JPS616874A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
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- JPS616874A JPS616874A JP59127752A JP12775284A JPS616874A JP S616874 A JPS616874 A JP S616874A JP 59127752 A JP59127752 A JP 59127752A JP 12775284 A JP12775284 A JP 12775284A JP S616874 A JPS616874 A JP S616874A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体膜を用いた光起電力素子に関する
ものである。
ものである。
通常太陽電池用等として広く用いられる光起電力素子は
アモルファスシリコンカーバイド（以下ａ−５ｉＣと記
す）層、アモルファスシリコンナイトライド（以下ａ
ＳｉＮと記す）層とアモルファスシリコン（以下ａ−
３ｉと記す）Ｎとのへテロ接合型が広く採用されている
。
アモルファスシリコンカーバイド（以下ａ−５ｉＣと記
す）層、アモルファスシリコンナイトライド（以下ａ
ＳｉＮと記す）層とアモルファスシリコン（以下ａ−
３ｉと記す）Ｎとのへテロ接合型が広く採用されている
。
その−例を示したのが第１図である。第１図は光入射側
のドープ層にａ −５ｉＣ１ｆｋを用いた従来の光起電
力素子の断面構造図及びこれに対応させたバンド構造図
であり、ガラス等の透光性絶縁基板１上に透明導電膜２
、ｐ型ａ−５ｉＣ層３、ｉ型−−５ｉ層４、ｎ型ａ −
５ｉ層５及び裏面電極膜６をこの順序に積層形成して構
成されている。
のドープ層にａ −５ｉＣ１ｆｋを用いた従来の光起電
力素子の断面構造図及びこれに対応させたバンド構造図
であり、ガラス等の透光性絶縁基板１上に透明導電膜２
、ｐ型ａ−５ｉＣ層３、ｉ型−−５ｉ層４、ｎ型ａ −
５ｉ層５及び裏面電極膜６をこの順序に積層形成して構
成されている。
透光性絶縁基板ｌを透過して入射された光は透明導電膜
２を経てｉ型ａ−５ｉ層４に入り、発生した電子（黒丸
）及びホール（白丸）は夫々矢印方向に移動し、夫々裏
面電極膜６、透明導電膜２に集電され、外部に取り出さ
れるようになっている。
２を経てｉ型ａ−５ｉ層４に入り、発生した電子（黒丸
）及びホール（白丸）は夫々矢印方向に移動し、夫々裏
面電極膜６、透明導電膜２に集電され、外部に取り出さ
れるようになっている。
ところで入射された光を可及的に多くｉ型ａ−３ｔ層４
内に取り込み、かつ効率的に光電変換させるためには光
入射側に位置するｐ型ａ−５ｉＣ層の抵抗を低く、また
光学的バンドギャップを広くすることが望まれる。しか
し第１図のバンド構造図からも明らかなように、ｐ型ａ
−５ｉＣ層３の場合はフェルミレベルと価電子帯Ａの
端部との間隔が大きい、即ちフェルミレベルが深く導電
性が小さい。そこでこの導電性を向上させる方法として
ｐ型ａ−５ｉＣ層３の膜厚を薄くする方法が採られてい
るが、この方法では抵抗は低くなるが、ｐＪｉｉｔとし
ての接合形成が不十分となる問題がある。また光学的バ
ンドギャップを広くするためｐ型ａ −５ｉＣ層３のカ
ーボン量を増す方法が採られているが、抵抗が上昇する
という問題があった。
内に取り込み、かつ効率的に光電変換させるためには光
入射側に位置するｐ型ａ−５ｉＣ層の抵抗を低く、また
光学的バンドギャップを広くすることが望まれる。しか
し第１図のバンド構造図からも明らかなように、ｐ型ａ
−５ｉＣ層３の場合はフェルミレベルと価電子帯Ａの
端部との間隔が大きい、即ちフェルミレベルが深く導電
性が小さい。そこでこの導電性を向上させる方法として
ｐ型ａ−５ｉＣ層３の膜厚を薄くする方法が採られてい
るが、この方法では抵抗は低くなるが、ｐＪｉｉｔとし
ての接合形成が不十分となる問題がある。また光学的バ
ンドギャップを広くするためｐ型ａ −５ｉＣ層３のカ
ーボン量を増す方法が採られているが、抵抗が上昇する
という問題があった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは化合物半導体、特にＩＩ族とＶＩ族
と、又は■族°とＶ族との化合物が導電率が高く、しか
もバンドギャップが広いたいう特性に着目し、これをド
ープ層として用いることによって、接合形成に十分な膜
厚が得られることは勿論、低抵抗で、しかも広い光学的
ハンドギャップが得られ、入射光を効率的に光電変換層
に導き得、光起電力特性の大幅な改善を図り得るように
した光起電力素子を提供するにある。
目的とするところは化合物半導体、特にＩＩ族とＶＩ族
と、又は■族°とＶ族との化合物が導電率が高く、しか
もバンドギャップが広いたいう特性に着目し、これをド
ープ層として用いることによって、接合形成に十分な膜
厚が得られることは勿論、低抵抗で、しかも広い光学的
ハンドギャップが得られ、入射光を効率的に光電変換層
に導き得、光起電力特性の大幅な改善を図り得るように
した光起電力素子を提供するにある。
本発明に係る光起電力素子は化合物半導体膜とアモルフ
ァスシリコン膜とを組合せたことを特徴とする。
ァスシリコン膜とを組合せたことを特徴とする。
上記化合物半導体膜は望ましくは周期率表において、Ｉ
Ｉ族とＶＩ族との化合物、または■族と■族との化合物
を素材として構成される。このような化合物としては例
えばＧａ Ｐ ＋ Ａ ７！Ａｓ ＋ Ｚｎ Ｓ ＋
Ｚｎ５ｅ ＋ＺｎＴｅ＋ Ｃｄ Ｓ 、Ｉｎ Ｐ ｓ或
いはＣｄ５ｘＳｅｉ−ｘ （但し０≦Ｘ≦１）等の光学
的バンドギャップが広い化合物、或いは複合化合物をそ
のまま、或いはボロン等のドープ材を添加して低抵抗化
したものである。
Ｉ族とＶＩ族との化合物、または■族と■族との化合物
を素材として構成される。このような化合物としては例
えばＧａ Ｐ ＋ Ａ ７！Ａｓ ＋ Ｚｎ Ｓ ＋
Ｚｎ５ｅ ＋ＺｎＴｅ＋ Ｃｄ Ｓ 、Ｉｎ Ｐ ｓ或
いはＣｄ５ｘＳｅｉ−ｘ （但し０≦Ｘ≦１）等の光学
的バンドギャップが広い化合物、或いは複合化合物をそ
のまま、或いはボロン等のドープ材を添加して低抵抗化
したものである。
ち、なみに、各化合物のパレドギャソブを示すとＧａ
Ｐ ： ２．２５ｅＶ、 八７！Ａｓ：２．ｌ５ｅＶ
、 ＺｎＳ ： ３．５８ｅＶ。
Ｐ ： ２．２５ｅＶ、 八７！Ａｓ：２．ｌ５ｅＶ
、 ＺｎＳ ： ３．５８ｅＶ。
Ｚｎ５ｅ：２．４２ｅＶ、 Ｃｄ５ｘＳｅｌ−ｘ ：
１．７〜２．４ｅＶである。
１．７〜２．４ｅＶである。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第２図は本発明に係る光起電力素子（以下本発
明品という）の断面構造図及びこれに対応させたバンド
構造図であり、ガラス等の透光性絶縁基板２】上に透明
導電膜２２、ｐ型ＧａＰ’ｆｍ１２３、ｉ型ａ−５ｉＪ
ｉｉｉ２４、ｎ型ａ −５ｉ層２５及び裏面電極膜２６
をこの順序に積層形成して構成しである。
明する。第２図は本発明に係る光起電力素子（以下本発
明品という）の断面構造図及びこれに対応させたバンド
構造図であり、ガラス等の透光性絶縁基板２】上に透明
導電膜２２、ｐ型ＧａＰ’ｆｍ１２３、ｉ型ａ−５ｉＪ
ｉｉｉ２４、ｎ型ａ −５ｉ層２５及び裏面電極膜２６
をこの順序に積層形成して構成しである。
このような本発明品にあっては光入射側のｎ型ドープ層
としてフェルミレベルが浅く、しかも光学的ハンドギャ
ップが大きいＧａＰを用いであるから、短絡電流密度（
Ｉｓｃ）、開放電圧（Ｖｏｃ）、曲線因子（ＦＦンのい
ずれもが従来品に比較して格段に向上し得ることが確認
された。
としてフェルミレベルが浅く、しかも光学的ハンドギャ
ップが大きいＧａＰを用いであるから、短絡電流密度（
Ｉｓｃ）、開放電圧（Ｖｏｃ）、曲線因子（ＦＦンのい
ずれもが従来品に比較して格段に向上し得ることが確認
された。
第３図は本発明の他の実施例を示す断面構造図、及びこ
れと対応するバンド構造図であり、ガラス等の透光性絶
縁基板３１上に透明導電膜３２、ｎ型Ｃｄ５層３３、ｉ
型ａ−５ｉ層３４、ｐ型ａ −３ｉ層３５及び裏面電極
膜３６をこの順序で積層形成して構成されている。
れと対応するバンド構造図であり、ガラス等の透光性絶
縁基板３１上に透明導電膜３２、ｎ型Ｃｄ５層３３、ｉ
型ａ−５ｉ層３４、ｐ型ａ −３ｉ層３５及び裏面電極
膜３６をこの順序で積層形成して構成されている。
このような本発明品にあっては光入射側のｎ型ドープ層
としてフェルミレベルが浅く、且つ光学的ハンドギャッ
プが広いＣｄ３層３３を用いたことによって、ハンド構
造図から明らかな如く価電子帯Ａの端部の勾配が大きく
、換言すれば電界強度が大きく、それだけホールの移動
が迅速で短絡電流密度（Ｉｓｃ） 、開放電圧（Ｖｏｃ
）の向上が確認された。
としてフェルミレベルが浅く、且つ光学的ハンドギャッ
プが広いＣｄ３層３３を用いたことによって、ハンド構
造図から明らかな如く価電子帯Ａの端部の勾配が大きく
、換言すれば電界強度が大きく、それだけホールの移動
が迅速で短絡電流密度（Ｉｓｃ） 、開放電圧（Ｖｏｃ
）の向上が確認された。
第４図は本発明の更に他の実施例の断面構造図及びこれ
と対応させたバンド構造図であり、ガラス等の透光性絶
縁基板４１上に透明導電膜４２、ｎ型Ｃｄ３層４３、ｉ
型ＣｄＳ屓４４、ｐ型ａ−ＳｉＣ屓４５をこの順序で積
層形成すると共に、これに更にｐ型ａ−５ｉ層４６、ｉ
型ａ−５ｉ層４７、ｐ型ａ −５ｉ層４８からなるｐｉ
ｎ型ａ −５ｉセル及び裏面電極膜４９をこの順序で積
層形成して構成しである。光学的ハン（・ギヤシブの大
きい（２，４２ｅＶ） Ｃｄ Ｓ薄膜を光入射側のｎ型
、及びｉ型の各層に用いたセルと、ｐｉｎ型ａ−５ｉセ
ルとの積層型となっ°ている点に構造上の特徴を有して
いる。このような本発明品にあっては入射した光のうち
主に５２０ｎｍ以下の短波長光をｉ型ＣｄＳ屓４４で、
また５２０ｎｍ以上の光を１型ａ −５ｉ層で光電変換
される、が光入射側におりるｎ型。
と対応させたバンド構造図であり、ガラス等の透光性絶
縁基板４１上に透明導電膜４２、ｎ型Ｃｄ３層４３、ｉ
型ＣｄＳ屓４４、ｐ型ａ−ＳｉＣ屓４５をこの順序で積
層形成すると共に、これに更にｐ型ａ−５ｉ層４６、ｉ
型ａ−５ｉ層４７、ｐ型ａ −５ｉ層４８からなるｐｉ
ｎ型ａ −５ｉセル及び裏面電極膜４９をこの順序で積
層形成して構成しである。光学的ハン（・ギヤシブの大
きい（２，４２ｅＶ） Ｃｄ Ｓ薄膜を光入射側のｎ型
、及びｉ型の各層に用いたセルと、ｐｉｎ型ａ−５ｉセ
ルとの積層型となっ°ている点に構造上の特徴を有して
いる。このような本発明品にあっては入射した光のうち
主に５２０ｎｍ以下の短波長光をｉ型ＣｄＳ屓４４で、
また５２０ｎｍ以上の光を１型ａ −５ｉ層で光電変換
される、が光入射側におりるｎ型。
ｉ型の各ＣｄＳ層４３．４４及びｐ型ａ−５ｉＣ屓４５
カらなるセルにおいてフェルミレベルが浅く、従って導
電性に優れ、しかも光学的ハンドギャップが広いために
価電子帯の傾斜が大きく、ホールの移動速度が早く特に
短波長光に対する光起電力特性が大きいという効果が得
られる。
カらなるセルにおいてフェルミレベルが浅く、従って導
電性に優れ、しかも光学的ハンドギャップが広いために
価電子帯の傾斜が大きく、ホールの移動速度が早く特に
短波長光に対する光起電力特性が大きいという効果が得
られる。
第５図は本発明の更に他の実施例の断面構造図及びこれ
と対応するハンド構造図を示しており、ガラス等の透光
性絶縁基板５１上に透明導電膜５２、ｐ型ａ−５ｉＣ層
５３、ｉ型ａ−３ｉ層５４、ｎ型ａ −５ｉ層５５をこ
の順序で、積層形成すると共に、更にｐ型ａ−５ｉ層５
６、ｎ型ＩｎＰ層５７及び裏面電極膜５８をこの順序で
積層形成した構成とし、光学的ハンドギャップの狭い（
１，２７ｅＶ） Ｉｎ Ｐを裏面電極膜５８に接するド
ープ層に用いたところに特徴を有している。
と対応するハンド構造図を示しており、ガラス等の透光
性絶縁基板５１上に透明導電膜５２、ｐ型ａ−５ｉＣ層
５３、ｉ型ａ−３ｉ層５４、ｎ型ａ −５ｉ層５５をこ
の順序で、積層形成すると共に、更にｐ型ａ−５ｉ層５
６、ｎ型ＩｎＰ層５７及び裏面電極膜５８をこの順序で
積層形成した構成とし、光学的ハンドギャップの狭い（
１，２７ｅＶ） Ｉｎ Ｐを裏面電極膜５８に接するド
ープ層に用いたところに特徴を有している。
このような本発明の実施例にあっては入射した光のうち
主に７００ｎｍ付近までの短波長光をｉ型ａ−５ｉ層５
４で、また７００ｎｍ以上の長波長光をＩｎＰ層５５で
夫々光°電変換するが、特に光学的バンドギャップの狭
いＩｎＰを材料とするｒｌ型ＩｎＰ層を用いたことによ
り、特に長波長光に対する光起電力特性が大きいという
効果が得られる。
主に７００ｎｍ付近までの短波長光をｉ型ａ−５ｉ層５
４で、また７００ｎｍ以上の長波長光をＩｎＰ層５５で
夫々光°電変換するが、特に光学的バンドギャップの狭
いＩｎＰを材料とするｒｌ型ＩｎＰ層を用いたことによ
り、特に長波長光に対する光起電力特性が大きいという
効果が得られる。
第６図は本発明の更に他の実施例の断面構造図及びこれ
と対応するバンド構造図を示しており、ガラス等の透光
性絶縁基板６１上に透明導電膜６２、ｐ型ａ−３ｉＣ層
６３、ｉ型ａ−５ｉＪｉｔ６４、ｎ型Ｃｄ３層６５及び
裏面電極膜６６をこの順序で積層形成して構成しである
。このように裏面電極膜６６例のドープ層にフエルミレ
ヘルが浅く、しかも光学的ハントギヤツブの広いＣｄＳ
を用いることによって、このドープ層に従来の如＜ ａ
−３ｉを用いる場合に比較して光電変換層の電界強度
を大きくする同様な効果が得られる。即ちハンド構造図
中実線はａ −５ｉを、また破線はＣｄＳを用いたとき
のハンドｆｊ＆造を示しており、これから明らかなよう
にＣｄＳ裏面電極膜６６側のドープ層に用いたときも、
フエルミレヘルが浅く、光学的ハンドギャップが広くな
る結果、光入射側のドープ層に用いた場合と同様な勾配
の大きいハンド、即ち電界強度が得られることが解る。
と対応するバンド構造図を示しており、ガラス等の透光
性絶縁基板６１上に透明導電膜６２、ｐ型ａ−３ｉＣ層
６３、ｉ型ａ−５ｉＪｉｔ６４、ｎ型Ｃｄ３層６５及び
裏面電極膜６６をこの順序で積層形成して構成しである
。このように裏面電極膜６６例のドープ層にフエルミレ
ヘルが浅く、しかも光学的ハントギヤツブの広いＣｄＳ
を用いることによって、このドープ層に従来の如＜ ａ
−３ｉを用いる場合に比較して光電変換層の電界強度
を大きくする同様な効果が得られる。即ちハンド構造図
中実線はａ −５ｉを、また破線はＣｄＳを用いたとき
のハンドｆｊ＆造を示しており、これから明らかなよう
にＣｄＳ裏面電極膜６６側のドープ層に用いたときも、
フエルミレヘルが浅く、光学的ハンドギャップが広くな
る結果、光入射側のドープ層に用いた場合と同様な勾配
の大きいハンド、即ち電界強度が得られることが解る。
以上の如く本発明品にあっては、光学的ハンドギャップ
が大きく、しかもフエルミレヘルが浅い化合物半導体膜
を用いることによって、光電変換層へより多くの光を到
達せしめ得、光起電力の発生を増大させ、光起電力特性
の大幅な向上を図り得る優れた効果を奏するものである
。
が大きく、しかもフエルミレヘルが浅い化合物半導体膜
を用いることによって、光電変換層へより多くの光を到
達せしめ得、光起電力の発生を増大させ、光起電力特性
の大幅な向上を図り得る優れた効果を奏するものである
。
第１図は従来品の断面構造図及びそのノ＼ント構造図、
第２．３，４．５．６図は夫々本発明品の断面構造図及
びこれに対応させて示すハンド構造図である。 １１・・・透光性絶縁基板 １２・・・透明導電膜１３
・−ｐ型ＧａＰ屓 １４−；型ａ −５ｉ層 １５−ｎ
型ａ−３ｉ層 １６・・・裏面電極膜 ３１・・・透光
性絶縁基板３２・・・透明導電膜 ３３・・・ｎ型Ｃｄ
Ｓ層 ３４・・・１型ａ−５ｉ層 ３５・・・ｐ型ａ
−３ｉＪｉｔ ３６−裏面電極膜４１・・・透光性絶
縁基板 ４２・・・透明導電膜 ４３・・・ｎ型ＣｄＳ
層 ４４−＝型ＣｄＳ層 ４５−ｐ型ａ−５ｉＣ層４６
・・・ｎ型ａ −５ｉ層 ４７・ｉ型ａ −５ｉ屓 ４
８−ｐ型ａ −５ｉ層 ４９・・・裏面電極膜 ５１・
・・透光性絶縁基板５２・・・透明導電膜 ５３・・・
ｐ型ａ−３ｉＣ′屓 ５４・・・ｉ型ａ −５ｉ層 ５
５−ｎ型ａ −５ｉ層 ５６・ｐ型ａ −３ｉＪｉｔ５
７・・・・・・ｎ型１ｎＰ層 ５Ｂ・・・裏面電極膜
６１・・・透光性絶縁基板 ６２・・・透明導電膜 ６
３・・・ｐ型ａ −３ｉＣ１ｉｔ６４・・・ｉ型ａ −
３ｉ層 ６５・・・ｎ型ＣｄＳ層 ６６・・・裏面電極
膜 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 １ 図 芥 ２ 口 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 Ｇ 図
第２．３，４．５．６図は夫々本発明品の断面構造図及
びこれに対応させて示すハンド構造図である。 １１・・・透光性絶縁基板 １２・・・透明導電膜１３
・−ｐ型ＧａＰ屓 １４−；型ａ −５ｉ層 １５−ｎ
型ａ−３ｉ層 １６・・・裏面電極膜 ３１・・・透光
性絶縁基板３２・・・透明導電膜 ３３・・・ｎ型Ｃｄ
Ｓ層 ３４・・・１型ａ−５ｉ層 ３５・・・ｐ型ａ
−３ｉＪｉｔ ３６−裏面電極膜４１・・・透光性絶
縁基板 ４２・・・透明導電膜 ４３・・・ｎ型ＣｄＳ
層 ４４−＝型ＣｄＳ層 ４５−ｐ型ａ−５ｉＣ層４６
・・・ｎ型ａ −５ｉ層 ４７・ｉ型ａ −５ｉ屓 ４
８−ｐ型ａ −５ｉ層 ４９・・・裏面電極膜 ５１・
・・透光性絶縁基板５２・・・透明導電膜 ５３・・・
ｐ型ａ−３ｉＣ′屓 ５４・・・ｉ型ａ −５ｉ層 ５
５−ｎ型ａ −５ｉ層 ５６・ｐ型ａ −３ｉＪｉｔ５
７・・・・・・ｎ型１ｎＰ層 ５Ｂ・・・裏面電極膜
６１・・・透光性絶縁基板 ６２・・・透明導電膜 ６
３・・・ｐ型ａ −３ｉＣ１ｉｔ６４・・・ｉ型ａ −
３ｉ層 ６５・・・ｎ型ＣｄＳ層 ６６・・・裏面電極
膜 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 １ 図 芥 ２ 口 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 Ｇ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、化合物半導体膜とアモルファスシリコン膜とを組合
せたことを特徴とする光起電力素子。 ２、前記化合物半導体膜はII族とVI族との化合物、又は
III族とＶ族との化合物を素材とする特許請求の範囲第
１項記載の光起電力素子。 ３、接合積層型構造を有する特許請求の範囲第１項記載
の光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127752A JPS616874A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127752A JPS616874A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 光起電力素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616874A true JPS616874A (ja) | 1986-01-13 |
Family
ID=14967806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59127752A Pending JPS616874A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616874A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63110777A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-16 | コロラド・スクール・オブ・マインズ・ファウンデーション・インコーポレイテッド | 光起電力セルおよびその製造方法 |
| US5006180A (en) * | 1989-01-21 | 1991-04-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Pin heterojunction photovoltaic elements with polycrystal GaP (H,F) semiconductor film |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116673A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-12 | Sharp Corp | Amorphous thin film solar cell |
| JPS57114290A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Nec Corp | Amorphous thin film solar battery |
| JPS58116779A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS58171869A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP59127752A patent/JPS616874A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116673A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-12 | Sharp Corp | Amorphous thin film solar cell |
| JPS57114290A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Nec Corp | Amorphous thin film solar battery |
| JPS58116779A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS58171869A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63110777A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-16 | コロラド・スクール・オブ・マインズ・ファウンデーション・インコーポレイテッド | 光起電力セルおよびその製造方法 |
| US5006180A (en) * | 1989-01-21 | 1991-04-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Pin heterojunction photovoltaic elements with polycrystal GaP (H,F) semiconductor film |
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