JPS6183522A - 光量制御法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は１強誘電性液晶素子を用いた光量制御法に関す
るものである。

従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して１画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。

この喪示麦壬の叡勤壓と１．て１士　十轟雷緬ＩＪに順
次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には
所定の情報信号をアドレス信号と同期させて並列的に選
択印加する時分割駆動が採用されているが、この表示素
子及びその駆動法には以下に述べる如き致命的とも言え
る大きな欠点がある。

則ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆んどが１例えばエム・シャツ
）（Ｍ。

５ｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリツヒ（Ｗ、Ｈｅ
　Ｉｆ　ｒ　１ｃｈ）著“アプライド争フイジイツクス
・レターズ’（”ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ　　Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ”）第１８巻、第４号（１９７１年２月１
５日発行）、第１２７頁〜第１２８頁の“ボルテージ−
ディペンダントΦオプティカル・アクティビイティΦオ
ブ壷ア・ツィステッド・ネマチック・リッキツド・クリ
スタル”　（”Ｖｏｌｔａｇｅ　　Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
　０ｐｔｉｃａｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　　　ｏｆ　　
　　ａ　　　Ｔｗｉｓｔｅｄ　　　Ｎｅｍａｔｉｃ　　
Ｌ□１ｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌ”）に示されたＴＮ
型液晶を用いたものであり、この型の液晶は、無電界状
態で正の誘電異方性をもつネマティック液晶の分子が液
晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）を形成し、両
電極間でこの液晶の分子が平行に配列した構造を形成し
ている。一方、電界印加状態では、正の誘電異方性をも
つネマティック液晶が電界方向に配列し、この結果光学
変調を起すことができる。

この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
平行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置す
ることにより１選択点では光が透過せず、非選択点では
光が透過するため１画像素子とすることが可能となる。

然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、走
査電極が選択され、信号電極が選択されない領域、或い
は走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域（
所謂“°半選択点°゛）にも有限に電界がかかってしま
う０選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差
が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるの
に要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば、表示素子は正常に動作するわけであるが、走査線数
（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（１フレーム）
を走査する間に一つの選択点に有効な電界がかかつてい
る時間（ｄｕｔｙ比）が１７Ｈの割合で減少してしまう
。このために、くり返し走査を行った場合の選択点と非
選択点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数が増
えれば増える程小さくなり、結果的には画像コントラス
トの低下やクロストークが避は難い欠点となっている。

このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。

一方、プリンタ分野を眺めて見るに、電気信号を入力と
してハードコピーを得る手段として。

画素高度の改からもスピードの点からも電気画像信号を
光の形で電子写真感光体に与えるレーザービームプリン
タ（ＬＢＰ）が現在節も優れている。ところがＬＢＰに
は、 １、　プリンタとしての装置が大型になる；２、　ポリ
ゴンスキャナの様な高速の駆動部分があり騒音が発生し
、また厳しい機械的精度が要求される；など の欠点がある。この様な欠点を解消すべく電気信号を光
信号に変換する素子として、液晶シャッタアレイが提案
されている。ところが、液晶シャッタアレイを用いて画
素信号を与える場合、たとえば２１０ｍｍの長さの中に
画素信号を１６ｄｏｔ／ｍｍの割合で書き込むためには
、３０００個以上の信号発生部を有していなければなら
ず、それぞれに独立した信号を与えるためには、元来そ
れぞれの信号発生部会てに信号を送るリード線を配線し
な（すればならず、製作上困難であった。

そのため、ＩＬＩＮＥ（ライン）分の画素信号を数行に
分割された信号発生部により、時分割して与える試みが
なされている。この様にすれば、信号を与える電極を、
複数の信号発生部に対して共通にすることができ、実質
配線を大幅に軽減することができるからである。ところ
が、この場合通常行われているように双安定性を有さな
い液晶を用いて行数（Ｎ）を増して行くと、信号ＯＮの
時間が実質的に１／Ｎとなり感光体上で得られる光量が
減少してしまったり、クロストークの問題が生ずるとい
う難点がある。

本発明の目的は、強誘電性液晶素子を用いた光量制御法
を提供することにある。

本発明のかかる目的は、双安定状態下の強誘電性液晶を
間にした偏光子と検光子の透過軸又は吸収軸のなす角度
を一定に保持しながら、前記偏光子の透過軸又は吸収軸
を強誘電性液晶の第１の状態下で配列している液晶分子
軸と略一致させた状態からずらすことによって、スイッ
チングされる光量を制御する光量制御法によって達成さ
れる。

本発明の方法で用いられる強誘電性を有するスメクチッ
ク液晶としては、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊
）、Ｈ相（ＳｍＨ＊）、Ｆ相（ＳｍＦ＊）、Ｉ相（Ｓｍ
Ｉ＊）、Ｊ相（ＳｍＪ＊）、Ｇ相（Ｓ　ｍＧ）ｋ）、又
はに相（ＳｍＫ＊）の液晶が適している。この強誘電性
液晶の詳細については、“ルφジュルナール・ドΦフイ
ジイク争しットル′°（“ＬＥ　　ＪＯＵＲＮＡＬＤＥ
　　ＰＨＹＳＩＱＵＥ　　ＬＥＴＴＲＥ”）第３６巻。

第６９頁、１９７５年発行の「フェロエレクトリック・
リキッドＱクリスタルスＪ　　（”Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｓ”）；　　
”アプライド・フジイツクス・レターズ゛’　　（”Ａ
ｐｐｌｉｅｄ　　ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ”）第
３６巻、第１１号、１９８０年発行の“°サブミクロ拳
セカンド書バイスティプル・エレクトロオプティックス
・スイッチング・イン・リキッド会クリスタル°’　　
（”Ｓｕｂｍｉｃｒｏ　　５ｅｃｏｎｄＢｉｓｔａｂｌ
ｅ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ　　Ｓｗｉｔｃｈｉｎ
ｇｉｎ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｙｓｔａｌｓ”　）　　；　
　”固体物理“旦（１４１）　１９８１　ｒ液晶」等に
記載されており、本発明ではこれらに開示された強誘電
性液晶を用いることができる。

第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたも（
７）テある。２１と２１′はＩ　ｎ２０３．５ｎ０２あ
るいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の
薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラス板）で
あり、その間に液晶分子層２２がガラス面に垂直になる
様に配向したＳｍＣ）ｋ、ＳｍＨ＊、ＳｍＦ）ｋ、Ｓｍ
ｌ＊。

ＳｍＧ＊などのカイラルスメクテイック相の液晶が封入
されている。太線で示した線２３が液晶分子を表わして
おり、この液晶分子２３はその分子に直交した方向に双
極子モーメント（Ｐ上）２４を有している。基板２１と
２１’上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると
、液晶分子２３のらせん構造がほどけ、双極子モーメン
ト（Ｐ工）２４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子
２３は配向方向を変えることができる。液晶分子２３は
、細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で
屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互
いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によ
って光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、
容易に理解される。

本発明の方法で好ましく用いられる液晶セルは、その厚
さを充分に薄く（例えば１０ｇ以下）することができる
。このように液晶層が薄くなることにしたがい、第２図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双極子
モーメントＰまたはＰ′は上向き（３４）又は下向き（
３４’）のどちらかの状態をとる。このようなセルに、
第２図に示す如く一定の閃値以上の極性の異る電界Ｅ又
はＥ′を電圧印加手段３１と３１′により付与すると、
双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに
対応して上向き３４又は下向き３４′と向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３かあるいは
第２の安定状態３３′の何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の安定状８３３に配向するが
、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの
電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状！＠３
３’に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界
を切ってもこの状態に留っている。

又、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態にやはり維持されている。

このような応答速度の速さと、双安定性が有効に実現さ
れるにはセルとしては出来るだけ薄い方が好ましい。

一般的には０．５鉢〜２０終、特にｌ用〜５ルが適して
いる。この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構
造を有する液晶電気光学装置は、例えばクラークとラガ
バルにより米国特許第４３６７９２４号公報で提案され
ている。

本発明者等は、強誘電性を有するスメクティツク液晶の
分子の配列状態及び偏光子と検光子の組合せによる液晶
素子の最適化をさらに詳細に検討した結果、液晶分子は
常に前述した如き単純な配列状態をとるとは限らず、基
板処理方法、液晶材料や液晶セルの厚さ等により、異っ
た形態の配列状態をとることを知るに致った。

そして、液晶分子が液晶層の厚さ方向に関して捩れた構
造を有しており、偏光子と検光子とは、互いに直交して
いない条件の下で最大のコントラストを与える場合が生
ずることを知った。この効果は液晶層厚が双安定性を与
えるに充分薄いとき、又は基板が一軸性の配向処理を与
えられているときにとくに顕著である。

以下実施例に基づいて本発明の詳細を述べる。

実施例１ 液晶材料として、下記の３成分混合系を用いた。

４−ｎ−オクチルオキシフェニル−４”−（２−メチル
ブチル）ビフェニル−４′−力ルポキシレート ４−　（２−メチルブチルオキシ）フェニル−４′−ｎ
−才クチルオキシベンゾエート４−（２’−メチルブチ
ル）フェニル−４″＝（ｎ−オクチルオキシ）ビフェニ
ル−４′−力ルポキシレート ＩＴＯ電極が形成されているガラス基板にポリイミド膜
（商品名：セミコファイン）を４００人の厚さでコーテ
ィングした。次に回転するファーブラシによって、上記
基板を一方向にラビング処理した。このような２枚の基
板を、スペーサを介して対向して貼り合わせたセルを作
成した。セル厚は３ルであった。このセルに前記した液
晶材料を等吉相となる温度１００℃にて注入した。セル
の温度をコントロールしながら５℃／時間のスピードで
徐冷すると、セル内の液晶はｃｈ相（コレステリック相
）、ＳｍＡ相（スメクテイツクＡ相）を経て、ＳｍＣ＊
相（カイラルスメクテイツクＣ相）に達する。これらの
相変化は、液晶セルの両側に偏光子と検光子を配置する
ことによって測定することができた。ＳｍＡ相に於いて
は、液晶分子の長袖がラビング方向に揃うように配列し
ていた。即ち、スメクテイツク相の層は、ラビング方向
及び基板面に対して垂直となっている。ＳｍＡから、さ
らに温度を下げるとＳｍＣ＊相となる。

この液晶層厚は充分に薄いため、螺旋構造は解けて非螺
旋構造となっており、直交状態にある偏光子と検光子の
組合せによって、２種の安定状態があることを確認する
ことが出来た。その詳細は下記の如くである。

第３図は、光源／偏光子／液晶セル／検光子を光路上に
目を置いて見たときの配置図である。

＠Ｏは、ラビング方向（−軸性の方向）であって、ｐｌ
、ｐ２及びＡｔ、Ａ２はそれぞれ偏光子及び検光子の透
過軸（又は吸収軸）を示す。先に述べた如く１等方相よ
り徐冷することによって得られたＳ　ｍ（、＊相では、
２種の安定状態を観察することができる。即ち、偏光子
及び検光子の透過軸（又は吸収軸）を直交させて観察す
るとき、それらと液晶セルの軸Ｏのなす角度が適正に設
定されたとき、液晶セルは通常は斑模様となった２種の
ドメインにわかれていることがわかる。例えば、液晶セ
ルの温度が５０°Ｃであるとき、第３図の如く、軸０と
偏光子の透過軸（又は吸収軸）ＰＬとのなす角が６°の
ときに、偏光子の透過軸（又は吸収軸）Ｐｌと検光子の
透過軸（又は吸収軸）Ａｔとのなす角度を９０’として
その２つのドメインは、この系で最も大なるコントラス
トで観察され、それぞれ暗（深緑色）及び明（黄色）を
呈する。又、偏光子／検光子の透過軸（又は吸収軸）を
軸０に関して第３図のように、前述と対称的位置（Ｐ２
／Ａ２）にそれぞれ回転すると、上記ドメインは反転す
る。即ち（Ｐ１／Ａ１）の配置に於いて暗（深緑色）で
あったドメインは明（黄色）に、一方明（黄色）であっ
たドメインは暗（深緑色）に変化する。又、偏光子及び
検光子の透過軸（又は吸収軸）をＰｌ及びＡ１を９０°
にして配置し、対向する２つの基板間に特定極性（例え
ば十とする）の直流電圧パルスを印加すると、全体が暗
（深緑色）に変わる０次に、逆極性（−）の直流電圧パ
ルスを印加すると、全体が明（黄色）に変わる。

以上のことから、２種の安定状態とは、その液晶分子軸
の基板面への射影軸は平均的には軸Ｐ１方向を向いてい
る状態と、軸Ｐ２方向を向いている状態であると考える
ことができる。

又、これらの状態が互いに逆極性の直流電圧パルスによ
って移転することから、これら２つの状態はそれぞれ基
板面に垂直方向に有限であり、且つ互いに逆極性の平均
的電気双極子モーメントを有していることがわかる。

次に、どちらか一方の状態を最も暗くし、結果的に前述
した偏光子及び検光子の透過軸（又は吸収軸）の配置の
場合と較べて、より大きい最大のコントラストを得るた
めに、偏光子と検光子の透過軸（又は吸収軸）の位置関
係を直交位置よりずらし、又液晶セルとの位置関係も変
化させることを試みた。その結果は、第４図に示す。

第４図に於て、偏光子の透過＠（又は吸収軸）ＰＩを軸
０とのなす角度が約１８°となる様にセットし、検光子
の透過軸（又は吸収軸）Ａ１を偏光子と直交する位置よ
り約２４°反時計方向に回転した軸方向にセットした（
Ｐ１／Ａ１）の９０°＋２４°配置の時、第３図に於け
る（Ｐｉ／Ａｌ）の９０’配置に較べ暗（深緑色）のド
メインが最も暗くなり（黒）、２つのドメインは明と暗
又は黒と黄との間で最大のコントラストを与えた。次に
、偏光子／検光子と液晶セルの相対位置をかえ、偏光子
の透過軸（又は吸収軸）を第４図中の軸Ｐ２に、検光子
の透過軸（又は吸収軸）を軸Ａ２にセットしたとき、前
述の（Ｐｚ／Ａｔ）の９０°＋２４゜配置の場合と較ベ
トメインの明暗が逆転した。

以上より、２種の安定状態とは、その液晶分子軸の基板
面への射影軸が第１の基板（偏光子側の基板）近傍では
軸Ａ方向を向き、次第に捩れて７ｉＳ２の基板（検光子
側の基板）近傍では軸Ａ′方向を向いている状態と、第
１の基板近傍では軸Ｂ方向を向き、次第に捩れて第２の
基板近傍では軸Ｂ′方向を向いている状態の２状態であ
ると結論できる。さらに立体的に考えると、液晶分子は
、第２図の如く完全に基板面内に言い換えると、液晶分
子は第２図の如く基板面に平行に倒れているのではなく
、第１図で示したコーン−ヒに配置し、そのコーン上の
位置が厚さ方向で異なっていると考えることができる。

いずれにしても前記基板の表面が一軸性の方向を右する
配向処理（例えば、ラビング処理）が施されており、上
記−軸性の方向を軸０とし、前記２種の安定状態のうち
第１の状態に於ける第１の基板表面近傍の液晶分子軸の
基板面への射影軸を軸Ａ、第１の状態に於ける第２の基
板面近傍の液晶分子軸の基板面への射影軸を軸Ａ゛とじ
、且つ第２の状態に於ける第１の基板表面近傍の液晶分
子軸の基板面への射影軸を軸Ｂ、第２の状態に於ける第
２の基板面近傍の液晶分子軸の基板面への射影軸を軸Ｂ
′とするとき、偏光子の透過軸（又は吸収＠）を軸Ａ（
又はＢ）に略一致させ、検光子の透過軸（又は吸収軸）
を軸Ａ’（又はＢ’）に略一致させるとき、暗状態が最
も暗くなる最大のコントラストを与える液晶素子が得ら
れる。

すなわち、本例においては偏光子の透過軸（又は吸収軸
）Ｐｌ（又はＰ２）を軸Ａ（又は軸Ｂ）と略一致させ、
検光子の透過軸（又は吸収軸）Ａ１（又はＡ２）を軸Ｂ
（又は軸Ｂ′）と略一致させ、軸Ｐ１（又はＰ２）と軸
Ａ１（又はＡ２）とのなす角度θ１を９０’＋２４゜と
した時、最大のコントラストが得られる。

この様に、本発明では軸ＰＬ（又は軸Ｐ２）と軸Ａ１（
又は軸Ａ２）とのなす角度θ１を９０°としないことに
よって、より向上されたコントラストが得られる。

さらには、軸０と軸Ａとのなす角度を軸０と軸Ｂ′との
なす角度に略等しくすることが望ましく、又軸０と軸Ａ
′とのなす角度を軸０と軸Ｂとのなす角度に略等しくす
ることが望ましい。

実施例２ 液晶材料として、 （１０重量％） （６０重量％） （３０重量％） の３成分混合系を用いた。

工ＴＯＴｆ、極が形成され、配向膜が形成されていない
カラス基板と、さらに実施例１と全く同様にしてポリイ
ミド膜が塗布され、配向処理を施されたガラス基板とを
スペーサを介して貼り合わせた。セル厚はり、１ｇであ
った。このセルに上記した液晶材料を等吉相である６５
°Ｃにて注入した。次に、セルの温度をコントロールし
ながら１０℃／時間のスピードで徐冷し、ＳｍＣ）ｋ状
態である２８°Ｃに保持した。

第５図は、偏光子と検光子の透過軸（又は吸収軸）を互
いに直交させたときの、最もコントラストの高い配置を
示すものであり、それぞれラビング方向Ｏに対して、５
°の角度をなす（Ｐ　ｒ／Ａ　ｔ）もしくは（Ｐ２／Ａ
２）の配置がよい。又、偏光子と検光子の透過軸（又は
吸収軸）の配置を固定して、液晶セル（即ち軸０）を９
０°回転しても、全く同じである。

（Ｐ　１／Ａ　１）の９０°配置に対し、一方向の直流
パルス電界（＋２０’Ｖ、５００Ｂｓｅ’ｃ）を印加す
ると、視野は黒灰色となり、電界を切った後も安定であ
る。次に、逆方向の直流パルス電界（−２０Ｖ、５００
ｇ５ｅｃ）を印加すると、視野は明るい白色となり、電
界を切った後も安定である。これら２つの安定状態間の
コントラストは約１＝ｌＯであった。尚、配置を９０°
の（Ｐ２／Ａ２）とすれば上記暗状態と明状態は勿論逆
転する。

続いて第６図は、本例の液晶セルに於ける改善された配
置を第４図と同じ書き方によって表現したものである。

即ち、第４図の如く、偏光子の透過軸（又は吸収ｔｍ）
Ｐｔと検光子の透過軸（又は吸収軸）Ａ１のなす角を９
０’−２，５゜とし、軸Ｐ１と軸Ｏとのなす角を４°と
設定したとき、コントラストは最大となり、暗状態（暗
黒色）と明状態（白色）は、第５図に於て述べたと同じ
電界により、相互にスイッチングされる。この時のコン
トラストは、１：１５であった。尚、この９０６−２．
５°の（Ｐ１／Ａｌ）配置を９０’−２，５°の（Ｐ２
／Ａ２）配置とすれば、上記暗状態と明状態は逆転する
。

又、基板面近傍の液晶分子の基板面への射影も図示され
ている。射影軸は、第１の安定状態では、第１の基板面
近傍では軸Ａ、第２の基板面近傍では軸Ａ′、第２の安
定状態では第１の基板面近傍で軸Ｂ、第２の基板面近傍
で軸Ｂ′に相当している。

実施例３ 液晶層の厚さを２．７牌とした以外は、実施例２と全く
同様にして液晶セルを作成した。

偏光子と検光子の透過軸（又は吸収軸）を直交させたと
きの最適配置を第７図に、又偏光子と検光子の透過軸（
２又は吸収軸）を直交させないで、よりコントラストの
大なる最適配置及び基板面近傍の液晶分子の基板面への
射影を第８図に示した。

偏光子と検光子の直交配置（第７図）に於ける２つの安
定状態は１色相を有しており、暗状態が緑色で明状態が
黄色である。第８図の如く、偏光子と検光子のなす角度
を９０°より２０°増加させ、偏光子とラビング方向（
軸０）のなす角を４°又は１６°としたとき、暗状態は
暗青色で、明状態は黄白色となり、コントラストは大き
くなった。このように偏光子と検光子を直交関係よりず
らすことによりコントラストを大きくするのみならず、
色相を選択することもできる。

実施例４ 液晶材料とし９て、ＤＯＢＡＭＢＣ（デシロキシベンジ
リデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメート
）を用いた。液晶層の厚さは、１．６．、両基板は実施
例１と全く同様にラビング処理を行った。

３５℃に於ける配置図を第９図、第１０図に示した。第
９図は、偏光子と検光子の透過軸（又は吸収軸）を互い
に直交させた９０°の（Ｐ　１／Ａ　ｌ）又は９０°の
（Ｐ２／Ａ２）配置を表わしており、第１Ｏ図は９０″
より１５°ずらした９０°＋１５°の（Ｐ　１／Ａ　ｔ
）又は９０°＋１５°の（Ｐ　２／Ａ　２）配置を表わ
している。第１０図に示したように最もコントラストが
大きい条件は、偏光子と検光子が９０’＋１５’の角度
をなしているときに与えられた。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明で用いる液晶素子を模式的
に表わす斜視図である。第３図、第５図、第７図及び第
９図は偏光子と検光子を直交させた時の態様を表わす説
明図である。ｆ３４図、第６図、第８図及び第１０図は
本発明に係る配置関係を有する偏光子と検光子の態様を
表わす説明図である。 ０　；　−軸性の方向

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 双安定状態下の強誘電性液晶を間にした偏光子と検光子
   の透過軸又は吸収軸のなす角度を一定に保持しながら、
   前記偏光子の透過軸又は吸収軸を強誘電性液晶の第１の
   状態下で配列している液晶分子軸と略一致させた状態か
   らずらすことによって、スイッチングされる光量を制御
   することを特徴とする光量制御法。