JPS6168120A - ガス中の微量酸素除去方法及びその装置 - Google Patents

ガス中の微量酸素除去方法及びその装置

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JPS6168120A
JPS6168120A JP18803084A JP18803084A JPS6168120A JP S6168120 A JPS6168120 A JP S6168120A JP 18803084 A JP18803084 A JP 18803084A JP 18803084 A JP18803084 A JP 18803084A JP S6168120 A JPS6168120 A JP S6168120A
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JP
Japan
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oxygen
gas
partition wall
electrode
solid electrolyte
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Pending
Application number
JP18803084A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromichi Arai
荒井 弘通
Mitsuhisa Sakamoto
光久 坂本
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Tosoh Corp
Original Assignee
Toyo Soda Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/02Preparation of oxygen
    • C01B13/0229Purification or separation processes
    • C01B13/0233Chemical processing only

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は酸素イオン伝導性を有する固体πわ解質を利用
して不活性ガス中の微量酸素を除去する方法及びその装
置に関するものである。
窒素、アルゴン等の不活性ガスは金FA等の熱処理、半
導体の製造、その他の用途に大量に使用されるようにな
って来ている。これらの不活性ガスは空気の深冷分離等
の方法によりて一般に製造されているが、この中には通
常画素が数十ppm場合によっては数百ppm程度含ま
れている。しかるに前記した半導体の製造等に於て使用
される不活性ガスは高純度のものが要求され、特に酸素
濃度は1 ppm以下である事が必要とされる。
〔従来技術〕
従来このような不活性ガス中の酸素を除去する方法とし
ては、パラジウム等の貴金属を担持した触媒を使用して
水素と反応させ水として除去する方法、銅などの反応性
の高い金属を使用して化学的に酸素を捕集する方法等が
知られている。前者の場合には、水素の共存が必要であ
る小や水素が不活性ガス中に残存して来る小等の欠点が
ある。
又、後者の場合には酸素との反応性を高める為に全屈を
加熱しておく必要がある事や再生処理等の操作が必要で
ある事等の欠点がある。
不活性ガス中の酸素を除去する方法としてはこの他、ゼ
オライトを使用して吸着除去する方法等も知られている
。しかしながら、これらのいずれの方法に於てもガス中
のrI!素e度を1 ppm以下とする事は極めて困難
であり、大型の装置が必要であるといった欠点があった
。本発明はこれらの欠点を解消し、簡便でかつ効率的な
ガス中の酸素除去方法及びその装置を提供するものであ
る。
本発明の方法及び装置にかかわる固体電解質を利用した
不活性ガス中の酸素除去方法及び酸素ポンプ装置につい
ては、特公昭52−58994号公報及び特開昭55−
134101号公報等に於て既に提案されている。しか
しながら、これらの公知の方法では確かにかなりの低濃
度にまで不活性ガス中の酸素が除去されるが、固体電解
質を約600℃以上の高温に加熱する必要がある小や装
置の起動から不活性ガス中の酸素濃度が111pHl以
下に達するまでにかなりの長時間を要する串、更に電極
等の劣化により装置の効率が次第に低下して来るといっ
た欠点が見受けられた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者らは、これらの従来方法の欠点を解消すべく鋭
意検討な重ねた結果、以下に示す本発明を完成するに至
ったものである。
すなわち本発明は、酸素イオン伝導性を有する固体電解
質の隔壁の両面に白金等の多孔質電極を設け、かつガス
との接触に有効な比表面積を有する形状の電極物質を陰
極部又は陰極部及び陽極部に接続し、約300℃以上の
温度に保持した前記隔壁の陰極部に微量rf1素を含有
する不活性ガスを流通させ、前記電極間に直流電圧を印
加する小によりガス中の酸素をイオン移動させ、これを
陽極側から排出させる事によりガス中の酸素濃度を1p
pm以下とすることを特徴とするガス中の微量酸素除去
方法及びその装置である。
〔作 用〕
以下図面にしたがって本発明の機能及び特徴等につき具
体的に説明する。
第1図は本発明の装置を示す断面図であり、円筒状の酸
素イオン伝導性を有する固体電解質の隔壁1、隔壁の内
側と外側の両面に設けられた多孔質電極2及びS1多孔
質電極2又は2及び3に接続して設けられた円筒状の電
極物質4又は4及び5、接続部6.7及びリード線8,
9、これに直流電圧を印加する電源10.及び加熱帯域
を形成する為の熱源11等から基本的になっている。酸
素を含有する不活性ガスは導管12を通して固体電解質
のrIA壁1内へ送られる。なお、導管12及び13は
シール部14及び15により固体電解質隔壁1と完全に
密封連結されている。固体電解質の隔壁1は熱源11に
より加熱され約300℃以上の温度域を有する加熱帯域
を形成する。多孔買電%2,5及び電極物質4.5は加
熱帯域内にあり、多孔質電極2.3間には直流の一定電
圧が印加される。電極物質4.5はガスとの接触に有効
な比表面積を有する形状となっており、導管12を通し
て供給される不活性ガス中の酸素分子は該電極物質4及
び多孔質電極2の界面で次式!1.1で示されろ電極反
応によりイオン化され酸素イオンとなる。
へ+4e←2び−・・・(1) 陰極部で生成した該酸素イオンは固体電解質の隔壁1内
を陽極部に向って拡散し、多孔質電極3及び電極物質5
の界面で次式(2)で示されるm%反応により電子を放
出し酵素分子に戻る。
202−−一1偽+4@・・・(2) このようにして、両電極間に直流電圧を印加する事によ
りガス中の酸素をイオン移動させ、これを陽極側から排
出させる小により供給ガス中の酸素を連続的に除去する
小ができる。
本発明の方法に使用される固体電解質の隔壁は酸素イオ
ン伝導性を有するものであれば特に限定はないが、Oa
O1MgO9Y、O!、Ceo!等の安定化剤を含有す
るかあるいは更に’%Og 、Bit’s 、Ab(4
等を含有する固溶体型のジルコニア焼結体である事が好
ましい。又、低温動作特性等の面から4〜12モル%の
YtDsを含有し結晶相の90%以上が立方晶であり、
かつ密度が理論密度の95%以上であるジルコニア焼結
体である事が特に好ましい。該17.1壁の形状は特に
限定はないが、円筒状である事が好適である。
固体電解質の隔壁の両面に設けられる多孔質電極は隔壁
との密着性や耐久性等に優れている事が必要であり、 
pt +pa等の使用が推奨されるが、Au、 Ag、
 Ou、○o、Ni等の金属あるいはこれらの金属を含
む合金等も又使用可能である。
本発明の方法では、陰極部又は陰極部及び陽極部にガス
との接触に有効な比表面積を有する形状の電極物質を接
続する。該電極物質の具体的な形状としては、薄片状、
細線状あるいはその集合体又はこれらを網状あるいは布
状等に加工したもの等が例示される。いずれにしても該
電極物質はガスとの有効係数が大なる様にガスとの見掛
は接触面積が大なる構造又は形状である事が必要である
又、その材質としてはPt、 P4 Au、 Ag、 
Ou、 Oo、 Ni等あるいはこれらの金属からなる
合金等が挙げられる。該電極物質は加熱帯域内にある事
が必要であり、前記形状を有する事によりガス中の酸素
分子の電極界面への拡散及び電極反応(1)又は(1)
及び(2)を物理的あるいは触媒的役割により促進する
効果を発揮するものと考えられる。
次に本発明の方法が適用可能な不活性ガスとしては、窒
素、アルゴンの他、ヘリウム、ネオン。
クリプトン、キセノン、低醜素空気、炭酸ガス等が挙げ
られる。又、これらの不活性ガス中に水蒸気等の他のガ
スが含まれていても特にさしつかえない。
加熱帯域の温度は約300℃以上である事が必要であり
、両電極間に印加する直流電圧としては数ポルトル数十
ボルトの範囲が適当である。
〔実施例〕
以下、本発明の方法及び装置の酸素除去性能を例示する
ために実施側を示して更に具体的に説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。
実施例 固体電解質の隔壁として8モル%のY2O3を含有する
ジルコニア焼結体を使用した。このジルコニア焼結体の
密度は約18で理論密度の約97%であり%XM回折か
ら求めた結晶相は立方晶がほぼ100%であった。この
隔壁の形状は円筒状で内径12鴎、外径17龍、長さ約
60011IIIであった。
この内外面にPt の多孔fimiを設け、更にそれぞ
れに長さ約4Qvmの円筒状のPt製金網(平織)を電
極物質として接続した。又、この電極物質にそれぞれ保
股管を付けたpt のリード線を接続した。加熱帯域の
温度を約400℃に保持し、円筒状固体電解質隔壁の内
側が陰極となるように両電極間に直流電圧を印加した。
隔壁の内側に約20ppraの酸素を含有する窒素を流
速的21 / winで通過させた。印加した直流電圧
は約5ボルトでこの時の電流値は約50ミリアンペアで
あった。この結果、電圧を印加してから約5分後に酢繁
濃度が1 ppm以下となり最終的には約1 ×+ O
−” pp+n程度の濃度に達した。前記電極物質を接
続しない場合には、酸素濃度が1 ppm以下になるの
に約1時間を要したのに比較すると極めて良好な動作特
性が得られたものと言える。
4因而の簡単な説明 第1図は本発明の装置を示す断面図である。
1・・・円筒状固体電解質隔壁、2.3・・・多孔質電
極。
4.5・・・円筒状電極物質、へ7・・・接続部、a?
・・・リード線、 1o ・’rts、Sii、 11
・・・熱源、12.13・−・導管、14.15・・・
シール部。
特許出願人 東洋W達工業株式会社 輩 巨

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)酸素イオン伝導性を有する固体電解質の隔壁の両
    面に白金等の多孔質電極を設け、かつガスとの接触に有
    効な比表面積を有する形状の電極物質を陰極部又は陰極
    部及び陽極部に接続し、約300℃以上の温度に保持し
    た前記隔壁の陰極部に微量を酸素を含有する不活性ガス
    を流通させ、前記電極間に直流電圧を印加する事により
    ガス中の酸素をイオン移動させ、これを陽極側から排出
    させる事によりガス中の酸素濃度を1ppm以下とする
    ことを特徴とするガス中の微量酸素除去方法。 (2)該固体電解質の隔壁が4〜12モル%のY_2O
    _3を含有し、結晶相の90%以上が立方晶であり、か
    つ密度が理論密度の95%以上であるジルコニア焼結体
    からなる特許請求の範囲第1項記載の方法。 (2)酸素イオン伝導性を有する周体電解質の隔壁と、
    前記隔壁の両面に設けた多孔質電極と、該電極の陰極部
    又は陰極部及び陽極部に接続したガスとの接触に有効な
    比表面積を有する形状の電極物質と、両電極間に直流電
    圧を印加する電源と、前記多孔質電極又は前記電極物質
    と電源とを接続するリード線と、前記隔壁を加熱して約
    300℃以上の温度域を形成する為の熱源とから構成し
    てなるガス中の酸素除去装置。 (4)該固体電解質の隔壁が4〜12モル%のY_2O
    _3を含有し、結晶相の90%以上が立方晶であり、か
    つ密度が理論密度の95%以上であるジルコニア焼結体
    からなる特許請求の範囲第3項記載の装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0290916A (ja) * 1988-09-28 1990-03-30 Mitsubishi Electric Corp 電気装置
US5007992A (en) * 1989-05-15 1991-04-16 Weber Daniel K Method and apparatus for removing oxygen from a semiconductor processing reactor
WO2011155423A1 (ja) * 2010-06-07 2011-12-15 住友電気工業株式会社 ガス分解素子、アンモニア分解素子、発電装置および電気化学反応装置
US8865367B2 (en) 2010-06-07 2014-10-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gas decomposition component
US9136552B2 (en) 2010-06-07 2015-09-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gas decomposition component, ammonia decomposition component, power generation apparatus, electrochemical reaction apparatus, and method for producing gas decomposition component

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