JPS618749A - 光学記憶方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、レーザビームにより記録媒体に記録・再生を
行なう光学記憶方法に関する。

発明の技術的背景及び問題点 近年、オプトエレクトロニクス技術の研究、開発が盛ん
であり、その一つとして光学記憶方法がある。この光学
記憶の方式しては、記録媒体にビットを形成して情報を
記録する追記形や、カー効果やファラデー効果などの磁
気光学効果を用いた光磁気方式や、結晶・アモルファス
間の相転移による反射率の変化を検出する相転移方式等
がある。

例えば、第６図は追記形の光学記憶装置の光学ヘッドの
原理図を示すものである。まず、記録時には半導体レー
ザ１から照射されたレーザビームをレンズ２により整形
し、全反射ミラー３により角度を９０°変え、偏光ビー
ムスプリッタ４及びλ／４波長板５を通し、対物レンズ
６によりレーザビームを記録媒体７に集光させてビット
を形成し、情報を記録する。一方、再生時には記録時よ
り低出力のレーザビームを記録時と同一の経路で記録媒
体７に集光させた後、その反射光を対物レンズ６、λ／
４波長板５を通して入射光と偏光角を９０°変えた後、
偏光ビームスプリッタ４で反射させ、円筒レンズ８で整
形した後、ディテクタ９で検出することにより再生を行
なう。

一方、上述のものでは一本のレーザビームにより記録・
再生を行なっているため、−ビットずつの処理となり、
必要な情報についてのアクセス時間や転送速度が遅い。

そこで、複数のレーザビームにより複数ビットの記録・
再生を同時に行なうようにすればアクセス時間や転送速
度が速くなるが、この場合には、多トラツクを用いるた
めに記録媒体７の記憶容量が少なくなってしまう。特に
。

追記形のみならず光磁気方式や相転移方式等にあっても
、記録媒体７には通常ディスク状のものが用いられてお
り、その記憶容量はディスクの半径内に限定されるので
、記憶容量が不足してしまうという欠点を有する。

発明の目的 本発明は、このような点に鑑みなされたもので。

複数ビットの記録・再生を同時に行なったとしても十分
な記憶容量が保たれる光学記憶方法を得ることを目的と
する。

発明の概要 本発明は、レーザビームに反応する記憶素子膜を有する
テープ状の記録媒体の記憶素子膜に対して複数のレーザ
ビームを記録媒体の進行方向と交錯する方向に並列的に
集光させ、複数ビットの記録・再生を同時に行なうよう
にしたので、複数ビットの記録・再生を同時に行なった
としてもテープ状の記録媒体により十分な記憶容量を保
てるように構成したものである。

発明の実施例 本発明の第一の実施例を第１図及び第２図に基づいて説
明する。本実施例は、追記形の光学記憶装置に適用した
ものである。まず、第１図に示すように、光学ヘッド１
０から照射されるレーザビームは配光角θで広がりなが
ら進み、整形レンズ１１に入って平行光線とされる。そ
して、全反射ミラー１２により反射されて進行方向を９
０°変えられた後、シリンドリカルレンズ１３によりテ
ープ状の記録媒体１４の記憶素子膜１５上に集光される
。

ここで、平面的に見た状態を第２図に示す。整形レンズ
１１に対して複数個の光学ヘッド１０が扇状に配設され
、これらの光学ヘット１０から照射されるレーザビーム
は、図中Ａ点上で−リー線直上に揃えられてから整形レ
ンズ１１に入る。そして、整形レンズ１１で平行光線と
されるわけである°が、平行光線のままシリンドリカル
レンズ１３に入り、記録媒体１４上にこの記録媒体１４
の進行方向と交錯する方向に並列的に集光され、複数個
のビットが形成される。ここで、本発明でいう「記録媒
体の進行方向と交錯する方向に並列的に集光させる」と
は、記録媒体１４の進行方向に対して垂直方向に一直線
上に集光させるということのみならず、垂直方向に対し
て傾斜をつけて一直線」二に集光させたり、垂直方向に
ジグザグ状に集光させたりするという意味をも含むもの
である。

しかして、このように複数ビットの独立した情報が同時
に記録媒体１４上に記録されることとなる。

一方、再生時には低出力のレーザビームを記録時と同様
に記録媒体１４へ照射する。ここで、記録媒体１４は透
過形であるので、レーザビームは記録媒体１４を透過し
て広がりながら進み、再生用シリンドリカルレンズ１６
に入り、ディテクタ１７へ集光されることで再生される
。

このように本実施例によれば、複数ビットを一度に扱う
ため、アクセス時間及び転送速度を韮速化できる。又、
このように複数ビットを一度に扱えば、その分、多くの
トラック数が必要となり、ディスク状の記録媒体にあっ
ては記憶容量が不足してしまうが、記録媒体１４にはテ
ープ状のもな用いられているので十分な記憶容量を保つ
ことができる。

本発明の第二の実施例を第３図ないし第５図に基づいて
説明する。なお、第一の実施例と同一部分又は相当する
部分は同一符号で示し説明も省略する。本実施例は、複
数本のレーザビームを独立的に照射するストライプ形ダ
ブルへテロ構造の半導体レーザ１８を設け、この半導体
レーザ１８が発するレーザビームにより複数ビットの記
録・再生を同時に行なうようにしたものである。

ここで、前記半導体レーザ１８について説明する。これ
は、構造的には順に、 １９：十電極（Ｃｒ−Ａｕ）　。

２０：絶縁層（Ｓ　ｉ　０２　）、 ２１：ｐ−ＧａＡｓ層。

２２：クラッド層（ｐ−Ｇａｏ、ａ３Ａｌｏ、ｔ７Ａｓ
）２３：活性層（ｐ　Ｇａｏ、＋＋５Ａ１ｏ、ａＡｓ）
、２４：クラッド層（ｎ−Ｇａｏ、７Ａｌｏ、３Ａｓ）
、２５：ｎ−ＧａＡｓ基盤。

２６：−電極（Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ）、 を集積してなるもので、活性層２３はクラッド層２２及
び２４によりダブルへテロ接合がなされている。そして
、生電極１９は、例えば１９ａ〜１９Ｃの三つに分割さ
れて絶縁層２０と互い違いに配置され、各＋電極１９間
には図中のＺ方向に空隙２７が形成されている。ここで
、生電極１９と絶縁層２０とのストライプ形状により、
活性層２３には３つの活性部２３ａ〜２３ｃが設定され
ている。

このような構成において１両電極１９．２６間に電圧を
印加すると、絶縁層２０で覆われていない部分から一電
極２６へ向って電流が流れる。そこで、印加電圧を上げ
て流れる電流量を増加させ活性層２３での電流密度が閾
値以上になると、各活性部２３ａ〜２３ｃからレーザビ
ームが出力される。この際、生電極１９が分割されてい
るので各活性部２３ａ〜２３ｃからのレーザビームの出
力を独立的に制御することができる。

しか゛して、第４図及び第５図に示すように、各活性部
２３ａ〜２３ｃから出力されるレーザビームは配光角θ
で広がりながら進み、集光レンズ２８に入る。この集光
レンズ２８（凸レンズとして作用）によりＡ点に集光さ
れ、Ａ点と焦点距離Ｑ１だけ離れた所に置かれた整形レ
ンズ１１に入り、平行光線とされる。この後、全反射ミ
ラー１２で反射され、シリンドリカルレンズ１３により
記録媒体１４上に集光されて記録が行なわれる。一方、
再生時には、各活性部２３ａ〜２３ｃよりの低出力のレ
ーザビームを記録時と同様に記録媒体１４へ照射した後
、テープ状の記録媒体１４を透過させて再生用シリンド
リカルレンズ１６によりディテクタ１７に集光させて再
生を行なう。

以上のように本実施例によれば、単一構造の半導体レー
ザ１８から独立的に出力可能なレーザビームにより、記
録媒体１４に複数ビットを同時に記録・再生することが
できる。又、その場合でも。

テープ状の記録媒体１４により十分な記憶容量を確保す
ることができる。

なお、実施にあたっては、光磁気方式や相転移方式等に
より記録・再生を行なってもよく、又、反射形の記録媒
体を用いてもよい。

発明の効果 本発明は、以上のように、テープ状の記録媒体に対して
この記録媒体の進行方向と交錯する方向に複数のレーザ
ビームを並列的に集光させ、複数ピッ］〜の記録・再生
を同時に行なうようにしたので、アクセス時間や転送速
度を高速化することができ、この場合でも記録媒体がテ
ープ状なので十分に大きな記憶容量を確保することがで
き、又、複数本のレーザビームを独立的に出方する単一
構造の半導体レーザを用いた場合には、装置全体を小型
化することができる等の効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第一の実施例を示す側面図、第２図は
その平面図、第３図は本発明の第二の実施例を示すもの
で半導体レーザの斜視図、第４図は全体の側面図、第５
図はその平面図、第６図は従来の一例を示すもので追記
形の原理を示す側面図である。 １４・・・記録媒体、１５・・・記憶素子膜、１８・・
・半導体レーザ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、レーザビームに反応する記憶素子膜を有するテープ
   状の記録媒体の前記記憶素子膜に対して複数のレーザビ
   ームを前記記録媒体の進行方向と交錯する方向に並列的
   に集光させ、複数ビットの記録・再生を同時に行なうよ
   うにしたことを特徴とする光学記憶方法。 ２、複数のレーザビームを独立的に出力する単一構造の
   半導体レーザを用いて記録媒体にレーザビームを照射す
   るようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光学記憶方法。