JPS6175625U - - Google Patents

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JPS6175625U
JPS6175625U JP16088684U JP16088684U JPS6175625U JP S6175625 U JPS6175625 U JP S6175625U JP 16088684 U JP16088684 U JP 16088684U JP 16088684 U JP16088684 U JP 16088684U JP S6175625 U JPS6175625 U JP S6175625U
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JP
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front surface
electrode plate
grounding
amplifier
ground plane
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JP16088684U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図aは、本考案の一実施例である電界効果
型トランジスタ二段構成のモノリシツク増幅器の
回路パタン図、第1図bは、第1図aの等価回路
図、第2図は、ボンデイングワイヤ接地を用いた
電界効果型トランジスタ二段構成のモノリシツク
増幅器の従来例の回路パタン図、第3図はバイア
ホール接地を用いた第2図と同じ構成のモノリシ
ツク増幅器の従来例の回路パタン図である。 1,2……電界効果型トランジスタ、3……入
力端子、4……出力端子、5,6,7,8……バ
イアホール接地用上部電極パツド、9,10……
伝送回路、11,12,13,14……バイアホ
ール上穴の部分、15,16,17,18……ボ
ンデイングワイヤによる接地、19,21,25
,27……ポンデイングワイヤ接地のときの節点
、20,22,26,28……バイアホール接地
のときの節点、31,32……伝送線路、9,1
0に対応する電気長、35,36,37,38…
…パツド5,6,7,8が持つ線路としての効果
に対応した電気長、41,42,43,44……
ボンデイングワイヤによる接地、45,46……
電界効果型トランジスタ、47……入力端子、4
8……出力端子、49……伝送回路、51,52
,53,54……バイアホール接地用上穴、55
,56……電界効果型トランジスタ、57……入
力端子、58……出力端子、59……伝送回路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 接地用の電極板を表面と裏面に設けてなるモノ
    リシツク半導体増幅器において、 前記表面の電極板を前記増幅器のチツプの外周
    に接して配置することにより、金属線を用いて該
    表面の電極板と接地面とを結合するか、前記表面
    の電極板から裏面の電極板に通じる貫通孔内の導
    電体により接地をとるかを選択可能としたことを
    特徴とするモノリシツク半導体増幅器。
JP16088684U 1984-10-24 1984-10-24 Pending JPS6175625U (ja)

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JP16088684U JPS6175625U (ja) 1984-10-24 1984-10-24

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