歩は、嵩高装置の性能よりも優れているか
またはそれに匹敵する性能を有する数多くの新規なＭＭ
Ｏ３およびＣＭＯ５薄膜電子装置を産み出している。し
かしながら、促進方式のＴＰＴで示される感光性は、コ
ンパクトな電子複写機またはプリンターないしファクシ
ミリ装置における高速、高解像力のような接触入方走査
機用途での所望レベルのＳ／Ｎ比および動的範囲を与え
る程には十分に大きくない。
るこれらの進歩は、嵩高装置の性能よりも優れているか
またはそれに匹敵する性能を有する数多くの新規なＭＭ
Ｏ３およびＣＭＯ５薄膜電子装置を産み出している。し
かしながら、促進方式のＴＰＴで示される感光性は、コ
ンパクトな電子複写機またはプリンターないしファクシ
ミリ装置における高速、高解像力のような接触入方走査
機用途での所望レベルのＳ／Ｎ比および動的範囲を与え
る程には十分に大きくない。
１９８４年６月１８に出願された米国特許出願第６２１
，３６０号には、ＴＦＴタイプの空乏方式薄膜半導体光
検知器が開示され、その検知器は、３倍またはそれ以上
に改良された光導電性利得（ゲイン）の如き、比較でき
る促進方式薄膜トランジスタまたは無定形ケイ素ホトダ
イオードに匹敵する著しい感光性を有するとしている。
，３６０号には、ＴＦＴタイプの空乏方式薄膜半導体光
検知器が開示され、その検知器は、３倍またはそれ以上
に改良された光導電性利得（ゲイン）の如き、比較でき
る促進方式薄膜トランジスタまたは無定形ケイ素ホトダ
イオードに匹敵する著しい感光性を有するとしている。
該米国出願第６２１．３６０号は装置の導電性チャンネ
ルを適当なゲート電圧の適用により十分にピンチオフし
たとき高光導電性利得と低光強度での検知性とを有する
薄膜電界効果トランジスターを記載している。さらに２
つの基本的な構造：空乏方式ゲートダイオードおよび電
荷光検知装置とを開示している。これらの構造は１つま
たはそれ以上の絶縁ゲート電極を用いて該ゲート電極に
適当な電圧を適用したとき半導体活性領域中に空乏領域
を誘起する。即ち、これらの構造体は３つまたはそれ以
上の装置操作用の電気接続またはターミナルを必要とし
ている。
ルを適当なゲート電圧の適用により十分にピンチオフし
たとき高光導電性利得と低光強度での検知性とを有する
薄膜電界効果トランジスターを記載している。さらに２
つの基本的な構造：空乏方式ゲートダイオードおよび電
荷光検知装置とを開示している。これらの構造は１つま
たはそれ以上の絶縁ゲート電極を用いて該ゲート電極に
適当な電圧を適用したとき半導体活性領域中に空乏領域
を誘起する。即ち、これらの構造体は３つまたはそれ以
上の装置操作用の電気接続またはターミナルを必要とし
ている。
光」Ｆと」Ｗ
本発明によれば、２端子薄膜光検知器は半導体光検知器
薄膜中のドープ剤変調チャンネルからなり、該チャンネ
ルは長電子寿命を与え、その結果。
薄膜中のドープ剤変調チャンネルからなり、該チャンネ
ルは長電子寿命を与え、その結果。
ゲート電極の使用およびゲート電圧の適用を行うことな
しに、前記米国出願第６２１ 、３６０号の薄膜ゲート
装置に比べ、それと同等かあるいはそれより優れた感光
性を示している。
しに、前記米国出願第６２１ 、３６０号の薄膜ゲート
装置に比べ、それと同等かあるいはそれより優れた感光
性を示している。
本発明の２端子薄膜光検知器は、例えば、２端子領域と
これら２端子領域間に形成された薄膜感光性チャンネル
とを有する、絶縁性基体上の半導体薄膜結晶性ケイ素か
らなる。上記チャンネルは薄膜中の３つの異なるドープ
化領域、即ち、基体に直接隣接して形成された第１の導
電性タイプの第１領域、該第１領域上に形成された逆の
導電性タイプの第２領域および該第２領域上に形成され
た上記第１領域と同じ導電性タイプの第３領域とからな
る。該ドープ化領域は第１領域と第２領域間および第２
領域と第３領域間に基体表面に平行に存在するｐ−ｎ接
合を形成している。これらの接合は電荷キャリヤー分離
手段として機能する。
これら２端子領域間に形成された薄膜感光性チャンネル
とを有する、絶縁性基体上の半導体薄膜結晶性ケイ素か
らなる。上記チャンネルは薄膜中の３つの異なるドープ
化領域、即ち、基体に直接隣接して形成された第１の導
電性タイプの第１領域、該第１領域上に形成された逆の
導電性タイプの第２領域および該第２領域上に形成され
た上記第１領域と同じ導電性タイプの第３領域とからな
る。該ドープ化領域は第１領域と第２領域間および第２
領域と第３領域間に基体表面に平行に存在するｐ−ｎ接
合を形成している。これらの接合は電荷キャリヤー分離
手段として機能する。
上記チャンネルは暗所で十分に空乏したものとして機能
し照射したとき光導電性になる。
し照射したとき光導電性になる。
上部および下部の主領域は、例えば、正孔の貯蔵領域と
して機能するｐ領域であり得、一方中央の領域は光検知
器の２つのｎ″領域間にあり電子の貯蔵領域または電位
ウェルを形成する電流チャンネルとして機能するｎ ％
ｐ域であり得る。ｎ゛端子領域はｎチャンネル領域に対
するオーム接触として機能する。本発明の光検知器は薄
膜中のｐ−ｎ−ｐチャンネル構造に基づく低暗電流によ
る高光導電性利得を示す。
して機能するｐ領域であり得、一方中央の領域は光検知
器の２つのｎ″領域間にあり電子の貯蔵領域または電位
ウェルを形成する電流チャンネルとして機能するｎ ％
ｐ域であり得る。ｎ゛端子領域はｎチャンネル領域に対
するオーム接触として機能する。本発明の光検知器は薄
膜中のｐ−ｎ−ｐチャンネル構造に基づく低暗電流によ
る高光導電性利得を示す。
他の目的および利点は本発明をより十分に理解すること
によって明らかとなり、また添付図面に関連して述べる
以下の説明により評価し得るであろう。
によって明らかとなり、また添付図面に関連して述べる
以下の説明により評価し得るであろう。
好ましい実ｙｆ！Ｓ様の詳細な説明
第１図において、本発明の２端子ドープ剤変調薄膜光検
知器１０が略図的に例示されている。光検知器１０は溶
融石英または溶融シリカのような透明な絶縁性基体１２
上の直埋チャンネル薄膜装置からなる。基体１２はガラ
スまたはセラミック板のような他の絶縁材料でもよい。
知器１０が略図的に例示されている。光検知器１０は溶
融石英または溶融シリカのような透明な絶縁性基体１２
上の直埋チャンネル薄膜装置からなる。基体１２はガラ
スまたはセラミック板のような他の絶縁材料でもよい。
基体１２の透明性は基体を通して光検知器で光を感知す
るのに有用であるが、光検知器の表面不動態酸化物２０
を通して光の透過を行う構成も可能である。いずれにし
ろ、基体１２は本発明の光検知器ｌＯを含む集積半導体
系における光透過に所望される設計によって透明または
不透明である得る。
るのに有用であるが、光検知器の表面不動態酸化物２０
を通して光の透過を行う構成も可能である。いずれにし
ろ、基体１２は本発明の光検知器ｌＯを含む集積半導体
系における光透過に所望される設計によって透明または
不透明である得る。
光検知器は、例えば、ホトリトグラフにより不連続の島
状体にパターン化した結晶化ケイ素薄膜であり得る。薄
膜１３は、例えば、０．５μｍの厚さであり得る。薄膜
１３の厚さは、例えば、約０．３μｍ〜５０μｍの範囲
であり得る。
状体にパターン化した結晶化ケイ素薄膜であり得る。薄
膜１３は、例えば、０．５μｍの厚さであり得る。薄膜
１３の厚さは、例えば、約０．３μｍ〜５０μｍの範囲
であり得る。
薄膜１３は通常の方法（例えば、イオン植え込み法）に
より不均一にドーピングされて薄膜中にｐ−ｎ−ｐドー
プ剤パターンを形成している。チャンネルは下部ｐタイ
プ領域１４（例えば、はう素）、中央のｎタイプチャン
ネル領域１６ （例えば、リン）および上部ｐタイプ領
域１８ （例えば、はう素）からなる。下部領域１４と
チャンネル領域１６とはｐ−ｎ接合１５を形成し、上部
領域１８とチャンネル領域１６とはｐ−ｎ接合１７を形
成する。酸化物Ｎ２０はケイ素領域１３の一部を酸化す
ることにより熱成長しており、例えば、約０．１３μｍ
の厚さであり得る。酸化物層２０の目的は薄膜１３の半
導体表面を不動態化することである。２端子領域２６と
２８は“３−領域”１４−１６−１８の両端にＡｓ・植
え込み（ｉｎｐｌａｎａｔｉｏｎ）により形成されて中
央のチャンネル領域に対するオーム接触として機能する
高度にドーピングされたｎ′領領域形成している。端子
領域２６と２８での電極３０と３２は蒸着ＡＡからなり
得る。
より不均一にドーピングされて薄膜中にｐ−ｎ−ｐドー
プ剤パターンを形成している。チャンネルは下部ｐタイ
プ領域１４（例えば、はう素）、中央のｎタイプチャン
ネル領域１６ （例えば、リン）および上部ｐタイプ領
域１８ （例えば、はう素）からなる。下部領域１４と
チャンネル領域１６とはｐ−ｎ接合１５を形成し、上部
領域１８とチャンネル領域１６とはｐ−ｎ接合１７を形
成する。酸化物Ｎ２０はケイ素領域１３の一部を酸化す
ることにより熱成長しており、例えば、約０．１３μｍ
の厚さであり得る。酸化物層２０の目的は薄膜１３の半
導体表面を不動態化することである。２端子領域２６と
２８は“３−領域”１４−１６−１８の両端にＡｓ・植
え込み（ｉｎｐｌａｎａｔｉｏｎ）により形成されて中
央のチャンネル領域に対するオーム接触として機能する
高度にドーピングされたｎ′領領域形成している。端子
領域２６と２８での電極３０と３２は蒸着ＡＡからなり
得る。
光検知器１０は当該技術において公知の作製技術によっ
て形成できる。例えば溶融石英ウェハー上の０．５μｍ
厚のＬＰ−ＣＶＤポリシリコン層はホトリトグラフおよ
びプラズマエツチングにより形成されて複数のパターン
化ストリップを得ることができ、このストリップは次い
でレーザー溶融処理せしめて再結晶化を行い得る。レー
ザ結晶化は走査ＣＷＣＯ□レーザースポットにより達成
され、該レーザーは各島状体の中心からオフセットされ
て傾斜した固形化を生じ、その前方より各島状体を横切
って走査されている。この方法はストリップ内に主とし
て（１（１０） −１１１１ｔｉ化または＜ １（１０
＞−配向したケイ素島状体を生成し、この島状体は穀
粒境界を含んでいない。レーザー結晶化後、光検知器の
作製は、例えば、前章において、あるいはＡ、Ｃｈｉａ
ｎｇ等の“プロシーディンゲス オン５ＰＩＥ シン
ポジウム オン レーザー プロセシング オン セミ
コンダクター ディバイス（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
ｏｆ ５ＰＩＥ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｌａｓｅ
ｒＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ ＤｅｖｉｃｅＳ）、ｖｏｌ。
て形成できる。例えば溶融石英ウェハー上の０．５μｍ
厚のＬＰ−ＣＶＤポリシリコン層はホトリトグラフおよ
びプラズマエツチングにより形成されて複数のパターン
化ストリップを得ることができ、このストリップは次い
でレーザー溶融処理せしめて再結晶化を行い得る。レー
ザ結晶化は走査ＣＷＣＯ□レーザースポットにより達成
され、該レーザーは各島状体の中心からオフセットされ
て傾斜した固形化を生じ、その前方より各島状体を横切
って走査されている。この方法はストリップ内に主とし
て（１（１０） −１１１１ｔｉ化または＜ １（１０
＞−配向したケイ素島状体を生成し、この島状体は穀
粒境界を含んでいない。レーザー結晶化後、光検知器の
作製は、例えば、前章において、あるいはＡ、Ｃｈｉａ
ｎｇ等の“プロシーディンゲス オン５ＰＩＥ シン
ポジウム オン レーザー プロセシング オン セミ
コンダクター ディバイス（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
ｏｆ ５ＰＩＥ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｌａｓｅ
ｒＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ ＤｅｖｉｃｅＳ）、ｖｏｌ。
３８５．７６ （１９８３） ″、および前出の刊行
物“エネルギー ビーム−ソリッド インターアクショ
ンズ アンド トランシーエンド サーマル プロセシ
ングにおいて記載されているような６つのマスクレベル
を有するＮＭＯ５法により実施できる。
物“エネルギー ビーム−ソリッド インターアクショ
ンズ アンド トランシーエンド サーマル プロセシ
ングにおいて記載されているような６つのマスクレベル
を有するＮＭＯ５法により実施できる。
光検知器１０の下部ｐ領域１４は酸化物層２０を通して
ほう素イオンの植え込みにより形成されて層１３の領域
１４中に約１０”／ｃｎ（のアクセプター濃度を与える
。同様に、ｎチャンネル領域１６もりんイオンの植え込
みにより形成されて層１３の中央領域１６中に相対する
密度のドナー濃度を与える。最後に、ｐ領域１８は酸化
物層２゜を通してのほう素イオンの植込みにより形成さ
れて約１０”／ａ（のアクセプター濃度を与える。アク
セプターおよびドナー濃度は１０”／ｃＪ〜１０′８７
ｃ１１！の範囲にあり得る。
ほう素イオンの植え込みにより形成されて層１３の領域
１４中に約１０”／ｃｎ（のアクセプター濃度を与える
。同様に、ｎチャンネル領域１６もりんイオンの植え込
みにより形成されて層１３の中央領域１６中に相対する
密度のドナー濃度を与える。最後に、ｐ領域１８は酸化
物層２゜を通してのほう素イオンの植込みにより形成さ
れて約１０”／ａ（のアクセプター濃度を与える。アク
セプターおよびドナー濃度は１０”／ｃＪ〜１０′８７
ｃ１１！の範囲にあり得る。
光検知器１０の所期の性能は米国特許出願第６２１．３
６０号に記載されているピンチオフの空乏方式ＴＦＴの
性能から評価でき、る（該米国出願の記載は参考として
本明細書に引用する）。光検知器１０を形成するケイ素
島状体は約０．５μｍの厚さであり、照射光のわずか２
５％だけを吸収し、その基体的光導電性利得Ｇは、もし
反射を無視し単一量子効率を想定する場合には、３４４
０電子／吸収陽子程に大きい。オーム接触によるによる
ｎタイプ光検知器中のそのような大きい利得は極めて長
い電子寿命を暗示するもので、次の等式（１）に示され
る光導電性利得Ｇの定義より計算できる３Ｇ＝τ／ｌ、
ｌ （１） （式中、τは正札と再結合する前の光陽子の寿命に等し
く、１．はチャンネル領域１６中の電子の走行時間に等
しく、等式（２）により決定される。
６０号に記載されているピンチオフの空乏方式ＴＦＴの
性能から評価でき、る（該米国出願の記載は参考として
本明細書に引用する）。光検知器１０を形成するケイ素
島状体は約０．５μｍの厚さであり、照射光のわずか２
５％だけを吸収し、その基体的光導電性利得Ｇは、もし
反射を無視し単一量子効率を想定する場合には、３４４
０電子／吸収陽子程に大きい。オーム接触によるによる
ｎタイプ光検知器中のそのような大きい利得は極めて長
い電子寿命を暗示するもので、次の等式（１）に示され
る光導電性利得Ｇの定義より計算できる３Ｇ＝τ／ｌ、
ｌ （１） （式中、τは正札と再結合する前の光陽子の寿命に等し
く、１．はチャンネル領域１６中の電子の走行時間に等
しく、等式（２）により決定される。
ｔ ｎ ＝ Ｌ２／ ｐ ｎ Ｖｏ （２）こ
こに、Ｌはチャンネル長に等しく、μｎは電子移動に等
しく、■。はチャンネルを横切って適用した電圧に等し
い。） これによりμｎ約２（１００ｃｏ！／Ｖ、に対する電子
寿命の概算を与え、ＶＤ＝０．ＩＶのとき、寿命は約６
０μｓである。即ち、空乏方式ＴＰＴの、従って、２端
子光検知器の高光導電性は長電子寿命を与える。本発明
の光検知器１０は、基本的には、（１）ｎチャンネル領
域上下のｐ領域の使用および（２）ケート電極の不使用
により米国特許出願第６２１ 、３４０号の空乏方式Ｔ
ＰＴ光検知器とは別のものである。
こに、Ｌはチャンネル長に等しく、μｎは電子移動に等
しく、■。はチャンネルを横切って適用した電圧に等し
い。） これによりμｎ約２（１００ｃｏ！／Ｖ、に対する電子
寿命の概算を与え、ＶＤ＝０．ＩＶのとき、寿命は約６
０μｓである。即ち、空乏方式ＴＰＴの、従って、２端
子光検知器の高光導電性は長電子寿命を与える。本発明
の光検知器１０は、基本的には、（１）ｎチャンネル領
域上下のｐ領域の使用および（２）ケート電極の不使用
により米国特許出願第６２１ 、３４０号の空乏方式Ｔ
ＰＴ光検知器とは別のものである。
光検知器１０の物性は第２図に示した領域１４１６およ
び１８のエネルギーバンド図により量的に説明できる。
び１８のエネルギーバンド図により量的に説明できる。
実線ＥＣとＥｖは、それぞれ、伝導帯および価電子帯を
示し、点線Ｅ、はフェルミ準位を示す。例としてケイ素
薄膜１３中の金属接合１５と１７とを、ぞれぞれ酸化物
層２０の下約０．３μｍと０．２μｍに置き、チャンネ
ル領域１６はｐ−ｎ接合１５と１７の間で約０．１μｍ
の幅を有する。
示し、点線Ｅ、はフェルミ準位を示す。例としてケイ素
薄膜１３中の金属接合１５と１７とを、ぞれぞれ酸化物
層２０の下約０．３μｍと０．２μｍに置き、チャンネ
ル領域１６はｐ−ｎ接合１５と１７の間で約０．１μｍ
の幅を有する。
２つのｐ領域１４と１８は電気的に浮動しており、ｐ−
ｎ接合１５と１７の各空乏層は同化して無視し得る程度
の熱発生自由電子を含むｎチャンネル内に電位エネルギ
ー最小値即ちウェルを形成する。結果として、暗電流は
無視できる。同様に、正孔用の電位エネルギーウェルは
両ｐ領域１４と１８に存在し、それぞれ、一方からは接
合空乏領域により、また他の一方からは隣接する５ｉ０
２即ち、溶融シリカ基体１２または熱酸化物層に存在す
る回避できない固定残留圧空間電荷から離れた自由正孔
の静電反↑Ωによりはね返される。第２図で示すように
、光励起電子−正孔対はｐ−ｎ接合１５と１７を横切っ
て分離し、負のアクセプター電荷を一部消費する浮動ｐ
領域１４と１８中の正の静空間電荷を分布している過剰
の正孔によりその各々のウェル内に集まる傾向にある。
ｎ接合１５と１７の各空乏層は同化して無視し得る程度
の熱発生自由電子を含むｎチャンネル内に電位エネルギ
ー最小値即ちウェルを形成する。結果として、暗電流は
無視できる。同様に、正孔用の電位エネルギーウェルは
両ｐ領域１４と１８に存在し、それぞれ、一方からは接
合空乏領域により、また他の一方からは隣接する５ｉ０
２即ち、溶融シリカ基体１２または熱酸化物層に存在す
る回避できない固定残留圧空間電荷から離れた自由正孔
の静電反↑Ωによりはね返される。第２図で示すように
、光励起電子−正孔対はｐ−ｎ接合１５と１７を横切っ
て分離し、負のアクセプター電荷を一部消費する浮動ｐ
領域１４と１８中の正の静空間電荷を分布している過剰
の正孔によりその各々のウェル内に集まる傾向にある。
相応する効果はｎ領域１６内の過剰の電子により生ずる
。追加の空間電荷は接合１５と１７の電位障壁を低下さ
せる。電子は正孔と再結合するまで光電流に貢献する。
。追加の空間電荷は接合１５と１７の電位障壁を低下さ
せる。電子は正孔と再結合するまで光電流に貢献する。
一定の照射下では、電荷分離は光導電性に異なる貢献を
なす各タイプのキャリヤーにより定常状態に達する。正
孔は２つの浮動ｐ ’ｐＭ域１４と１８内に残存し、一
方直埋チヤンネル領域１６内の電子はｐ−ｎ接合１５と
１７とを横切る正札と再結合するまで光電流に貢献する
。電子がｐ領域１４と１８中の正孔から離れた直埋チャ
ンネル中で静電気的に制限されたとき、再結合工程は大
いに抑制されて長電子寿命が可能となる。即ち、大きい
光電流が浮動ｐ領域１４と１８内の過剰の正電荷の局在
化により生じ、過剰の電子が端子領域２８で流動すると
き、負電荷を端子領域２６からチャンネル領域１４へ静
電気的に引っ張る。生じた光電流の量はチャンネル１３
を打つ光の量に比較する。
なす各タイプのキャリヤーにより定常状態に達する。正
孔は２つの浮動ｐ ’ｐＭ域１４と１８内に残存し、一
方直埋チヤンネル領域１６内の電子はｐ−ｎ接合１５と
１７とを横切る正札と再結合するまで光電流に貢献する
。電子がｐ領域１４と１８中の正孔から離れた直埋チャ
ンネル中で静電気的に制限されたとき、再結合工程は大
いに抑制されて長電子寿命が可能となる。即ち、大きい
光電流が浮動ｐ領域１４と１８内の過剰の正電荷の局在
化により生じ、過剰の電子が端子領域２８で流動すると
き、負電荷を端子領域２６からチャンネル領域１４へ静
電気的に引っ張る。生じた光電流の量はチャンネル１３
を打つ光の量に比較する。
従って、光電子は、チャンネルの走行時間以上の時間、
光電流に効果的に貢献し、等式（１）で定義したような
光導電性利得Ｇを生じ、この利得は１よりもはるかに大
きい。
光電流に効果的に貢献し、等式（１）で定義したような
光導電性利得Ｇを生じ、この利得は１よりもはるかに大
きい。
特に、薄膜１３中への３領域１４−１６−１８の導入は
電荷分離に対して新規な基本的特徴を与えるｐ−ｎ−ｐ
チャンネル構造を形成する。第１図において、エネルギ
ーｈｖの光子の吸収による電子−正孔の発生、側面ｐ−
ｎ接合１５と１７の静電気不均一に基づく電荷分離、お
よび接合１５と１７とを横切る電荷拡散を含む潜在的再
結合とを例示している。光検知器１０に光を当てたとき
、光励起した自由正孔は２つの浮動ｐ領域に分割される
（先の米国出願の空乏方式ＴＰＴでは、いくらかの電荷
分離が空乏層を横切って生じる）。２つＯｐ ６Ｍ域の
光励起正孔の合計数はｎ導電性チャンネル１６内の光励
起電子の数に等しい。即ち、チャンネル１６内の一定領
域密度の光刺激電子に対し、一定領域密度の正孔の一部
はチャンネル１６の一方側（例えば、領域１４）に存在
し、残りは他の一方側（例えば、領域１８）に存在する
。
電荷分離に対して新規な基本的特徴を与えるｐ−ｎ−ｐ
チャンネル構造を形成する。第１図において、エネルギ
ーｈｖの光子の吸収による電子−正孔の発生、側面ｐ−
ｎ接合１５と１７の静電気不均一に基づく電荷分離、お
よび接合１５と１７とを横切る電荷拡散を含む潜在的再
結合とを例示している。光検知器１０に光を当てたとき
、光励起した自由正孔は２つの浮動ｐ領域に分割される
（先の米国出願の空乏方式ＴＰＴでは、いくらかの電荷
分離が空乏層を横切って生じる）。２つＯｐ ６Ｍ域の
光励起正孔の合計数はｎ導電性チャンネル１６内の光励
起電子の数に等しい。即ち、チャンネル１６内の一定領
域密度の光刺激電子に対し、一定領域密度の正孔の一部
はチャンネル１６の一方側（例えば、領域１４）に存在
し、残りは他の一方側（例えば、領域１８）に存在する
。
これにより、空間的に分離した自由電子と正孔に基づく
各接合を横切る静電電位のより小さい減少をもたらし、
そのために、接合界面領域により大きい電位障壁（バリ
ヤー）を与えている。これに対し、障壁での増大は、例
えば、接合１５と１７とを横切る自由キャリヤーの拡散
速度を低下させることにより、再結合速度を極めて直線
的に減少させ、キャリヤー寿命、ひいては光学利得を増
大させる。
各接合を横切る静電電位のより小さい減少をもたらし、
そのために、接合界面領域により大きい電位障壁（バリ
ヤー）を与えている。これに対し、障壁での増大は、例
えば、接合１５と１７とを横切る自由キャリヤーの拡散
速度を低下させることにより、再結合速度を極めて直線
的に減少させ、キャリヤー寿命、ひいては光学利得を増
大させる。
さらに、本発明の２端子光検知器は米国特許出願１に６
２１．３４０号の空乏方式ＴＰＴ光検知器以上に実際的
であり基本的な利点を有する。ゲート電極の不使用は装
置作製において処理工程の少ない簡単な装置構造、およ
び回路における複雑さのない、従って処理に関連する欠
陥のない結果をもたらす。
２１．３４０号の空乏方式ＴＰＴ光検知器以上に実際的
であり基本的な利点を有する。ゲート電極の不使用は装
置作製において処理工程の少ない簡単な装置構造、およ
び回路における複雑さのない、従って処理に関連する欠
陥のない結果をもたらす。
このことは装置／回路の高収率に著しく貢献する。
例えば、不動態層２０のピンホールは装置の操作に直接
影響しないが、米国特許第６２１，３４０号のＴＰＴ装
置においては、ピンホールはゲート電極とチャンネル間
に短電気回路をもたらし得る。さらに、ゲート電極の不
使用は照射光応答性即感光性を増大させ、さらに最上部
照射の場合に、一部に透明なゲート電極に存在する光吸
収をなくすことによる“青色”スペクトル応答をも増大
させる。
影響しないが、米国特許第６２１，３４０号のＴＰＴ装
置においては、ピンホールはゲート電極とチャンネル間
に短電気回路をもたらし得る。さらに、ゲート電極の不
使用は照射光応答性即感光性を増大させ、さらに最上部
照射の場合に、一部に透明なゲート電極に存在する光吸
収をなくすことによる“青色”スペクトル応答をも増大
させる。
要約するば、本発明の光検知器における高レベルの感光
性に対する主な貢献要因は次の如くである。
性に対する主な貢献要因は次の如くである。
ｆｌ） 光導電性チャンネルを形成する薄いｎ領域１
６により分離された２つのｐ ｅＭ域１４と１８の形成
による電荷分離のためのｐ−ｎ接合１５と１７の形成 （２）前記結晶化の特別な方法において達成されたすく
れた品質の単結晶薄膜、再結晶中心として働く薄膜のバ
ルク中に欠乏即ち穀粒境界をわずかに残在させること （３） 表面チャンネルの電子移動性に比較して高い
直埋チャンネルの電子移動性 本発明を２．３の特定の実施態様に関して説明して来た
けれども、当業者にとって多くの変法、修正および変形
を上記を参照にしてなし得ることは明らかである。例え
ば、正札による光導電性用のドープ剤の反対極性を領域
２６と２８をｐ゛としてドーピングし、上部および下部
領域１４と１８をｎでドープしチャンネル領域１６をｐ
でドーピングすることにより達成できる。従って、本発
明は本発明の精神および範囲内におけるすべての変法、
修正および変形を包含するものである。
６により分離された２つのｐ ｅＭ域１４と１８の形成
による電荷分離のためのｐ−ｎ接合１５と１７の形成 （２）前記結晶化の特別な方法において達成されたすく
れた品質の単結晶薄膜、再結晶中心として働く薄膜のバ
ルク中に欠乏即ち穀粒境界をわずかに残在させること （３） 表面チャンネルの電子移動性に比較して高い
直埋チャンネルの電子移動性 本発明を２．３の特定の実施態様に関して説明して来た
けれども、当業者にとって多くの変法、修正および変形
を上記を参照にしてなし得ることは明らかである。例え
ば、正札による光導電性用のドープ剤の反対極性を領域
２６と２８をｐ゛としてドーピングし、上部および下部
領域１４と１８をｎでドープしチャンネル領域１６をｐ
でドーピングすることにより達成できる。従って、本発
明は本発明の精神および範囲内におけるすべての変法、
修正および変形を包含するものである。
第１図は本発明の２端子薄膜光検知器の略図である。
第２図は第１図の２端子薄１１々フイルムのチャンネル
領域のエネルギーバンド図である。 １０：光検知器、１２：基体、１４：ｐ領域、１６；ｎ
領域チャンネル、１８：ｐ領域、２０：酸化物、２６及
び２８：ケイ素薄膜。
領域のエネルギーバンド図である。 １０：光検知器、１２：基体、１４：ｐ領域、１６；ｎ
領域チャンネル、１８：ｐ領域、２０：酸化物、２６及
び２８：ケイ素薄膜。
Claims (10)
- （１）２端子領域と該２端子領域間に形成された薄膜感
光性チャンネルとを有する、絶縁性基体上の結晶性ケイ
素薄膜からなる２端子薄膜光検知器であって、上記チャ
ンネルが上記薄膜中の３つの異なる領域、即ち、上記基
体に直接隣接して形成された第１の導電性タイプの領域
、該第１の領域上に形成された逆導電性タイプの第２領
域および該第２領域上に形成された上記第１の領域と同
じ導電性タイプの第３の領域とからなり、上記薄膜チャ
ンネル中でかつ上記第１と第２の領域間および上記第２
と第３の領域間に上記基体の表面に平行に存在するｐ−
ｎ接合があり、該各接合は電荷キャリヤー分離手段とし
て作用し、上記チャンネルは暗中では十分に空乏化され
ており、上記光検知器を光に当てて高い動的範囲および
大きい光電流動作を与えるように光導電性となることを
特徴とする上記２端子薄膜光検知器。 - （２）前記チャンネルがｐ−ｎ−ｐチャンネル構造から
なり、前記各端子領域が前記チャンネルの各末端でｎ＾
＋領域からなり前記ｎチャンネル領域に対するオーム接
触として機能し、前記光検知器が適用されたバイアス下
で高光導電性利得を有する特許請求の範囲第（１）項記
載の２端子薄膜光検知器。 - （３）前記第２の領域がｐタイプドーピングし、前記第
１と第３の領域をｐタイプドーピングする特許請求の範
囲第（１）項記載の２端子薄膜光検知器。 - （４）前記チャンネルがｎ−ｐ−ｎチャンネル構造から
なり、前記各端子領域が前記チャンネルの各末端でｐ＾
＋領域からなり前記ｎチャンネル領域に対するオーム接
触として機能し、前記光検知器が適用したバイアス下で
高光導電性利得を有する特許請求の範囲第（１）項記載
の２端子光検知器。 - （５）前記第３の領域上に形成された不動態酸化物層が
存在し、該不動態酸化物層は透明である特許請求の範囲
第（１）項記載の２端子薄膜光検知器。 - （６）前記絶縁性基体が透明である特許請求の範囲第（
１）項記載の２端子薄膜光検知器。 - （７）アクセプターおよびドナーの濃度および輪郭（プ
ロファイル）が前記第２領域中に光導電性を与えるよう
選択され、前記第２領域は十分に空乏化されている特許
請求の範囲第（１）項記載の２端子薄膜光検知器。 - （８）前記第１と第３領域および前記第２領域でのそれ
ぞれのアクセプターおよびドナー濃度が約１０＾１＾５
／ｃｍ＾３〜１０＾１＾■／ｃｍ＾３である特許請求の
範囲第（１）項記載の２端子薄膜光検知器。 - （９）前記チャンネルの厚さが０．３μｍ〜５０μｍの
範囲である特許請求の範囲第（１）項記載の２端子薄膜
光検知器。 - （１０）前記薄膜フィルムの再結晶化をもたらすレーザ
ー溶融処理により形成された特許請求の範囲第（１）項
記載の２端子薄膜光検知器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US65906384A | 1984-10-09 | 1984-10-09 | |
| US659063 | 2000-09-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194382A true JPS6194382A (ja) | 1986-05-13 |
Family
ID=24643880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219977A Pending JPS6194382A (ja) | 1984-10-09 | 1985-10-02 | ２端子薄膜光検知器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0178148A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6194382A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6879014B2 (en) | 2000-03-20 | 2005-04-12 | Aegis Semiconductor, Inc. | Semitransparent optical detector including a polycrystalline layer and method of making |
| US6670599B2 (en) | 2000-03-27 | 2003-12-30 | Aegis Semiconductor, Inc. | Semitransparent optical detector on a flexible substrate and method of making |
| WO2001073857A2 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Aegis Semiconductor | A semitransparent optical detector including a polycrystalline layer and method of making |
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| JP4008716B2 (ja) | 2002-02-06 | 2007-11-14 | シャープ株式会社 | フラットパネル表示装置およびその製造方法 |
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| DE10333669A1 (de) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung |
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| TWI436322B (zh) | 2010-09-14 | 2014-05-01 | Ind Tech Res Inst | 光敏電路以及光敏顯示器系統 |
| US9257590B2 (en) | 2010-12-20 | 2016-02-09 | Industrial Technology Research Institute | Photoelectric element, display unit and method for fabricating the same |
| US10186626B2 (en) * | 2014-08-08 | 2019-01-22 | Forwarding Technology Ltd | Photon-effect transistor |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
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| US4143266A (en) * | 1974-09-13 | 1979-03-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Method and device for detecting radiatons |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219977A patent/JPS6194382A/ja active Pending
- 1985-10-08 EP EP85307177A patent/EP0178148A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0178148A2 (en) | 1986-04-16 |
| EP0178148A3 (en) | 1987-05-06 |
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