JPS6191100A - ＣｄＴｅの結晶成長法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ぐ産業−１−の利用分野〉 木光明はブリッジマン炉を用いたＣｄ　Ｔｅ結晶の成長
法に関し、加熱過程で発生ずるｃｄと丁ｅの、反応熱に
よる容器の温度上昇の抑制を１，１つたものである。

・〈従来の技術〉 第１図はブリッジマン炉を使用したＣｄＴｅ結晶の製造
装置を示すｍ念構成図である。第１図において、１は上
部にフック６を有する筒状の容器（例えば石英アンプル
）で、純度５Ｎ〜６Ｎ（９９，９９９〜９９．９９９９
％）程度のＣｄおよびＴｅの結晶を化学当量比の割合で
収納し、１０−５パスカル（Ｐａ　）程度の真空度で封
止したものである。２は加熱炉、３は炉心管、４は炉心
管３の外壁に設けられたヒータである。これらヒータは
制御部７により制御され、加熱炉２内を所定の温度に利
口σする。５は容器１をつるし、図示しない位置制御装
置により所定の場所に位置させ、または移動させるため
のワイヤである。従来はこのような装置を用いて、Ｃｄ
とＴｅが真空封入された容器１を加熱炉２内の均熱領域
に位置するように、その吊り下げ高さを調節して固定し
均熱領域の温度を徐々に上げなからＣｄとＴｅを反応さ
せることが行なわれていた。

−発明が解決しようどする問題点〉 ＣｄどＴｅからｃｄＴＯを合成する場合、４５０℃付近
から反応が始まり４５０℃〜５００℃付近と８００℃付
近で急激な温度−に界が生じる。その結果、吊り下げら
れた容器１が発熱反応に伴なって振動したり飛びあがっ
たりして炉心管３に函突し′８器１を破１ｃｉすること
があった。　本発明（、末このような従来技術の欠点を
解決したものであって、その目的は、容器１を破損する
ことなく安定にｃｄとＴｅを反応さ「て、Ｃｄ　Ｔｃ化
合物の結晶を得ることができる結晶成長法を提供するこ
とにある。

く問題点を解決プるための手段〉 このようイ抑目的を達成する本発明は、カドミウム（Ｃ
ｄ　）とテルリウム（Ｔｅ　）の結晶を化学当量比の割
合で筒状の容器に真空封入し、前記容器を一定の温度勾
配を設定することが可能な一定の長さを有する加熱炉に
収納し、カドミデル（ＣｄＴｅ）の結晶を成長させるよ
うにしたＣｄ　Ｔｅの結晶成長法において、ＣｄどＴｅ
の反応合成が発生する温度帯域かｉｒｓ記加熱炉の比較
的狭い範囲に形成されるようにし、前記温度帯域を前記
容器が相対的に移動することにより、ｃｄとＴｅの反応
合成が順次行なわれるようにしたことを構成上の特徴と
するものである。

ぐ実施例〉 第２図＜ａ　＞、　　（１１）、　　（ｃ　）は本発明
の一実Ｍ例を示すもので各工程における加熱炉２内の温
度分布状態を示している。

まず、第１図（ａ　＞の如く加熱炉２内の全域を３５０
℃程度とし、加熱炉２の略中央部の比較的狭い範囲のみ
が６００℃程度になるように温度領域を設定する。この
場合、容器１は加熱炉２上部の３５０℃の位置で全体が
加熱される。この状態ると、容器１は下端部から６５０
℃の領域に達し、４５０℃まで加熱された時点で丁ｅが
溶解し始め、５００℃近くに達したとき下端部の一部が
ＣｄＴｅになる反応が生じ、その部分のみが反応熱によ
り光熱する。しかし、この反応現象は一部のみなので人
さな発熱ｍとはならない。このようにＣｄとｌ’−ｅの
反応が比較的狭い範囲で徐々に起こる速度で容器１を下
降させる。そして、容器１全体が下部の３５０℃の位置
に達した時点で下降速度と略同様の速度で上方に引き上
げ、この温度領域での反応を完全に行な）、。

次に第２図（ｂ）に示す如く加熱炉２内仝休を約６００
℃に１斧させ、加熱炉２の略中央部の比較的狭いＶ！囲
の温度を約９５０℃になるように設定する。モして、容
器１が加熱炉２の上部で６００℃に達した時点□て容器
を徐々に下降させると、容器１は下９ミ；：部１）ｓ　
ｒら９５０℃の漬けに達し、下端部が８００℃前後に上
昇したどころで２回目の反応か起こる。しかしこの場合
ら９５０”Ｃの範囲が狭いので比較的狭い範囲でしか反
応が起らない。

そして、この反応ｈＫ起こる範１ｍを′位置制御２０装
置により少しずつ移動づれば容器全１本の温度−にＲは
制限され、発熱反応により容器１が飛び十つたり揺れた
つづることはない。　次に第２図Ｃに示す如く加熱炉全
体を９５０℃に上背させ２へ・４時間保持すれば合成反
応は終了し、ＣｄＴｅの結晶を１募ることができる。こ
のようにして青たＣｄ　Ｔｅ枯品を公知の１１−１Ｍ法
、ブリッジマン法、気相成長法等により処理してＣｄ　
Ｔｅの単結晶を得る。

このような方法によれば容器１内のＣｄとＴｅが全部同
時に反応を起こすことがないので、急激な温度上背が発
生けず、容器１の破損を防止づることができる。

なお、上記実施例においては、反応温度に加熱するため
の比較的狭い温度範囲を加熱炉２の略中央部に設け、容
器１を移動させたが、容器１を加熱炉・２内に固定して
Ｊ５き、加熱炉２内の比較的狭い範囲の反応温度領域が
容器１に沿って移動するように構成してもよい。このよ
うな方法によれば、容器１を移動させるための機械的な
位置制御Ｉ装置は不要となり加熱炉２も小形化すること
がでさる。

〈効果〉 以上実施例と共に具体的に説明したように、本光明にＪ
、杭は、容器１を破損することのイイいＣｄＴｅの結晶
成長法を実現りることかでさる。

１・・・容器、２・・・加熱炉。

第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. カドミウム（Ｃｄ）とテルリウム（Ｔｅ）の結晶を化学
   当量比の割合で筒状の容器に真空封入し、前記容器を一
   定の温度勾配を設定することが可能な一定の長さを有す
   る加熱炉に収納し、カドミテル（ＣｄＴｅ）の結晶を成
   長させるようにしたＣｄＴｅの結晶成長法において、Ｃ
   ｄとＴｅの反応合成が発生する温度帯域が前記加熱炉の
   比較的狭い範囲に形成されるようにし、前記温度帯域を
   前記容器が相対的に移動することにより、ＣｄとＴｅの
   反応合成が順次行なわれるようにしたことを特徴とする
   ＣｄＴｅの結晶成長法。