JPS6172088A - 放射線画像変換方法及びその方法に用いられる放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、放射線画像変換方法及びその方法に用いられ
る放射線画像変換パネルさらに詳しくは輝尽性蛍光体を
利用した放射線画像変換パネル１その方法に用いられる
放射線画像変換パネルに関する。

（従来技術） 従来放ＭＲ画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる
放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで
放射線像を画像化する方法が望まれるようになった。

前記の放射線写真法にかわる方法として、被写体を透過
した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体
をある種のエネルギーで励起してこの蛍光体が蓄積して
いる放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍
光を検出して画像化する方法が考えられている。具体的
な方法は蛍光体として熱蛍光性蛍光体を用い、励起エネ
ルギーとして熱エネルギーを用いて放射線像を変換する
方法が提唱さ八ている（英国特許１，４６２，７６９号
および特開昭５１−２９８８９号）、この変換方法は支
持体上に熱蛍光性蛍光体層を形成したパネルを用い、こ
のパネルの熱蛍光性蛍光体層に被写体を透過した放射線
を吸収させて放射線の強弱に対応した放射線エネルギー
を蓄積させ、しかる後この熱蛍光性蛍光体層を加熱する
ことによって蓄積された放射線エネルギーを光の信号と
して取り出し、この光の強弱によって画像を得るもので
ある。しかしながらこの方法はＷＭＩされた放射線エネ
ルギーを尤の信号に変元る際に加熱するので、パネル〃
耐熱性を有し熱によつて変形、変質しないことが絶対的
に必要であり、従ってパネルを構成する熱蛍光性蛍光体
層および支持体の材料等に大島な制約があろ、このよう
にして蛍光体として熱蛍光性蛍光体を用い、励起エネル
ギーとして熱エネルギーを用いる放射ｌ１Ｆｌ像変換方
法は応用面で大きな難、αがある。一方、支持体上に輝
尽性蛍光体層を形成したパネルを用い、励起エネルギー
として可視光線および赤外線の一方または両方を用いる
放射線画像変換方法もまた知られている（米国特許３．
８９５．５２７号）、この方法は前記の方法のようにＭ
積された放射線エネルギーを尤の信号に変える際に加熱
しなくてもよく、従ってパネルは耐熱性を有する必要は
なく、この点からより好ましい放射線画像変換方法と言
元る。

従来、前記放射線画像変換方法に用いられる蛍光体のう
ち熱蛍光性蛍光体としては　ＬｉＦ：Ｍｇ。

Ｂａ５ｏ＋：Ｍｎ　＋　ＣａＦ２：Ｄｙ等が知られてお
り、また励起エネルギーとして可視光線あるいは赤外線
を用いる輝尽性蛍光体としては、ＫＣＩ：Ｔ１．特開昭
５９−７５２００号等に記載のＢａＦＸＳＥｕ系（ｘ：
Ｃ１，Ｂｒ、Ｉ）蛍光体等が知られている。

ところで前記放射線画像変換方法が医療診断を目的とす
るＸ線画像変換に用いられる場合には、患者の被爆線量
を少なくするためにその方法はできるだけ高感度である
ことが望ましく、従ってその方法に用いられる輝尽性蛍
光体は輝尽によろ発光輝度ができるだけ高いのが望まし
い。

また前記方法において、システムとしての運転効率を高
めるためには放射線画像の読取り速度を高速化する必要
があり、従ってその方法に用いられる輝尽性蛍光体は励
起光に対する輝尽発光の応答速度が速いことが望ましい
。

また前記方法において、一般に放射線画像変換パネルは
前回の使用によろ残像を消去した後くり返して使用され
るが、システムとしての運転効率を高めるためには前記
放射線画像変換パネルの残像消去時間が短いことが望ま
しく、その方法に用いられろ輝尽性蛍光体は残像消去速
度が速いことが望ましい。

しかし、前記輝尽性蛍光体は、輝尽発光輝度、輝尽発光
の応答速度および残像消去速度の点すべてにおいて十分
満足のいくものではなく、これらの改良が望まれている
。

さらに前記方法において、放射線画像を読取る読取り装
置は小！ｌ′１、低価格、および簡便であることが望ま
しく、その為には励起光源としてＡｒ＋レーザやＨｅ−
Ｎｅレーザ等の〃スレーブを用いるよりも半導体レーザ
を用いることが不可決であり、従ってその方法に用いら
れる輝尽性蛍光体は半導体レー゛ずの発振波長（７５０
ｎ＋ｅｍ以上）に適合した輝尽励起スペクトルを有する
ことが望ましい。

しかし、前記輝尽性蛍光体は半導体レーザの発振波長に
対してほとんど輝尽発光を示さず、輝尽励起スペクトル
の長波長化が望まｈでいる。

（発明の目的） 本発明は被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体に吸収
せしめ、しかる後この輝尽性蛍光体を可視光線および／
＊たは赤外線の範囲にある電磁波で励起してこの輝尽性
蛍光体が！Ｆ積している放射線エネルギーを蛍光として
放出せしめ、この蛍光を検出する放射線画像変換方法に
おいて、より高輝度の輝尽発光を示す輝尽性蛍光体を用
いた感度の高い放射線画像変換方法を提供することを目
的とする。

また本発明は、励起光に対する輝尽発光の応答速度が速
い輝尽性蛍光体を泪いた高速読取り可能な放射ｌ１ＡＩ
ｉＩ像変換方法を提供することを目的とする。

また本発明は、くり返し使用の際の残像消去速度の速い
輝尽性蛍光体を用いた残像ＩＩ￥去時開時間い放射線画
像変換方法を提供することを目的とする。

さらに本発明は、輝尽励起スペクトルが近赤外領域まで
拡大した輝尽性蛍光体を用いた励起光源として半導体レ
ーザの使用可能な放射線画像変換方法を提供することを
目的とする。

更に前記目的を満足する放射線画像変換パネルを提供す
ることを目的とする。

（発明の晴成） 本発明者等は前記本発明の目的に沿って高輝度の輝尽発
光を示し、輝尽励起スペクトルが近赤外ｆｆ域まで拡大
した輝尽性蛍光体について種々検討した結果、下記一般
式（１）で表されるアルカリハライド蛍光体を含む輝尽
性蛍光体に被写体を透過したあるいは被写体から発せら
れた放射線を吸収せしめ、しかる後、二の蛍光体を可視
光及び赤外線から選ばれる電磁波で励起して蛍光体が蓄
積している放射線エネルギーを蛍光として放出せしめ、
この蛍光を検出することをＶｆ徴とする放射線画像変換
方法により、また前記要件を満たす放射線画像変換パネ
ルにより本発明の目的が達成される。

一般式（１） ％式％： ただし、Ｍ′はＬｉ、Ｎａ、に、ＲｂおよびＣｓから１
　選ぼれる少なくとも一種のアルカリ金属である。

Ｍ”はＢ　ｅ　＋　Ｍ　ｇ　＋　Ｃａ　＋　Ｓ　ｒ　＋
　Ｂ　ａ　＋　Ｚ　ｎ　＋　Ｃｄ　ＩＣｕおよびＮ１か
ら選ばれる少なくとも一種の二価金属である。Ｍ■はＳ
ｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ。

Ｅ　ｕ　＋　Ｇ　ｄ　＋　Ｔ　ｂ　＋　Ｄ　ｙ　＋　Ｈ
ｏ　＋　Ｅ　ｒ　＋　Ｔ　ｍ　ｒ　Ｙ　ｂ　＋　Ｌ　ｕ
　＋　Ａ　Ｉ　＋　Ｇ　ａおよびＩｎから選ばれる少な
くとも一種の三価金属である。

ｘ　　、ｘ’およびＸ＃はＦ、ＣＩ、Ｂｒお上びＩから
選ばれる少なくとも一種のハロゲンである。ＡはＥ　ｕ
＋Ｔ　ｂ＋Ｃｅ、Ｔ　１Ｄ　ｙ＋Ｐ　ｒ＋Ｈｏ＋Ｎ　ｄ
＋Ｙ　ｂ＋　Ｅ　ｒ＋Ｇ　ｄ＋Ｌ　ｕ、Ｓ　ｌｓ＋Ｙ　
＋Ｔ　ＩＩＮ　ａ＋Ａｇ＋ｃ　ｕおよびＭ、から選ばれ
る少なくとも一種の金属である。またａは０＜ａ＜０．
５の範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ＜（１，５の範囲の
数値であり、Ｃは０＜ｃ≦０．２の範囲の数値である。

即ち本発明に係る組成の輝尽性蛍光体は可視から赤外の
領域の電磁波で励起すると従来公知の輝尽性蛍光体より
も高輝度の輝尽発光を示し、しかも近赤外領域で特に実
用的に高感度な放射線画像変換方法が得られるものであ
る。

本発明の放射線画像変換方法は、前記一般式（１）の輝
尽性蛍光体を含有する放射線画像変換パネルを用いる形
態で実施される。

放射Ｒ画像変換パネルは、基本的には支持体と、その片
面あるいは両面に設けられた少なくとも一層の輝尽性蛍
光体層とからなるものである。また一般に、この輝尽性
蛍光体層の支持体とは反対側の表面には輝尽性蛍光体層
を化学的あるいは物理的に保護するための保１ｆｆｉが
設けられている。すなわち、本発明の放射線画像変換方
法は、支持体と、この支持体上に設けられた輝尽性蛍光
体を含有する少なくとも一層の輝尽性蛍光体層とから実
質的になる放射ａ画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍
光体層の内の少な（とも−眉が、前記一般式（Ｎで表わ
されろＶ％尽注性蛍光体含有することを特徴とする放射
線画像変換パネルを用いて実施される。

前記一般式（１）の輝尽性蛍光体はＸ線などの放射線を
吸収した後、可視あるいは赤外Ｌｉ域の光、好ましくは
５００〜９００ｎｍの波長９Ａ域の光（励起光）の照射
を受けると輝尽発光を示す、従って、被写体を透過した
、あるいは被写体から発せられた放射線は、その放射線
量に比例して、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
にｔ上れる輝尽性蛍光体に吸収され、前記放射線画像変
換パネル上に被写体あるいは被写体の放射線画像が、放
射線エネルギーをＭｆｆｌした潜像として形成される。

この潜像は、５００＋ｍ以上の波長頭載の励起光で励起
することにより、蓄積した放射線エネルギーに比例しな
輝尽発光を示し、この輝尽発光を光電的に読み取ること
１こより、放射線エネルギーを蓄積した潜像を可視画像
化することが可能となる。

以下本発明の詳細な説明する。

第１図は、本発明の放射線画像変換方法に用いられる前
記一般式（１）で示される輝尽性蛍光体の励起光に対す
る応答特性を従来の方法に用いられる輝尽性蛍光体と比
較して示す。

第１図において（ａ）は本発明の放射線画像変換方法に
用いられる輝尽性蛍光体の励起光に対する応答特性であ
り、（ｂ）および（ｃ）は従来の方法に用いられる輝尽
性蛍光体　ＢａＦＢｒ：Ｅｕ　　およＩＢａＦＣｌ、：
Ｅｕの応答特性である。また破線は強度が矩形状に変化
する励起光の様子を示して−る。

第１図から明らかなように、本発明の放射線画像変換方
法に用いられる輝尽性蛍光体は、励起光に対する応答特
性が着しく優れており、放射線画像の読取速度を従来の
方法に比較して高速化することが可能である。

第２図は本発明の放射線画像変換方法に用いらｈる前記
一般式（１）で示される輝尽性蛍光体の残像消去特性を
従来の方法に用いられる輝尽性蛍光体として比較して示
す。

第２図において（ｄ）は本発明の放射線画４１！、変換
方法に用いられる輝尽性蛍光体に放射線を一定量照射し
た後タングステンランプ光で蓄積エネルギーを消去した
時の？積エネルギーの減衰特性であり、（ｅ）および（
ｆ）は従来の方法に用いられる輝尽性蛍光体ＢａＦＢｒ
：ＥｕおよびＢａＦＣｌ：Ｅｕを前記と同様にしてｄ定
した場合の蓄積エネルギーの減衰特性である。

第２図から明らかなように、本発明の放射線画像変換方
法に用いられる輝尽性蛍光体は蓄積エネルギー（残像）
の減衰速度が大きく、残像の消去時間を従来の方法に比
較して短線することが可能である。

第３図は、本発明の放射線画像変換方法において、前記
一般式（１）で示される輝尽性蛍光体を放射＃１画像変
換パネルの形態で用いる叉施態様例の概略を示す。

第３図において１１は放射線発生装置、１２は被写体、
１３は前記一般式（１）で示される輝尽性蛍光体を含有
する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射１
ｔｉｉ像変換パネル、１４は放射ｌ１ｌＩ像変換パネル
１３の放射線潜像を蛍光として放出させるための励起光
源、１５は放射緑画像変換パネル１３より放出された蛍
光を検出する充電変換装置、１６は光電変換装置１ｉ１
５で検出された光電変換信号を画像として再生する装置
、１７は再生された画像を表示する装置、１８は光源１
４からの反射光をカットし、放射線画像変換パネル１３
より放出された光のみを透過させるためのフィルターで
ある。尚、第３図は被写体の放射線透過像を得る場合の
例であるが、被写体１２自体が放射線を放射する（被写
体）場合には、前記放射ａ発生装５！１１は待に必要な
い。また、光電変換装置１５以降はパネル１３からの光
寸青報を何らかの形で画像として再生できるものであれ
ばよく、前記に限定されるものではない。第３図に示さ
れるように、被写体１２を放射籾発生装ｒａｊｌと放射
録画像変換パネル１３の間に配置し放射線を照射すると
、放射線は被写体１２の各部の放射線透過率の変化に従
って透過し、その透過像（すなわち放射線の強弱の像）
が放射線画像変換パネル１３に入射する。この入射した
透過像は放射線画像！！ｉ換パネル１３の輝尽性蛍光体
層に吸収され、これによって輝尽性蛍光体層中に吸収さ
れた放射線量に比例した数の電子お上Ｖ／または正孔が
発生し、これが輝尽性蛍光体のトラップレベルに蓄８！
される。

すなわち放射線透過像のエネルギーを蓄積した潜像が形
成されろ０次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在
化する。すなわち可視あるいは赤外ｌＩ域の光を放射す
る光ａ１４によって輝尽性蛍光体層に照射してトラップ
レベルに１積された電子お上り／または正札を追い出し
、蓄積されたエネルギーを蛍光として放出せしめる。こ
の放出された蛍光の強弱は蓄積された電子お上Ｖ／また
は正札の数、すなわち放射線画像変換パネル１３の輝尽
性蛍光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例
しており、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変
換装Ｆ１１５で電気信号に′！ｉ換し、画像処理装ｒ！
１１６に上って画像として再生し、画像表示装置１７に
よってこの画像を表小する。画像処理装置１６は旋に電
気信号を画像信号として再生するのみでなく、いわゆる
画像処理や画像のω（算、画像の記憶、保存等ができる
ものを使用するとより有効である。

また本発明の方法において光エネルギーで励起する際、
励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される蛍光と
を分離する必要があることと輝尽性蛍光体層から放出さ
れる蛍光を受光する充電変換器は一般に６００ｎ−以下
の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという
理由から、輝尽性蛍光体層から放射される蛍光はできる
だけ短波長領域にスペクトル分布をもったものが望まし
い。

本発明に係る方法に用いられる輝尽性蛍光体の発光波長
域は３００〜５００ｎｍであり、一方励起ｉ長域は５０
０〜９００ｎａ＋であるので前記の条件を同時に６４な
すものである。

すなわち、本発明に用いられる前記輝尽性蛍光体はいず
れら５００ｎｍ以下に主ピークを有する発光を示し、励
起光との分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく〜
致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を
高める、ことができる。

本発明の方法に用いられるＭｉｈ起尤源１４としては、
放射線画像変換パネル１３に使用される輝尽性蛍光体の
輝尽励起波長を含むｔ源が使用される。特にレーザ尤を
用いろと光学系が簡単になり、又、励起光強度を大きく
することができるために輝尽発光効率をあげることがで
き、より好ましい結果が得られる。レーザとしては、Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ
、Ｋｒイオンレーザ、Ｎ２レーザ、ＹＡＧレーザ及びそ
の第２高調波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色
素レーザ、Ｗ４蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある
。通常はＨｅ−ＮｅレーザやＡｒイオンレーザのような
連続発振のレーザが望ましいが、パネル１画素の走査時
間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いる
ことらできる。又、フィルター１８を用いずに特開昭５
９−２２０４６号に示される発光の遅れを利用して分離
する方法によるときは、連続発振レーザを用いてＶ調す
る上りらパルス発振のレーザを用いる方が好ましい６ 上記の各種レーザ光源の中で、半導体レーザは小型で安
価であり、しかも変調器が不変であるので特に好ましい
。

フィルタ１８としては放射線画像変換パネル１３から放
射される輝尽発光を透過し、励起光をカットするもので
あるから、これは放射線画像変換パネル１３に含有する
輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と励起光源１４の波長の組
合わせによって決定される。

例えば、輝尽励起波長が５００〜９００ｎｍで輝尽発光
波長が３００〜５００ｎｍにあるような実用上好ましい
組合わせの場合、フィルタとしては例えば東芝社製Ｃ−
３９，Ｃ−４０，Ｖ−４０，Ｖ−４２，Ｖ−４４、コー
ニング社製？　−５４，７−５９、スくクトロフイルム
社製ＢＧ−１，８Ｇ−３，ＢＧ−２５，ＢＧ−３７゜８
Ｇ−３８等の紫〜青色の色〃ラスフィルタを用いること
がでさる。又、干渉フィルタを用いると、ある程度、任
意の特性のフィルタを選択して使用できる。

光電変換装置１５としては、光電管、尤電子倍増管、７
オトダイオード、７オトトランノスタ、太陽電池、尤導
電素了等尤？、の変化を電気信号の変化に変換し得るも
のなら何れでもよい。

次に本発明の放射線画像変換方法に用いられる放射線画
像変換パネルについて説明する。

放射線画像変換パネルは、前述のように支持体とこの支
持体上に設けられた前記一般式（１）で表される輝尽性
蛍光体を含有する少なくとも一層の輝尽性蛍光体層とか
ら構成される。

前記一般式（１）で表わされる輝尽性蛍光体は、輝尽発
光輝度の点から一般式（１）におけろＭ’　としては、
Ｎａ、に、Ｒｈお上ＶＣ５から選ばれる少なくとも一種
のアルカリ金属が好ましく、特にＲｈおよびＣｓから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属が好ましい。Ｍ”
としては、３　ｅ、Ｍ　ｇ＋ＣａｔＳ「およびＢａから
選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属が好ましく
、ＭｌｌとしてはＹ、Ｌａ。

Ｌｕ、Ｓ＋＋＋、ＡＩ、Ｇａ、ＧｄおよびＩｎから選ば
れる少なくとも一種の三価金属が好まし−１゜Ｘ″とし
ては、Ｆ、ＣＩおよびＢｒから選ばれる少なくとも−種
のへ口ｒンが好ましい、Ｍ’Ｘ２′の含有率を表ｂｊａ
値およびＭ■Ｘ、“の含有率を表わすｂ値はそれぞれ、
Ｏ≦ａ＜０．４お上りＯ≦ｂ≦１０−２の範囲から選ば
れるのが好ましい。ａ値がａ＞０．５の場合には輝尽発
九輝度が急激に低下し特に好ましくない。

前記一般式（１）において、賦活剤ＡとしではＥｕ＋Ｔ
ｂ＋Ｃｅ＋Ｔｍ＋Ｄｙ＋Ｈｏ＋Ｇｄ、Ｌｕ＋Ｓｍ＋Ｙ　
＋Ｔ　ＩおよＶＮａから選ばれる少なくとも一種の金属
が好ましく、特にＥｕ、Ｃｅ、Ｓｍ、ＴＩおよびＮａか
ら選ばれる少なくとも一種の金属が好ましい。また、賦
活剤の量を表すＣ値は１０−’　＜　Ｃ＜　０．１の範
囲から選ばれるのが輝尽発光輝度の点から好ましい。

本発明に係る輝尽性蛍光体Ｍ　’Ｘ−ａＭ　”Ｘ　２’
　　・ｂＭ＠Ｘ３“：ＣＡは、例えば以下に述べる！！
！遣方法ｔこよって９１造される。

まず輝尽性蛍光体原料としては、 １　　）　　ＬｉＦ、　　ＬｉＣｌ、　　Ｌｉａｒ、　
　Ｌｉ１．　　ＮａＦ、　　ＮａＣ１，ＮａＢｒ。

Ｍａｌ、にＦ、にＣｌ＝　ＫＢｒ、　Ｋｌ、　ＲｂＦ、
　ＲｈＣｌ、　ＲｂＢｒ。

Ｒｂｌ、　ＣｓＦ、　ＣｓＣｌ、　ＣｓＢｒ、　Ｃｓｌ
のうちの１種もしくは２種以上、 ＩＩ　）　ＢｅＦ２＋　ＢｅＣ１ｚｔ　ＢｅＢｒ２．　
Ｂｅ１ｚ＋　ＭｇＦｚｔ　Ｍ［ｌＣＬ＋ＭｇＢｒ７．　
Ｍ［ｌＩｚｗ　ＣａＦ２＋　ＣａＣｌ２．　ＣｄＢｒ２
＋　Ｃａ１ｚ＋５ｒＦｚ＋５ｒＣ１，、５ｒＢｒ２．５
ｒｌｔ＋　ＢＩＩＦ２．８ＩＣＩ２．　ＢａＢｒ２゜Ｂ
ａＢｒ、　・２１１２０．　Ｂａ１２．２ｎＦ２．　Ｚ
ｎＣ１，、ＺｎＢｒｚ＋Ｚｎ１ｚｔＣｄＦ、＋　ＣｄＣ
Ｌ、ＣｄＢｒ２＋　Ｃｄ１２１　ＣｕＦｚ−ＣｕＣｌｚ
、ＣｕＢｒｚ。

Ｃｕｌ＋　Ｎ＋Ｆ２．　Ｎ１ｃ１２．　Ｎ１Ｂｒｚ、　
Ｎｉ１２のうちの１種もしくは２４１１以上 ■）　５ｃＦ＝、５ｃＣ１３＋　５ｃＢｒ−Ｓｃ［−１
ＹＦｚ−ＹＣｌ＊、ＹＢｒｚ。

Ｙ１３１ＬａＦ＝＋　ＬａＣｌ５．ＬａＢｒ＝＋　Ｌａ
１ｎ＋　　ＣｅＦｓ、Ｃｅ１ｚ。

ＣｄＢｒ２＋　Ｃｅ１３ｖ　ＰｒＦｆｆ＋　ＰｒＣｌ３
．　ＰｒＢｒｚ＋　Ｐｒ１ｓ＋ＮｄＦｚ＋ＮｄＣｌ５ｔ
　　ＮｄＢｒ＝ｔ　　Ｎｄ１ｓｌ　ＰｍＦ３．　ＰｓＣ
ｌｚ＋　　ＰｓＢｒｓ＋Ｐａ１２．　　ＳｍＦ３．　Ｓ
ｍＣｌ３＋　　ＳｍＢｒ３＋　　Ｓｓｌ、ｖ　　ＥｕＦ
＊＋ＥｕＣｌ３゜ＥｕＢｒ、、　Ｅｕｌ、、　ＧｄＦ、
、　ＧｄＣｌ、、　ＧｄＢｒ、、　Ｇｄ１３．ＴｂＦ、
。

ＴｂＣｌ１．　ＴｂＢｒ５＋　Ｔｂ１３．　　ＤｙＦｚ
＋　ＤＹＣｈ＋ＤＦＢｒｉ＋ＤＩＴＩｚ＋１１ｏＦ３．
　ＨｏＣ１５＋　）ｌｏＢｒ３．　Ｈｏｔ、、　ＥｒＦ
ｓ＋　ＥｒＣ１ｚ。

ＥｒＢｒ、、　　Ｅｒ１ｚ、　　ＴｍＦ、、　　ＴｍＣ
ｌ５．　　ＴｂＢｒ５＋　　Ｔｅｌ、、ＹｂＦ、。

ＹｂＣｌ、、　ＹｂＢｒ＝、　Ｙｂｌ、、　　ＬｕＦ、
、　ＬＬＩＣＩ３．　ＬｕＢｒ＝＋しＬｉ７．　八１Ｆ
１．　＾１ｃｌｆｆ、　　八ｌＢｒ、、　　八１１ｉ＋
　　ＧｄＦｚ、ＣａＣ１１゜ＧｄＢｒｚ＋　Ｇｄ１ｓ＋
　ＩｎＦ＊＋　ＩｎＣＩｍ、　ＩｎＢｒｚ−１ｎｌ＊　
のうちの１種もしくは２種以１−す５よび ＩＶ）Ｅｕ化合物群、「ｂ化合物群、Ｃｅ化合物群、Ｔ
−化合物群、Ｏｙ化合物群、Ｐｒ化合物群、ｌｌｏ化合
物群、Ｎｄ化合物群、ｙｂ化合物群、Ｅｒ化合物群、Ｇ
ｄ化合物群、Ｌｕ化合物群、Ｓ１１化合物群、Ｙ化合物
群、ＴＩ化合物群、Ｎａ化合物群、へｇ化合物群、Ｃｕ
化合物群、Ｍ、化合物群のうちの１種もしくは２種以上
の付活剤原料 が用いられる。

化学量論的に一般式（１）で示される Ｍ　’　Ｘ　”　ａＭ　’Ｘ　２°　・ｂＭ”、Ｘ３°
’　：ｃＡに於いて、０＜ａ＜０．５　　好ましくは　
０＜ａ（０，４，０≦ｂ＜ｏ、ｓ　　好ましくは　０≦
ｂ≦１０−２、Ｏｄｅ≦Ｇ、Ｚ　　好ましくは　１０−
’＜ｃ＜０．１、の混合組成になるように上記Ｉ）〜■
）の輝尽性蛍光体原料を秤量し、乳針、ボールミル、ミ
キサーミル等を用いて充分に混合する。

次に、得られた輝尽性蛍光体原料混合物を石芙ルツボ或
はアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で
焼成を行う。焼成温度は５００乃至１０００℃が適当で
ある。焼成Ｅ？ｆ７１１は原料混合物の充填量、焼成温
度等によって異なるが、一般には０．５乃至６時間が適
当である。焼成界Ｂ％としては少量の水素〃スを含む窒
素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気
等の弱還元性雰囲気、あるいは窒素ガス雰囲気、アルゴ
ンがス雰Ｉ！ＩＩ気等の中性７Ａ凹気が好ましい、なお
、上記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉か
ら取り出して粉砕し、しかる後焼成物粉末を再び耐熱゛
性容器に充填して電気炉に入れ、上記と同じ焼成条件で
再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めることがで
きる。また、ｉ酸物を焼成温度より室温に冷却する際、
焼成物をＷ１Ｘ炉から取り出して空気中で放冷すること
によっても所望の輝尽性蛍光体を得る二とができるが、
焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気のま
まで冷却する方が、得られｐ輝尽性蛍光体の輝尽による
発光輝度をさらに高めることができる。また、焼成物を
電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰
囲気もしくは中性＄囲気で急冷することによｌ、得られ
た輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高める
ことができろ、 焼成後得られる輝尽性蛍光体を粉砕し、その後洗浄、乾
燥、篩い分は等の蛍光体製造に於いて一般に採用されて
いる各種機作によって処理して本発明に係ろ輝尽性蛍光
体を得る。

本発明の放射線画像変換パネル１３に使用されるｌＩＩ
尽性蛍光体の平均粒子径は、通常、放射線画像変換パネ
ル１３の感度と粒状性を考慮して、平均粒子径０．１〜
１００ＪｊＩの範囲において適宜選択される。

更に好ましくは、平均粒子径が１〜３０ｕｍのものが使
用される。

本発明の放射線画像変換パネル１３において、一般的に
は、本発明に係る輝尽性蛍光体は適当な結着剤中に分散
され、支持体に塗布される。結着剤としては、例えばゼ
ラチンのような蛋白質、デキストランのようなポリサッ
カライド又はアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポ
リ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、
塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルツ
タクリレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポ
リウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビ
ニルアルコール等のような、通常、層形成に用いられる
結着剤が使ＪＩＩされろ。

一般に、結着剤は、輝尽性蛍光体１重量部に対して０．
０１〜１重ｆｉ部の範囲で使用される。しかしながら、
得られる放射線画像変換パネル１３の感度と鮮鋭度の点
では、結着剤は少ない方が好ましく、塗布の容易さとの
兼ね合いから０．０３〜０．２重量部の範囲がより好ま
しい。

更に、本発明の放射線画像変換パネル１３においては、
一般に、輝尽性蛍光体層の外部に露呈する面（蛍光体層
基板の底部でＦ１ａされない面）に、輝尽性蛍光体層を
物理的或いは化学的ｌこ保護するための保１４Ｍが設け
られる。この保護層は、保護層用材料痕をＩＩＩＩ尽性
蛍光性蛍光体層上塗布して形成してもよいし、或いは予
め別途形成された保護層を、１１ＩＩ尽性蛍光体層上に
接着してもよい。

保：１１層の材料としては、ニトロセルロース、エチル
セルロース、セルロースアセテート、ポリエステル、ポ
リエチレンテレフタレート等のような通常の保護層用材
料が用いられろ。

尚、この保護層は、師尽発尤尤を透過し、又、励起光の
照射が保護層側から行なわれる場合には、励起光を透過
するものが選ばれる。また好ましい膜厚としては約２〜
４０−である。

次に、放射６画像変換パネル１３の９１造法の一例を以
下に示す。

まず粉砕された輝尽性蛍光体粉末と結着剤及び溶剤を混
合し充分に混線し輝尽性蛍光体の均一分散した塗布液を
調合する。

前記溶剤としては、メタ／−ル、エタノール、ｎ−プロ
パノール、ｎ−ブタノール等の低級アルコール類、メチ
レンクロライド、エチレンクロライド等の塩素含有炭化
水素類、７セトン、メチルエチルヶＦン、メチルイソブ
チルケトン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ブチル等の低級エステル類、ノオキサン、エチレング
リコールモノ／チルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテル等のエーテル類が挙げられる。尚これら
溶剤は混合して使用してもよい。

更に塗布液中の輝尽性蛍光体の分散性を補完するための
分散剤或いは塗布乾燥後の結着剤と該蛍光体粒子との接
合性を保証するための町Ｗ！剤等の有泪な種々の添加剤
が添加されてもよい。

前記分散剤としては、７タル酸、ステアリン酸、カブク
ン酸或いは親油性表面活性剤等が挙げられる。

前記可塑剤としては、燐酸トリフェニル、燐酸トリフレ
ノル、燐酸ノ７ヱニル等の燐酸エステル類、７タル酸ノ
エチル、７タル酸ノメトキンエチル等の７タル酸エステ
ル類、グリコール酸エチル７タリル、Ｌチル、グリコー
ル酸ブチル７タクリルプチル等のグリフール酸エステル
類、更にトリエチレングリコール−アジピン酸ポリエス
テル、ノエチレングリコールー琥珀酸ポリエステル等の
ポリエチレングリフ−ルー脂肪族二塩基酸ポリエステル
Ｍ等を挙げることができる。

前記のように調合された塗布液は一般に行なわれる塗布
方法例えばロールコータ法、ブレードドフター法等によ
り支持体に均一に塗布され輝尽性蛍光体層が形成される
。

本発明に用いられる支持体としては各種合成樹脂シート
（例えばセルロースアセテート、ポリエステル、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、トリ
アセテート、ポリカーボネイト等のシート）、各種金属
シート（例えばアルミニウム、アルミニウム合金等のシ
ート）、各種紙シート（例えばバライタ紙、レノンコー
ト紙、ピグメント紙等のシート）等を挙げることができ
る。

前記輝尽性蛍光体層の乾燥厚みは、放射線画像変換パネ
ルの使用目的によって、またＩＩ！Ｉ尽蛍光体の種類、
結着剤と輝尽蛍光体との混合比等により変化するが、一
般には、１〇−乃至ｔｏｏｏ−が適当であり、好ましく
は８０ｎ乃至６００　ＪＪｓである。

なおまた、放射線画像変換パネル１３に形成される画像
の鮮鋭度を高めるために、例えばｖｆ開昭５５−１４６
４４７号に記載されているように輝尽性蛍光体層に白色
粉末を分散させるようにしてもよいし、又、特開昭５５
−１６３５００号に記載されているように輝尽性蛍光体
層に励起光を吸収するような着色剤を分散させるように
して輝尽性蛍光体層の画像の鮮鋭度を高めたり、励起光
を吸収させるために適度に着色してもよい。更に、この
放射線画像変換パネル１３の鮮鋭度及び感度を向上させ
る目的で特開昭５６−１１３９３号に開示されているよ
うに支持体と輝尽性蛍光体層との間に光反射屑を設ける
ようにしてもよい。

さらに本発明の放射緑画像変換パネルは、前述の塗布方
法により得られる池に、真空蒸着法、スパッタリング法
などにより蛍光体層を支持体上に得ることができる。こ
の場合、結着剤が不要となり、輝尽性蛍光体の充填密度
を増大でさ、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変
換パネルが得られる。

以上のようにして元られた本発明に係る蛍光体Ｍ　’Ｘ
−ａＭ　”Ｘ　２’　　・ｂＭ　”Ｘ　３−　：ｃＡ　
　の輝尽による発光スペクトルを第４図に例示した。具
体的組成は下記の通りである。

（ａ）　ＲｂＢｒ　・０．０５ＢａＦＢｒ　・０．０１
＾ＩＦ、”、Ｏ，０ＯＩＥｕ（ｂ）　０．９９ＲｈＯｒ
　・０．０ＩＣｓＦ−０，０５ＢａＦＣ１・Ｏ，ＯＩｌ
、ａＦｘ：０．０ＯＩＴＩ （ｃ）　　Ｃ８Ｂｒ　　−０，０５１ｆａＦＣｌ　　・
　０．０１ＹＦ、：０．００２Ｔｌこれら輝尽性蛍光体
に８０ＫＶ、＋のＸ線を照射した後、該蛍光体を発振波
長が７８ｏｎ−の半導体レーザーで励起することによっ
て測定した発光スペクトルである。

また第５図に本発明に係る蛍光体 Ｍ　’Ｘ−ａＭ　”Ｘ　２’　　・ｂＭ”Ｘ　ｓ”　：
　ｃＡの輝尽の励起スペクトルを例示した。８０ＫＶ＋
＋のＸ線が照射されｒ：、曲記輝尽性蛍尤体（ａ）、　
（ｂ）及び（ｃ）の輝尽の励起又ベクトルである。

（実施例） 犬に実施例によって本発明を説明する６天施例１ 各輝尽性蛍光体原料を下記（１）〜（２１）に示される
ように秤量した後、ボールミルを用いて充分に混合して
２１種類の輝尽性蛍光体原料混合物を調合した。

（１）　　Ｎａｌ　　　１４９．９ｇ　　　　（１モル
）ＢａＦ２１７．５４１１　　　（０，１モル）ＹＦ３
　　　１．４６４ｇ（０，０１モル）εＬ１２ｏ３　　
　０．１７６ｇ　　　（０，０００５モル）（２）　　
にＢｒ　　　１１９．Ｏｇ　　　　（１モル）ＢａＦ２
　　１フ、５４［１（０，１モル）ＹＦ３　　　　１．
４６ｇ　　　（０，０１モル）［：ｕ２０＝　　　　０
．１７６ｇ　　　（０，０００５モル）（３）　　にＩ
　　　　１６６、Ｏｇ　　　　（１モル）ＢａＦｚ　　
　１７．５４ｇ　　　（０，１モル）＾ＩＦ、　　　　
０．８４０ｇ　　　（０，０１モル）Ｅｕ２０＝　　　
Ｏ，１７６ｇ　　　（０，０００５モル）（４）　　Ｒ
ｈＣｌ　　　１２０．９ｇ　　　（１モル）ＣＩＬＦ２
　　　　７．８１ｇ　　　（０，１モル）＾ＩＦ３　　
　　０．８４０ｇ　　（０，０１モル）ＥｕｚＯｓ　　
　　Ｏ，１７６ｇ　　（０，０００５モル）（５）　　
ＲｂＢｒ　　　１６５．４ｇ　　　（１モル）［１ａＦ
２１７．５４［＋　　　＜０．１モル）ＢａＢｒｚ２Ｈ
２０３３，３１ｇ　　（０，１モル）Ｅｕ２０ｓ　　　
　０．１７６＆　　（０，０Ｏ０５モル）（６）　　Ｒ
ｂＢｒ　　　１６５．４ｇ　　　（１モル）ＢａＦｚ　
　　　１７．５４ｇ　　　＜０．１モル）ＢａＢｒ＊・
２Ｈ２Ｇ　　３３．３１ｇ　　（０，１モル）Ｎｚ０　
　　　０，２１２ｇ　　（０，０００５モル）（７）　
　ＲｂＢｒ　　　１Ｂ５．４ｇ　　　（１モル）ＢａＦ
２２６．３１ｇ　　　（０，１５モル）ＢａＢｒｚ　・
２Ｈ＊０　４９．９７ｇ　　（０，１５モル）Ｔ１０　
　　０，４２４ｇ　　（０，００１モル）（８）　　Ｒ
ｂＢｒ　　　１６５．４ｇ　　　（１モル）ＢａＦｔ　
　　　２６，３１ｇ　　　（０，０１５モル）ＢａＣＬ
　　　３１．２３ｇ　　　（０，１５モル）ＮａＦ　　
　　　Ｏ，００８４ｇ　（０，０００２モル）（９）　
　ＲｂＢｒ　　　１６５，４１１　　　（１モル）Ｂａ
Ｆ、　　　　１７．５４ｇ　　　（０，１’ｔ：　ｋ　
）＾ｌＦａ　　　　０．８４０ｇ　　（０，０１モル）
ＴＩＢｒ　　　　Ｇ、２８４ｇ　　（０，００１モル）
（１０）　ＲｂＢｒ　　　１５７．１４　　　（０，９
５モル）ＣｓＦ　　　　　７．６０ｇ　　　（０，０５
モル）Ｂａｄ、　　　　１７．５４ｇ　　　（０，１モ
ル）＾ＩＦｓ　　　　　Ｏ，８４０ｇ　　（０，０１モ
ル）Ｔ１□０　　　　０．２１２ｇ　　（０，０００５
モル）（１１）ＲｂＢｒ　　　　１５７．Ｉｇ　　　　
（０，９５モル）Ｌｉｌ　　　　　　６．６９ｇ（０，
０５モル）１１ａＦ２　　　　１７．５４ｇ（０，１モ
ル）＾ＩＦ５０．８４０ｇ　　（０，０１モル）ＴＩＪ
、０．２２８ｇ　　（０，０００５モル）（１２）　Ｔ
ｂｌ　　　　　２１２．４ｇ　　　（１モル）ＭｇＦｚ
　　　　６２．３１ｇ　　　（０，１モル）八ｌＦ３　
　　　０．８４０＋ｒ　　（０，０１モル）Ｅｕ２０ｔ
　　　　　０．１７６ｇ　　（０，０００５モル）（１
３）　ＣｓＦ　　　　１５１．９＋ｒ　　　（１モル）
ＢａＦｚ　　　　　１７，５４ｇ　　　（０，１モル）
ＬａＦ＊　　　　　１．９６ｇ　　　（０，０１モル）
ＥｕＦｉ　　　　　０．２０９［＋　　（Ｇ、００１モ
ル）（１４）　ＣｓＢｒ　　　　２１２．ｋ　　　（１
モル）ＢａＦｚ　　　　　１７．５４ｇ　　　（０，１
モル）［１ａＢｒｚ　　　　２９．７１ｇ　　　（０，
１モル）Ｔ１□Ｏ０，２１２ｇ（０，０００５モル）（
１５）　ＣｓＢｒ　　　　２１２．８ｇ（１モル）［ｔ
ａＦｚ　　　　　１７．５４ｇ　　　（０，１モル）Ｂ
ａＣｌｚ　　　　２０．８２ｇ　　　（０，１モル）ｒ
ｌ、ｏ　　　　　０．２１２ｇ　　（０，０００５モル
）（１６ンＣｓ１ｌｒ　　　　２１２．８＋ｒ　　　（
Ｉモル）８ａＦ２　　　　１７．５４ｇ　　　（０，１
モル）Ｔｌ２Ｏ０，２１２ｇ　　（０，０００５モル）
（１７）　Ｃ５Ｄｒ　　　　２１２．８ｇ　　　（１モ
ル）ＢａＢｒｚ　　　　２９．７１ｇ　　　（０，１モ
ル）■１□０　　　　０．２１２ｇ　　（０，０００５
モル）（１８）　ＣｓＢｒ　　　　２１２．８ｇ　　　
（１モル）ＹＣＩｒ　　　　　Ｏ，９７６ｇ　　（０，
００５モル）Ｔｌ２Ｏ０，２１２ｇ　　（０，０００５
モル）（１９）　ＣｓＢｒ　　　　２１２．８ｇ　　　
（１モル）ＶＣＩ３　　　　１９．５３ｇ　　　（０，
１モル）Ｔｌ２Ｏ０，２１２ｇ　　（０，０００５モル
）（２０）　ＣｓＢｒ　　　　２１２．８ｇ　　　（１
モル）ＶＣＩ、　　　　　７８．１１ｇ　　　（０，４
モル）Ｔｌ２Ｏ０，２１２＋ｒ　　（０，０００５モル
）（２１）　Ｃｓｌ　　　　　２５９．８ｇ　　　（１
モル）ＢａＣＩｚ　　　　２０．８２ｇ　　　（０，１
モル）＾ＩＦｘ　　　　　０．８４０ｇ　　（０，０１
モル）Ｅｕ２０ｉ　　　　　０．１７６ｇ　　（０，０
００５モル）犬に前記２１種類のＩＩＩ尽性蛍尤体原料
混合物をそれぞれ石英ボートに詰めて電気炉に入れ焼成
を行った。焼成は２容量％の水素〃スを含む窒素〃スを
流速２５００ｃｃ／分で流しなから６５０°Ｃで２時間
行い、その後室温まで放冷した。

得られた焼成物をボールミルを用いて粉砕した後、１５
０メツシ二の篩にかけて粒子径をそろえ、それぞれの輝
尽性蛍光体を得た。

次に前記２１種類の輝尽性蛍光体を用いて本発明の放射
ａｌＷ像変換パネルを型造した。いずれの放射線画像変
換パネルも以下のように９１　？ＬＬな。

まず輝ノ？性蛍光体８重量部をポリビニルブチラール（
結着Ｍ）１重ｆｆｉ部にア七トンと酢酸エチルを等呈混
合しｊこ溶剤を用いて分散させ、これを水平に置いたポ
リエチレンテレフタレートフィルム（支持体）上にワイ
ヤーバーを泪いて均一に塗布し自然乾燥させることによ
って膜厚が約３００−の本発明の放射線画像変換パネル
を作成した。

この２１ｆ！１類の本発明の放射線画像変換パネルをＸ
線管球焦点からｔｏｏ　ｃ、の距離において管電圧８０
ＫＶ１＋、管電流１００−＾のＸ線を０．１秒照射した
後、これを半導体レーザー光（７ＢＯｎ＋ｍ、　１０ｍ
１ｌ）で励起し、その輝尽性蛍光体Ｒ４から放射される
輝尽による蛍光を光検出器で測定した。結果を第１表に
示す。

比較例１ 実施例１において輝尽性蛍光体原料をＢａＦ。

１７５．４ｇ（１モル）　、ＢａＢｒ、・２８２０　３
３３．３ｇ（１モル）およびＥ　ｕ２０　ｙ　　Ｏ，３
５２ｇ（０，００１モル）としたこと以外は実施例１と
同様にして輝尽性蛍光体ＢａＦＢｒ：０．０ＯＩＥｕを
得た。この輝尽性蛍光体を用いて実施例１と同様にして
比較の放射線画像変換パネルを作製し、半導体レーザー
（７８０ｎｍ、１０ｍＷ）を用いて輝尽発光輝度を測定
した。結果を第１表にて併記する。

比較例２ 比較例１において半導体レーザを用いる代わりにＨｅ−
Ｎｅレーザ（６３３ｎｍ、１０ｍＮ）を用いた以外は比
較例１と同様にして輝尽発光輝度を測定した。

結果を第１表に併記する。

第　　１　　表 ｆｆ１１表より本発明に係る前記試料（１）〜（２１）
の輝尽性蛍光体を用いて９１造した本発明の放射線画像
変換パネルの輝尽による発光輝度は、比較例１に示した
、従来の輝尽性蛍光体ＢａＦＢｒ：Ｅｕを用いて製造し
た比較の放射親画像変換パネルの同一条件で測定した輝
尽による発光輝度よりも高く、従って本発明の放射＃１
画像変換パネルを使用する本発明の放射線画像変換方法
は比較の放射線画像変換パネルを使用する従来の放射線
画像変換方法よりも高感度であった。

ところで比較例１で取り上げた、従来の輝尽性蛍光体Ｂ
　ａＦ　Ｂ　ｒ：Ｅ　ｕｌ！輝尽励起スペクトルのピー
ク波長が６００ｎｍ付近にあり、励起光源としては、Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザ光（６３３ｎｗ＋）が待に好ましいとさ
れている　（特開昭５５−１５０２５等）、そこで、Ｂ
ａＦＢｒ：Ｅｕを用いて製造した比較の放射線画像変換
パネルについては、前記輝尽発光輝度の洞穴方法におい
て、半導体レーザ（７８０ｎ＋＊）をＨｅ−Ｎｅレーザ
（６３３ｎｍ）に変え、それ以外は同一条件で測定して
比較例２として前記第１表に示したが、比較の放射ｄ画
像Ｓ、換パネルは本発明のいずれの放射線画像変換パネ
ルよりも輝尽発光輝度が低かった。従って、本発明の放
射線画像変換パネルを使用する本発明の放射ｍ画像変換
方法は、励起光源として半導体レーザを使用できるので
、Ｈｅ−Ｎｅレーザを使用する従来の放射ｍ画像変換方
法よりも小型化でさると同時に高感度であった。

実施例２ 実施例１で作成した輝尽性蛍光体（１０）を用いた本発
明の放射線画像変換パネルに実施例１と同様にｘ＃Ｉを
照射した後、強度が矩形状に変化する励起光としてのＨ
ｅ−Ｎｅレーザを１０μＳｅｅ間照射し、輝尽性蛍光体
層から放射される輝尽発光の輝度変化を光検出器で測定
した。輝尽発光の輝度変化が１０％から９０％まで変化
するのに要する時間をＦｌ［尽性蛍光体の励起光に対す
る応答速度として求め第２表に示す。

比較例３ 実施１ｆｆ２において本発明の放ＩｔｌｌＡＲ像変換パ
ネル（１０）を用いる代わりに比較例１で作成した比較
の放射線画像変換パネルを用いた以外は実施例２と同様
にして応答速度を求めた。

結果をｆｊＳ２表に示す。

メー゛・ 以（５粂Ｙ余′白 一′−ｚ、パ 第　２　表 、り′−〕 第２表より、本発明に係る輝尽性蛍光体は比較の輝尽性
蛍光体に比べ応答速度が約３倍速く、本２明に係る輝尽
性蛍光体を用いる放射線ｌｌ！ｆｆ像変換り法における
放射緑画像の読取速度を比較の輝尽性蛍光体を用いる時
よりも３倍高速にすることが可能である。

実施例３ 実施例２で使用した本発明の放射線画像変換パネルに実
施例１と同様にＸ線を照射した後、１万ルツクスのハロ
ゲンランプで１０秒間蓄積エネルギーを消去した。犬に
これをＨｅ−Ｎｅレーザ（ｉｏ＋Ｊ）で励起してＩＩＩ
Ｉ尽性蛍光性蛍光体層射される輝尽発光輝度を光検出器
で測定した。測定結果は、ハロゲンランプによる消去前
の輝尽発光輝度を１として第３表に示す。

比較例４ 実施例３において、本発明の放射線画像変換パネルを用
いる代わりに比較例１で作成した比較の放射線画像変換
パネルを用いた以外は実施例３と同様にして輝尽発光輝
度を測定した。測定結果は７：施例３と同仔に、ハロゲ
ンランプによるｔｉ’？夫前の輝尽発光輝度を１として
ｔｔＳ３表に示す。

２−−′、 以（！１．復、゛０ 一ユン 第３表 第３表より、本発明に係る輝尽性蛍光体は比較の輝尽性
蛍光体に比べＩＩｂｔエネルギー（残像）の消去速度が
約４　ｆｅ速く、本発明に係るｆｌｌ尽性蛍尤蛍光用い
る放射線画像変換方法における残像消去時間を比較の輝
尽性蛍光体を用いる時よりも１／４に短縮することが可
能である。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明に係る輝尽性蛍光体は放射
線に対する感度が高いため、本発明の放射線画像変換方
法をＸ＃１診断等に利泪する場合、被写体のＸ＃１１被
曝量を低減することが可能となるまた本発明に係る輝尽
性蛍光体は励起光に対する応答速度お上びＭ槙エネルギ
ー（残光）の消去速度が速いため、本発明の放射線画像
変換方法における放！を線画像読取り速度を高速化し、
残像の消去時間を短縮してシステムの運転効率を向上さ
せることが可能である。

さらにまた、本発明に係る輝尽性蛍光体の輝尽励起スペ
クトルは半導体レーザの発振波Ｉｔ領領域まで拡大して
いるので半導体レーザによる励起が可能であり、放射線
画像読取り装置の小型化、低価格化、簡略化が可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

ｆｊＳ１図は輝尽性蛍光体の応答特性を示す図である。 また第２図は呼尽性蛍光体の残像消去特性を示す図であ
る。 第３図は本発明の方法の実＠！！！様例の概要を示す説
明図である。 第４図は本発明に係る輝尽性蛍光体例の輝尽発光スペク
トル、！５５図は該蛍光体例の輝尽励起スペクトルであ
る。 １１・・・放射ｉ発生装置　　１２・・・被写体１３・
・・放射線画像変換パネル １４・・・励起光源　　　　　１５・・・光電変換装置
１８・・・フィルター

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）被写体を透過した、あるいは被写体から発せられた
   放射線を下記一般式（ I ）で示される輝尽性蛍光体の
   少なくとも１つに吸収せしめ、しかる後、この輝尽性蛍
   光体を可視光及び赤外線から選ばれる電磁波で励起して
   輝尽性蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光と
   して放出せしめ、この蛍光を検出することを特徴とする
   放射線画像変換方法。 　一般式（ I ） 　Ｍ＾ I Ｘ・ａＭ＾IIＸ＿２’・ｂＭ＾IIIＸ＿３”：
   ｃＡ（ただし、Ｍ＾ I はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂおよび
   Ｃｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属である
   。 Ｍ＾IIはＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，
   ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも一種の二価金属
   である。Ｍ＾IIIはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ
   ，Ｐｍ，ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
   Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎから選ばれる
   少なくとも一種の三価金属である。 Ｘ，Ｘ’およびＸ”はＦ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩから選ば
   れる少なくとも一種のハロゲンである。 ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ
   ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａ
   ｇ，ＣｕおよびＭｇから選ばれる少なくとも一種の金属
   である。 またａは０＜ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは０≦
   ｂ＜０．５の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦０．２の
   範囲の数値である。） ２）前記一般式（ I ）におけるｂが０≦ｂ≦１０＾−
   ＾２であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の放射線画像変換方法。 ３）前記一般式（ I ）におけるＭ＾ｍが、Ｙ，Ｌａ，
   Ｓｍ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎから選ばれる
   少なくとも一種の三価金属であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項もしくは第２項記載の放射線画像変換
   方法。 ４）前記一般式（１）におけるＸ”がＦ，ＣｌおよびＢ
   ｒかち選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の放射
   線画像変換方法。 ５）前記一殻式（Ｉ）におけるＭ＾ＩＩがＢｅ，Ｍｇ，
   Ｃａ，ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種のア
   ルカリ土類金属であることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項乃至第４項記載の放射線画像変換方法。 ６）前記一般式（Ｉ）におけるＡがＥｕ，Ｃｅ，Ｓｍ，
   ＴｌおよびＮａから選ばれる少なくとも一種の金属であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第５項記
   載の放射線画像変換方法。 ７）前記電磁波がレーザ光であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項乃至第６項記載の放射線画像変換方法
   。 ８）前記レーザ光が半導体レーザであることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項乃至第７項記載の放射線画像変
   換方法。 ９）支持体とこの支持体上に設けられた少なくとも一層
   の輝尽性蛍光体層からなる放射線画像変換パネルにおい
   て、該蛍光体層の内の少くとも一層が、下記一般式（Ｉ
   ）で表される蛍光体を含有することを特徴とする放射線
   画像変換パネル。 一般式（Ｉ） Ｍ＾ＩＸ・ａＭ＾ＩＩＸ＿２’・ｂＭ＾ＩＩＩＸ＿３”
   ：ｃＡ（ただし、Ｍ＾ＩはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂおよび
   Ｃｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属である
   。 Ｍ＾ＩＩはＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ
   ，ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも一種の二価食
   属である。Ｍ＾ＩＩＩはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，
   Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
   ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎから選ば
   れる少なくとも一種の三価金属である。 Ｘ，Ｘ’およびＸ”はＦ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩから選ば
   れる少なくとも一種のハロゲンである。 ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ
   ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａ
   ｇ，ＣｕおよびＭｇから選ばれる少なくとも一種の金属
   である。 またａは０＜ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは０≦
   ｂ＜０．５の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦０．２の
   範囲の数値である。） １０）前記一般式（Ｉ）におけるｂが０≦ｂ≦１０＾−
   ＾２であることを特徴とする特許請求の範囲第９項記載
   の放射線画像変換パネル。 １１）前記一般式（Ｉ）におけるＭ＾ＩＩＩが、Ｙ，Ｌ
   ａ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎから選ば
   れる少なくとも一種の三価金属であることを特徴とする
   特許請求の範囲第９項もしくは第１０項記載の放射線画
   像変換パネル。 １２）前記一般式（Ｉ）におけるＸ”がＦ，Ｃｌおよび
   Ｂｒから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであること
   を特徴とする特許請求の範囲第９項乃至第１１項記載の
   放射線画像変換パネル。 １３）前記一般式（Ｉ）におけるＭ＾ＩＩがＢｅ，Ｍｇ
   ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれる少なくとも一種のアル
   カリ土類金属であることを特徴とする特許請求の範囲第
   ９項乃至第１２項記載の放射線画像変換パネル。 １４）前記一般式（Ｉ）におけるＡがＥｕ，Ｃｅ，Ｓｍ
   ，ＴｌおよびＮａから選ばれる少なくとも一種の金属で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第９項乃至第１３
   項記載の放射線画像変換パネル。