JPS6189663A - 高分子半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
高分子半導体素子およびその製造方法Info
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- JPS6189663A JPS6189663A JP59211062A JP21106284A JPS6189663A JP S6189663 A JPS6189663 A JP S6189663A JP 59211062 A JP59211062 A JP 59211062A JP 21106284 A JP21106284 A JP 21106284A JP S6189663 A JPS6189663 A JP S6189663A
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- polymer semiconductor
- methylthiophene
- trimethyl
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- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
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- C08G2261/141—Side-chains having aliphatic units
- C08G2261/1412—Saturated aliphatic units
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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- C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は高分子半導体素子およびその製造方法に関し、
さらに詳しくは高分子半導体の接合を用いた機能素子お
よびその製造方法に関するものである。
さらに詳しくは高分子半導体の接合を用いた機能素子お
よびその製造方法に関するものである。
（発明の背景〕
高分子半導体で電子デバイスが可能になれば、製作の容
易さ、低コスト、可撓性、成形性、大面積性および軽量
性からその波及効果が大きいことが知られている。
易さ、低コスト、可撓性、成形性、大面積性および軽量
性からその波及効果が大きいことが知られている。
従来この種の素子として、高分子半導体ポリアセチレン
を用いた素子（特願昭５６−１２９３７０、特願昭５６
−１３１６１０、特願昭５６−１４６２８４、特顎昭５
６１４７４８６、特願昭５６−２１４９８５など）があ
る。しかしこのようなポリアセチレンは酸化反応が激し
く、素子を長期間大気中に曝露するとほとんど初期の特
性を失うという欠点があった。
を用いた素子（特願昭５６−１２９３７０、特願昭５６
−１３１６１０、特願昭５６−１４６２８４、特顎昭５
６１４７４８６、特願昭５６−２１４９８５など）があ
る。しかしこのようなポリアセチレンは酸化反応が激し
く、素子を長期間大気中に曝露するとほとんど初期の特
性を失うという欠点があった。
一方ポリアセチレン以外にポリジアセチレンを用いた素
子（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ、Ｊａｐａｎ
、νｏ１．３Ｌ Ｎｏ、４，７１０ （１９８２）
、特願昭５９−６２６０８ ） 、ボリフ工−レンスル
フィｔ”を用いた素子〔Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉ
ｎＬｓ、Ｊａｐａｎ、Ｖｏｌ、３１．Ｎｏ、４，７３６
（１９Ｂ２ン 〕 、 ポ ；、）（ピロール−
闘メチルピロール）を用いた素子〔，１，Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、、Ｖｏｌ、５４．２５１１ （１９８３） ）
などがしられているが、これらの素子は整流性は示すも
のの太陽電池として作動しないとか作動しても極めて効
率か小さいなどの欠点があるとともに、炸裂上および高
分子半導体材料自体に問題があるという欠点があった。
子（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ、Ｊａｐａｎ
、νｏ１．３Ｌ Ｎｏ、４，７１０ （１９８２）
、特願昭５９−６２６０８ ） 、ボリフ工−レンスル
フィｔ”を用いた素子〔Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉ
ｎＬｓ、Ｊａｐａｎ、Ｖｏｌ、３１．Ｎｏ、４，７３６
（１９Ｂ２ン 〕 、 ポ ；、）（ピロール−
闘メチルピロール）を用いた素子〔，１，Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、、Ｖｏｌ、５４．２５１１ （１９８３） ）
などがしられているが、これらの素子は整流性は示すも
のの太陽電池として作動しないとか作動しても極めて効
率か小さいなどの欠点があるとともに、炸裂上および高
分子半導体材料自体に問題があるという欠点があった。
本発明は上述の点に指みなされたものであり、安定性が
あり、高性能の高分子半導体素子およびその製造方法を
提供することを目的とするものである。
あり、高性能の高分子半導体素子およびその製造方法を
提供することを目的とするものである。
したかって、本発明による高分子半導体素子は電極基板
上に形成したポリ３メチルチオフェンあるいは３メチル
チオフェンを主成分とする共重合体の表面を接合面とし
て用いたことを特徴とするものである。
上に形成したポリ３メチルチオフェンあるいは３メチル
チオフェンを主成分とする共重合体の表面を接合面とし
て用いたことを特徴とするものである。
さらに本発明による高分子半導体素子の製造方法によれ
ば、電極基板上に電解重合法によりポリ３メチルチオフ
ェンあるいは３メチルチオフェンを主成分とした共重合
体の薄膜を形成し、電解液中で逆電圧を加えてドーパン
トを脱１・−ブし、前記薄膜に接合面を形成することを
１）徴とするものである。
ば、電極基板上に電解重合法によりポリ３メチルチオフ
ェンあるいは３メチルチオフェンを主成分とした共重合
体の薄膜を形成し、電解液中で逆電圧を加えてドーパン
トを脱１・−ブし、前記薄膜に接合面を形成することを
１）徴とするものである。
本発り農こよれば、電極基板上に形成される薄膜として
ポリ３メチルチオフェンあるいは３メチルチオフェンを
主成分とする共重合体を用い、接合面を形成しているの
で、安定性があり、性能の優れた高分子半導体素子とす
ることができる。
ポリ３メチルチオフェンあるいは３メチルチオフェンを
主成分とする共重合体を用い、接合面を形成しているの
で、安定性があり、性能の優れた高分子半導体素子とす
ることができる。
また本発明による高分子半導体素子の製造方法によれば
、電ＩＷ重合により前記高分子薄膜を形成するとともに
、逆電圧を負荷して脱ドープし、接合面を形成するので
容易に前述の高分子半導体素子を製造可能であるという
利点がある。
、電ＩＷ重合により前記高分子薄膜を形成するとともに
、逆電圧を負荷して脱ドープし、接合面を形成するので
容易に前述の高分子半導体素子を製造可能であるという
利点がある。
本発明をさらに詳しく説明する。
第１図は本発明による高分子半導体素子の一例の断面図
であり、ｌは上部電極、２は高分子半導体薄１１’２．
３は電＋Ｔｉ ７５坂、４は金などのり一ト線を示して
いる。
であり、ｌは上部電極、２は高分子半導体薄１１’２．
３は電＋Ｔｉ ７５坂、４は金などのり一ト線を示して
いる。
この図より明らかなように、゛本発明による高分子半導
体索子の一例は、電極基板３上にポリ３メチルチオフェ
ンあるいは３メチルチオフェンを主成分とする共重合体
薄膜を形成し、この高分子半導体薄膜２上にインジウム
などの上部電極１を形成している。さらにこの上部電極
１および電極基（、ソ３にはリード線４が接続されてい
る。
体索子の一例は、電極基板３上にポリ３メチルチオフェ
ンあるいは３メチルチオフェンを主成分とする共重合体
薄膜を形成し、この高分子半導体薄膜２上にインジウム
などの上部電極１を形成している。さらにこの上部電極
１および電極基（、ソ３にはリード線４が接続されてい
る。
前述の電極基１５．３としては仕事関数の大きな導体を
有効に使用することができる。たとえば、ネサカラス、
金、白金などを有グ１に使用できる。
有効に使用することができる。たとえば、ネサカラス、
金、白金などを有グ１に使用できる。
さらに上部電極１としては仕事関数の小さな全屈を使用
することができる。このような全屈としては、たとえば
上述のインジウムのほかにアルミニウム、ススなどを挙
げることができる。
することができる。このような全屈としては、たとえば
上述のインジウムのほかにアルミニウム、ススなどを挙
げることができる。
本発明による高分子半導体薄膜２は上述のようにポリ３
メチルチオフェンあるいは３メチルチオフェンを主成分
とする共重合体表面を接合面としカニものでありろ。
メチルチオフェンあるいは３メチルチオフェンを主成分
とする共重合体表面を接合面としカニものでありろ。
本発明による高分子半導体素子は半導体表面の電荷空乏
層を利用するものである。電解重合膜を脱ドープした高
分子半導体では全て空間電荷空乏層の形成が可能であり
、原理的には全ての電解重合膜で接合の形成が可能であ
る。しかしながら本発明者らは種々の電解重合膜のなか
から３メチル□チオフエンを主体とする高分子半導体が
最も効率がよく接合が形成されることを見いだし、本発
明に至ったものである。したがって、素子構造としてシ
ラノ１−キー接合を挙げているが、高分子？１′線体表
面の空乏層を利用する金属−絶縁体−半導体（旧Ｓ）ダ
イオード、ＭＩＳ トランジスタにも利用可能であり
、前記例示のなんら限定されるものではないことは明ら
かである。
層を利用するものである。電解重合膜を脱ドープした高
分子半導体では全て空間電荷空乏層の形成が可能であり
、原理的には全ての電解重合膜で接合の形成が可能であ
る。しかしながら本発明者らは種々の電解重合膜のなか
から３メチル□チオフエンを主体とする高分子半導体が
最も効率がよく接合が形成されることを見いだし、本発
明に至ったものである。したがって、素子構造としてシ
ラノ１−キー接合を挙げているが、高分子？１′線体表
面の空乏層を利用する金属−絶縁体−半導体（旧Ｓ）ダ
イオード、ＭＩＳ トランジスタにも利用可能であり
、前記例示のなんら限定されるものではないことは明ら
かである。
このような３メチルチオフェンと共重合される物質とし
ては、たとえばヂオフェンなどのチオフェン糸上ツマ−
、ピロールなどのピロール系モノマー、フランなどのフ
ラン系モノマー、アズレンなどのアズレン系モノマー、
インドールなどのインドール糸上ツマ−などの一種以上
を挙げるこ止かでき、乙。
ては、たとえばヂオフェンなどのチオフェン糸上ツマ−
、ピロールなどのピロール系モノマー、フランなどのフ
ラン系モノマー、アズレンなどのアズレン系モノマー、
インドールなどのインドール糸上ツマ−などの一種以上
を挙げるこ止かでき、乙。
１γｆ記ポリ３メヂルチオフエンあるいは３メヂルチオ
フエンを主成分とする共重合体薄膜ば、好ましくは５０
μｍ以下であるのがよい。５０ ／Ｊ ｍを超えると均
一になりにくく良好な接合面かえられムこくいからであ
る。
フエンを主成分とする共重合体薄膜ば、好ましくは５０
μｍ以下であるのがよい。５０ ／Ｊ ｍを超えると均
一になりにくく良好な接合面かえられムこくいからであ
る。
本発明によるポリ３メチルチオフェンあるいは３メチル
チオフェンを主成分とする共重合体の製造方法は限定さ
れるものではないが、特に下記に示す本発明による高分
子半導体素子の製造方法が有効である。
チオフェンを主成分とする共重合体の製造方法は限定さ
れるものではないが、特に下記に示す本発明による高分
子半導体素子の製造方法が有効である。
本発明による方法は、まず、電極基板上に電解重合法に
よりポリ３メチルチオフェンあるいは３メチルチオフェ
ンを主成分とする共重合体薄膜を形成する。
よりポリ３メチルチオフェンあるいは３メチルチオフェ
ンを主成分とする共重合体薄膜を形成する。
電）Ｗ重合法は重合すべき七ツマ−を含む電解液中で電
解を行い、電極基板上に所望の重合膜をえるものである
が、このような電解液としては、前記高分子半導体薄膜
にドーパントを取り込むような電解液であれば、いかな
るものでもよい。たとえば、従来この電解重合に用いら
れているＩＩＢｕ４Ｎ −ＢＦｔ、 、ｎｎｕ ／Ｉ
Ｎ −ＣＩｏ ４、ｎＢｕ ＝Ｎ ・＾ＳＦ ６、
ｎＢｕ ４ Ｎ −１’ＦＧなと゛の有機物あるいは
へ、、ＢＦ４、八ｇＣＩ０４などの無間物の一種以上を
適当な溶媒、たとえばアセトニトリル 解したものを用いることができる。
解を行い、電極基板上に所望の重合膜をえるものである
が、このような電解液としては、前記高分子半導体薄膜
にドーパントを取り込むような電解液であれば、いかな
るものでもよい。たとえば、従来この電解重合に用いら
れているＩＩＢｕ４Ｎ −ＢＦｔ、 、ｎｎｕ ／Ｉ
Ｎ −ＣＩｏ ４、ｎＢｕ ＝Ｎ ・＾ＳＦ ６、
ｎＢｕ ４ Ｎ −１’ＦＧなと゛の有機物あるいは
へ、、ＢＦ４、八ｇＣＩ０４などの無間物の一種以上を
適当な溶媒、たとえばアセトニトリル 解したものを用いることができる。
前述の電解重合を行うための電圧は好ましくは３、５〜
６ｖである。３．５ν未満であると電解重合が行われに
くく、また６ｖを超えると反応が速すぎて、電解質が分
解する膚を生し、ｎ臭が形成しにくいからである。
６ｖである。３．５ν未満であると電解重合が行われに
くく、また６ｖを超えると反応が速すぎて、電解質が分
解する膚を生し、ｎ臭が形成しにくいからである。
このような高分子半導体膜に電解重合により取り込まれ
たドーパントを除去するために逆電圧を負荷し、脱ドー
プを行う。
たドーパントを除去するために逆電圧を負荷し、脱ドー
プを行う。
この脱ドープはドーパントを少なくとも５％以下になる
ようにするのが、好ましい。ドーパントが５％を超える
と、上部型．極を腐食したり、さらにはキャリア濃度が
大きくなり、空乏層の深さが薄くなるからである。
ようにするのが、好ましい。ドーパントが５％を超える
と、上部型．極を腐食したり、さらにはキャリア濃度が
大きくなり、空乏層の深さが薄くなるからである。
このような逆電圧は、好ましくは５ｖ以下であるのかよ
い。５ｖを超えると、脱ドープが激しくおこり、高分子
半導体膜のヱＩ昆）［を生じる虜があるからである。
い。５ｖを超えると、脱ドープが激しくおこり、高分子
半導体膜のヱＩ昆）［を生じる虜があるからである。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
ポリ３メチルナオフエンＮＢ’Ａの合成を下記の条１牛
で行った。
で行った。
雰囲気：希ガス（Ａｒ， Ｎ ２など）モ７ノマー：３
メチルチオフェン ４．８ ｍｌ、０．５電解液：ｎＢ
ｕ ４Ｎ−ＢＦ４８．９ ｇ ０．２７Ｍおよびアセ
トニトリル ９５ｍ ｌを混合 陰極：白金板（５ ｃｍｘｌ ｃｍＸｏ．１龍）陽（、
ム（電１］基汲）：ネサガラス（５ ｃｍＸ３ ｃｍＸ
２韮，３００Ω） 印加電圧：４．４ν 電流：４翻 以上の条件でｔ口金時間を１分から２時間選択すること
で、厚さ０．１ μｍから２０μｍの重合膜（薄い場合
は青色、厚い場合は黒色）がネサガラス上に形成された
。この実施例においては、０．５μｍの重合膜を形成し
た。
メチルチオフェン ４．８ ｍｌ、０．５電解液：ｎＢ
ｕ ４Ｎ−ＢＦ４８．９ ｇ ０．２７Ｍおよびアセ
トニトリル ９５ｍ ｌを混合 陰極：白金板（５ ｃｍｘｌ ｃｍＸｏ．１龍）陽（、
ム（電１］基汲）：ネサガラス（５ ｃｍＸ３ ｃｍＸ
２韮，３００Ω） 印加電圧：４．４ν 電流：４翻 以上の条件でｔ口金時間を１分から２時間選択すること
で、厚さ０．１ μｍから２０μｍの重合膜（薄い場合
は青色、厚い場合は黒色）がネサガラス上に形成された
。この実施例においては、０．５μｍの重合膜を形成し
た。
次ぎに電解液としてｎＢｕ ４Ｎ −ＢＦａ １．６
５ｇ． ０。
５ｇ． ０。
０５Ｍおよびアセトニトリル １００ ｃｃの混合液を
準備し、このなかに重合膜の形成されたネサガラスと白
金板を入れ、前述の場合と逆にネサガラスを陰極に、白
金板を陽極として逆電圧を印加した。
準備し、このなかに重合膜の形成されたネサガラスと白
金板を入れ、前述の場合と逆にネサガラスを陰極に、白
金板を陽極として逆電圧を印加した。
この逆電圧は２νであり、電圧を印加するとはじめに数
ｍＡの電流が流れるとともに青色の膜は赤色になった。
ｍＡの電流が流れるとともに青色の膜は赤色になった。
電流は次第に小さくなる。最小の値を示したときに脱１
・−プを終了し、充分にアセトニトリルで洗浄乾燥させ
た。
・−プを終了し、充分にアセトニトリルで洗浄乾燥させ
た。
この脱ドープしたポリ３メチルチオフェン薄股に２１×
２順のインジウム電極を真空蒸着法で形成した。この時
のインジウムの膜厚は３００人とした。
２順のインジウム電極を真空蒸着法で形成した。この時
のインジウムの膜厚は３００人とした。
このように作製された素子の構造は第１図に示した基本
構造を有している。
構造を有している。
この実施例における高分子半導体素子の電流−電圧特性
を測定したところ、第２図に示すような整流作用が現れ
た。立上り電圧 ０．８５ν、整流比４０（±ＩＶ）が
得られた。容量−電圧特性も良好なショットキー接合形
成の存在を示していた。
を測定したところ、第２図に示すような整流作用が現れ
た。立上り電圧 ０．８５ν、整流比４０（±ＩＶ）が
得られた。容量−電圧特性も良好なショットキー接合形
成の存在を示していた。
この素子を室温、大気中に１０日間放置したが、逆方向
電流が増加する以外は整流作用は変化がなく、極めて安
定に動作した。
電流が増加する以外は整流作用は変化がなく、極めて安
定に動作した。
次ぎにこの実施例における素子の光起電力特性を調べた
。
。
インジウム電極側から１０ｍＷ ／ ｃｎｔのハロゲン
ランプによる光を照射した。この時、開放端電圧Ｖｏｃ
Ｏ，４１Ｖ 、短絡光電流 ２８μＡ ／ｃａｌ、曲線
因子ｆｆ０８２７が得られた。インジウムの透過率５％
で補正した変換効率は０．６２％であった。
ランプによる光を照射した。この時、開放端電圧Ｖｏｃ
Ｏ，４１Ｖ 、短絡光電流 ２８μＡ ／ｃａｌ、曲線
因子ｆｆ０８２７が得られた。インジウムの透過率５％
で補正した変換効率は０．６２％であった。
この素子を１０日間、大気中で放置した後、始めと同一
条件で測定したところ、光電流が僅かに減少したのみで
、極めて優れた安定性を有していることがわかった。
条件で測定したところ、光電流が僅かに減少したのみで
、極めて優れた安定性を有していることがわかった。
実施例２〜１ｊ
実施例２から１１は実施例１と同じ素子′：υ造法によ
り同じ特性評価法で実施した。
り同じ特性評価法で実施した。
ただし、モノマーとして３メチルチオフェンを主成分と
してナオフェン（ＴＰ） 、ビロール（ＰＹ）、フラン
（Ｆｌｌ） 、アズレン（ＡＺ）またはインドール（Ｉ
Ｄ）を適当な割合で混ぜて用いた。
してナオフェン（ＴＰ） 、ビロール（ＰＹ）、フラン
（Ｆｌｌ） 、アズレン（ＡＺ）またはインドール（Ｉ
Ｄ）を適当な割合で混ぜて用いた。
これらの実施例２〜１１の結果を下記の表にまとめて示
す。
す。
（以下余白）
□□□］
□□□１
■
３ＭＴＰは３メチルヂオフエンを示す。
これらの素子も１０日間大気中の曝露したが、その特性
は殆ど変化しなかった。すなわち、ぼれた安定性を有し
７ていた。
は殆ど変化しなかった。すなわち、ぼれた安定性を有し
７ていた。
以上説明したように、本発明による高分子半導体素子に
よれば、安定性の良好で、高性能であるという利点があ
る。また、本発明による高分子半導体素子の製造方法に
よれば、前記高性能で、安定性のある高分子半導体素子
を節ｆ１χな工程により製造できるという利点があり、
太陽電池、各ｆ１Ｆホトセンサー、接合デバイスが安（
［ＩＩｉに提供できろ七いう効果がある。
よれば、安定性の良好で、高性能であるという利点があ
る。また、本発明による高分子半導体素子の製造方法に
よれば、前記高性能で、安定性のある高分子半導体素子
を節ｆ１χな工程により製造できるという利点があり、
太陽電池、各ｆ１Ｆホトセンサー、接合デバイスが安（
［ＩＩｉに提供できろ七いう効果がある。
第１図は高分子半導体素子の一例の断面図、第２図は本
発明による実施（：’１１０半；−９体素子の電１〕；
２−電圧特性を示した図である。 １ ・・・上部電Ｉｙ、２ ・・・高分子２＋ｆ ；月
１ （’ｆｉ薄股薄膜 ・・・重臣基板、４ ・・・リ
ード線。 出願人代理人 雨 宮 正 季第１図 第２図
発明による実施（：’１１０半；−９体素子の電１〕；
２−電圧特性を示した図である。 １ ・・・上部電Ｉｙ、２ ・・・高分子２＋ｆ ；月
１ （’ｆｉ薄股薄膜 ・・・重臣基板、４ ・・・リ
ード線。 出願人代理人 雨 宮 正 季第１図 第２図
Claims (2)
- （１）電極基板上に形成したポリ３メチルチオフェンあ
るいは３メチルチオフェンを主成分とする共重合体の表
面を接合面として用いたことを特徴とする高分子半導体
素子。 - （２）電極基板上に電解重合法によりポリ３メチルチオ
フェンあるいは３メチルチオフェンを主成分とした共重
合体の薄膜を形成し、電解液中で逆電圧を加えてドーパ
ントを脱ドープしたことを特徴とする高分子半導体素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211062A JPS6189663A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 高分子半導体素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211062A JPS6189663A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 高分子半導体素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189663A true JPS6189663A (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=16599762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59211062A Pending JPS6189663A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 高分子半導体素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189663A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4864472A (en) * | 1987-04-06 | 1989-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolyte capacitor |
| US5213983A (en) * | 1990-01-04 | 1993-05-25 | Neste Oy | Method for the preparation of electronic and electro-optical components and circuits using conductive polymers |
| JP2006520478A (ja) * | 2003-01-17 | 2006-09-07 | ダイオード・ソリューションズ・インコーポレーテッド | 有機材料を用いたディスプレイ |
| US8193594B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-06-05 | Cbrite Inc. | Two-terminal switching devices and their methods of fabrication |
| WO2012086669A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 住友化学株式会社 | 有機発光素子及び共役系高分子化合物 |
| US8222077B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-07-17 | Cbrite Inc. | Metal-insulator-metal (MIM) devices and their methods of fabrication |
| US9741901B2 (en) | 2006-11-07 | 2017-08-22 | Cbrite Inc. | Two-terminal electronic devices and their methods of fabrication |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP59211062A patent/JPS6189663A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4864472A (en) * | 1987-04-06 | 1989-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolyte capacitor |
| US5213983A (en) * | 1990-01-04 | 1993-05-25 | Neste Oy | Method for the preparation of electronic and electro-optical components and circuits using conductive polymers |
| JP2006520478A (ja) * | 2003-01-17 | 2006-09-07 | ダイオード・ソリューションズ・インコーポレーテッド | 有機材料を用いたディスプレイ |
| US8253910B2 (en) | 2003-01-17 | 2012-08-28 | Cbrite Inc. | Display employing organic material |
| US8193594B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-06-05 | Cbrite Inc. | Two-terminal switching devices and their methods of fabrication |
| US8222077B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-07-17 | Cbrite Inc. | Metal-insulator-metal (MIM) devices and their methods of fabrication |
| US9741901B2 (en) | 2006-11-07 | 2017-08-22 | Cbrite Inc. | Two-terminal electronic devices and their methods of fabrication |
| WO2012086669A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 住友化学株式会社 | 有機発光素子及び共役系高分子化合物 |
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