DE10333669A1 - Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 46
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
- H01L31/1085—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type the devices being of the Metal-Semiconductor-Metal [MSM] Schottky barrier type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Photodetektor. Der Photodetektor weist ein Absorptionsschicht (22) und zwei als ohmsche Kontakte ausgeführte Elektroden (21) auf, wobei die Absorptionsschicht (22) und die Elektroden (21) auf einem isolierenden oder semiisolierenden Substrat (24) angeordnet sind. Zur Erniedrigung des Dunkelstromes des Photodetektors weist die Absorptionsschicht (22a) zwischen den Elektroden (21) einen hohen Widerstand auf. Unterhalb der Elektroden (21) hingegen weist die Absorptionsschicht (22b) einen niedrigen Widerstand auf. Dadurch wird vorteilhaft bewirkt, dass der Kontaktwiderstand erniedrigt ist und das elektrische Feld homogen wird (Figur 2). DOLLAR A Ein Verfahren zur Herstellung des Photodetektors ist offenbart.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Photodetektor und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
- Photodetektoren werden zur Umsetzung von Lichtsignalen in elektrische Signale benutzt und z. B. in der optischen Nachrichtenübertragung eingesetzt.
- Ein, aus dem Stand der Technik bekannter, Photodetektor besteht aus zwei Metallkontakten auf der Oberfläche eines Halbleiters. Bei diesem sogenanntem MSM-Photodetektor (MSM: Metal-Semiconductor-Metal) können die Elektroden z. B. als Schottky-Kontakte ausgelegt werden. Dann funktioniert das Bauelement als Photodiode mit zwei antiseriell geschalteten Schottkydioden. Werden die Elektroden hingegen als ohmsche Kontakte ausgelegt, dann erhält man einen Photowiderstand.
- MSM-Photodetektoren werden gemäß Stand der Technik auf allen gängigen Halbleitermaterialien hergestellt, z. B. auf Si, GaAs, InP, GaN, sowohl mit Schottky-Kontakten, als auch als Photowiderstände.
- Zur Herstellung von ultraschnellen Photowiderständen eignen sich insbesondere Materialien mit einer hohen Dichte an Rekombinationszentren, welche die Lebensdauer der photogenerierten Ladungsträger stark herabsetzen. Ein Beispiel ist das sogenannte low temperature grown GaAs (LT-GaAs), welches bei für Epitaxiebedingungen niedrige Temperaturen von z.B. 200 °C hergestellt wird.
- In Frage kommen auch Halbleiter, bei denen durch Implantation mit geeigneten Ionen tiefe Störstellen erzeugt werden. Die Ionenimplantation wird auch benutzt zur Isolierung elektrischer Bauelemente durch eine starke Verminderung der Leitfähigkeit in den Bereichen zwischen den Bauelementen.
- In beiden Ausführungen, das heißt sowohl bei der Ausführung der Elektroden als Schottky-Kontakte, als auch bei deren Ausführung als ohmsche Kontakte, wird beim Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen den Elektroden ein elektrisches Feld im Halbleiter erzeugt. Dieses Feld bewegt photogenerierte Ladungsträger und erzeugt so einen Photostrom. Das elektrische Feld ist inhomogen, das heißt es wird mit zunehmender Tiefe im Halbleiter schwächer, wie in
1 zum Stand der Technik dargestellt. Weil die Geschwindigkeit der photogenerierten Ladungsträger von der elektrischen Feldstärke abhängt, erhöhen die in der Tiefe photogenerierten Ladungsträger nachteilig die Antwortzeit des Detektors. - Weiterhin nachteilig führen die, durch die inhomogene Feldverteilung erzeugten, Feldspitzen zu einer verminderten Spannungsfestigkeit des Detektors.
- Bei der Ausführung des MSM-Photodetektors als Photowiderstand, steht die Forderung nach einem hohen elektrischen Widerstand des Halbleiters zur Erzielung eines möglichst niedrigen Dunkelstromes im Widerspruch zum Wunsch nach einem niedrigen Kontaktwiderstand der Elektroden, welcher einen möglichst kleinen Widerstand des Halbleitermaterials voraussetzt.
- Aufgabe der Erfindung ist es einen Photodetektor mit einem hohen elektrischen Widerstand des Halbleiters zur Erzielung eines möglichst niedrigen Dunkelstromes bereit zu stellen, der einen niedrigen Kontaktwiderstand der Elektroden mit möglichst kleinen Widerstand des Halbleitermaterials aufweist.
- Die Aufgabe wird durch einen Photodetektor nach Anspruch 1 und ein Verfahren gemäß Nebenanspruch gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den darauf rückbezogenen Ansprüchen.
- Gemäß Hauptanspruch umfasst der Photodetektor eine Absorptionsschicht und mindestens zwei als ohmsche Kontakte ausgeführte Elektroden auf und/oder in der Absorptionsschicht. Der spezifische Widerstand der Absorptionsschicht im Bereich zwischen den Elektroden ist im Verhältnis zum spezifischen Widerstand der Absorptionsschicht im unmittelbaren Bereich an den Elektroden größer eins.
- Das Verhältnis beträgt vorteilhaft mindestens 10. Der spezifische Widerstand zwischen den Elektroden kann beispielsweise im Megaohm- oder Gigaohm-Bereich, der Widerstand im unmittelbaren Bereich der Elektroden im Ohm oder Kiloohm-Bereich liegen.
- Zur Erniedrigung des Dunkelstromes des Photodetektors weist die Absorptionsschicht zwischen den Elektroden somit einen vergleichsweise hohen Widerstand auf. Unterhalb, im Falle von Elektroden, die in der Absorptionsschicht angeordnet sind, im unmittelbaren Bereich an den Elektroden, weist die Absorptionsschicht einen niedrigeren Widerstand auf.
- Dadurch wird vorteilhaft bewirkt, dass der Kontaktwiderstand erniedrigt ist.
- Der spezifische Widerstand der Absorptionsschicht zwischen den Elektroden bzw. im unmittelbaren Bereich an den Elektroden ist dabei derartig eingestellt, dass zwischen den Elektroden jedenfalls ein homogenes elektrisches Feld vorliegt.
- Durch einen hohen Widerstand der Absorptionsschicht im Bereich zwischen den Kontakten entsteht dort ein homogenes elektrisches Feld, das im wesentlichen parallel zur Oberfläche ausgerichtet ist, wenn eine elektrische Spannung zwischen den Kontakten anliegt. Dadurch wird die Reduzierung der Geschwindigkeit des Detektors durch die Generierung von Ladungsträgern in Niedrigfeldbereichen unterdrückt, und es werden Feldspitzen vermieden, welche zum Durchbruch schon bei niedrigen angelegten Spannungen führen.
- Es ist, wie erwähnt, auch denkbar die Elektroden in der Absorptionsschicht anzuordnen, sofern dann zur Oberfläche der Absorptionsschicht hin bzw. zum Substrat hin ein niedrigerer Widerstand als im Bereich zwischen den Elektroden einstellbar ist.
- Die zwei Elektroden sind zwecks besserer Kontaktierbarkeit aber in der Regel auf einer n- oder p-dotierten Halbleiterschicht als Absorptionsschicht angeordnet. Der Bereich zwischen den Kontakten ist mit so vielen Störstellen versehen, dass der ohmsche Widerstand stark erhöht ist und photogenerierte Ladungsträger schnell rekombinieren. Die Absorptionsschicht unterhalb des Kontaktes ist hingegen gut leitend.
- Ein Bereich mit niedriger Feldstärke in der Absorptionszone wird vermieden, welche das Bauelement verlangsamen würde. Die Widerstandserhöhung durch Ionenimplantation bewirkt gleichzeitig eine Isolierung des Bauelementes gegenüber anderen Bauelementen auf demselben Substrat und macht somit vorteilhaft eine Mesa-Ätzung überflüssig.
- Die Anordnung aus Absorptionsschicht und Elektroden ist vorteilhaft auf einem isolierenden oder semiisolierenden Substrat als Tragschicht angeordnet.
- Derartige Photodetektoren stellen somit Bauelemente auf Halbleiterbasis zur Umwandlung von Licht in elektrischen Strom dar. Das Licht dringt im wesentlichen senkrecht zur Substratoberfläche von oben in das Bauelement ein.
- Das Verfahren zur Herstellung des Photodetektors umfasst die Schritte:
- – Herstellung einer leitenden Absorptionsschicht auf einem isolierenden oder semiisolierenden Halbleitermaterial als Substrat,
- – Herstellung von mindestens zwei Elektroden als ohmsche Kontakte auf und/oder in der leitenden Ab sorptionsschicht,
- – Modifizierung der Absorptionsschicht zwischen den Elektroden, so dass zwischen den Elektroden ein homogenes elektrisches Feld erzeugt werden kann,
- – Kontaktierung der Elektroden des Photodetektors.
- Die Modifizierung der Absorptionsschicht kann mittels Implantation oder Eindiffusion mit geeigneten Ionen erfolgen.
- Die Ionenimplantation wird dann mit einer Dosis und Energie ausgeführt die ausreicht, um den Widerstand der Absorptionsschicht im Bereich zwischen den Elektroden von dessen Oberfläche bis zum Substrat zu erhöhen. Das Material der Absorptionsschicht zwischen den Elektroden wird dabei so verändert, dass durch die Erzeugung von Rekombinationszentren die Geschwindigkeit des Photodetektors insgesamt erhöht wird und die Lebensdauer der photogenerierten Ladungsträger verringert wird.
- Die Ionenimplantation erfolgt mit geeigneten Elementen, wie z. B. Stickstoff oder Silizium, die den ohmschen Widerstand zwischen den Elektroden stark erhöhen, so dass photogenerierte Ladungsträger schneller rekombinieren.
- Die Kontaktierung des Photodetektors erfolgt z.B. mittels Isolationsschichten, Kontaktpads und so weiter.
- Ein derartiger Photodetektor besitzt die bekannten Vorteile der MSM-Bauelemente. Es handelt sich um ein pla nares Bauelement, das heißt es werden keine Ätzungen benötigt, wodurch Arbeitsschritte gespart und nachfolgende Fertigungsschritte, insbesondere die Lithographie vereinfacht werden.
- Die Leitfähigkeit des Halbleitermaterials unterhalb der ohmschen Kontakte kann dabei ohne Rücksicht auf den Dunkelstrom des Photodetektors gewählt werden.
- Das Verfahren mittels Ionenimplantation erfolgt selbstjustierend nur in den Bereichen außerhalb der ohmschen Kontakte, weil das Kontaktmaterial selbst als Implantationsmaske wirkt. Dies erspart kostspielige lithographische Prozessierungsschritte und erlaubt kleinere Abmessungen zwischen den Elektroden, weil keine Justiertoleranzen eingeplant werden müssen.
- Im weiteren wird die Erfindung an Hand eines Ausführungsbeispiels und der beigefügten Figuren näher beschrieben.
-
1 zeigt einen Photodetektor gemäß Stand der Technik. -
2 zeigt einen erfindungsgemäßen Photodetektor. -
3 zeigt ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung des Photodetektors. - In
1 wird beim Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen den Elektroden1 ein elektrisches Feld3 im Halbleiter erzeugt. Dieses Feld3 bewegt photogenerierte Ladungsträger und erzeugt so einen Photostrom. - Das elektrische Feld ist aber nachteilig inhomogen, das heißt es wird mit zunehmender Tiefe im Halbleiter schwächer, wie in
1 zum Stand der Technik dargestellt. Weil die Geschwindigkeit der photogenerierten Ladungsträger von der elektrischen Feldstärke abhängt, erhöhen die in der Tiefe photogenerierten Ladungsträger nachteilig die Antwortzeit des Detektors. Weiterhin nachteilig führen die, durch die inhomogene Feldverteilung erzeugten, Feldspitzen zu einer verminderten Spannungsfestigkeit des Detektors. - In
2 ist ein erfindungsgemäßer MSM-Photowiderstand basierend auf GaAs, mit einer zu detektierenden Wellenlänge von kleiner 910 Nanometern dargestellt. - Das Substrat
24 besteht aus semiisolierendem GaAs. Die Absorptionsschicht22 besteht aus GaAs und weist eine Dicke von beispielsweise 0,1 bis 10 Mikrometer auf. In die Absorptionsschicht22 dringen im vorliegenden Beispiel Photonen mit 850 Nanometern Wellenlänge in GaAs bis zu 1 Mikrometer tief ein. Die Dotierung der Absorptionsschicht erfolgte mit ND = 1016 bis 1019 cm–3 und mit Silizium als Dotierelement. Die Absorptionsschicht22 ist somit vom n-Typ. - Die Elektroden
21 umfassen eine metallische Schichtenfolge aus Ni/AuGe/Ni mit jeweiligen Dicken von 5, 90 und 25 Nanometern. Bei Bedarf können die Elektroden durch eine zusätzliche Metallschicht (z. B. Gold) mit einer Dicke von 50 bis 500 Nanometern zur besseren Abschirmung bei der Ionenimplantation verstärkt werden. - Die Elektroden
21 weisen eine Länge von 100 Nanometern bis 20 Mikrometer und einen Abstand von 100 Nanometer bis 20 Mikrometer auf.2 zeigt in Bezug auf die Elektroden21 ein 2-Finger Layout. Es kann aber genauso gut ein interdigitales Multifinger-Layout realisiert werden. - Gemäß der
3a erfolgt zunächst die Herstellung einer leitenden Absorptionsschicht32 auf einem isolierenden oder semiisolierenden Halbleitermaterial als Substrat34 , z. B. durch Epitaxie oder durch Ionenimplantation. - Sodann erfolgt die Herstellung von Elektroden
31 als ohmsche Kontakte auf der leitenden Schicht32 , z. B. durch Aufbringen von geeigneten Metallschichten und Einlegieren (3b ). - Der Implantationsprozess, der in
3c durch Pfeile angedeutet ist, verläuft selbstjustierend nur in den Bereichen zwischen den Kontakten31 . Gegebenenfalls können die ohmschen Kontakte31 durch Aufbringen geeigneter Materialien verstärkt werden. - Die Ionenimplantation erfolgt mit N, Ar, O, H, He, Si oder einem anderen geeigneten Element. Die Beschleunigungsspannung beträgt beispielsweise 10 kV bis 10 MV. Die Dosis beträgt beispielsweise 1012 bis 1018 cm–2.
- Zur Verbesserung der Tiefenhomogenität können mehrere Implantationen mit verschiedenen Dosen und Beschleunigungsspannungen vorgenommen werden.
- Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführung wird zuerst die hochohmige Absorptionsschicht durch Epitaxie oder durch Ionenimplantation auf einem geeigneten Substrat erzeugt. Anschließend werden die niederohmigen Bereiche unterhalb der noch herzustellenden ohmschen Kontakte mittels Ionenimplantation hergestellt.
Claims (9)
- Photodetektor umfassend eine Absorptionsschicht (
22 ;32 ) und mindestens zwei als ohmsche Kontakte ausgeführten Elektroden (21 ;31 ) auf und/oder in der Absorptionsschicht (22 ;32 ), dadurch gekennzeichnet, dass der spezifische Widerstand der Absorptionsschicht (22a ;32a ) im Bereich zwischen den Elektroden (21 ;31 ) im Verhältnis zum spezifischen Widerstand der Absorptionsschicht (22b ;32b ) im unmittelbaren Bereich an den Elektroden größer eins ist. - Photodetektor umfassend eine Absorptionsschicht (
22 ;32 ) und mindestens zwei als ohmsche Kontakte ausgeführten Elektroden (21 ;31 ) auf und/oder in der Absorptionsschicht (22 ;32 ), dadurch gekennzeichnet, dass der spezifische Widerstand der Absorptionsschicht (22a ;32a ) im Bereich zwischen den Elektroden (21 ;31 ) im Verhältnis zum spezifischen Widerstand der Absorptionsschicht (22b ;32b ) im unmittelbaren Bereich an den Elektroden derartig eingestellt ist, dass zwischen den Elektroden ein homogenes elektrisches Feld vorliegt. - Photodetektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorptionsschicht (
22 ;32 ) so dick ist, und/oder bei welchem das Substrat (24 ;34 ) derartig ausgeführt ist, dass das einfallende Licht im we sentlichen nur Ladungsträger in der Absorptionsschicht (22 ;32 ) erzeugt. - Photodetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden (
21 ;31 ) als interdigitale Fingerstruktur ausgelegt sind. - Verfahren zur Herstellung eines Photodetektors nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit den Schritten: – Herstellung einer leitenden Absorptionsschicht (
32 ) auf einem isolierenden oder semiisolierenden Halbleitermaterial als Substrat (34 ), – Herstellung von mindestens zwei Elektroden (31 ) als ohmsche Kontakte auf und/oder in der leitenden Absorptionsschicht (32 ), – Modifizierung der leitenden Absorptionsschicht (32 ) zwischen den ohmschen Kontakten durch Ionen, so dass zwischen den Elektroden ein homogenes elektrisches Feld erzeugt werden kann, – Kontaktierung des Photodetektors. - Verfahren nach vorhergehendem Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorptionsschicht (
32 ) durch Ionenimplantation oder Eindiffusion von Dotierstoffen oder durch Epitaxie mit oder ohne Übergangsschicht hergestellt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die ohmschen Kontakte (
31 ) durch Aufbringen von geeigneten Metallschichten und/oder durch Einlegieren hergestellt werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das die Elektroden (
31 ) als Maske während der Implantation wirken. - Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet dass zuerst die hochohmige Absorptionsschicht erzeugt wird und anschließend die niederohmigen Bereiche unterhalb der noch herzustellenden ohmschen Kontakte mittels Ionenimplantation hergestellt werden.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2003133669 DE10333669A1 (de) | 2003-07-24 | 2003-07-24 | Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE112004001156T DE112004001156B4 (de) | 2003-07-24 | 2004-06-19 | Verfahren zur Herstellung eines Photodetektors |
| PCT/DE2004/001295 WO2005011003A1 (de) | 2003-07-24 | 2004-06-19 | Photodetektor und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2003133669 DE10333669A1 (de) | 2003-07-24 | 2003-07-24 | Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10333669A1 true DE10333669A1 (de) | 2005-03-03 |
Family
ID=34088787
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2003133669 Withdrawn DE10333669A1 (de) | 2003-07-24 | 2003-07-24 | Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE112004001156T Expired - Fee Related DE112004001156B4 (de) | 2003-07-24 | 2004-06-19 | Verfahren zur Herstellung eines Photodetektors |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE112004001156T Expired - Fee Related DE112004001156B4 (de) | 2003-07-24 | 2004-06-19 | Verfahren zur Herstellung eines Photodetektors |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (2) | DE10333669A1 (de) |
| WO (1) | WO2005011003A1 (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107546283B (zh) * | 2017-08-29 | 2019-03-19 | 重庆大学 | 掩埋式电极的GaN紫外光电探测传感器及其应用电路模块 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194382A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-13 | ゼロツクス コーポレーシヨン | ２端子薄膜光検知器 |
| US4998154A (en) * | 1990-01-18 | 1991-03-05 | Northern Telecom Limited | MSM photodetector with superlattice |
| GB9322246D0 (en) * | 1993-10-28 | 1993-12-15 | Hitachi Europ Ltd | Improved metal-semiconductor-metal photodetector |
| DE19621965A1 (de) * | 1996-05-31 | 1997-12-04 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE19846063A1 (de) * | 1998-10-07 | 2000-04-20 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Double-Gate MOSFETs |
| DE19900879A1 (de) * | 1999-01-12 | 2000-08-17 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Optischer Detektor mit einer Filterschicht aus porösem Silizium und Herstellungsverfahren dazu |
-
2003
- 2003-07-24 DE DE2003133669 patent/DE10333669A1/de not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-06-19 WO PCT/DE2004/001295 patent/WO2005011003A1/de active Application Filing
- 2004-06-19 DE DE112004001156T patent/DE112004001156B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE112004001156D2 (en) | 2006-03-23 |
| WO2005011003A1 (de) | 2005-02-03 |
| DE112004001156B4 (de) | 2009-01-08 |
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