JPS617669A - 光導電体の製造方法 - Google Patents
光導電体の製造方法Info
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- JPS617669A JPS617669A JP59128211A JP12821184A JPS617669A JP S617669 A JPS617669 A JP S617669A JP 59128211 A JP59128211 A JP 59128211A JP 12821184 A JP12821184 A JP 12821184A JP S617669 A JPS617669 A JP S617669A
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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-
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- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光導電体、特に撮像管ターゲット、固体撮像装
置、電子写真用感光体等のイメージデバイス用光導電体
の製造法に関する。
置、電子写真用感光体等のイメージデバイス用光導電体
の製造法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来高解像度、高感度、低暗電流のイメージデバイスに
適した光導電体として、導電性基板上に非晶質水素化シ
リコン光導電層を設けた光 □導電体が知られている
。また非晶質水素化シリコン層上に窒化シリコン層を電
子ｌ入阻止層として設けることにより更に低暗電流化を
図った光導電体も知られている。上記非晶質水素化シリ
コン層の形成は反応性スパッタ法で容易に実現できる。
適した光導電体として、導電性基板上に非晶質水素化シ
リコン光導電層を設けた光 □導電体が知られている
。また非晶質水素化シリコン層上に窒化シリコン層を電
子ｌ入阻止層として設けることにより更に低暗電流化を
図った光導電体も知られている。上記非晶質水素化シリ
コン層の形成は反応性スパッタ法で容易に実現できる。
その理由はこの方法で形成された非晶質水素化シリコン
層がプラズマＣＶＤ法で形成された非晶質水素化シリコ
ン層よりも高抵抗であり、解像力の必要なイメージデバ
イス用の光導電層として適しているからである。一方窒
化シリコン層が非晶質水素化シリコン層のブロッキング
層として有効であることが知られ、そのため非晶質水素
化シリコン層の上に設けられている。この場合窒化シリ
コン層を反応性スパッタ法で形成し、その後真空中また
は不活性ガス、水素、酸素もしくは窒素の何れかのガス
雰囲気中で熱処理すると、更に低暗電流）高耐電圧、高
速応答性等の特性を有する先導電体が得られるこ・とを
見出し、先如特許出願した（特願昭５８−１９８２０６
号）０ しかしながら上記熱処理を必要とする方法では・工程を
更に複雑にし、そのための装置と処理時間を必要として
、製造原価を高めることになり好ましくない。従ってか
かる熱処理を必要とせずに同等以上の性能を有する光導
電体の製造法が望ましいことは明らかである０ 発明の目的 本発明の目的ｈ、上述した熱処理工程を必要とせずに、
高耐電圧性、低暗電流を有し、光に対する応答性の改善
された非晶質水素化シリコンおよび窒化シ１）コンの額
を有する光導電体の製造方法を提供することにある。
層がプラズマＣＶＤ法で形成された非晶質水素化シリコ
ン層よりも高抵抗であり、解像力の必要なイメージデバ
イス用の光導電層として適しているからである。一方窒
化シリコン層が非晶質水素化シリコン層のブロッキング
層として有効であることが知られ、そのため非晶質水素
化シリコン層の上に設けられている。この場合窒化シリ
コン層を反応性スパッタ法で形成し、その後真空中また
は不活性ガス、水素、酸素もしくは窒素の何れかのガス
雰囲気中で熱処理すると、更に低暗電流）高耐電圧、高
速応答性等の特性を有する先導電体が得られるこ・とを
見出し、先如特許出願した（特願昭５８−１９８２０６
号）０ しかしながら上記熱処理を必要とする方法では・工程を
更に複雑にし、そのための装置と処理時間を必要として
、製造原価を高めることになり好ましくない。従ってか
かる熱処理を必要とせずに同等以上の性能を有する光導
電体の製造法が望ましいことは明らかである０ 発明の目的 本発明の目的ｈ、上述した熱処理工程を必要とせずに、
高耐電圧性、低暗電流を有し、光に対する応答性の改善
された非晶質水素化シリコンおよび窒化シ１）コンの額
を有する光導電体の製造方法を提供することにある。
発明の構成
本発明は、導電性基板上に形成した非晶質水素化シリコ
ンの層と、上記非晶質水素化シリコン層上に形成した窒
化シリコンの層を有する光導電体を製造する方法におい
て、上記非晶質水素化シリコン層をシリコンを主成分と
するターゲットを用い、水素を反応性ガスとして含む雰
囲気中で反応性スパッタ法にて形成し、その後窒素およ
び水素化シリコンのガスを含む雰囲気中でプラズマＣＶ
Ｄ法にて窒化シリコンの層を形成することからなる光導
電体の製造方法にある。
ンの層と、上記非晶質水素化シリコン層上に形成した窒
化シリコンの層を有する光導電体を製造する方法におい
て、上記非晶質水素化シリコン層をシリコンを主成分と
するターゲットを用い、水素を反応性ガスとして含む雰
囲気中で反応性スパッタ法にて形成し、その後窒素およ
び水素化シリコンのガスを含む雰囲気中でプラズマＣＶ
Ｄ法にて窒化シリコンの層を形成することからなる光導
電体の製造方法にある。
本発明で使用する導電性基板としてはアルミニウム等の
導電性材料、またはガラス基体上に導電性層例えばＳｎ
Ｏ１層等を設けた基板等１当業者に光導電体の基板とし
て知られている任意の材料を使用できる。
導電性材料、またはガラス基体上に導電性層例えばＳｎ
Ｏ１層等を設けた基板等１当業者に光導電体の基板とし
て知られている任意の材料を使用できる。
上記導電性基板上に設けた本発明による非晶質水素化シ
リコンの層は、シリコンを主成分とするターゲットを用
い、水素を反応性ガスとして含む雰囲気中で反応性スパ
ッタ法によって形成することができる。かかる方法は当
業者に周知の方法であり、詳細な説明は省略する。
リコンの層は、シリコンを主成分とするターゲットを用
い、水素を反応性ガスとして含む雰囲気中で反応性スパ
ッタ法によって形成することができる。かかる方法は当
業者に周知の方法であり、詳細な説明は省略する。
本発明によれば上記非晶質水素化シリコンの第１の層上
にプラズマ（ｆｆＤ法により窒化シリコンの層を形成す
る。かかるプラズマＣＶＤ法自体は周知の方法であり、
例えば水素化シリコンのガス（例えばモノシラン、ジシ
ラン等）と、窒素を含むガス例えば窒素ガス自体、アン
モニア、アミン等のガスを含む雰囲気中で実施すればよ
い０ なお本発７明において、導電性基板上に設けた非晶質水
素化シリコン層およびその上に設けた窒化シリコン層の
外に必要に応じて光導電体について知られている他の層
例えば他の窒化シリコン層、Ｓｂ ２ｓ ｓ層等を中間
層または表層として設けてもよいことは明らかであろう
。
にプラズマ（ｆｆＤ法により窒化シリコンの層を形成す
る。かかるプラズマＣＶＤ法自体は周知の方法であり、
例えば水素化シリコンのガス（例えばモノシラン、ジシ
ラン等）と、窒素を含むガス例えば窒素ガス自体、アン
モニア、アミン等のガスを含む雰囲気中で実施すればよ
い０ なお本発７明において、導電性基板上に設けた非晶質水
素化シリコン層およびその上に設けた窒化シリコン層の
外に必要に応じて光導電体について知られている他の層
例えば他の窒化シリコン層、Ｓｂ ２ｓ ｓ層等を中間
層または表層として設けてもよいことは明らかであろう
。
実施例の説明
以下に実施例を挙げ、て本発明を説明する。
実施例 １
導電層としてＳｎＯ１層を設けたガラス基板をマグネト
ロンスパッタ装置内にセットし、装置中を２ Ｘ １０
−＠Ｔｏｒｒまで排気する。上記基板を２５０°Ｃに保
ち、６インチＳ１多結晶ターゲツトを用い、アルゴンガ
ス圧４ ｍ Ｔｏｒｒ ％水素ガス圧１ｍＴｏｒｒ中で
放電電力１００Ｗで厚さ０２μｍの第１の非晶質水素化
シリコンの層を形成し１続いて放電電力２００Ｗで厚さ
２μｍの第２の非晶質水素化シリコンの層を形成する０
続いて真空を破らずに瞬接する容量結合型の反応室に上
記基板を送り、基板温度を２５０°Ｃにし、ｈ／ＳｉＨ
，のガス流量比を１０として全ガス圧５ Ｔｏｒｒにし
、放電電力密度０．８Ｗ／ｄプラズマＣＶＤ法により厚
さ１００Ａの窒化シリコン層を形成する。更に上記窒化
シリコン層の上に電子ビームランデインダ層としてｓｂ
、Ｓ ａ層を１００ＯＡの厚さで蒸着によって形成す
る。この光導電体を３分の２インチの撮像管とし、暗電
流および３フイールド後の残像を調べた。結果を表１に
示す。
ロンスパッタ装置内にセットし、装置中を２ Ｘ １０
−＠Ｔｏｒｒまで排気する。上記基板を２５０°Ｃに保
ち、６インチＳ１多結晶ターゲツトを用い、アルゴンガ
ス圧４ ｍ Ｔｏｒｒ ％水素ガス圧１ｍＴｏｒｒ中で
放電電力１００Ｗで厚さ０２μｍの第１の非晶質水素化
シリコンの層を形成し１続いて放電電力２００Ｗで厚さ
２μｍの第２の非晶質水素化シリコンの層を形成する０
続いて真空を破らずに瞬接する容量結合型の反応室に上
記基板を送り、基板温度を２５０°Ｃにし、ｈ／ＳｉＨ
，のガス流量比を１０として全ガス圧５ Ｔｏｒｒにし
、放電電力密度０．８Ｗ／ｄプラズマＣＶＤ法により厚
さ１００Ａの窒化シリコン層を形成する。更に上記窒化
シリコン層の上に電子ビームランデインダ層としてｓｂ
、Ｓ ａ層を１００ＯＡの厚さで蒸着によって形成す
る。この光導電体を３分の２インチの撮像管とし、暗電
流および３フイールド後の残像を調べた。結果を表１に
示す。
比較のため、上述したプラズマＣＶＤ法で形成した窒化
シリコン層の代りに、基板湿度を１５０°Ｃにし、アル
ゴン圧力１ ｍＴｏｒｒ、窒素圧力２ｍＴｏｒｒ ％と
し、シリコン多結晶ターゲットを用い、放電電力４００
Ｗで反応性スパッタ法で同じ厚さの窒化シリコン層を形
成した光導電体も作った。このものの暗電流および３フ
イールド後の残像も上記と同様にして調べた。この結果
も表１に示す。
シリコン層の代りに、基板湿度を１５０°Ｃにし、アル
ゴン圧力１ ｍＴｏｒｒ、窒素圧力２ｍＴｏｒｒ ％と
し、シリコン多結晶ターゲットを用い、放電電力４００
Ｗで反応性スパッタ法で同じ厚さの窒化シリコン層を形
成した光導電体も作った。このものの暗電流および３フ
イールド後の残像も上記と同様にして調べた。この結果
も表１に示す。
表 １
上記データより、反応性スパッタ法により窒化シリコン
層を形成した場合よりも、本発明によりプラズマＣＶＤ
法により窒化シリコン層を形成した場合の方が暗電流お
よび残像共に優れていることが判る。
層を形成した場合よりも、本発明によりプラズマＣＶＤ
法により窒化シリコン層を形成した場合の方が暗電流お
よび残像共に優れていることが判る。
実施例 ２
鏡面研摩したアルミニウムドラムをマグネトリンスパッ
タ装置内にセットし、装置中を１×１０−’ Ｔｏｒｒ
まで排気し、上記ドラムを温度２５０℃に保、ぢ、３×
１ン５．゛インチ多結晶シリコンターゲットを用い、ア
ルゴンガス圧１ ｍ Ｔｏｒｒ％ Ｍｌ 素ガス圧１．
５ ｍ Ｔｏｒｒで放電電力］ ＫＷで放電し、厚さ６
００Ａの窒化シリコンの第１の層を形成する。続い・て
窒素導入を停止し、代りにアルゴンガス圧４．５ ｍ
Ｔ６ｒｒｓ水素ガス圧Ｑ、 ５ ｍ Ｔｏｒｒになるよ
うに導入し、放電電力６００Ｗで厚さ８μｍの゛非晶質
水素化シリコンの第２の層を形成する〇更にこのドラム
をプラズマＣＶＤ装を内に１７ Ｌ、ドラム温度を２５
０”ＣＫＩ、、ＮＨｓ／ ＳｉＨ＊のガス流量比を６と
して全圧力Ｉ Ｔｏｒｒとし１放電電力３４Ｗで窒化シ
リコンの第３の層を厚さ６００Ａで形成する。
タ装置内にセットし、装置中を１×１０−’ Ｔｏｒｒ
まで排気し、上記ドラムを温度２５０℃に保、ぢ、３×
１ン５．゛インチ多結晶シリコンターゲットを用い、ア
ルゴンガス圧１ ｍ Ｔｏｒｒ％ Ｍｌ 素ガス圧１．
５ ｍ Ｔｏｒｒで放電電力］ ＫＷで放電し、厚さ６
００Ａの窒化シリコンの第１の層を形成する。続い・て
窒素導入を停止し、代りにアルゴンガス圧４．５ ｍ
Ｔ６ｒｒｓ水素ガス圧Ｑ、 ５ ｍ Ｔｏｒｒになるよ
うに導入し、放電電力６００Ｗで厚さ８μｍの゛非晶質
水素化シリコンの第２の層を形成する〇更にこのドラム
をプラズマＣＶＤ装を内に１７ Ｌ、ドラム温度を２５
０”ＣＫＩ、、ＮＨｓ／ ＳｉＨ＊のガス流量比を６と
して全圧力Ｉ Ｔｏｒｒとし１放電電力３４Ｗで窒化シ
リコンの第３の層を厚さ６００Ａで形成する。
かくして作られた感光体を一６ＫＶでコロナ放電により
帯電させたときの特性を表２に示す。
帯電させたときの特性を表２に示す。
比較例１として上記窒化シリコンの、第３の層を、第１
の層の場合と同様にして、ただし窒素ガス圧を２ｍＴｏ
ｒｒとして反応性スパッタ法で厚さ６００Ａの第３の層
を形成して感光体を形成した。このものの帯電特性も表
２に示す。
の層の場合と同様にして、ただし窒素ガス圧を２ｍＴｏ
ｒｒとして反応性スパッタ法で厚さ６００Ａの第３の層
を形成して感光体を形成した。このものの帯電特性も表
２に示す。
更に上記比較例１と同様にして反応性スパッタ法で表面
の窒化シリコン第３層を形成した感光体を、真空中で３
００ ’Ｃで熱処理した後の感光体（比較例２）の帯電
特性も表２に示す。
の窒化シリコン第３層を形成した感光体を、真空中で３
００ ’Ｃで熱処理した後の感光体（比較例２）の帯電
特性も表２に示す。
表 ２
上記表２のデータから、本発明による方法で作った感光
体は、熱処理をせずとも、帯電電位、半減衰の特性が良
好であることが判る０なお非晶質水素化シリコン層に、
ボロン・リン、カルコゲン元素等の不純物を微量ドープ
しても同様の効果かあった。
体は、熱処理をせずとも、帯電電位、半減衰の特性が良
好であることが判る０なお非晶質水素化シリコン層に、
ボロン・リン、カルコゲン元素等の不純物を微量ドープ
しても同様の効果かあった。
発明の効果
本発明により、窒化シリコンの層を反応性スパッタ法に
よらずプラズマＣＶＤ法により形成すれは、高感度、高
解像という光導電体を熱処理する必要なしに得られ、撮
像管ターゲット、固体撮像装置、電子感光体、−次元イ
メージセンサ等の光導電体へ広く応用できる利点を有す
る。
よらずプラズマＣＶＤ法により形成すれは、高感度、高
解像という光導電体を熱処理する必要なしに得られ、撮
像管ターゲット、固体撮像装置、電子感光体、−次元イ
メージセンサ等の光導電体へ広く応用できる利点を有す
る。
Claims (1)
- １、導電性基板上に形成した非晶質水素化シリコンの層
と、上記非晶質水素化シリコン層上に形成した窒化シリ
コンの層を有する光導電体を製造する方法において、上
記非晶質水素化シリコン層をシリコンを主成分とするタ
ーゲットを用い、水素を反応性ガスとして含む雰囲気中
で反応性スパッタ法にて形成し、その後窒素および水素
化シリコンのガスを含む雰囲気中でプラズマＣＶＤ法に
て窒化シリコンの層を形成することを特徴とする光導電
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128211A JPS617669A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 光導電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128211A JPS617669A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 光導電体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617669A true JPS617669A (ja) | 1986-01-14 |
Family
ID=14979232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59128211A Pending JPS617669A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 光導電体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS617669A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303716A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
| JPH029129A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP59128211A patent/JPS617669A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303716A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
| JPH0573334B2 (ja) * | 1988-05-31 | 1993-10-14 | Kogyo Gijutsuin | |
| JPH029129A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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