JPS6182649A - スリツト機構 - Google Patents

スリツト機構

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JPS6182649A
JPS6182649A JP59205154A JP20515484A JPS6182649A JP S6182649 A JPS6182649 A JP S6182649A JP 59205154 A JP59205154 A JP 59205154A JP 20515484 A JP20515484 A JP 20515484A JP S6182649 A JPS6182649 A JP S6182649A
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JP
Japan
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slit
piece
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movable
voltage
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JP59205154A
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English (en)
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JPH0348614B2 (ja
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Wataru Ogawa
渉 小川
Shinzo Tanaka
田中 新三
Yasuyoshi Oota
泰能 太田
Katsuaki Shirato
白土 勝章
Kozo Shimazu
島津 光三
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Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/06Electron- or ion-optical arrangements
    • H01J49/067Ion lenses, apertures, skimmers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は質量分析装置などで使用されるスリット機構に
関し、特にそのスリット幅を真空室の外部から変えるこ
とのできるスリット41に構に関するものである。
(従来の技術) 分析装置、特に真空中で分析を行なう装置に使用されて
いる従来のスリット機構は、機械式可変幅スリットか固
定幅スリットが殆んどである。
機械式可変幅スリットは、真空室外のノブの回転により
直線運動をするシャフトを真空シール機構を介して真空
室内に導入し、そのシャフトの先端に一対のスリン1−
片の一方のスリット片を取りつけて可動とし、他方の固
定されたスリット片との間にスリットを形成したもので
あり、そのスリット幅の変更は、ノブを回してシャフト
を直線運動させることにより行なう。
固定幅スリットは真空室内に幅寸法の異なった複数個の
スリットを用意しておき、真空室外の電動アクチュエー
タによりそのうちの最適幅寸法のスリン1−を選択して
所定位置へ移動させるものである。
(発明が解決しようとする問題点) 機械式可変幅スリットや固定幅スリットは可動部の真空
シールや、回転運動を直線運動に変換する機構を必要と
するので、構造が複雑になる。
また、機械式可変幅スリットは分析装置の自動化を推進
する上で支障になる。
本発明は真空室の外部から内部へ電気信号のみを送り、
その電気信号により真空室内でスリット幅を制御するこ
とが可能で、かつ構造の簡単なスリット機構を提供する
ことを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明のスリット機構は、その一対のスリット片の少な
くとも一方が可動であって、その可動のスリット片(以
下スリット可動片という)は所望のスリット幅に応じて
所定の電界が印加される圧電素子または電歪素子に結合
されている。
(作用) たとえば圧電素子は印加される電界に応じて変位するた
め、その圧電素子に取りつけられているスリット可動片
もともに変位し、そのスリット可動片と対向してスリッ
トを形成している他方のスリット片との間の相対距離、
すなわちスリット幅が印加電界に応じたものになる。
(実施例) 第1図はバイモルフ形圧電素子を使用した一実施例を表
わし、同図(A)、同図(B)及び同図(C)はそれぞ
れ平面図、正面図及び側面図である。
2はスリットSを形成する一対のスリット片の一方をな
す固定されたスリット片(以下スリット固定片という)
で、金属製支持体4に固定されている。6はスリットS
を構成する一対のスリット片の他方をなすスリット可動
片で、その一部に溝8が設けられ、この溝8にバイモル
フ形圧電素子10の先端部が嵌め込まれ接着剤により固
着されることにより、スリット可動片6がバイモルフ形
圧電素子10の先端部に取りつけられている。バイモル
フ膨圧Tl!素子10はスリット可動片6とスリット固
定片2とが対向してスリットSを形成するように、その
基端部が金属製クランパ12により支持体4に固定され
ている。
バイモルフ形圧電素子10は中間に金属板を挟んで同一
方向に分極した2枚の圧電素子が貼り合わされて構成さ
れており、金属製の支持体4とクランパ12を両圧電素
子に共通の一方の電極とし、中間の金属板に他方の電極
(図示路)を設けて両電極間に所定の電界が印加される
ようになっている。
14はスリット可動片6の位置を検出する位置センサと
してのホトインタラプタで、支持体4に固定されており
、その対向する発光部と受光部との間隙16にはスリッ
ト可動片6の一部18が挿入され、その部分18が発光
部から受光部への光を遮ることによりスリット可動片6
の位置が検出される。
第2図に本実施例に使用されるスリット幅制御系の一例
を示す。
2oはスリット幅設定信号と位置センサ14からの位置
信号とを入力し、両信号を比較してバイモルフ形圧電素
子10に加える最適な直流電圧の基になる直流電圧(以
下制御電圧という)を発生させるための制御回路であり
、高い増幅率の比例要素を含んでいるが、オフセントを
完全にとり除く必要のある場合には、さらに積分要素を
含めてもよい。 22は直流電圧発生回路で、制御回路
20からの信号を受けてバイモルフ形圧電素子10を駆
動するに必要な直流高電圧を発生し、バイモルフ形圧電
索子10に印加する。
本実施例の動作を第1図及び第2図により説明する。い
まスリット可動片6が第1図で実線で示される状態にあ
るものとして、スリット幅を他の所望の一定幅に変える
ためにそれに対応したスリット幅設定信号を制御回路2
0に入力すると、制御回路20でそのスリット幅設定信
号と位置センサ14からの信号とが比較され、直流電圧
発生回路22からバイモルフ形圧電素子1oへ所定の直
流電圧が印加されて、バイモルフ形圧電素子1oが例え
ば第1図に鎖線で示される状態に変位しスリット可動片
6も変位するにのスリット可動片6の位置は位置センサ
14により検出され、その検出信号が制御回路20ヘフ
イードバノクされることにより、スリット可動片6の位
置が所望の設定位置になるように精度よく制御される。
第2図における直流電圧発生回路の例を第3図〜第5図
に示す。
第3図の例は発振用IC24と逓倍電圧回路26とから
なるものである。制御回路2oの出力信号である直流の
制御電圧を発振用IC24の電源電圧として入力して低
電圧の交流信号を作り、その交流出力信号を逓倍電圧回
路26に入力して昇圧し、整流し、平滑化する。
ここで、発振用IC24としては、直流の供給電源電圧
を広範囲(例えば5〜15V程度)にとれるものが適す
る。また、逓倍電圧回路26は何段にも重ねて使用する
ことができる。
第4図の例は発振用IC24からの低電圧交流信号をト
ランス28により昇圧した後、整流平滑回路30により
直流電圧にするものである。
また、第5図の例は第4図と同じく発振用IC24から
の低電圧交流信号をトランス28で昇圧した後、逓倍電
圧回路26により更に昇圧し、整流平滑を行なうもので
ある。
これらの直流電圧発生回路の例において5発振用ICを
使用すると制御系の構成が簡単になり小型化する利点が
あるが、発振用ICに代えてトランジスタ、抵抗、コン
デンサなどの個別部品を組み合せて構成された発振回路
を使用してもよい。
再び第1図に戻って説明すると、この実施例では一対の
スリット片の一方は可動、他方は固定としているが、両
スリット片を2個のバイモルフ形圧電素子でそれぞれ支
持してともに可動になるようにしてもよい。その場合、
第1図の実施例と同じスリット幅変化量を生じさせるに
は、バイモルフ膨圧Vr1素子に印加される電圧は約1
/2で済む利点がある。
第1図の実施例では位置センサ14としてホトインタラ
プタを使用しているが、他の位置センサを使用してもよ
い。そして、位W−2ンサI4を使用するとスリット幅
制御が精度よく行なわれる利点がある。しかしながら、
スリット幅制御が粗くてもよい場合には位置センサを省
くことができる。
その場合、制御回路20はスリット幅設定値のみを入力
して制御電圧を発生するような回路構成とすればよい。
また、第1図において、バイモルフ形圧電素子10への
印加電圧がスリット通過ビームに影響を及ぼす場合には
、例えばバイモルフ形圧電素子10の全外周部に導電性
塗料を塗布し、接地するようにすればよい。
上記においてはバイモルフ形圧電素子を使用した例を示
したが、第6図に示すようにスタック形圧電素子32を
用いてレバー31を介しスリット可動片6を作動させる
ようにすることもできる。
さらに電歪効果を利用する電歪素子を用いてもよく、本
発明はこれらすべてを包含する。
(発明の効果) 本発明のスリットはスリット幅を電気信号のみで制御で
きるので装置の自動化に有効である。そして、圧電素子
又は電歪素子によりスリット片を直接動かすので、その
構造は簡単である。
真空室の外部から内部へは電気信号を送るだけでよいの
で、真空シール部は電気信号授受用コネクタとすること
ができ、この点でも構造が簡単になる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)、同図(B)及び同図(C)は本発明の一
実施例を示すそれぞれ平面図、正面図及び側面図、第2
図は同実施例のスリット幅制御系を示すブロック図、第
3図ないし第5図はそれぞれ第2図における直流電圧発
生回路の例を示すブロック図、第6図は他の実施例を示
す正面図である。 2・・・・・・スリット固定片、  6・・・・・・ス
リット可動片、10・・・・・・バイモルフ形圧電素子
、32・・・・・スタック形圧電素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少くとも一方のスリット片が可動で一対のスリッ
    ト片によってスリットを形成する機構において、 前記可動のスリット片が、スリット幅に応じた電界が印
    加されることにより変位する圧電素子または電歪素子に
    よって変位するように構成されていることを特徴とする
    スリット機構。
JP59205154A 1984-09-29 1984-09-29 スリツト機構 Granted JPS6182649A (ja)

Priority Applications (1)

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JP59205154A JPS6182649A (ja) 1984-09-29 1984-09-29 スリツト機構

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JP59205154A JPS6182649A (ja) 1984-09-29 1984-09-29 スリツト機構

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Publication Number Publication Date
JPS6182649A true JPS6182649A (ja) 1986-04-26
JPH0348614B2 JPH0348614B2 (ja) 1991-07-25

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ID=16502311

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JP59205154A Granted JPS6182649A (ja) 1984-09-29 1984-09-29 スリツト機構

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Cited By (4)

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