JPS6159793A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPS6159793A JPS6159793A JP18130684A JP18130684A JPS6159793A JP S6159793 A JPS6159793 A JP S6159793A JP 18130684 A JP18130684 A JP 18130684A JP 18130684 A JP18130684 A JP 18130684A JP S6159793 A JPS6159793 A JP S6159793A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- light emitting
- layer
- region
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体発光素子に関するものでちり、特に発光
位置を制御できる点から元情報処理分野に利用できるも
のである。
位置を制御できる点から元情報処理分野に利用できるも
のである。
従来例の構成とその問題点
半導体発光素子である半導体レーザの研究開発の方向は
、動的単一モード化や非点収差の改善と可視半導体レー
ザあるいは高出力化といったテーマで通信系および情報
処理関連における素子特性の向上が主である。これらの
要求から、半導体レーザは、構造と材料の面から多くの
種類のものが発表されている。
、動的単一モード化や非点収差の改善と可視半導体レー
ザあるいは高出力化といったテーマで通信系および情報
処理関連における素子特性の向上が主である。これらの
要求から、半導体レーザは、構造と材料の面から多くの
種類のものが発表されている。
半導体レーザの発光は、活性層と呼ばれる屈折率および
利得の大きい半導体層から放射される。
利得の大きい半導体層から放射される。
しかし、その発光位置を離散的あるいは連続に可変する
ことは、活性層およびクラッド層の構造、更に電流注入
する利得から困難であった。従来、発光の放射角を可変
することについては、回折格子を用いて発振波長を光帰
還、温度、圧力あるいは磁場などによって変化させるこ
とによって、元狐ヰ１ の を変化させることが発表されている（例えば
特公昭５９−１０５９６号）。この方法によれば、１０
０人の波長シフトによって２°の角度変化が得られると
している。この従来例では、発振波長を変化させねばな
らず、単一波長が要求される光通信あるいは光情報処理
分野には不適当であった。また発光位置を可変すること
はできない０ 発明の目的 本発明は、従来例の欠点に鑑みて成されたものであり、
発振波長を変化させることなくレーザー光の発光位置を
変えることを目的とする。
ことは、活性層およびクラッド層の構造、更に電流注入
する利得から困難であった。従来、発光の放射角を可変
することについては、回折格子を用いて発振波長を光帰
還、温度、圧力あるいは磁場などによって変化させるこ
とによって、元狐ヰ１ の を変化させることが発表されている（例えば
特公昭５９−１０５９６号）。この方法によれば、１０
０人の波長シフトによって２°の角度変化が得られると
している。この従来例では、発振波長を変化させねばな
らず、単一波長が要求される光通信あるいは光情報処理
分野には不適当であった。また発光位置を可変すること
はできない０ 発明の目的 本発明は、従来例の欠点に鑑みて成されたものであり、
発振波長を変化させることなくレーザー光の発光位置を
変えることを目的とする。
発明の構成
本発明は、エミッタ領域、ベース領域、コレクタ領域を
備えすくなくとも１つ以上のヘテロ接合を有するトラン
ジスタのベース領域へのベース電流を独立した複数個の
ベース電極から供給し、ベース領域あるいはベース領域
を囲む領域に光の共振装置を具備することにより、トラ
ンジスタの発光位置を変化させることを可能とするもの
である。
備えすくなくとも１つ以上のヘテロ接合を有するトラン
ジスタのベース領域へのベース電流を独立した複数個の
ベース電極から供給し、ベース領域あるいはベース領域
を囲む領域に光の共振装置を具備することにより、トラ
ンジスタの発光位置を変化させることを可能とするもの
である。
実施例の説明
第１図に、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのエネ
ルギー・バンド構造図を示す。第１図（ａ）は、熱平衡
状態、同図（ｂ）は飽和状態、同図（Ｃ）は能動状態を
それぞれ示す。第１図（ｂ）に示す飽和状態において、
ベース領域にはエミッタとコレクタより電子が注入され
同時にベース電流キャリアとして正孔がとじ込められる
。バンド・ギャップ・エネルギーの低い所にとじ込めら
れた電子と正孔は、再結合によづて発光を生じベースあ
るいはその周囲に設けられた光の共振装置によってレー
ザー発振を生起させる。一方、第１図（Ｃ）に示す能動
状態に遷移すると、ベース・コレクタ接合は逆バイアス
電圧が加わり空乏層が広がっている。したがって、エミ
ッタより注入された電子は、正孔と再結合することなく
急速にコレクタに吸い込まれる。
ルギー・バンド構造図を示す。第１図（ａ）は、熱平衡
状態、同図（ｂ）は飽和状態、同図（Ｃ）は能動状態を
それぞれ示す。第１図（ｂ）に示す飽和状態において、
ベース領域にはエミッタとコレクタより電子が注入され
同時にベース電流キャリアとして正孔がとじ込められる
。バンド・ギャップ・エネルギーの低い所にとじ込めら
れた電子と正孔は、再結合によづて発光を生じベースあ
るいはその周囲に設けられた光の共振装置によってレー
ザー発振を生起させる。一方、第１図（Ｃ）に示す能動
状態に遷移すると、ベース・コレクタ接合は逆バイアス
電圧が加わり空乏層が広がっている。したがって、エミ
ッタより注入された電子は、正孔と再結合することなく
急速にコレクタに吸い込まれる。
すなわち、能動状態は発光現象を伴なわず、いわゆるト
ランジスタ動作を行なう。
ランジスタ動作を行なう。
本発明は、ベース領域へのベース電流いわゆる正孔の供
給を制御するところに目的がある。
給を制御するところに目的がある。
第２図は、本発明に係る第１の実施例を示すものである
。第２図に於て、２０１はｎ型のＩｎＰ基板２０２はｎ
型のＩｎＰ エピタキシャル層で２０１と２０２とで
コレクタ層を形成する。更に同図に於て２０３はｐ型の
ＩｎＧａＡｓＰ磨でベース層（活性層）を示し、２０４
はｎ型のＩｎＰ層でエミツタ層を示す。同図に於て２０
５及び２０６は、ベース層２０３に対して独立に存在す
るグラフト・ベース層を示し、２０７．２０８．２０９
および２１０は、コレクタ電極、エミッタ電極。
。第２図に於て、２０１はｎ型のＩｎＰ基板２０２はｎ
型のＩｎＰ エピタキシャル層で２０１と２０２とで
コレクタ層を形成する。更に同図に於て２０３はｐ型の
ＩｎＧａＡｓＰ磨でベース層（活性層）を示し、２０４
はｎ型のＩｎＰ層でエミツタ層を示す。同図に於て２０
５及び２０６は、ベース層２０３に対して独立に存在す
るグラフト・ベース層を示し、２０７．２０８．２０９
および２１０は、コレクタ電極、エミッタ電極。
ベース電極１．ベース電極２をそれぞれ示す。同図に於
て２１１は絶縁膜を示している。さらに、２１２および
２１３間はファプリ・ペロー共振器が構成されている。
て２１１は絶縁膜を示している。さらに、２１２および
２１３間はファプリ・ペロー共振器が構成されている。
さて、第２図に於て、ベース電極からグラフト・ベース
層２０５．２０６を経てベース層（活性層）２０３に供
給される正孔は、エミツタ層およびコレクタ層からベー
ス層２０３に注入される電子と再結合し、第１図（、）
に示すバンド・ギャップ・エネルギーＥ９２ に比例し
た波長の光ｈμを発する。光はベース層２０３が上下左
右を屈折率の低いＩｎＰ で囲まれているのでベース
層（活性層）２０３内にとじ込められ、ファプリ・ペロ
ー共振器２１２，２１３によって共振させられるのでレ
ーザー光として端面より放射される。
層２０５．２０６を経てベース層（活性層）２０３に供
給される正孔は、エミツタ層およびコレクタ層からベー
ス層２０３に注入される電子と再結合し、第１図（、）
に示すバンド・ギャップ・エネルギーＥ９２ に比例し
た波長の光ｈμを発する。光はベース層２０３が上下左
右を屈折率の低いＩｎＰ で囲まれているのでベース
層（活性層）２０３内にとじ込められ、ファプリ・ペロ
ー共振器２１２，２１３によって共振させられるのでレ
ーザー光として端面より放射される。
第３図は、本発明に係る半導体発光素子へのバイアス電
圧の印加例を示す。独立に設けたグラフト・ベース層２
０６．２０６ｉ／Ｃは、電極２０９゜２１０を介してエ
ミッタ電極２０８に対してバイアス電圧ＶＢ１（３１６
）と■Ｂ２（３１７）が、コレクタ層２０１には負荷抵
抗ＲＬ（３１５）を介してバイアス電圧ＶＣ（３１４）
が印加される。バイアス電圧ｖＢ１とｖＢ２とが等しけ
れば、ベース電流より１と■Ｂ２が等しくなるので、ベ
ース層２０３とグラフト・ベース層２０５．２０６との
接触部近傍において等しい強さのレーザー発光３１９，
３２０を得る。
圧の印加例を示す。独立に設けたグラフト・ベース層２
０６．２０６ｉ／Ｃは、電極２０９゜２１０を介してエ
ミッタ電極２０８に対してバイアス電圧ＶＢ１（３１６
）と■Ｂ２（３１７）が、コレクタ層２０１には負荷抵
抗ＲＬ（３１５）を介してバイアス電圧ＶＣ（３１４）
が印加される。バイアス電圧ｖＢ１とｖＢ２とが等しけ
れば、ベース電流より１と■Ｂ２が等しくなるので、ベ
ース層２０３とグラフト・ベース層２０５．２０６との
接触部近傍において等しい強さのレーザー発光３１９，
３２０を得る。
この状態で、ベース電極１（２０９）にバイアス電圧Ｖ
Ｂ１（３１ｅ ）と信号電圧ｅｉ（３１８）を加える。
Ｂ１（３１ｅ ）と信号電圧ｅｉ（３１８）を加える。
信号電圧ｅｔ（３１８）が、エミッタに対して正に大き
くなった場合、ベース電流より１ は”Ｂ２ よりも
大きくなる。その結果、グラフト・ベース２０６側のベ
ース層の利得が増大してレーザー発光３１９は、レーザ
ー発光３２０よりも強くなる。逆に、信号電圧ａｉ（３
１８）がエミッタに対して負に太きくなっだ場合、ベー
ス電流■Ｂ１ は’Ｂ２ よりも小さくなる。その結
果、グラフト・ベース２０５側のベース層の利得が減少
してレーザー発光３１９は、レーザー発光３２０よりも
弱くなる。バイアス電圧ｖＢ１（３１６）、ｖＢ２（３
１７）をレーサー発振しきい値近傍に設定しておけば、
信号電圧ｅｉ（３１Ｂ）の大小によってレーザー発光位
置を３１９と３２０との間で振らすことができる。
くなった場合、ベース電流より１ は”Ｂ２ よりも
大きくなる。その結果、グラフト・ベース２０６側のベ
ース層の利得が増大してレーザー発光３１９は、レーザ
ー発光３２０よりも強くなる。逆に、信号電圧ａｉ（３
１８）がエミッタに対して負に太きくなっだ場合、ベー
ス電流■Ｂ１ は’Ｂ２ よりも小さくなる。その結
果、グラフト・ベース２０５側のベース層の利得が減少
してレーザー発光３１９は、レーザー発光３２０よりも
弱くなる。バイアス電圧ｖＢ１（３１６）、ｖＢ２（３
１７）をレーサー発振しきい値近傍に設定しておけば、
信号電圧ｅｉ（３１Ｂ）の大小によってレーザー発光位
置を３１９と３２０との間で振らすことができる。
また、ベース電流ＩＢ１と”Ｂ２とを等しくしてその総
和量の大きさを可変することによって、レーザー発光位
置３１９と３２０の各々の発光量を等しくしたままで可
変することができる。
和量の大きさを可変することによって、レーザー発光位
置３１９と３２０の各々の発光量を等しくしたままで可
変することができる。
第４図は、本発明に係る第２の実施例を示す。
基本的な構造は第２図に示す実施例と同じであるが、レ
ーザー発光位置３１９および３２０を信号電圧ａ、（３
１８）によって明確に変位させるために、ベース層２０
３に注入される電子を正孔と再結合しやすいように電流
狭窄層４２１もしくは電流阻止層４２１を形成している
。本実施例では、電流阻止層４２１を使用して、ベース
層に注入される電子をグラフト・ベース層２０５および
２０６側にスプリットさせるようにしている。電流阻止
層４２１は、高抵抗層などを用いれば良く、エミツタ層
２０４あるいはコレクタ層２０１内にエピタキシャル成
長法などによって形成することができる。このような電
流阻止層あるいは電流狭窄層４２１を設けることによっ
て、レーザー発光位置３１９および３２０を一層明確に
変位させることが可能となる。
ーザー発光位置３１９および３２０を信号電圧ａ、（３
１８）によって明確に変位させるために、ベース層２０
３に注入される電子を正孔と再結合しやすいように電流
狭窄層４２１もしくは電流阻止層４２１を形成している
。本実施例では、電流阻止層４２１を使用して、ベース
層に注入される電子をグラフト・ベース層２０５および
２０６側にスプリットさせるようにしている。電流阻止
層４２１は、高抵抗層などを用いれば良く、エミツタ層
２０４あるいはコレクタ層２０１内にエピタキシャル成
長法などによって形成することができる。このような電
流阻止層あるいは電流狭窄層４２１を設けることによっ
て、レーザー発光位置３１９および３２０を一層明確に
変位させることが可能となる。
第６図は、本発明に係る第３の実施例を示すものであり
、いわゆる面発光型レーザーに適用した場合を示す。第
６図に於て、２０１はコレクタ、２０４はエミッタ、２
０．３はベース、２０７はコレクタ電極、２０８はエミ
ッタ電極、２０９および２１０は各々ベース電極１およ
びベース電極２．３１９と３２０はレーザー発光、６２
２および６２３は多層膜（例えば、ＩｎＰとＩｎＧａＡ
ｓＰあるいはＡ７ＧａＡｓとＧ ａ Ａ ｓによる多層
膜）を示し、共振器を形成している。エミッタ電極２０
８とコレクタ電極２０７が対向している線上の近傍のベ
ース電極２０９および２１０より供給されるベース電流
によって、発光を生じ共振器５２２および６２３によっ
てレーザー発光となり、レーザー発光３１９と３２０を
生じる。共通エミッタとして定電流源を接続した回路に
於ては、ベース電極２０９および２１０に印加する電圧
の大小に応じて発光３１９および３２０を変化させ、発
光位置を明確に可変することができる。
、いわゆる面発光型レーザーに適用した場合を示す。第
６図に於て、２０１はコレクタ、２０４はエミッタ、２
０．３はベース、２０７はコレクタ電極、２０８はエミ
ッタ電極、２０９および２１０は各々ベース電極１およ
びベース電極２．３１９と３２０はレーザー発光、６２
２および６２３は多層膜（例えば、ＩｎＰとＩｎＧａＡ
ｓＰあるいはＡ７ＧａＡｓとＧ ａ Ａ ｓによる多層
膜）を示し、共振器を形成している。エミッタ電極２０
８とコレクタ電極２０７が対向している線上の近傍のベ
ース電極２０９および２１０より供給されるベース電流
によって、発光を生じ共振器５２２および６２３によっ
てレーザー発光となり、レーザー発光３１９と３２０を
生じる。共通エミッタとして定電流源を接続した回路に
於ては、ベース電極２０９および２１０に印加する電圧
の大小に応じて発光３１９および３２０を変化させ、発
光位置を明確に可変することができる。
第６図は、本発明に係る第４の実施例を示す。
基本的な構造は第２図に示す実施例と同じであるが、レ
ーザー発光位置３１９および３２０を信号電圧ａｔ（３
１８）によって明確に変位させるためにベース層２ｏ３
に注入される電子を正孔と再結合しやすいように電流阻
止層６２４を形成し、ベース層をベース層２０３とベー
ス層２０３′とに分割している。本実施例では、第４図
に示した本発明の第２の実施例と異なり、ベース層２０
３を電流阻止層６２４によってベース層２０３とベース
層２０３′とに完全に分割した点にある。この分割によ
って光のカップリングによるモード不安定性をなくして
レーザー発光位置３１９および３２０をより一層明確に
変位させることが可能となる。
ーザー発光位置３１９および３２０を信号電圧ａｔ（３
１８）によって明確に変位させるためにベース層２ｏ３
に注入される電子を正孔と再結合しやすいように電流阻
止層６２４を形成し、ベース層をベース層２０３とベー
ス層２０３′とに分割している。本実施例では、第４図
に示した本発明の第２の実施例と異なり、ベース層２０
３を電流阻止層６２４によってベース層２０３とベース
層２０３′とに完全に分割した点にある。この分割によ
って光のカップリングによるモード不安定性をなくして
レーザー発光位置３１９および３２０をより一層明確に
変位させることが可能となる。
第７図は、本発明に係る第６の実施例を示す。
基本的な構造は第６図に示す実施例と同じであるが、レ
ーザー発光位置３１９および３２０に対応してコレクタ
層２０１側に回折格子Ｇ、Ｇ２を介して光導波路層およ
び７２６を形成した。本実施例では、第６図に示した本
発明の第４の実施例と異なり、ベース層２０３を電流阻
止層７２４によってベース層２０３と２０３′とに分離
してそれに対応して光導波路層７２６および７２６を設
けた点に特徴がある。これによって、光導波路層７２５
および７２６を介して光の授受を可能にするものである
。なお、発光位置に対応した光導波路層は、エミッタ側
に設けても良い。また、光導波路層７２５．７２６は、
分離したベース層２０３゜２０３′に対応するだけでな
く、第２図に示す第１の実施例のような分離されていな
いベース層２０３に対しても形成することができる。
ーザー発光位置３１９および３２０に対応してコレクタ
層２０１側に回折格子Ｇ、Ｇ２を介して光導波路層およ
び７２６を形成した。本実施例では、第６図に示した本
発明の第４の実施例と異なり、ベース層２０３を電流阻
止層７２４によってベース層２０３と２０３′とに分離
してそれに対応して光導波路層７２６および７２６を設
けた点に特徴がある。これによって、光導波路層７２５
および７２６を介して光の授受を可能にするものである
。なお、発光位置に対応した光導波路層は、エミッタ側
に設けても良い。また、光導波路層７２５．７２６は、
分離したベース層２０３゜２０３′に対応するだけでな
く、第２図に示す第１の実施例のような分離されていな
いベース層２０３に対しても形成することができる。
以上のように、ｐ型化合物半導体例えばＩｎＧａＡｓＰ
あるいはＧ ａ Ａ ｓより成るベース層（活性層）を
それよりもバンド・ギャップ・エネルギーの大きな化合
物半導体例えばＩｎＰ あるいはＡ ７３ Ｇ ａ
Ａ ｓ より成るエミツタ層とコレクタ層で囲み、ベ
ース層に対して独立に設けたグラフト・ベース層よりそ
れぞれ電流供給できるように構成したベテロ接合バイポ
ーラ・トランジスタが飽和動作状態に於て、光の共振装
置によってベース層内でレーザー発光するように構成す
ることにより容易に、発光位置を変化させることができ
る。また、発光位置に対応して設けた複数個の光導波に
よって光の授受が行なえる。更に、光のカップリングの
影響を考慮したベース層２０３が分離されていない形状
では、その活性層幅を多モード横発振が可能な長さに設
定することが望ましい。
あるいはＧ ａ Ａ ｓより成るベース層（活性層）を
それよりもバンド・ギャップ・エネルギーの大きな化合
物半導体例えばＩｎＰ あるいはＡ ７３ Ｇ ａ
Ａ ｓ より成るエミツタ層とコレクタ層で囲み、ベ
ース層に対して独立に設けたグラフト・ベース層よりそ
れぞれ電流供給できるように構成したベテロ接合バイポ
ーラ・トランジスタが飽和動作状態に於て、光の共振装
置によってベース層内でレーザー発光するように構成す
ることにより容易に、発光位置を変化させることができ
る。また、発光位置に対応して設けた複数個の光導波に
よって光の授受が行なえる。更に、光のカップリングの
影響を考慮したベース層２０３が分離されていない形状
では、その活性層幅を多モード横発振が可能な長さに設
定することが望ましい。
発明の効果
本発明は、ベース層（活性層）に対して独立に設けたグ
ラフト・ベース層あるいはベース電極によってベース電
流を制御することでレーザー発光位置を変位させること
ができる。このことは、一種のメモリ効果を示すもので
あって、今後のオプトエレクトロニクス技術、特に情報
処理関連における光論理子への応用、あるいは光学ピッ
ク・アップへの応用などが考えられ、価値あるものであ
る。なお、本発明の実施例では、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓ
Ｐ系を用いていたがＡ ｌ Ｇ ａ Ａ ｓとＧ ａ
Ａ ｓあるいはＡｌＩｎＰとＡｌＩｎＧａＰなどにおい
ても同様の素子構造と特性を得ることができる。また、
ｎｐｎ 型トランジスタを実施例に出したがｐｎｐ
型トランジスタであっても同様の効果が得られる。
ラフト・ベース層あるいはベース電極によってベース電
流を制御することでレーザー発光位置を変位させること
ができる。このことは、一種のメモリ効果を示すもので
あって、今後のオプトエレクトロニクス技術、特に情報
処理関連における光論理子への応用、あるいは光学ピッ
ク・アップへの応用などが考えられ、価値あるものであ
る。なお、本発明の実施例では、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓ
Ｐ系を用いていたがＡ ｌ Ｇ ａ Ａ ｓとＧ ａ
Ａ ｓあるいはＡｌＩｎＰとＡｌＩｎＧａＰなどにおい
ても同様の素子構造と特性を得ることができる。また、
ｎｐｎ 型トランジスタを実施例に出したがｐｎｐ
型トランジスタであっても同様の効果が得られる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明に係る半導体発光素子の
バンド・ギャップ・エネルギー構造図、第２図は本発明
に係る半導体発光素子の第１実施例の断面図、第３図は
本発明に係る半導体発光素子のノくイアス状態図、第４
図は本発明に係る半導体発光素子の第２実施例の断面図
、第５図は本発明に係る半導体発光素子の第３実施例の
断面図、第６図は本発明に係る半導体発光素子の第４実
施例の断面図、第７図は本発明に係る半導体発光素子の
第５実施例の断面図である。 ２０１ （２０２）・・・・・・コレクタ層、２０３，
２０３’・・・・・・ベース層（活性層）、２ｏ４・・
・・・・エミツタ層、２０５．２０６・・・・・・グラ
フト・ベース層、２０７・・・・・・コレクタ電極、２
０８・・・・・・エミッタ電極、２０９・・・・・・ベ
ースを極１，２１０・・・・・・ベース電極２．２１１
・・・・・・絶縁膜、２１２ 、２１３・・・・・・光
共振装置、３１４・・・・・・コレクタ電圧、３１６・
・・・・・負荷抵抗、３１６・・・・・・ベース電圧１
．３１７・・・・・・ベース電圧２．３１８・・・・・
・信号電圧、３１９，３２０・・・・・・レーザー発光
位置、４２１．６２４・・・・・・電流阻止層（電流狭
窄層）、５２２．５２３・・・・・・多層膜（光共振装
置）、７２５，７２６・・・・・・光導波路層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１１２！１ 第２図 第３図 第４図 第６図 第７図
バンド・ギャップ・エネルギー構造図、第２図は本発明
に係る半導体発光素子の第１実施例の断面図、第３図は
本発明に係る半導体発光素子のノくイアス状態図、第４
図は本発明に係る半導体発光素子の第２実施例の断面図
、第５図は本発明に係る半導体発光素子の第３実施例の
断面図、第６図は本発明に係る半導体発光素子の第４実
施例の断面図、第７図は本発明に係る半導体発光素子の
第５実施例の断面図である。 ２０１ （２０２）・・・・・・コレクタ層、２０３，
２０３’・・・・・・ベース層（活性層）、２ｏ４・・
・・・・エミツタ層、２０５．２０６・・・・・・グラ
フト・ベース層、２０７・・・・・・コレクタ電極、２
０８・・・・・・エミッタ電極、２０９・・・・・・ベ
ースを極１，２１０・・・・・・ベース電極２．２１１
・・・・・・絶縁膜、２１２ 、２１３・・・・・・光
共振装置、３１４・・・・・・コレクタ電圧、３１６・
・・・・・負荷抵抗、３１６・・・・・・ベース電圧１
．３１７・・・・・・ベース電圧２．３１８・・・・・
・信号電圧、３１９，３２０・・・・・・レーザー発光
位置、４２１．６２４・・・・・・電流阻止層（電流狭
窄層）、５２２．５２３・・・・・・多層膜（光共振装
置）、７２５，７２６・・・・・・光導波路層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１１２！１ 第２図 第３図 第４図 第６図 第７図
Claims (7)
- （１）エミッタ領域とベース領域とコレクタ領域を備え
、すくなくとも１つ以上のヘテロ接合を有するトランジ
スタの前記ベース領域へのベース電流を独立した複数個
のベース電極から供給し、前記ベース領域あるいは前記
ベース領域を囲む領域に光の共振装置を具備した半導体
発光素子。 - （２）エミッタ領域およびコレクタ領域は、ベース領域
よりもバンドギャップエネルギーが大きい半導体材料よ
り成る特許請求の範囲第１項に記載の半導体発光素子。 - （３）ベース電極から供給するベース電流を制御するこ
とによって、発光強度を可変する特許請求の範囲第１項
に記載の半導体発光素子。 - （４）ベース電極から供給する各々のベース電流の大き
さを制御することによって、発光位置を可変する特許請
求の範囲第１項に記載の半導体発光素子。 - （５）ベース領域にエミッタ領域あるいはコレクタ領域
より注入される電流キャリアを、前記ベース領域の特定
箇所に選択的に集中させる電流狭窄部あるいは電流阻止
部を具備した特許請求の範囲第１項に記載の半導体発光
素子。 - （６）電流狭窄部あるいは電流阻止層によって複数のベ
ース領域に分離し、前記複数のベース領域への各々のベ
ース電流を制御することによって発光位置を可変する特
許請求の範囲第５項に記載の半導体発光素子。 - （７）ベース層の複数の発光位置に対応して光導波路層
と回折格子とを備えた特許請求の範囲第１項記載の半導
体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18130684A JPS6159793A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18130684A JPS6159793A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159793A true JPS6159793A (ja) | 1986-03-27 |
Family
ID=16098366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18130684A Pending JPS6159793A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159793A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707074B2 (en) | 2000-07-04 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and apparatus for driving the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49110286A (ja) * | 1973-02-21 | 1974-10-21 | ||
| JPS5028286A (ja) * | 1973-07-12 | 1975-03-22 |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP18130684A patent/JPS6159793A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49110286A (ja) * | 1973-02-21 | 1974-10-21 | ||
| JPS5028286A (ja) * | 1973-07-12 | 1975-03-22 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707074B2 (en) | 2000-07-04 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and apparatus for driving the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2533355B2 (ja) | 分布帰還形半導体レ―ザ装置およびその電流注入方法 | |
| US4742378A (en) | Junction-type semiconductor light emitting device with mesa | |
| JPS62188393A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| US5323026A (en) | Semiconductor laser with integrated phototransistor for dynamic power stabilization | |
| JPS6159793A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US5675602A (en) | Optical integrated circuit device and driving method therefor | |
| JPH0638543B2 (ja) | 光学電子素子 | |
| JPH0563301A (ja) | 半導体光素子および光通信システム | |
| JP2000332353A (ja) | 面発光型半導体レーザ装置 | |
| JP2003168842A (ja) | 波長可変分布帰還型レーザ素子及び波長可変分布帰還型レーザ集積装置 | |
| JP2606838B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JP2555954B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0213468B2 (ja) | ||
| JPH0311689A (ja) | 面発光型波長制御ｄｂｒレーザ | |
| US6931039B2 (en) | Optical transmitter equipment and semiconductor laser device | |
| JP3162410B2 (ja) | 光波長フィルタの駆動方法 | |
| US20020093731A1 (en) | Semiconductor optical amplifier | |
| JPS61218194A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH0638544B2 (ja) | 光学電子素子 | |
| JP2933982B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2903322B2 (ja) | 半導体集積レーザ | |
| JPH041514B2 (ja) | ||
| JP2683092B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH04245494A (ja) | 多波長半導体レーザ素子及びその駆動方法 | |
| JPS60242688A (ja) | 光増幅発光受光集積素子 |