JPS6186756A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6186756A JPS6186756A JP20702984A JP20702984A JPS6186756A JP S6186756 A JPS6186756 A JP S6186756A JP 20702984 A JP20702984 A JP 20702984A JP 20702984 A JP20702984 A JP 20702984A JP S6186756 A JPS6186756 A JP S6186756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductive substrate
- refractive index
- photoconductive layer
- surface layer
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明け、たとえばレーザープリンター等に用いられる
電子写真感光体に関する。
電子写真感光体に関する。
電子写真用感光体としては、従来では、セレン、セレン
・ヒ素、セレン・テルル、硫化カドミウム樹脂分散系、
有機光導電性材料等が用いられてきたが、近年では、非
晶質シリコン（以下ａ−８１と書く）が注目されており
、これを用いたａ−８ｔ電子写真感光体は、無害であり
、公害の心配のないこと、高い使用温度に耐え、表面硬
度が高くを扱いが容易であること、さらに、可視領域に
高い分光感度を有していること等の理由から、急速に製
品化への要求が高まってきている。一方、近年、ファク
シミリ、ワードグロセツサー、コンビエータ等の端末に
、感光体を用いた電子写真方式のプリンターが開発これ
てきており、このプリンターでは光源として種々のもの
か使用これている。その中で感光史としてレーザーを用
いた電子写真、方式のレーザープリンターは、そのレー
ザー光源としてＨｅ−Ｎｅレーザー等のガスレーザーが
用いられていたか、虻近では、プリンターの小型化、低
コヌトイビ、変調の行い易さ等の点から、半導体レーザ
ーが主に用いられるようになってきた。
・ヒ素、セレン・テルル、硫化カドミウム樹脂分散系、
有機光導電性材料等が用いられてきたが、近年では、非
晶質シリコン（以下ａ−８１と書く）が注目されており
、これを用いたａ−８ｔ電子写真感光体は、無害であり
、公害の心配のないこと、高い使用温度に耐え、表面硬
度が高くを扱いが容易であること、さらに、可視領域に
高い分光感度を有していること等の理由から、急速に製
品化への要求が高まってきている。一方、近年、ファク
シミリ、ワードグロセツサー、コンビエータ等の端末に
、感光体を用いた電子写真方式のプリンターが開発これ
てきており、このプリンターでは光源として種々のもの
か使用これている。その中で感光史としてレーザーを用
いた電子写真、方式のレーザープリンターは、そのレー
ザー光源としてＨｅ−Ｎｅレーザー等のガスレーザーが
用いられていたか、虻近では、プリンターの小型化、低
コヌトイビ、変調の行い易さ等の点から、半導体レーザ
ーが主に用いられるようになってきた。
ところで、光源に半導体レーザーを用いた富１子写真方
式のレーザープリンターの感光体にａ−８ｉ を利用し
ようとする場合、半導体レーザーはその発光波長が、現
在のところ、７８０關程度であり、ａ−８ｉ感光体はこ
の半導体レーザーの発光波長領域では、光感度がやや低
く、鮮明な画像が得られないことがある。そこで、半導
体レーザーの発光波長でも光感度を充分持たせられるよ
うにするために、ａ−８ｉｇ元体中ににＧｅ （ゲルマ
ニウム）を入れ、光学的バンド・ギャップを小さくする
ことがよく行なわれてい、ｂ。マタ、ａ−８ｉｇ光体中
ノ光２ｘＴＦＬ ＪＴＩｔ ｏ水素の含有幇ｔ）けるこ
とにより、光学的バンド・ギャップを下げ、長波長ｇ度
を増すことも行なわれている。
式のレーザープリンターの感光体にａ−８ｉ を利用し
ようとする場合、半導体レーザーはその発光波長が、現
在のところ、７８０關程度であり、ａ−８ｉ感光体はこ
の半導体レーザーの発光波長領域では、光感度がやや低
く、鮮明な画像が得られないことがある。そこで、半導
体レーザーの発光波長でも光感度を充分持たせられるよ
うにするために、ａ−８ｉｇ元体中ににＧｅ （ゲルマ
ニウム）を入れ、光学的バンド・ギャップを小さくする
ことがよく行なわれてい、ｂ。マタ、ａ−８ｉｇ光体中
ノ光２ｘＴＦＬ ＪＴＩｔ ｏ水素の含有幇ｔ）けるこ
とにより、光学的バンド・ギャップを下げ、長波長ｇ度
を増すことも行なわれている。
しかしながら、以上のようなａ−８ｉ＃光体を用いて、
半導体レーザーを光源としたレーザープリンターでレー
ザー光をラインヌキャンし、画像を形成させてみると、
文字画像と重なって、干渉縞状の濃度むらが現われるこ
とがある。また、このｆｉＷむらけ、レーザーのｈ光ｇ
を上げれば消すことができるが、その場合でも文字画像
が所々白すし状にぬけてしまい、良好な画像を得ること
ができない。さらに、文字画像では現われなくても、ハ
ーフトーンをとってみると、や（づ゛リハーフトーンに
干渉縞による濃度むらが埃われる場合がある。
半導体レーザーを光源としたレーザープリンターでレー
ザー光をラインヌキャンし、画像を形成させてみると、
文字画像と重なって、干渉縞状の濃度むらが現われるこ
とがある。また、このｆｉＷむらけ、レーザーのｈ光ｇ
を上げれば消すことができるが、その場合でも文字画像
が所々白すし状にぬけてしまい、良好な画像を得ること
ができない。さらに、文字画像では現われなくても、ハ
ーフトーンをとってみると、や（づ゛リハーフトーンに
干渉縞による濃度むらが埃われる場合がある。
この原因けａ−８Ｌ悪感光の表面で反射したレーザー光
と、ａ−８１感光体内部を透過し、６寛性基板、具体的
にはＡｇ素管表面で反射し、朽び表面から射出していく
反射レーザー光との間で干渉が生じるためである。ａ−
８ｉ感光体の一名・、Ａｌ素管上に成膜された光導電＃
は、多少の膜の厚みむらを持っており、これが干伊の原
因となるドラム上の光路長の差となってあられれる。そ
して、ａ−８ｉ感光体六面の反射光と、Ａｌ素管表面で
反射し、貴び表面から射出してくる反射光との間の干渉
効果は、実際にけａ−８ｉ感光体内部に入射し、実質的
に発生するキャリアのｊ＋全制限することＫなり、前述
したようＩｔ（、膜の厚みむらに対応して―度むらが現
われることになる。したがって、その対策としては、ど
ちらかの反射光ｇ１度を下げてやれば良く、一般にはＡ
ぎ素管表面を適轟に荒らすか、あるいけ表面に反射防止
膜ｆ設けることなどがよく行われる。
と、ａ−８１感光体内部を透過し、６寛性基板、具体的
にはＡｇ素管表面で反射し、朽び表面から射出していく
反射レーザー光との間で干渉が生じるためである。ａ−
８ｉ感光体の一名・、Ａｌ素管上に成膜された光導電＃
は、多少の膜の厚みむらを持っており、これが干伊の原
因となるドラム上の光路長の差となってあられれる。そ
して、ａ−８ｉ感光体六面の反射光と、Ａｌ素管表面で
反射し、貴び表面から射出してくる反射光との間の干渉
効果は、実際にけａ−８ｉ感光体内部に入射し、実質的
に発生するキャリアのｊ＋全制限することＫなり、前述
したようＩｔ（、膜の厚みむらに対応して―度むらが現
われることになる。したがって、その対策としては、ど
ちらかの反射光ｇ１度を下げてやれば良く、一般にはＡ
ぎ素管表面を適轟に荒らすか、あるいけ表面に反射防止
膜ｆ設けることなどがよく行われる。
ここで、ａ−８ｉｖＫ子写真感光体に使用しようとする
場合、ａ−８ｉ自体の暗抵抗は約１０１０Ω・ｃｒｎ
程度であるだめ表面電荷保持能を高めるために、一般に
、導電性基板上に、導電性基板からの電荷の注入を阻止
するプロブキング層′ｆｒ設け、さらに光導電層の上部
に電荷保持のための表面層を設けるいわゆる積層構造が
とられている。
場合、ａ−８ｉ自体の暗抵抗は約１０１０Ω・ｃｒｎ
程度であるだめ表面電荷保持能を高めるために、一般に
、導電性基板上に、導電性基板からの電荷の注入を阻止
するプロブキング層′ｆｒ設け、さらに光導電層の上部
に電荷保持のための表面層を設けるいわゆる積層構造が
とられている。
そこで、このような積層構造のａ−８ｉ感光体について
、前述の干渉”縞対策として、Ａｌ素管表面を荒らして
みると、光導電層の厚みむらに対応した狭い間隔の干渉
縞は消えるが、／１−フトーン画偉に間隔の広い干渉縞
が現われることがある。これは、表面層の厚みむらに対
応した干渉効果によるものである。
、前述の干渉”縞対策として、Ａｌ素管表面を荒らして
みると、光導電層の厚みむらに対応した狭い間隔の干渉
縞は消えるが、／１−フトーン画偉に間隔の広い干渉縞
が現われることがある。これは、表面層の厚みむらに対
応した干渉効果によるものである。
したがって、この間隔の広い干渉縞を消すためＶＣ＃：
ｔ、反射防止条件を満たすような膜厚で均一に表面層を
成膜すればよいｏしかし、表面層が非常に薄く均一成膜
が不可能な場合は、表面層の上部に反射防止膜を股上れ
ば干渉効果は防止できることになる。
ｔ、反射防止条件を満たすような膜厚で均一に表面層を
成膜すればよいｏしかし、表面層が非常に薄く均一成膜
が不可能な場合は、表面層の上部に反射防止膜を股上れ
ば干渉効果は防止できることになる。
以上のように、レーザープリンターに現われる干渉縞は
穐々の方法により解決が可能であるか、ａ−８ｉ感光体
の製造プロセスの簡素化、瘉力化および生産性を考慮し
た場合、できるだけ成膜装置のみでａ−８ｉｇ光体を最
終的に製４・し、別の製糸プロセヌｆ増やさないよう＆
ｃする方がよい。したかって、ａ−８ｉと適合する屈折
率を有する物質により反射防止膜を成膜することは不利
である。
穐々の方法により解決が可能であるか、ａ−８ｉ感光体
の製造プロセスの簡素化、瘉力化および生産性を考慮し
た場合、できるだけ成膜装置のみでａ−８ｉｇ光体を最
終的に製４・し、別の製糸プロセヌｆ増やさないよう＆
ｃする方がよい。したかって、ａ−８ｉと適合する屈折
率を有する物質により反射防止膜を成膜することは不利
である。
本発明は上ｉｃ事情にもとづいてなされたものて、その
目的とするところは、製造プロセスを増やすことなく、
干渉効果忙よる画像の濃度むらの発生を防止することか
できるようにした電子写真感光体を提供することにある
。
目的とするところは、製造プロセスを増やすことなく、
干渉効果忙よる画像の濃度むらの発生を防止することか
できるようにした電子写真感光体を提供することにある
。
本発明け、上８〔目的を達成するために、導電性基体上
に、シリコン原子を母体として含む非晶質材料から成る
光導１１．層と表面層と１に順次積１角して形成した電
子写真感光体において、上記光導電層の屈折率および光
２ｘ’ｉ性が上記導電性基体側から上記表面層側に向う
に従って連続的に変化している構成とすることによって
、入射光が層の界面で反射し難くなるようにしたことを
特徴とするものである。
に、シリコン原子を母体として含む非晶質材料から成る
光導１１．層と表面層と１に順次積１角して形成した電
子写真感光体において、上記光導電層の屈折率および光
２ｘ’ｉ性が上記導電性基体側から上記表面層側に向う
に従って連続的に変化している構成とすることによって
、入射光が層の界面で反射し難くなるようにしたことを
特徴とするものである。
以下、本発明な一実施例を図面を参照しなから説明する
◇第４図σ本発明に係る電子写ＩＩ−感光体を成膜する
成膜装置を示すものて、図中１は反応容器である。この
内部ＶＣは、高周波電力印加用電極２、これに対向して
設けられ、かつアースこれた支持台３、この支持台３の
上部に設けられた成膜用導電性基板（導１性基体）４、
および上記支持台３０下部に設けられたヒーター５等か
収容されている。上１ｅ電極２４−ｊ、反応容器ｌとは
テフロン等の絶縁材６で絶縁され、反応容器１の外部で
、高周波電、力のマツチングのためのＬＣ回路から成る
マツチングボツクヌ７を介して、プラズマ放電分解を行
うための周波数１３．５ Ｍｆｌｚを有する電力を供給
するための高周波電源８に接続されている。また、９け
ガス導入管であり、１０け拡散ポンプにより反応容器１
の内部７ｋｇ空にする第１の排気系、１１は成膜中メカ
ニカル・ブースターポンプにより排気を行う第２の排気
系である。
◇第４図σ本発明に係る電子写ＩＩ−感光体を成膜する
成膜装置を示すものて、図中１は反応容器である。この
内部ＶＣは、高周波電力印加用電極２、これに対向して
設けられ、かつアースこれた支持台３、この支持台３の
上部に設けられた成膜用導電性基板（導１性基体）４、
および上記支持台３０下部に設けられたヒーター５等か
収容されている。上１ｅ電極２４−ｊ、反応容器ｌとは
テフロン等の絶縁材６で絶縁され、反応容器１の外部で
、高周波電、力のマツチングのためのＬＣ回路から成る
マツチングボツクヌ７を介して、プラズマ放電分解を行
うための周波数１３．５ Ｍｆｌｚを有する電力を供給
するための高周波電源８に接続されている。また、９け
ガス導入管であり、１０け拡散ポンプにより反応容器１
の内部７ｋｇ空にする第１の排気系、１１は成膜中メカ
ニカル・ブースターポンプにより排気を行う第２の排気
系である。
しかして、以上のように構成された成膜装置を用いてａ
−８ｉ電子写真感光体を成膜する場合に、先ず、充分に
洗浄された成膜用導電性基板４１に反応容器１の内部の
支持台３の上部に設置した後、反応容器１０内部を拡散
ポンプにより第１の排気系１０で高真空に排気する。そ
の後ガス−入管９からシリコン原子を含むガスたとえば
Ｓ ｉＨ４、Ｓ ｉｓ Ｈａ 等を導入、第１の排気
系１０を切り替え、第２の排気系Ｊ１から排気ケ行いな
がら高周波電源７から高周波電力を印加してグロー放電
分解を行い、これによりａ −８ｉの成膜を行う。
−８ｉ電子写真感光体を成膜する場合に、先ず、充分に
洗浄された成膜用導電性基板４１に反応容器１の内部の
支持台３の上部に設置した後、反応容器１０内部を拡散
ポンプにより第１の排気系１０で高真空に排気する。そ
の後ガス−入管９からシリコン原子を含むガスたとえば
Ｓ ｉＨ４、Ｓ ｉｓ Ｈａ 等を導入、第１の排気
系１０を切り替え、第２の排気系Ｊ１から排気ケ行いな
がら高周波電源７から高周波電力を印加してグロー放電
分解を行い、これによりａ −８ｉの成膜を行う。
次に、上記成膜装置で爬造した本発明に係る電子写真感
光体を第１図〜第３図に示す。
光体を第１図〜第３図に示す。
＠１図に示す電子写−Ｘ Ｋ＜光体は、導電性基板１０
１上に、光導電／１Ｆ１１０２、表面＄１０３をこのＩ
Ｉｒｊ Ｋ ＭＬ 層した構成となっている。そして、
上記光導’１ＪＬＪｖｉｉｏｚは、シリコン原子を母体
として含むガスたとえばＳ ｉＨ＊ ｇ Ｓ ｉｔ Ｈ
ｓ 等のガスに、水素ガスを加え、成膜中に次第に水素
ガスの流勢・を増加さぜながら高周波グロー放電分解を
行うことにより形ｂ”ｔされる。−ま之、上ｂ［光導ｔ
！層１０２のｂＫ膜の際には、膜の暗抵抗を高め帯電能
を増加させるために、面期律表第ｒｌｌＡ族の元素を含
むガスを混合して、Ｊ形成を行うこともできる。なお、
光祷′五層１０２の膜厚け、良好な電子写真特性および
良好彦画′ｊＩ！を伊るためには、１０〜１０μｍ１好
ましくは１５〜４０ｔｔｍがよい。さらに、光ａｊ！Ｎ
ｋｊｚｏｚＦｉ、導電性基板ｒｏｘｖｃｌｋも接近した
部分１０２ａで、水素原子の分栢により、水素含有４が
４〜８原子％であシ、また光学的特性のｆ、１１定から
光学的バンドギャップが１．６３〜１．６７ｅＶ、屈折
率が７９０ｎｍの波長に対して４．１〜４４である。
１上に、光導電／１Ｆ１１０２、表面＄１０３をこのＩ
Ｉｒｊ Ｋ ＭＬ 層した構成となっている。そして、
上記光導’１ＪＬＪｖｉｉｏｚは、シリコン原子を母体
として含むガスたとえばＳ ｉＨ＊ ｇ Ｓ ｉｔ Ｈ
ｓ 等のガスに、水素ガスを加え、成膜中に次第に水素
ガスの流勢・を増加さぜながら高周波グロー放電分解を
行うことにより形ｂ”ｔされる。−ま之、上ｂ［光導ｔ
！層１０２のｂＫ膜の際には、膜の暗抵抗を高め帯電能
を増加させるために、面期律表第ｒｌｌＡ族の元素を含
むガスを混合して、Ｊ形成を行うこともできる。なお、
光祷′五層１０２の膜厚け、良好な電子写真特性および
良好彦画′ｊＩ！を伊るためには、１０〜１０μｍ１好
ましくは１５〜４０ｔｔｍがよい。さらに、光ａｊ！Ｎ
ｋｊｚｏｚＦｉ、導電性基板ｒｏｘｖｃｌｋも接近した
部分１０２ａで、水素原子の分栢により、水素含有４が
４〜８原子％であシ、また光学的特性のｆ、１１定から
光学的バンドギャップが１．６３〜１．６７ｅＶ、屈折
率が７９０ｎｍの波長に対して４．１〜４４である。
上記表面Ｎ１０４＃″ｔ１シリコン原子を母体として含
むガスたとえばＳ ｉ Ｈ４＋ Ｓ ｉ ２ Ｈｓガヌ
等に、炭素、チッ素、酸素のうち少なくとも一つ以上を
含むガヌを混合してａ膜される。たとえばＳｉＨ４ガヌ
にＣｆ（ａ 、 Ｃｔ Ｈ４等を混合してグロー放電分
解を行うことにより良好な表面層を形成することができ
る。また、この表面層ＪＯ３ｉｌ″ｊ１光学的バンドギ
ャップが２．０〜２．４ｅＶ、７９０ｎｍの波長に対す
る屈折率が２．２〜２．８である。なお、この表面層１
０３の膜厚け、電子写真感光体として要求される電荷保
持能向上、残留４位の低減、耐環境性、耐コロナイオン
性を考慮して１００Ａ〜１０μｍ１好１しくけ４００Ａ
〜５μ虎がよい。
むガスたとえばＳ ｉ Ｈ４＋ Ｓ ｉ ２ Ｈｓガヌ
等に、炭素、チッ素、酸素のうち少なくとも一つ以上を
含むガヌを混合してａ膜される。たとえばＳｉＨ４ガヌ
にＣｆ（ａ 、 Ｃｔ Ｈ４等を混合してグロー放電分
解を行うことにより良好な表面層を形成することができ
る。また、この表面層ＪＯ３ｉｌ″ｊ１光学的バンドギ
ャップが２．０〜２．４ｅＶ、７９０ｎｍの波長に対す
る屈折率が２．２〜２．８である。なお、この表面層１
０３の膜厚け、電子写真感光体として要求される電荷保
持能向上、残留４位の低減、耐環境性、耐コロナイオン
性を考慮して１００Ａ〜１０μｍ１好１しくけ４００Ａ
〜５μ虎がよい。
また、光導電層１０２は、導電性基板１０１の側から表
面ｔ＊ Ｊ ｏ ｓに向うに従って水素含有量が連続的
に増加し、表面Ｎ１０３の屈折率をｎｂ、光導電層０２
の導電性基板１０１の側の部分１０２ａの屈折率をｎ＆
とすると、光導Ｎ層１ｏｚｏａ面層ｚ ｏｓｆｌｌｔｖ
ｍｆｊ−１ｏｚｂ。
面ｔ＊ Ｊ ｏ ｓに向うに従って水素含有量が連続的
に増加し、表面Ｎ１０３の屈折率をｎｂ、光導電層０２
の導電性基板１０１の側の部分１０２ａの屈折率をｎ＆
とすると、光導Ｎ層１ｏｚｏａ面層ｚ ｏｓｆｌｌｔｖ
ｍｆｊ−１ｏｚｂ。
屈折率ｎかｎｕ≧ｎ≧ｎｂとなるようにその屈折率ｎし
たがって光学的バンドギャップが制御されているもので
ある。
たがって光学的バンドギャップが制御されているもので
ある。
具体的には、光導電層１０２の導電性基板１０１側の部
分１０２ｈで汀、前述のように水素含有量が４〜８原子
５、光学的バンド・ギャップか１．６３〜１．６７ｅＶ
、屈折率が７９０ｎｍの波長において４．１〜４．４で
あるが、光導ＮＮｚｏ２の表面層１０３側に向うに従っ
て水素含有量が次第忙増加し、部分１０２ｂでは、水素
含有量が２８〜３５原子％、光学的バンド・ギャップが
１．８８〜１．９２ｅＶ、７９０−の波長での屈折率が
３．１〜３．４の値を肩するものである。
分１０２ｈで汀、前述のように水素含有量が４〜８原子
５、光学的バンド・ギャップか１．６３〜１．６７ｅＶ
、屈折率が７９０ｎｍの波長において４．１〜４．４で
あるが、光導ＮＮｚｏ２の表面層１０３側に向うに従っ
て水素含有量が次第忙増加し、部分１０２ｂでは、水素
含有量が２８〜３５原子％、光学的バンド・ギャップが
１．８８〜１．９２ｅＶ、７９０−の波長での屈折率が
３．１〜３．４の値を肩するものである。
また、この部分１０２ｂは、光学的バンド−ギャップが
大きく、シたがって７５０ｎｍ以上の波長の光に対して
は、光導電性を示さないも゛ のである。なお、仁の部
分１０２ｂの膜厚け、キャリアの走行性を防止しない程
度の膜ルが望ましく、通常は１００Ａ〜２０μｍ好まし
くけ５００Ａ〜１０μｍがよい。
大きく、シたがって７５０ｎｍ以上の波長の光に対して
は、光導電性を示さないも゛ のである。なお、仁の部
分１０２ｂの膜厚け、キャリアの走行性を防止しない程
度の膜ルが望ましく、通常は１００Ａ〜２０μｍ好まし
くけ５００Ａ〜１０μｍがよい。
以上の構成によれば、光導電Ｎｊ１ｏ２の中に含まれる
水素の量を表面層１０３ｉｌＩＩＩに向うに従って増加
書せ、光導電層１０２内に、れａ≧ｎ≧ｎｂとなるよう
々屈折率ｎを有する部分１０２ｂを形成したので、内部
に入射したレーザー光かルの界面で反射し難くなり、こ
れにより、干渉効果による８度むらを防止することがで
きる。
水素の量を表面層１０３ｉｌＩＩＩに向うに従って増加
書せ、光導電層１０２内に、れａ≧ｎ≧ｎｂとなるよう
々屈折率ｎを有する部分１０２ｂを形成したので、内部
に入射したレーザー光かルの界面で反射し難くなり、こ
れにより、干渉効果による８度むらを防止することがで
きる。
ｔｆｃ、１ｌＪ１電；曽１ ｏ ｚの水素の量は、連続
的に変化しているが、表面層１０３近傍の部分１θ２ｂ
で念仏にエセ加させているため、光導電層１０２０光導
ｍ性及びキャリアの走行性は阻止されないＯ ｆｘオ、光ｉ？Ｊ、Ｊｒ Ｊ ＯＺ Ｈ１ｍ＠、性Ｍｌ
ｆｉ Ｊ ＯＪ側から水素含有量を次第に増加させるこ
とによって光導電層ｆｆ−１０２の屈折率が次第に低く
なり、愼らｖＣｊｔ Ｌｒｂ ′ｈＸ、性が低下するよ
うに形成され、すなわち、実質的にけ光導１１層１０２
の最上部の表面層１０３近傍部分１０２ｂで特に水素含
有量かπ４加するように成膜されているが、半導体レー
ザーの場合発振波長が７９０ｎｍ付近であり、この波長
ではレーザー光はａ−８１の光導電層１０２に対して、
通過率が３０〜４０％であり、完全忙内部までレーザー
光が入射する。
的に変化しているが、表面層１０３近傍の部分１θ２ｂ
で念仏にエセ加させているため、光導電層１０２０光導
ｍ性及びキャリアの走行性は阻止されないＯ ｆｘオ、光ｉ？Ｊ、Ｊｒ Ｊ ＯＺ Ｈ１ｍ＠、性Ｍｌ
ｆｉ Ｊ ＯＪ側から水素含有量を次第に増加させるこ
とによって光導電層ｆｆ−１０２の屈折率が次第に低く
なり、愼らｖＣｊｔ Ｌｒｂ ′ｈＸ、性が低下するよ
うに形成され、すなわち、実質的にけ光導１１層１０２
の最上部の表面層１０３近傍部分１０２ｂで特に水素含
有量かπ４加するように成膜されているが、半導体レー
ザーの場合発振波長が７９０ｎｍ付近であり、この波長
ではレーザー光はａ−８１の光導電層１０２に対して、
通過率が３０〜４０％であり、完全忙内部までレーザー
光が入射する。
したがって、表面層１０３下部の光導電層１０２の最上
部分ｘｏｚｂが７９０ｎｍの波長において光導電性を有
しなくても、電子写真感光体の感度にそれｔｌど影１１
１を及ぼさない。そして、この最上部分１Ｏ２ｂが上記
のように水素含有量を多くすることによって７５０ｎｍ
以上の波長の光に対して光導電性を有しない、具体的に
は暗抵抗と明抵抗の比が１桁かそれ以下であり、しかも
このことによる感度低下が無視でき、さらに、光導を層
１ｏｚから表面層ＺＯＳへ向うに従ってバンド−ギャッ
プが連続的になだらかに変化しているため、界面でのキ
ャリアの蓄積がおさえられ、残留電位が低下する。
部分ｘｏｚｂが７９０ｎｍの波長において光導電性を有
しなくても、電子写真感光体の感度にそれｔｌど影１１
１を及ぼさない。そして、この最上部分１Ｏ２ｂが上記
のように水素含有量を多くすることによって７５０ｎｍ
以上の波長の光に対して光導電性を有しない、具体的に
は暗抵抗と明抵抗の比が１桁かそれ以下であり、しかも
このことによる感度低下が無視でき、さらに、光導を層
１ｏｚから表面層ＺＯＳへ向うに従ってバンド−ギャッ
プが連続的になだらかに変化しているため、界面でのキ
ャリアの蓄積がおさえられ、残留電位が低下する。
また、光導ｍ層１０２と表面層１０３との間または表面
７１１Ｊ ＯＪに屈折率の適合する絶縁性材料を用いる
ようにした場合、結果として、表面層１０３が厚くなり
電子写真特性の残留電位が上昇してしまうという問題が
あるが、その点、ａ−８ｉは水素含有量を変えることに
よってａ−８ｔの電気特性を大きく変えることなく光与
的特性を変えられる。
７１１Ｊ ＯＪに屈折率の適合する絶縁性材料を用いる
ようにした場合、結果として、表面層１０３が厚くなり
電子写真特性の残留電位が上昇してしまうという問題が
あるが、その点、ａ−８ｉは水素含有量を変えることに
よってａ−８ｔの電気特性を大きく変えることなく光与
的特性を変えられる。
次に、上記第１図に示す電子写真感光体け、九ｉ：＝ｆ
ｉｃ＝ ７０２かｍＥ性基＠１０ノの側から水素合唱〜
かに、めばほぼ一定で表面へ１０３近傍で７６激にす＾
・加しているものであるか、第２図に示す賜子写ｋｌｄ
九体では、光導電層２０２け、占電性基数２０１１１１
１１の部分２０２ａから次第水素含有遭かす。加し、表
面層２０３に近い部分２０２ｂで一定となっているもの
である。また、第３図に示す電子写真感光体でけ、光導
１！！Ｍ３０２は導電性基板ｓｏｉ仙の部分３０２ｂか
ら水素せ七参か直紡的に増加し、愼らに表面層３０３の
近＆１部分３０２ｂで、ｅ激に増加しているものである
。
ｉｃ＝ ７０２かｍＥ性基＠１０ノの側から水素合唱〜
かに、めばほぼ一定で表面へ１０３近傍で７６激にす＾
・加しているものであるか、第２図に示す賜子写ｋｌｄ
九体では、光導電層２０２け、占電性基数２０１１１１
１１の部分２０２ａから次第水素含有遭かす。加し、表
面層２０３に近い部分２０２ｂで一定となっているもの
である。また、第３図に示す電子写真感光体でけ、光導
１！！Ｍ３０２は導電性基板ｓｏｉ仙の部分３０２ｂか
ら水素せ七参か直紡的に増加し、愼らに表面層３０３の
近＆１部分３０２ｂで、ｅ激に増加しているものである
。
充分Ｖζ洗浄した便、転線ζせた績を性基板４としての
Ａｌ素管と真空容器１内に設置し、拡散ポンプによりＸ
を容器１内全排気した。これとＰ１時に、Ａｌ素管の加
熱用ヒーター５の電源を入れ、設定温度を３５０ ’Ｏ
にして加熱を行った。約１時間抜真空容器１内の真空度
か３×１０″″’ Ｔｏｒｒ となり、Ａｌ素管の温
度も安定した。その後、マスフローコントローラーを介
してＳｉＨ＋の流ｔを２５０ ＳＣＣＭ／Ｂ＊ Ｈｌの
ＳｉＨ４に対する流量比を７ Ｘ １０−’、ＣＨ４の
流ｉｔ會５０ ＳＣＣＭ。
Ａｌ素管と真空容器１内に設置し、拡散ポンプによりＸ
を容器１内全排気した。これとＰ１時に、Ａｌ素管の加
熱用ヒーター５の電源を入れ、設定温度を３５０ ’Ｏ
にして加熱を行った。約１時間抜真空容器１内の真空度
か３×１０″″’ Ｔｏｒｒ となり、Ａｌ素管の温
度も安定した。その後、マスフローコントローラーを介
してＳｉＨ＋の流ｔを２５０ ＳＣＣＭ／Ｂ＊ Ｈｌの
ＳｉＨ４に対する流量比を７ Ｘ １０−’、ＣＨ４の
流ｉｔ會５０ ＳＣＣＭ。
アルゴンガスの流１を２００ ＳＣＣＭになるようにそ
れぞれ調節した後、１３．５６ ＭＨｙ、の高層（波電
源８のスイッチを投入して２００Ｗの高周波電力を印加
し、グロー放電分解を行い第一層の成膜を行った。この
とき、反応圧力け０．８ Ｔｏｒｒであり、膜厚Ｆｉｉ
、ｏμ風であった。
れぞれ調節した後、１３．５６ ＭＨｙ、の高層（波電
源８のスイッチを投入して２００Ｗの高周波電力を印加
し、グロー放電分解を行い第一層の成膜を行った。この
とき、反応圧力け０．８ Ｔｏｒｒであり、膜厚Ｆｉｉ
、ｏμ風であった。
第一層成膜後、すべてのガスを止め、ガスのパージを１
５分間行い、その後、ＳｉＨ，の流量を５００ ＳＣＣ
Ｍ、アルゴンガスの流量を５００ＳＣＣＭ％ＢｔＨｓの
ＳｉＨ＋に対する流量比を８×１０−８、さらに水素ガ
スの流Ｊｌｆ ５０ ＳＣＣＭにそれぞれマスフローコ
ントローラにより調節し、ガスの流量が安定した後、３
５０Ｗの高周波電力を印加し、２時間この状態で光導電
層の成膜を行った。この際の反応圧力は１．２ Ｔｏｒ
ｒ であ。
５分間行い、その後、ＳｉＨ，の流量を５００ ＳＣＣ
Ｍ、アルゴンガスの流量を５００ＳＣＣＭ％ＢｔＨｓの
ＳｉＨ＋に対する流量比を８×１０−８、さらに水素ガ
スの流Ｊｌｆ ５０ ＳＣＣＭにそれぞれマスフローコ
ントローラにより調節し、ガスの流量が安定した後、３
５０Ｗの高周波電力を印加し、２時間この状態で光導電
層の成膜を行った。この際の反応圧力は１．２ Ｔｏｒ
ｒ であ。
った。２時間経過した後、高周波電力は印加したまま１
５分の間マスフローコントローラーにより水素の流ｆを
少しづつ増加させ、１５分後に水素の流量かｔ ｏ ｏ
ｓｃｃＭとなるようにした。
５分の間マスフローコントローラーにより水素の流ｆを
少しづつ増加させ、１５分後に水素の流量かｔ ｏ ｏ
ｓｃｃＭとなるようにした。
反応圧力は、この時点で１．３ Ｔｏｒｒ であった
。
。
プらに水素の流５？１００ ＳＣＣＭとしたのち再び１
５分の時間をか叶て水素の流量を３００ＳＣＣＭとなる
ようにマスフロートコントローラー會訓節した。１５分
抜水素の量は３００８ＣＣＭで安定し、反応圧力は１．
８ Ｔｏｒｒ となりた・その後さらに３０分間水素
の流量ｔ ３００ ＳＣＣＭとしたまま３０分開成膜を
続けた。以上のよってして水素含有量が連続的に増加す
る光導電性領域を３時間成膜し、３２μｍの膜厚を得た
。
５分の時間をか叶て水素の流量を３００ＳＣＣＭとなる
ようにマスフロートコントローラー會訓節した。１５分
抜水素の量は３００８ＣＣＭで安定し、反応圧力は１．
８ Ｔｏｒｒ となりた・その後さらに３０分間水素
の流量ｔ ３００ ＳＣＣＭとしたまま３０分開成膜を
続けた。以上のよってして水素含有量が連続的に増加す
る光導電性領域を３時間成膜し、３２μｍの膜厚を得た
。
次に、すべてのガスを止め、真空容器Ｊ内を１５分間パ
ージした後、マスフローコントローラー？介してＳｉＨ
，の流量を５０ ＳＣＣＭ 、、ＣＨ４の流μを３００
ＳＣＣＭ Ｋ調節した後、高周波電力？５０Ｗ印加し
、５分間の成膜で１．２μｍの膜厚の表面層を得た。々
お、反応圧力ｉ−１０，５Ｔｏｒｒ であった。
ージした後、マスフローコントローラー？介してＳｉＨ
，の流量を５０ ＳＣＣＭ 、、ＣＨ４の流μを３００
ＳＣＣＭ Ｋ調節した後、高周波電力？５０Ｗ印加し
、５分間の成膜で１．２μｍの膜厚の表面層を得た。々
お、反応圧力ｉ−１０，５Ｔｏｒｒ であった。
このようにし成膜したａ−８ｉＫ子写＾感党体を、７９
０ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーを搭載し之レ
ーザープリンターで画像サンプルを砲ってみたところ、
干渉効果による濃度むらのない鮮明なＩＩＩ像を得るこ
とかでき、また電子写真特性も表面電位が５１０Ｖ、残
留電位カニＳＯＶ、半減に光導が８．５ ｅｒｇ／ｃｄ
と非常に良好であった。
０ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーを搭載し之レ
ーザープリンターで画像サンプルを砲ってみたところ、
干渉効果による濃度むらのない鮮明なＩＩＩ像を得るこ
とかでき、また電子写真特性も表面電位が５１０Ｖ、残
留電位カニＳＯＶ、半減に光導が８．５ ｅｒｇ／ｃｄ
と非常に良好であった。
以上説明したように本発明によれば、ａ−８ｉの成算プ
ロセスのみで製造プロセス？増やすことなく、かつ電子
写真特性を悪化させることなく、干渉効果による１倫の
濃度むらの発生を防止することができる尋の優れた効果
を奏する。
ロセスのみで製造プロセス？増やすことなく、かつ電子
写真特性を悪化させることなく、干渉効果による１倫の
濃度むらの発生を防止することができる尋の優れた効果
を奏する。
第１図〜第３図はそれぞれ本発明に係る電子写真感光体
を示す模式的構成図、第４図は本発明に係る電子写真感
光体を成膜するための成膜装ｊを示す概略的構成図であ
る。 ４・・・導電性基板（導電性基体）、１０１・・・導電
性基８ｉ（導電性基体）、１０２・・・光導［８゜）０
３・・・表面層、２０１・・・導電性基板（導電性基体
）、２０２・・・光導電層、２０３・・・表面層、３０
１・・・導電性基板（導電性基体）、３０２・・・光導
電層、３０３・・・表面層。 出ｇｒＪ人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１
図 ｓ２図 第３図 第４図
を示す模式的構成図、第４図は本発明に係る電子写真感
光体を成膜するための成膜装ｊを示す概略的構成図であ
る。 ４・・・導電性基板（導電性基体）、１０１・・・導電
性基８ｉ（導電性基体）、１０２・・・光導［８゜）０
３・・・表面層、２０１・・・導電性基板（導電性基体
）、２０２・・・光導電層、２０３・・・表面層、３０
１・・・導電性基板（導電性基体）、３０２・・・光導
電層、３０３・・・表面層。 出ｇｒＪ人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１
図 ｓ２図 第３図 第４図
Claims (4)
- （１）導電性基体上に、シリコン原子を母体として含む
非晶質材料から成る光導電層と表面層とを順次積層して
形成したものにおいて、上記光導電層の屈折率および光
導電性が上記導電性基体側から上記表面層側に向うに従
って連続的に変化していることを特徴とする電子写真感
光体。 - （２）光導電層の表面層に最も近い部分は７５０ｍｍ以
上の波長の光に対して光導電性を有しないことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （３）光導電層の屈折率および光導電性の連続的な変化
が上記光導電層の中に含有されている水素の量によって
制御されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項記載の電子写真感光体。 - （４）光導電層の中に含有されている水素の量が５〜５
０原子パーセントの範囲で変化していることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載
の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20702984A JPS6186756A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20702984A JPS6186756A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186756A true JPS6186756A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16533021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20702984A Pending JPS6186756A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186756A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239397A (en) * | 1989-10-12 | 1993-08-24 | Sharp Kabushiki | Liquid crystal light valve with amorphous silicon photoconductor of amorphous silicon and hydrogen or a halogen |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP20702984A patent/JPS6186756A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239397A (en) * | 1989-10-12 | 1993-08-24 | Sharp Kabushiki | Liquid crystal light valve with amorphous silicon photoconductor of amorphous silicon and hydrogen or a halogen |
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