JPS6174375A - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
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- JPS6174375A JPS6174375A JP59195990A JP19599084A JPS6174375A JP S6174375 A JPS6174375 A JP S6174375A JP 59195990 A JP59195990 A JP 59195990A JP 19599084 A JP19599084 A JP 19599084A JP S6174375 A JPS6174375 A JP S6174375A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/241—Electrode arrangements, e.g. continuous or parallel strips or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H01L31/118—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
- H01L31/1185—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors of the shallow PN junction detector type
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の属する技術分野］
本発明はＴ４１ｉＩ計数用の半導体放射線検出器に、と
くに同−線量場におけるγ線エネルギーとγ計数との関
係特性を向上させた半導体放射線検出器に関する。 【従来技術とその問題点】 従来、この種の検出器としてガイガーミエラー計数管が
使用されていたが、これは痔命が短く、Ｔ計数の１ｉｊ
ｉｆｉ率に対する直線性が悪く、さらに高圧電源を要す
るなどの欠点を有していた。そこで近年半導体の特性を
利用した半導体放射線検出器が提供され、実用に供せら
れるようになってきている。 この半導体放射線検出器は、例えばゲルマニウム（Ｇｅ
）やシリコン（Ｓｉ）などのウェハにリチウム（Ｌｌ）
を拡散させてγ線に対して空乏層を形成するように高比
抵抗化させたものである。γ線がこの空乏層を通過する
ときに生ずる光電効果、コンプトン効果あるいは電子対
生成のいずれかの過程で二次電子が発生し、この二次電
子がさらに格子原子と作用して電子正孔対を生成し、こ
れを電流パルスとして検出してパルス数を計数すること
によりγ線量を計数することができる。 しかして、γ線線量計の本来の目的は、放射線としての
γ線の個数を計数するものであるが、従来の半導体放射
線検出器は、次に述べる理由により同−線量基において
も個々のγ線のエネルギーの高低によって計数するパル
スの数が異なる。すなわち、計数パルスが正しくγ線量
を示さないという不都合がある。 半導体放射線検出器の作動原理は、第３図に示すように
、Ｐ形シリコン基板ｌに、例えば拡散法によりてＮＪＩ
Ｉ２を設けてＰＮ接合を形成し、このＰＮ接合に対する
逆バイアス電圧Ｖ、を両面の電極３゜４を介して印加す
ることにより生じた空乏層５を入射γ線６が通過すると
き、光電効果Ａ、コンプトン効果Ｂおよび電子対生成Ｃ
のいずれかの過程で二次電子７が発生し、この二次電子
がさらに格子原子と作用して電子正孔対８が生じ、これ
が電流パルス９として検出され、このパルス９が増幅器
を内蔵したカウンタ１０によって計数される。なお、一
部のｒｌｌＡは散乱ｒＡａｌｌとして空乏層５の外につ
き抜けろ。 このとき、単位線量率あたりのパルス数すなわちγ計数
Ｃは次の（１１式によって表される。 ° μｍｌ’Ｚ μ １１°Ｅ ただし、 Ｋ：定数 μ３□：放射線検出器（Ｓｔ）の吸収係数μ、■＝空気
の吸収係数 ｊｌｌ二線線対する空乏層の厚さ Ｓ：γ線に対する空乏層の面積 Ｅ：γ線のエネルギー しかし、（り式から明らかなように空乏層５の厚さｌ、
シリコン［１の面方向における空乏層５の面積Ｓが一定
の場合にはＣはＥによって変化する。 すなわち、エネルギーの大きいｒｋｉＡに対してはＣが
小さくなり、同−線量基における感度がγ線のエネルギ
ーにより変化しない特性、いわゆろ線質特性が悪（なる
。
くに同−線量場におけるγ線エネルギーとγ計数との関
係特性を向上させた半導体放射線検出器に関する。 【従来技術とその問題点】 従来、この種の検出器としてガイガーミエラー計数管が
使用されていたが、これは痔命が短く、Ｔ計数の１ｉｊ
ｉｆｉ率に対する直線性が悪く、さらに高圧電源を要す
るなどの欠点を有していた。そこで近年半導体の特性を
利用した半導体放射線検出器が提供され、実用に供せら
れるようになってきている。 この半導体放射線検出器は、例えばゲルマニウム（Ｇｅ
）やシリコン（Ｓｉ）などのウェハにリチウム（Ｌｌ）
を拡散させてγ線に対して空乏層を形成するように高比
抵抗化させたものである。γ線がこの空乏層を通過する
ときに生ずる光電効果、コンプトン効果あるいは電子対
生成のいずれかの過程で二次電子が発生し、この二次電
子がさらに格子原子と作用して電子正孔対を生成し、こ
れを電流パルスとして検出してパルス数を計数すること
によりγ線量を計数することができる。 しかして、γ線線量計の本来の目的は、放射線としての
γ線の個数を計数するものであるが、従来の半導体放射
線検出器は、次に述べる理由により同−線量基において
も個々のγ線のエネルギーの高低によって計数するパル
スの数が異なる。すなわち、計数パルスが正しくγ線量
を示さないという不都合がある。 半導体放射線検出器の作動原理は、第３図に示すように
、Ｐ形シリコン基板ｌに、例えば拡散法によりてＮＪＩ
Ｉ２を設けてＰＮ接合を形成し、このＰＮ接合に対する
逆バイアス電圧Ｖ、を両面の電極３゜４を介して印加す
ることにより生じた空乏層５を入射γ線６が通過すると
き、光電効果Ａ、コンプトン効果Ｂおよび電子対生成Ｃ
のいずれかの過程で二次電子７が発生し、この二次電子
がさらに格子原子と作用して電子正孔対８が生じ、これ
が電流パルス９として検出され、このパルス９が増幅器
を内蔵したカウンタ１０によって計数される。なお、一
部のｒｌｌＡは散乱ｒＡａｌｌとして空乏層５の外につ
き抜けろ。 このとき、単位線量率あたりのパルス数すなわちγ計数
Ｃは次の（１１式によって表される。 ° μｍｌ’Ｚ μ １１°Ｅ ただし、 Ｋ：定数 μ３□：放射線検出器（Ｓｔ）の吸収係数μ、■＝空気
の吸収係数 ｊｌｌ二線線対する空乏層の厚さ Ｓ：γ線に対する空乏層の面積 Ｅ：γ線のエネルギー しかし、（り式から明らかなように空乏層５の厚さｌ、
シリコン［１の面方向における空乏層５の面積Ｓが一定
の場合にはＣはＥによって変化する。 すなわち、エネルギーの大きいｒｋｉＡに対してはＣが
小さくなり、同−線量基における感度がγ線のエネルギ
ーにより変化しない特性、いわゆろ線質特性が悪（なる
。
本発明は半導体基板の両面に設けられた電極に所定の電
圧を印加することにより所定の広がりをもつ空乏層が形
成される手段を有し、半導体基板にγ線の入射の際に生
ずる二次電子によって空乏層内に発生する電子正札対に
基づくパルス電流を計数するものにおいて、基板面に平
行な面内における空乏層の形状が細長い突出部を育し、
半導体基板の縁部と空乏層周辺との距離が少なくとも検
出すべきγ線のうちの最大エネルギーのｒ ｋ％によっ
て生ずる二次電子の平均飛程とほぼ等しいことにより上
記の目的を達成する。 本発明は次の原理に基づく、第４図に示すように空乏Ｎ
５内に生じた二次電子７のほかに空乏層周囲の領域１２
に発生し、空乏層５内に達する二次電子７１も電子正孔
対の生成に寄与する。すなわち第４図（１１にハツチン
グして示した空乏層５の周囲の領域１２もγ線の計数に
寄与する。この領域１２は入射γ線６のエネルギーが低
いときは二次電子の平均飛程が短いので狭く、γ線エネ
ルギーが高いときは二次電子の平均飛程が長いので広く
なる。 今、このような電子正孔対の形成に寄与する二次電子発
生の領域１２の面積をＳ゛とすると、Ｓ゛が空乏層の面
ＢＳに対してＳｈｅ’のときは、γ線のエネルギーが変
化しても二次電子の発生に寄与する面積はほぼ一定で、
＋１１式によりＴ計数Ｃはγ線エネルギー已によって左
右されることになる。一方、ｓｓｓ’のときは電子正孔
対の形成に寄与する二次電子の数は二次電子の平均Ｆｒ
１程によって変化する。 第１表は、＋１１式におけるγ線のエネルギーＥと二次
電子の平均飛程１．空気の吸収係数μｍ直、およびＳｉ
の吸収係数μ、！との関係を示す。 第１表 従って領域Ｓ″が十分広いときは、電子正孔対の発生に
寄与する二次電子の数は已によって変化し、Ｅが大きく
なるにつれてその数が増大し、ｆｉ１式中のμ、五／μ
ａ五ｒＥの項を相殺する方向に進む、それ故、γ計数Ｃ
のエネルギー依存性はより少なくなり、前記線質特性が
改善される。ｓＩ域Ｓ゛は、その中に入射するγ線によ
って生ずる二次電子がすべて空乏層内に到達するだけの
広さがあれば十分である。従って半導体基板１の周縁と
空乏層の周辺との距離は検出すべきγ線のうちの最大エ
ネルギーをもつものによって生ずる二次電子の平均飛程
たけあればよい、すなわち、６〜Ｏ，１ＭｅＶの範囲の
γ線に対して良好な線質特性を得るためには、空乏層の
外側に幅４６００μ■以上の領域があればよい。 さらに本発明は、空乏層外の領域１２で生成した二次電
子７１が空乏Ｎ５に到達する確立を高めるため、空乏層
の板面に平行な面内における形状に細長い突出部を形成
している。
圧を印加することにより所定の広がりをもつ空乏層が形
成される手段を有し、半導体基板にγ線の入射の際に生
ずる二次電子によって空乏層内に発生する電子正札対に
基づくパルス電流を計数するものにおいて、基板面に平
行な面内における空乏層の形状が細長い突出部を育し、
半導体基板の縁部と空乏層周辺との距離が少なくとも検
出すべきγ線のうちの最大エネルギーのｒ ｋ％によっ
て生ずる二次電子の平均飛程とほぼ等しいことにより上
記の目的を達成する。 本発明は次の原理に基づく、第４図に示すように空乏Ｎ
５内に生じた二次電子７のほかに空乏層周囲の領域１２
に発生し、空乏層５内に達する二次電子７１も電子正孔
対の生成に寄与する。すなわち第４図（１１にハツチン
グして示した空乏層５の周囲の領域１２もγ線の計数に
寄与する。この領域１２は入射γ線６のエネルギーが低
いときは二次電子の平均飛程が短いので狭く、γ線エネ
ルギーが高いときは二次電子の平均飛程が長いので広く
なる。 今、このような電子正孔対の形成に寄与する二次電子発
生の領域１２の面積をＳ゛とすると、Ｓ゛が空乏層の面
ＢＳに対してＳｈｅ’のときは、γ線のエネルギーが変
化しても二次電子の発生に寄与する面積はほぼ一定で、
＋１１式によりＴ計数Ｃはγ線エネルギー已によって左
右されることになる。一方、ｓｓｓ’のときは電子正孔
対の形成に寄与する二次電子の数は二次電子の平均Ｆｒ
１程によって変化する。 第１表は、＋１１式におけるγ線のエネルギーＥと二次
電子の平均飛程１．空気の吸収係数μｍ直、およびＳｉ
の吸収係数μ、！との関係を示す。 第１表 従って領域Ｓ″が十分広いときは、電子正孔対の発生に
寄与する二次電子の数は已によって変化し、Ｅが大きく
なるにつれてその数が増大し、ｆｉ１式中のμ、五／μ
ａ五ｒＥの項を相殺する方向に進む、それ故、γ計数Ｃ
のエネルギー依存性はより少なくなり、前記線質特性が
改善される。ｓＩ域Ｓ゛は、その中に入射するγ線によ
って生ずる二次電子がすべて空乏層内に到達するだけの
広さがあれば十分である。従って半導体基板１の周縁と
空乏層の周辺との距離は検出すべきγ線のうちの最大エ
ネルギーをもつものによって生ずる二次電子の平均飛程
たけあればよい、すなわち、６〜Ｏ，１ＭｅＶの範囲の
γ線に対して良好な線質特性を得るためには、空乏層の
外側に幅４６００μ■以上の領域があればよい。 さらに本発明は、空乏層外の領域１２で生成した二次電
子７１が空乏Ｎ５に到達する確立を高めるため、空乏層
の板面に平行な面内における形状に細長い突出部を形成
している。
第１図は本発明の一実施例を示し、−辺４３ｍｍのＰ形
シリコン仮１に中央部の直径１１の円２１から幅０．２
＋＋ｓ、長さ１６ｍ＋ｗの長方形状の突出部２２が放射
状に出ている形状を育するＮ影領域２が形成されている
。この結果、Ｐ形基板ｌをＮ影領域２の間に形成される
ＰＮ接合に、例えば２０Ｖの逆バイアスを印加したとき
に生ずる空乏層５の外側に最も狭いところでも、最大６
ＭｅＶのエネルギーを持つγ線により発生する二次電子
は、長い周辺長を有するＮｗＩ域２の周囲の空乏層５の
中に高い確率で入って電子正孔対の発生に寄与し、放射
線検出器の感度のエネルギー依存性を弱める。第５図の
曲線５１は、この実施例の検出器の標準線量率基を用い
て校正したのち得られた相対ｒ計数比とｒ １％エネル
ギーとの関係を示し、同じ大きさのＰ形シリコン基板に
第４図に示すような直径１■の円形Ｎ影領域を形成した
検出器によって得られた曲線５２に比して水平に近くな
り、著しく線質特性が改善されていることが分かる。な
お、低エネルギー側で曲＊Ｓｔおよび５２の相対Ｔ計数
比が低下しているのは、カウンタ１０（第３図参照）の
識別レベルを０゜０６Ｍｅ Ｖにして、０．０６ＭｅＶ
以下のレベルのパルス９を計数しないようにしたためで
ある。 第２図は別の実施例を示し、この場合はＮ影領域２は帯
状中央部２３から両側に（しの歯状に出る突出部２４を
有する形状を有している。 本発明は表面［５２形構造の半ぶ体の場合や単結晶半導
体基体上非晶質半導体膜を被着させたヘテロ接合構造の
半４体の場合にも適用できることはもちろんである。第
６図はへテロ接合構造の半導体を用いた放射線検出器を
示し、Ｐ形シリコン基板１の表面上にアンドープ非晶質
シリコンＭ１３が被着され、裏面側にＰ°層が形成され
ている。非晶賓シリコン層１３の上に第１．第２図のＮ
影領域２のような形状を存する金属電極３を、例えばＡ
Ｉの蒸着、バターニングにより形成し、裏面のＰ゛層に
は全面に金属電８ｉｉ４を形成する。この両電極間に金
属電極３側が正になるような電圧Ｖを印加すると、電極
３の形状に応じて第１．第２図の同様な形状の空乏層５
が生ずる。この空乏層５の周辺と基板１の縁部との距離
ｄを、少なくとも検出すべき入射γ線のうちの最大エネ
ルギーのγ線によって生ずる二次電子の平均飛程とほぼ
等しい値にすれば、空乏Ｎ５の外側の基板に入射した最
大エネルギーのγ線によって生ずる二次電子のほとんど
が李乏層内での電子正孔対発生に寄与する。 【発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明は空乏層の形状
を放射状もしくはくし歯状のような突出部を有する形状
とし、その周囲に測定すべきｒｌｌＡのうちの最大エネ
ルギーのγ線に対する有効二次電子発生領域を備えるこ
とにより、高エネルギーのγ線の計数の場合にもエネル
ギー依存性を示さない良好なｍｉ特性を示し、従来のγ
線線量計にくらべて広いｒ線エネルギー範囲で信頼性の
高いγ線線量計として使用できる半導体放射＆！検出器
が得られる。
シリコン仮１に中央部の直径１１の円２１から幅０．２
＋＋ｓ、長さ１６ｍ＋ｗの長方形状の突出部２２が放射
状に出ている形状を育するＮ影領域２が形成されている
。この結果、Ｐ形基板ｌをＮ影領域２の間に形成される
ＰＮ接合に、例えば２０Ｖの逆バイアスを印加したとき
に生ずる空乏層５の外側に最も狭いところでも、最大６
ＭｅＶのエネルギーを持つγ線により発生する二次電子
は、長い周辺長を有するＮｗＩ域２の周囲の空乏層５の
中に高い確率で入って電子正孔対の発生に寄与し、放射
線検出器の感度のエネルギー依存性を弱める。第５図の
曲線５１は、この実施例の検出器の標準線量率基を用い
て校正したのち得られた相対ｒ計数比とｒ １％エネル
ギーとの関係を示し、同じ大きさのＰ形シリコン基板に
第４図に示すような直径１■の円形Ｎ影領域を形成した
検出器によって得られた曲線５２に比して水平に近くな
り、著しく線質特性が改善されていることが分かる。な
お、低エネルギー側で曲＊Ｓｔおよび５２の相対Ｔ計数
比が低下しているのは、カウンタ１０（第３図参照）の
識別レベルを０゜０６Ｍｅ Ｖにして、０．０６ＭｅＶ
以下のレベルのパルス９を計数しないようにしたためで
ある。 第２図は別の実施例を示し、この場合はＮ影領域２は帯
状中央部２３から両側に（しの歯状に出る突出部２４を
有する形状を有している。 本発明は表面［５２形構造の半ぶ体の場合や単結晶半導
体基体上非晶質半導体膜を被着させたヘテロ接合構造の
半４体の場合にも適用できることはもちろんである。第
６図はへテロ接合構造の半導体を用いた放射線検出器を
示し、Ｐ形シリコン基板１の表面上にアンドープ非晶質
シリコンＭ１３が被着され、裏面側にＰ°層が形成され
ている。非晶賓シリコン層１３の上に第１．第２図のＮ
影領域２のような形状を存する金属電極３を、例えばＡ
Ｉの蒸着、バターニングにより形成し、裏面のＰ゛層に
は全面に金属電８ｉｉ４を形成する。この両電極間に金
属電極３側が正になるような電圧Ｖを印加すると、電極
３の形状に応じて第１．第２図の同様な形状の空乏層５
が生ずる。この空乏層５の周辺と基板１の縁部との距離
ｄを、少なくとも検出すべき入射γ線のうちの最大エネ
ルギーのγ線によって生ずる二次電子の平均飛程とほぼ
等しい値にすれば、空乏Ｎ５の外側の基板に入射した最
大エネルギーのγ線によって生ずる二次電子のほとんど
が李乏層内での電子正孔対発生に寄与する。 【発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明は空乏層の形状
を放射状もしくはくし歯状のような突出部を有する形状
とし、その周囲に測定すべきｒｌｌＡのうちの最大エネ
ルギーのγ線に対する有効二次電子発生領域を備えるこ
とにより、高エネルギーのγ線の計数の場合にもエネル
ギー依存性を示さない良好なｍｉ特性を示し、従来のγ
線線量計にくらべて広いｒ線エネルギー範囲で信頼性の
高いγ線線量計として使用できる半導体放射＆！検出器
が得られる。
第１図は本発明の一実施例の半導体基板の平面図、第２
図は別の実施例の半導体基板の平面図、第３図は半導体
放射線検出器の動作原理を示す断面図、第４図は半導体
放射線検出器の空乏層外への入射γ線の影響を示し、＋
ａｌは断面図、＋ｔｅｌは平面図、第５図は本発明によ
る半導体放射線検出器の線質特性を従来例の検出器のそ
れと比較して示す線図、第６図は本発明のさらに異なる
実施例の断面図である。 ｌａｐ形シリコンΔ板、２：Ｎ影領域、２１，２３ ：
Ｎ影領域中央部、２２．２４ ： Ｎ影領域突出部、
５：空乏層、６：γ線、？、７１：二次電子。
図は別の実施例の半導体基板の平面図、第３図は半導体
放射線検出器の動作原理を示す断面図、第４図は半導体
放射線検出器の空乏層外への入射γ線の影響を示し、＋
ａｌは断面図、＋ｔｅｌは平面図、第５図は本発明によ
る半導体放射線検出器の線質特性を従来例の検出器のそ
れと比較して示す線図、第６図は本発明のさらに異なる
実施例の断面図である。 ｌａｐ形シリコンΔ板、２：Ｎ影領域、２１，２３ ：
Ｎ影領域中央部、２２．２４ ： Ｎ影領域突出部、
５：空乏層、６：γ線、？、７１：二次電子。
Claims (1)
- １）半導体基板の両面に設けられた電極に所定の電圧を
印加することにより所定の広がりをもつ空乏層が形成さ
れる手段を有し、前記半導体基板にγ線が入射する際に
生ずる二次電子によって空乏層内に発生する電子正孔対
に基づくパルス電流を計数するものにおいて、基板面に
平行な面内における空乏層周辺の形状が細長い突出部を
有し、半導体基板の縁部と空乏層周辺との距離が少なく
とも検出すべきγ線のうちの最大エネルギーのγ線によ
って生ずる二次電子の平均飛程にほぼ等しいことを特徴
とする半導体放射線検出器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59195990A JPS6174375A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 半導体放射線検出器 |
| US06/771,622 US4689649A (en) | 1984-09-19 | 1985-09-03 | Semiconductor radiation detector |
| DE8585111873T DE3583095D1 (de) | 1984-09-19 | 1985-09-19 | Halbleiterstrahlungsdetektor. |
| EP85111873A EP0175369B1 (en) | 1984-09-19 | 1985-09-19 | Semiconductor radiation detector |
| US07/103,917 US4835587A (en) | 1984-09-19 | 1987-10-01 | Semiconductor device for detecting radiation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59195990A JPS6174375A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 半導体放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174375A true JPS6174375A (ja) | 1986-04-16 |
| JPH058595B2 JPH058595B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16350379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59195990A Granted JPS6174375A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4689649A (ja) |
| EP (1) | EP0175369B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6174375A (ja) |
| DE (1) | DE3583095D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390176A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体放射線検出素子 |
| JPS63193088A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Hitachi Ltd | 半導体放射線検出器 |
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|---|---|---|---|---|
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| FR2660761B1 (fr) * | 1990-04-06 | 1995-10-06 | Thomson Csf | Dispositif de detection de rayonnements dangereux pour les etres vivants. |
| US5621238A (en) * | 1994-02-25 | 1997-04-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Narrow band semiconductor detector |
| US7947959B2 (en) * | 2009-04-21 | 2011-05-24 | Honeywell International Inc. | Enhanced sensitivity solid state radiation detector |
| CN110611009B (zh) * | 2019-09-06 | 2021-02-02 | 湘潭大学 | 嵌套式三维沟槽电极硅探测器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5841666B2 (ja) * | 1977-05-19 | 1983-09-13 | 株式会社東芝 | 半導体放射線検出器 |
| FR2443745A1 (fr) * | 1978-12-05 | 1980-07-04 | Thomson Csf | Localisateur d'impacts de particules ionisantes a l'etat solide et tube a image comportant un tel localisateur |
| US4394676A (en) * | 1980-12-17 | 1983-07-19 | Agouridis Dimitrios C | Photovoltaic radiation detector element |
| JPS5952884A (ja) * | 1982-09-18 | 1984-03-27 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 放射線または光検出用半導体素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP59195990A patent/JPS6174375A/ja active Granted
-
1985
- 1985-09-03 US US06/771,622 patent/US4689649A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-19 DE DE8585111873T patent/DE3583095D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-19 EP EP85111873A patent/EP0175369B1/en not_active Expired - Lifetime
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| JPS6390176A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体放射線検出素子 |
| JPS63193088A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Hitachi Ltd | 半導体放射線検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058595B2 (ja) | 1993-02-02 |
| US4689649A (en) | 1987-08-25 |
| EP0175369B1 (en) | 1991-06-05 |
| DE3583095D1 (de) | 1991-07-11 |
| EP0175369A2 (en) | 1986-03-26 |
| EP0175369A3 (en) | 1986-09-03 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |