JPS6178184A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPS6178184A JPS6178184A JP20000184A JP20000184A JPS6178184A JP S6178184 A JPS6178184 A JP S6178184A JP 20000184 A JP20000184 A JP 20000184A JP 20000184 A JP20000184 A JP 20000184A JP S6178184 A JPS6178184 A JP S6178184A
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- region
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- emitter
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本究明は、半導体発光素子に関するものであり、特にＩ
！−ｔ’ｈ体発光発光素子光端面での発光位置を可変で
きることと、遠視野における回折ｆ象を可変できる点か
ら光情・服処理分野に利用できるものである０ 従来例の構成とその問題点 半）、−）体発光素子である半導体レーザの研究開発の
方向は、動的ｒｙｉ−モード化や非点収差の改善と１１
睨”トｖ′１体レーデあるいは高出力化といったテーマ
で通信系および情報処理関連における素子特性の向上が
主である。これらの要求から、半導体レーザは、構造と
材料の面から多くの種類のものが発表さバている。
！−ｔ’ｈ体発光発光素子光端面での発光位置を可変で
きることと、遠視野における回折ｆ象を可変できる点か
ら光情・服処理分野に利用できるものである０ 従来例の構成とその問題点 半）、−）体発光素子である半導体レーザの研究開発の
方向は、動的ｒｙｉ−モード化や非点収差の改善と１１
睨”トｖ′１体レーデあるいは高出力化といったテーマ
で通信系および情報処理関連における素子特性の向上が
主である。これらの要求から、半導体レーザは、構造と
材料の面から多くの種類のものが発表さバている。
半導体レーザの発光は、活性層と呼ばれる屈折率も・よ
び利得の大きい半導体層から放射される。
び利得の大きい半導体層から放射される。
しかし、その発光位置を離散的あるいは連続に１＋Ｊ変
することは、活性層およびクラッド層の構造、更に電流
注入する利得から困難であった。従来、回折格子を用い
て発掘波長を光帰還、温度、圧力あるいは磁場などによ
って変化させることによって、光の放射角を変化させる
ことが発表されている（例えば特公昭５９−１０５９６
号）。この方法によれば、１００人の波長ソフトによっ
て１２゜の角度変化が得られるとしている。この従来例
では、発振波長を変化させねばならず、単一波長が要求
される光通信あるいは光情報処理分野には不適当であっ
几。また発光位置を可変することはできない。
することは、活性層およびクラッド層の構造、更に電流
注入する利得から困難であった。従来、回折格子を用い
て発掘波長を光帰還、温度、圧力あるいは磁場などによ
って変化させることによって、光の放射角を変化させる
ことが発表されている（例えば特公昭５９−１０５９６
号）。この方法によれば、１００人の波長ソフトによっ
て１２゜の角度変化が得られるとしている。この従来例
では、発振波長を変化させねばならず、単一波長が要求
される光通信あるいは光情報処理分野には不適当であっ
几。また発光位置を可変することはできない。
さらに、レーザ・アレイのような光のカツプリングによ
ってフェーズ・０７りが掛−）之レーザは。
ってフェーズ・０７りが掛−）之レーザは。
発光端面から離れた位置にてレーザ光が干渉して光強度
の強い１本のピーク、０次の回折像が現われる。しかし
ながら、この回折像を可変することはできなかった。
の強い１本のピーク、０次の回折像が現われる。しかし
ながら、この回折像を可変することはできなかった。
発明の目的
本発明は、従来例の欠点に鑑みて成されたものであり、
発振波長を変化させることなくレーザー尤の発光位置を
変えること、さらには５発光端面からの遠視野における
レーザ光の回折像を位置的に変えることを目的とする。
発振波長を変化させることなくレーザー尤の発光位置を
変えること、さらには５発光端面からの遠視野における
レーザ光の回折像を位置的に変えることを目的とする。
発明の構成
本発明は、エミッタ領域、ベース領域、コレクタ領域を
備えすくなくとも１つ以上のヘテロ接合を有するトラン
ジスタのベース領域へのベース電流を独立した複数個の
ベース電極から供給し、ベース領域あるいはベース領域
を囲む領域に光の共振装置を具備し、ベース領域の屈折
率を選択的に変えるようにエミッタ領域もしくはコレク
タ領域に凸部あるいは凹部を形成し、トランジスタの発
光位置および遠視野における回折像の位置を変化させる
ことを可能とするものである。
備えすくなくとも１つ以上のヘテロ接合を有するトラン
ジスタのベース領域へのベース電流を独立した複数個の
ベース電極から供給し、ベース領域あるいはベース領域
を囲む領域に光の共振装置を具備し、ベース領域の屈折
率を選択的に変えるようにエミッタ領域もしくはコレク
タ領域に凸部あるいは凹部を形成し、トランジスタの発
光位置および遠視野における回折像の位置を変化させる
ことを可能とするものである。
実施例の説明
第１図に、ペテロ接合バイポーラ・トランジスタのエネ
ルギー・バンド構造図を示す。第１図（−）は熱平衡状
態、同図中）は飽和状態、同図（Ｃ）は能動状態をそれ
ぞれ示す。第１図（ｂ）に示す飽和状態において、ベー
ス領域にはエミッタとコレクタより電子が注入され同時
にベース電流キャリアとして正孔がとじ込められる。バ
ンド・ギャップ・エネルギーの低い所にとじ込められた
電子と正孔は、再結合によって発光を生じベースあるい
はその周囲に設けられた光の共振装置によってレーザー
発振を生起させる。一方、第１図（Ｃ）に示す能動状態
に遷移すると、ベース・コレクタ接合は逆ノくイアスミ
圧が加わり空乏層が広がっている。したがって、エミッ
タより注入された電子は、正孔と再結合することなく急
速にコレクタに吸い込まれる。
ルギー・バンド構造図を示す。第１図（−）は熱平衡状
態、同図中）は飽和状態、同図（Ｃ）は能動状態をそれ
ぞれ示す。第１図（ｂ）に示す飽和状態において、ベー
ス領域にはエミッタとコレクタより電子が注入され同時
にベース電流キャリアとして正孔がとじ込められる。バ
ンド・ギャップ・エネルギーの低い所にとじ込められた
電子と正孔は、再結合によって発光を生じベースあるい
はその周囲に設けられた光の共振装置によってレーザー
発振を生起させる。一方、第１図（Ｃ）に示す能動状態
に遷移すると、ベース・コレクタ接合は逆ノくイアスミ
圧が加わり空乏層が広がっている。したがって、エミッ
タより注入された電子は、正孔と再結合することなく急
速にコレクタに吸い込まれる。
すなわち、能動状態は発光現象を伴なわず、いわゆるト
ランジスタ動作を行なうＯ 本発明は、ベース領域へのベース電流いわゆる正孔の供
給を制御することにより目的を達成する。
ランジスタ動作を行なうＯ 本発明は、ベース領域へのベース電流いわゆる正孔の供
給を制御することにより目的を達成する。
第２図は１本発明〔て係る第１の実施例を示すものであ
る。７ＩＣ２図に於て、２０１はｎ型のＩｎＰ基板、２
ｏ２はｎ型のＩｎＰエビタキ／ヤル層で２０１と２０２
とでコレクタ層を形成する。更に同図に於て２０３はｐ
型のＩｎＧａＡｓＰ層でベース層（活性層）を示し、２
０４はｎ型のＩｎＰＩｉｉでエミツタ層を示す。同図に
於て２０５及び２０６は、ベース層２０３に対して独立
に存在するグラフト・ベース層を示し、２０７．２０８
．２０９および２１０はコレクタ電極、エミッタ電極、
ベース電極１．ベース電極２をそれぞれ示す。同図に於
て２１１は絶縁膜を示している。さらに２１２゜２１３
．２１４，２１５端面は襞間によるファブリ・ベロー共
振器を構成している。２１６は、エミツタ層２０４内に
形成した凹部を示し、５１０２あるいは樹脂等のエミツ
タ層２０４の材料よりも１１１；折率の低い材料で充填
され、２１２および２１３に示す点線の内部分の屈折率
を選択的に高くしてている、、なｔ、＝２１６は空気で
あっても良い。
る。７ＩＣ２図に於て、２０１はｎ型のＩｎＰ基板、２
ｏ２はｎ型のＩｎＰエビタキ／ヤル層で２０１と２０２
とでコレクタ層を形成する。更に同図に於て２０３はｐ
型のＩｎＧａＡｓＰ層でベース層（活性層）を示し、２
０４はｎ型のＩｎＰＩｉｉでエミツタ層を示す。同図に
於て２０５及び２０６は、ベース層２０３に対して独立
に存在するグラフト・ベース層を示し、２０７．２０８
．２０９および２１０はコレクタ電極、エミッタ電極、
ベース電極１．ベース電極２をそれぞれ示す。同図に於
て２１１は絶縁膜を示している。さらに２１２゜２１３
．２１４，２１５端面は襞間によるファブリ・ベロー共
振器を構成している。２１６は、エミツタ層２０４内に
形成した凹部を示し、５１０２あるいは樹脂等のエミツ
タ層２０４の材料よりも１１１；折率の低い材料で充填
され、２１２および２１３に示す点線の内部分の屈折率
を選択的に高くしてている、、なｔ、＝２１６は空気で
あっても良い。
さて、第２図に於て、ベース電啄からクラフトｅベース
層２０５．２０６を経てベース層（活性層）２０３に供
給される正孔は、エミツタ層およびコレクタ層からベー
ス層２０３に注入される電子と再結合し、第１図（ａ）
に示すバンド・ギヤノブ・エネルギーＥｇ２に比例した
波長の光ｈμを発する。光はベース層２０３が上下左右
を屈折率の低いＩｎＰで囲まれているのでベース層（活
性層）２０３内にとじ込められ、ファブリ・ベロー共ｍ
器２１２，２１３によって共振させられるのでレーザー
光として端面より放射される。
層２０５．２０６を経てベース層（活性層）２０３に供
給される正孔は、エミツタ層およびコレクタ層からベー
ス層２０３に注入される電子と再結合し、第１図（ａ）
に示すバンド・ギヤノブ・エネルギーＥｇ２に比例した
波長の光ｈμを発する。光はベース層２０３が上下左右
を屈折率の低いＩｎＰで囲まれているのでベース層（活
性層）２０３内にとじ込められ、ファブリ・ベロー共ｍ
器２１２，２１３によって共振させられるのでレーザー
光として端面より放射される。
ベース層２０３内における屈折率は、２１２および２１
３で示す内部分が高い。さらに、エミツタ層２０４から
ベース層２０３への電子の注入は、前記エミツタ層に選
択的に形成した凹部２１６によって、ベース層の特定領
域２１２および２１３に行なわれる。ベース層２０３へ
の正孔の供給は、独立に構成されているグラフト・ベー
ス層２０５および２０８から、特定領域２１２および２
１３に行なわれる。以Ｈの結果、電子とＩＦ、孔との再
結合はベース層の特定領域２１２および２１３で行なわ
れ、しかもこの領域がもっとも屈折率が高いので再結合
によって生じたレーザ光は領域２１２と２１３内にとじ
込められる。
３で示す内部分が高い。さらに、エミツタ層２０４から
ベース層２０３への電子の注入は、前記エミツタ層に選
択的に形成した凹部２１６によって、ベース層の特定領
域２１２および２１３に行なわれる。ベース層２０３へ
の正孔の供給は、独立に構成されているグラフト・ベー
ス層２０５および２０８から、特定領域２１２および２
１３に行なわれる。以Ｈの結果、電子とＩＦ、孔との再
結合はベース層の特定領域２１２および２１３で行なわ
れ、しかもこの領域がもっとも屈折率が高いので再結合
によって生じたレーザ光は領域２１２と２１３内にとじ
込められる。
第３図は１本発明に係る半導体発光素子へのバ２１０を
介してエミッタ電極２０８に対してバイアス電圧ＶＢ、
（３１８） （！： ＶＢ２ （３１９） カ、コレク
タ層２０１には負荷抵抗ＲＬ（３２１）を介してバイア
ス電圧ＶＣ（３１７）が印加される。バイアス電圧ｖＢ
１とＶＢ２とが等しければ、ベース電流ＩＢ１とＩＢ２
が等しくなるので、ベース層２０３とグラフト・ベース
層２０６，２０６との接触部近傍において等しい強さの
レーザー光３２２゜３２３を得る。
介してエミッタ電極２０８に対してバイアス電圧ＶＢ、
（３１８） （！： ＶＢ２ （３１９） カ、コレク
タ層２０１には負荷抵抗ＲＬ（３２１）を介してバイア
ス電圧ＶＣ（３１７）が印加される。バイアス電圧ｖＢ
１とＶＢ２とが等しければ、ベース電流ＩＢ１とＩＢ２
が等しくなるので、ベース層２０３とグラフト・ベース
層２０６，２０６との接触部近傍において等しい強さの
レーザー光３２２゜３２３を得る。
この状態で、ベース層ｆｆ１１（２０９）に・（イアス
ミ圧ＶＢ１（３１８） と信号電圧ａｔ（３２０）を
加える。信号電圧ａｉ（３２０） が、エミッタに対
して正に大きくなった場合、ベース電流’Ｂ１ はよ
り２ よりも大きくなる。その結果、グラフト・ベー
ス２０５側のベース層の利得が増大して発光ｕ 宜Ｐ、
からのレーザー光３２２は、発光位置Ｐ２からのレーザ
ー光３２３よりも強くなる。逆に、信号電圧ｅ、（３２
０）がエミッタに対して負に太き〈なった場合、ベース
電流ＩＢ１はＩＢ２よりも小さくなる。その結果、グラ
フト・ベース２０Ｓ側Ｄベース層の利得が減少してレー
ザー光３２２は、レーザー光３２３よりも弱くなる。バ
イアス電圧ＶＢ 、 （ｓ １ｓ ）、ＶＢ２（３１９
）をレーザー発娠しきい値近傍に設定しておけば、信号
電圧ｅ 、 （３２０）の大小によってレーザー光位置
３２２と３２３との間で掘らすことができる。
ミ圧ＶＢ１（３１８） と信号電圧ａｔ（３２０）を
加える。信号電圧ａｉ（３２０） が、エミッタに対
して正に大きくなった場合、ベース電流’Ｂ１ はよ
り２ よりも大きくなる。その結果、グラフト・ベー
ス２０５側のベース層の利得が増大して発光ｕ 宜Ｐ、
からのレーザー光３２２は、発光位置Ｐ２からのレーザ
ー光３２３よりも強くなる。逆に、信号電圧ｅ、（３２
０）がエミッタに対して負に太き〈なった場合、ベース
電流ＩＢ１はＩＢ２よりも小さくなる。その結果、グラ
フト・ベース２０Ｓ側Ｄベース層の利得が減少してレー
ザー光３２２は、レーザー光３２３よりも弱くなる。バ
イアス電圧ＶＢ 、 （ｓ １ｓ ）、ＶＢ２（３１９
）をレーザー発娠しきい値近傍に設定しておけば、信号
電圧ｅ 、 （３２０）の大小によってレーザー光位置
３２２と３２３との間で掘らすことができる。
さらにレーザー光３２２と３２３は、導波路層すなわち
ベース層２０３を介してカップリングされているのでフ
ェーズ・ロックされた状態にあんＯｔって、２つのレー
ザー光３２２と３２３は、波長およＯ位置が等しいから
発光端面からの遠視野３２４ンこち・いて干渉３２５を
生じる。その結果、光強度の強い０次の回折像を得る。
ベース層２０３を介してカップリングされているのでフ
ェーズ・ロックされた状態にあんＯｔって、２つのレー
ザー光３２２と３２３は、波長およＯ位置が等しいから
発光端面からの遠視野３２４ンこち・いて干渉３２５を
生じる。その結果、光強度の強い０次の回折像を得る。
この回折像は、レーザ光３２２と３２３との強度変化に
応じて位置を連続的にあるいは離散的に可変することが
できる。フェーズ・ロックされた２つのレーザ光３２２
と３２３との強度が等しい場合、回折ｒ象は２つのレー
ザ発光位置から等距離の位置にできる。
応じて位置を連続的にあるいは離散的に可変することが
できる。フェーズ・ロックされた２つのレーザ光３２２
と３２３との強度が等しい場合、回折ｒ象は２つのレー
ザ発光位置から等距離の位置にできる。
しかし、２つのレーザ光の強度をベース電圧３１８と３
１９あるいは信号電圧３２０によって交互に可変すると
、回折像は光強度に応じて、２つのレーザ発光位置に対
して平行（左右）に振る（可変）ことができる。
１９あるいは信号電圧３２０によって交互に可変すると
、回折像は光強度に応じて、２つのレーザ発光位置に対
して平行（左右）に振る（可変）ことができる。
また、ベース層ＫＩｌｌｈと！Ｂ２とを等しくしてその
総和量の大きさを可変することによって、２つのレーザ
ー光の各々の発光量を等しくしたままで可変することが
できる。
総和量の大きさを可変することによって、２つのレーザ
ー光の各々の発光量を等しくしたままで可変することが
できる。
第４図は、本発明に係る第２の実施例を示す。
基本的な構造は、第２図に示す実施例と同じであるが、
ベース層２０３に選択的に高い屈折率の領域を形成する
ためコレクタ層２０２に２つの凹部を作り、その上にコ
レクタ層２０２よりも屈折率の高い半導体層例えばｎ型
のＩｎＧａＡｓＰ層４２θを形成する。Ｉ ｎＧ ａＡ
ｓ Ｐ層４２６は光導波路として作用する。ベース層
（活性層）２０３と先導波路層４２６とを分離するため
に薄いｎ型ＩｎＰ層４２７をはさむ。このような構造に
すると、光導波路Ｎ４２ｅの厚い領域において、ベース
領域２０３内の屈折率を選択的に高くすることができる
。したがって、レーザ光３２２と３２３はフェーズ・ロ
ックされることになる。そして、２つのベース電極２０
９と２１ ｏＫ印加される電圧制御によって、発光仕置
を可変できると共に発光端面からの遠視野において回折
像の位置を可変することができる。
ベース層２０３に選択的に高い屈折率の領域を形成する
ためコレクタ層２０２に２つの凹部を作り、その上にコ
レクタ層２０２よりも屈折率の高い半導体層例えばｎ型
のＩｎＧａＡｓＰ層４２θを形成する。Ｉ ｎＧ ａＡ
ｓ Ｐ層４２６は光導波路として作用する。ベース層
（活性層）２０３と先導波路層４２６とを分離するため
に薄いｎ型ＩｎＰ層４２７をはさむ。このような構造に
すると、光導波路Ｎ４２ｅの厚い領域において、ベース
領域２０３内の屈折率を選択的に高くすることができる
。したがって、レーザ光３２２と３２３はフェーズ・ロ
ックされることになる。そして、２つのベース電極２０
９と２１ ｏＫ印加される電圧制御によって、発光仕置
を可変できると共に発光端面からの遠視野において回折
像の位置を可変することができる。
以上のように、ｐ型化合物半導体例えばＩｎＧａＡｓＰ
あるいはＧ ａ Ａ ｓより成るベース層（活性層）を
それよりもバンド・ギャップ・エネルギーの大きな化合
物半導体例えばＩｎＰあるいはＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ
より成るエミツタ層とコレクタ層で囲み、ベース層
に対して独立に設けたグラフト・ベース層よりそれぞれ
電流供給できるように構成したヘテロ接合バイポーラ・
トランジスタが飽和動作状態に於て、尤の共振装置によ
ってベース層内でレーザー発光するように構成すること
により容易に、発光位置を変化させることができる。さ
らに、ベース層内に選択的に複数の高い屈折率の領域を
形成することによって、フェーズ・力・ノズルしたレー
ザ光を得ることができる。これによって発光端面からの
遠視野において回折像が得られると共に、この回折１Ｂ
の位置をベース電極に印加する電圧例よって変化させる
ことができる。以上のような制御を行うため、ベース層
内の高い屈折率の領域数と、そこにとじ込められる光の
強度制御のためのベース電極数とが等しいことが好まし
い。
あるいはＧ ａ Ａ ｓより成るベース層（活性層）を
それよりもバンド・ギャップ・エネルギーの大きな化合
物半導体例えばＩｎＰあるいはＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ
より成るエミツタ層とコレクタ層で囲み、ベース層
に対して独立に設けたグラフト・ベース層よりそれぞれ
電流供給できるように構成したヘテロ接合バイポーラ・
トランジスタが飽和動作状態に於て、尤の共振装置によ
ってベース層内でレーザー発光するように構成すること
により容易に、発光位置を変化させることができる。さ
らに、ベース層内に選択的に複数の高い屈折率の領域を
形成することによって、フェーズ・力・ノズルしたレー
ザ光を得ることができる。これによって発光端面からの
遠視野において回折像が得られると共に、この回折１Ｂ
の位置をベース電極に印加する電圧例よって変化させる
ことができる。以上のような制御を行うため、ベース層
内の高い屈折率の領域数と、そこにとじ込められる光の
強度制御のためのベース電極数とが等しいことが好まし
い。
発明の効果
本発明は、ベース層（活性層）に対して独立に設けたグ
ラフト・ベース層あるいは、ベース電極によってベース
’Ｃｔｌを制御することでレーザー発光位置を変位させ
ることができる。さらに、発光端面からの遠視野におけ
る回折像も可変することができる。このことは、レーザ
ー光の偏向できる効果をもつものであって、今後のオプ
トエレクトロニクス技術、特に情報処理関連における光
論理子への応用、あるいは光学ピック・アンプへの応用
などが考えられ、価値あるものである。なお、本発明の
実施例では、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰ系を用いていたが
ＡｌＧａＡｓとＧ ａ Ａ ｓ あるいはＡＪＩｎＰと
ＡｅＩｎＧａＰなどにおいても同様の素子構造と特性を
得ることができる。また、ｎｐｎ型トランジスタを実施
例に出したがｐｎｐ型トランジスタであっても同様の効
果が得られる。
ラフト・ベース層あるいは、ベース電極によってベース
’Ｃｔｌを制御することでレーザー発光位置を変位させ
ることができる。さらに、発光端面からの遠視野におけ
る回折像も可変することができる。このことは、レーザ
ー光の偏向できる効果をもつものであって、今後のオプ
トエレクトロニクス技術、特に情報処理関連における光
論理子への応用、あるいは光学ピック・アンプへの応用
などが考えられ、価値あるものである。なお、本発明の
実施例では、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰ系を用いていたが
ＡｌＧａＡｓとＧ ａ Ａ ｓ あるいはＡＪＩｎＰと
ＡｅＩｎＧａＰなどにおいても同様の素子構造と特性を
得ることができる。また、ｎｐｎ型トランジスタを実施
例に出したがｐｎｐ型トランジスタであっても同様の効
果が得られる。
第１図体）〜（ｃ）は本発明に係る半導体発光素子のバ
ンド・ギャップ・エネルギー構造図、第２図は本発明に
係る半導体発光素子の第１実施例の断面図、第３図は本
発明に係る半導体発光素子のバイアス状態図、第４図は
本発明に係る半導体発光素子の第２の実施例の断面図で
ある。 ２０１ （２０２）・・−・−コＬ／クタ層、２ｏ３゜
２０３′・・・・・ベース％（活性層）、２０４・・・
・・・エミツタ層、２０５．２０６・・・・・・グラフ
ト・ベース層、２０７・・・・・・コレクタ電極、２０
８・・・・・・エミ、ンタ電極、２０９・・・・・・ベ
ース電極１，２１０・・・・・・ベース電極２．２１１
・・・・・・絶縁膜、２１２，２１３゜２１４．２１５
・・・・・・光共振装置用端面、２１６・・・・・・低
屈折率層、３１７・・・・・・コレクタ電圧、３１８・
・・・・・ベース？Ｉｌｉ、圧１．３１９・・・・・ベ
ース電圧２．３２０・・・・・・信号電圧、３２１・・
・・・・負荷抵抗、３２２゜３２３・・・・・・レーザ
ー光、３２４・・・・・・遠視野面、３２５・・・・・
・回折像、４２θ・・・・・・光導波路層、４２γ・・
・・・・分離層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第２図
ンド・ギャップ・エネルギー構造図、第２図は本発明に
係る半導体発光素子の第１実施例の断面図、第３図は本
発明に係る半導体発光素子のバイアス状態図、第４図は
本発明に係る半導体発光素子の第２の実施例の断面図で
ある。 ２０１ （２０２）・・−・−コＬ／クタ層、２ｏ３゜
２０３′・・・・・ベース％（活性層）、２０４・・・
・・・エミツタ層、２０５．２０６・・・・・・グラフ
ト・ベース層、２０７・・・・・・コレクタ電極、２０
８・・・・・・エミ、ンタ電極、２０９・・・・・・ベ
ース電極１，２１０・・・・・・ベース電極２．２１１
・・・・・・絶縁膜、２１２，２１３゜２１４．２１５
・・・・・・光共振装置用端面、２１６・・・・・・低
屈折率層、３１７・・・・・・コレクタ電圧、３１８・
・・・・・ベース？Ｉｌｉ、圧１．３１９・・・・・ベ
ース電圧２．３２０・・・・・・信号電圧、３２１・・
・・・・負荷抵抗、３２２゜３２３・・・・・・レーザ
ー光、３２４・・・・・・遠視野面、３２５・・・・・
・回折像、４２θ・・・・・・光導波路層、４２γ・・
・・・・分離層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第２図
Claims (4)
- （１）エミッタ領域とベース領域とコレクタ領域を備え
、すくなくとも１つ以上のヘテロ接合を有するトランジ
スタの前記ベース領域へのベース電流を独立した複数個
のベース電極から供給し、前記ベース領域あるいは前記
ベース領域を囲む領域に光の共振装置を具備して成り、
前記エミッタ領域もしくはコレクタ領域に前記ベース領
域内の光に対して屈折率変化を与える凸部あるいは凹部
を形成したことを特徴とする半導体発光素子。 - （２）１つ以上のベース電極から供給する各々のベース
電流の大きさを制御することによって、発光端面におけ
る発光位置を可変できることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の半導体発光素子。 - （３）１つ以上のベース電極から供給する各々のベース
電流の大きさを制御することによって、発光端面からの
遠視野の回折像が可変できることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の半導体発光素子。 - （４）エミッタ領域もしくはコレクタ領域に形成した凸
部あるいは凹部によって、ベース領域内に屈折率の高い
部分を選択的に形成し、前記屈折率の高い部分の数とベ
ース電流を独立に供給するベース電極の数とが等しいこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20000184A JPS6178184A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20000184A JPS6178184A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6178184A true JPS6178184A (ja) | 1986-04-21 |
| JPH0213468B2 JPH0213468B2 (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=16417141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20000184A Granted JPS6178184A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6178184A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4987576A (en) * | 1988-11-30 | 1991-01-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Electrically tunable semiconductor laser with ridge waveguide |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP20000184A patent/JPS6178184A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4987576A (en) * | 1988-11-30 | 1991-01-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Electrically tunable semiconductor laser with ridge waveguide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213468B2 (ja) | 1990-04-04 |
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