JPS6167977A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6167977A JPS6167977A JP18990284A JP18990284A JPS6167977A JP S6167977 A JPS6167977 A JP S6167977A JP 18990284 A JP18990284 A JP 18990284A JP 18990284 A JP18990284 A JP 18990284A JP S6167977 A JPS6167977 A JP S6167977A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type inp
- type
- substrate
- xgaxasyp1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光を用いた通信、計測、制御、記録に関する分
野に、極めて高出力、高性能光源を供するものである。
野に、極めて高出力、高性能光源を供するものである。
従来例の構成とその問題点
従来より半導体レーザの改良の試みは、主にしきい値電
流の低減に対してなされ、ストライプレーザ、埋込型レ
ーザ等多くのアイデアが出されている。このしきい値電
流低減への努力は、このような電流の閉じ込め、光の閉
じ込めといった定性的段階から活性層の厚さ及び幅を極
限まで小さくすることに及んだ。この結果、横モード、
縦モードの単一化が達成され、低ノイズで使い易いもの
が得られるようになった。しかしながら、必らずしも光
出力が大きくなく、しきい値電流の低減、モードの単一
確保とは矛盾する場合が多い。例えば、活性層の厚さや
幅を大きくすると横モードが単一とならないが、通常の
埋込構造レーザでは共振器長を長くすると、単−横モー
ドを確保した上で光出力をある程度大きくすることがで
きる。しかしながら、端面反射率は骨間の場合両面とも
０．３と小さく、共振器長を長くしていくとしきい値電
流の増大が著しく、限界がある。また、このように共振
器長を長くすると縦モードが制御しにくい。一方、端面
反射による損失をなくする方法として、円形導波路によ
る光間回路を構成したいわゆるリングレーザなるものも
あるが、屈折率差により構成した円形導波路は非常に伝
播損失が大きく結果的には、モードの制御性は別として
、低しきい値、高出力は実現できない。
流の低減に対してなされ、ストライプレーザ、埋込型レ
ーザ等多くのアイデアが出されている。このしきい値電
流低減への努力は、このような電流の閉じ込め、光の閉
じ込めといった定性的段階から活性層の厚さ及び幅を極
限まで小さくすることに及んだ。この結果、横モード、
縦モードの単一化が達成され、低ノイズで使い易いもの
が得られるようになった。しかしながら、必らずしも光
出力が大きくなく、しきい値電流の低減、モードの単一
確保とは矛盾する場合が多い。例えば、活性層の厚さや
幅を大きくすると横モードが単一とならないが、通常の
埋込構造レーザでは共振器長を長くすると、単−横モー
ドを確保した上で光出力をある程度大きくすることがで
きる。しかしながら、端面反射率は骨間の場合両面とも
０．３と小さく、共振器長を長くしていくとしきい値電
流の増大が著しく、限界がある。また、このように共振
器長を長くすると縦モードが制御しにくい。一方、端面
反射による損失をなくする方法として、円形導波路によ
る光間回路を構成したいわゆるリングレーザなるものも
あるが、屈折率差により構成した円形導波路は非常に伝
播損失が大きく結果的には、モードの制御性は別として
、低しきい値、高出力は実現できない。
発明の目的
本発明は、横モード、縦モードとも単一で、低しきい値
で高出力の半導体レーザを提供することを目的としたも
のである。
で高出力の半導体レーザを提供することを目的としたも
のである。
発明の構成
本発明は、活性層もしくは導波路により、直線のみによ
る光間回路と全反射面で構成し、著しく反射損失を低減
させて、しきい値電流の低い極めて高出力の半導体レー
ザを作成するに有効である。
る光間回路と全反射面で構成し、著しく反射損失を低減
させて、しきい値電流の低い極めて高出力の半導体レー
ザを作成するに有効である。
円形導波路を用いたリングレーザでは、有限の曲率を有
する曲線導波路のため伝播損失が非常に大きくなるが直
線部分のみにより、光間回路を構成すれば伝播損失は材
料によって決るわずかなものとなる。
する曲線導波路のため伝播損失が非常に大きくなるが直
線部分のみにより、光間回路を構成すれば伝播損失は材
料によって決るわずかなものとなる。
実施例の説明
具体的構成を述べる前に、直線光閉回路から発振光を取
り出す方法について述べる。直線光閉回路は前述のよう
に全反射により構成する訳であるが、反射面の全てが全
反射するようにすると、光が取り出せないことになる。
り出す方法について述べる。直線光閉回路は前述のよう
に全反射により構成する訳であるが、反射面の全てが全
反射するようにすると、光が取り出せないことになる。
そこで光を取り出したい１つの反射面では、適当な材料
を付着して、屈折率を下げることにより、臨界角を入射
角より大きくして、全反射を生じないようにする。と同
時に、適当な反射率となるよう制御することにより、取
り出し効率を制御する。
を付着して、屈折率を下げることにより、臨界角を入射
角より大きくして、全反射を生じないようにする。と同
時に、適当な反射率となるよう制御することにより、取
り出し効率を制御する。
第１図ａは、積層体１の反射面５ＫＳｉ／ＳｉＯ２多層
膜コートしたものであり、発振光は２方向にとり出せる
ので、一方をモニタ光として利用できる。第１図すは、
反射面にＳｉ 膜コートしたあと、直角プリズム７の一
方の面にＡｕ ６をコートしてから接着したものであり
、Ａｕ コート面では、完全反射となるため、光は元の
光間回路に戻る。このため、発振光は一方のみに取り出
せるので、効率よく、かつ高出力となる。
膜コートしたものであり、発振光は２方向にとり出せる
ので、一方をモニタ光として利用できる。第１図すは、
反射面にＳｉ 膜コートしたあと、直角プリズム７の一
方の面にＡｕ ６をコートしてから接着したものであり
、Ａｕ コート面では、完全反射となるため、光は元の
光間回路に戻る。このため、発振光は一方のみに取り出
せるので、効率よく、かつ高出力となる。
〔実施例１〕
第２図（、）に示すように液相エピタキシャル成長法に
よって（ｏｏｌ）ｎ−ＩｎＰ基板１１上にｎ−Ｉ ｎ
１−ｘ Ｇ ａ ｘ Ａ８ｙ Ｐ １−ｙ （Ｅ ｇ
〜Ｏ−９５４ｅ ｖ）層１２゜ｎ−ＩｎＰ層１３ 、
ｐ −ＩｎＰ層１４．ｎ−１ｎＰ層１５ 、 Ｐ−Ｉ！
ｌ、 −、ｔ 、／ 、ｔ １−ｙ／（Ｅｇ 〜
１．１８Ｇａ Ａｓ Ｐ ｅ Ｖ ）層１６を順次成長させたのち、５１０２膜１
７を付着させ、フォトエツチング法により２６０μ間隔
で２本のストライプ状部分の３１０２を除去した。２本
のストライプは幅が２．５μｍ間隔は１０μｍである。
よって（ｏｏｌ）ｎ−ＩｎＰ基板１１上にｎ−Ｉ ｎ
１−ｘ Ｇ ａ ｘ Ａ８ｙ Ｐ １−ｙ （Ｅ ｇ
〜Ｏ−９５４ｅ ｖ）層１２゜ｎ−ＩｎＰ層１３ 、
ｐ −ＩｎＰ層１４．ｎ−１ｎＰ層１５ 、 Ｐ−Ｉ！
ｌ、 −、ｔ 、／ 、ｔ １−ｙ／（Ｅｇ 〜
１．１８Ｇａ Ａｓ Ｐ ｅ Ｖ ）層１６を順次成長させたのち、５１０２膜１
７を付着させ、フォトエツチング法により２６０μ間隔
で２本のストライプ状部分の３１０２を除去した。２本
のストライプは幅が２．５μｍ間隔は１０μｍである。
さらにこのＳ ｉ０２膜をマスクとして、化学エツチン
グにより、深さがｎ−Ｉｎ１−エＧ ａ ｘ Ａ ｍ
ｙＰｌ−ア層１２まで達する溝を形成したあと、第２図
すに示すように、ｎ−ＩｎＰ層１８、ニー ンド
ープＩｎ、−，ＧａｘＡｓｙＰ１−、（Ｅｇ−０，９５
４ｅＶ、７９〜１．３μｍ）層１９−１ 、１９−２
。
グにより、深さがｎ−Ｉｎ１−エＧ ａ ｘ Ａ ｍ
ｙＰｌ−ア層１２まで達する溝を形成したあと、第２図
すに示すように、ｎ−ＩｎＰ層１８、ニー ンド
ープＩｎ、−，ＧａｘＡｓｙＰ１−、（Ｅｇ−０，９５
４ｅＶ、７９〜１．３μｍ）層１９−１ 、１９−２
。
ｐ−Ｉ ｎ Ｐ層２０ 、 ｐ−Ｉｎ１−ｘｔＧａｘｔ
ＡｓｙｔＰｌ−ｙｔ（Ｅｑ〜１．１８ｅｖ）層２１を順
次成長させることにより活性層１９−１を埋込んだ。次
に電極を形成したあと、プラズマによるフォトエツチン
グにより、２本の埋込み活性層の間の中心線口に対して
、それと垂直方向を骨間により、切断分離し、チップを
作製した。このあと２２−１のみをＳｉ コート（、
Ｓ ｚ ０２ボンデングを行い素子を作製した。このよ
うにして作った素子のしきい値電流は標準で２０ ｍＡ
で、出力は８０ ｍＷであった。また、しきい値の１．
２倍から５倍まで縦モードは単一であった。これは、光
のとシ出しを除く、３つの反射面の反射率がほぼ１であ
り、光のと９出し面の反射率は、〜０．８と高いため、
実効共振器長が〜５００μｍと長いが、しきい値が低く
なったと考えられる。ＩｎＰ層伝播中の拡り損失は長さ
が短いため無視できる。また共振器長が長いにもかかわ
らず、安定した縦単一モードが得られたのは４隅にある
活性層とＩｎＰ層との境界による部分反射による干渉効
果によるものである◎ 本発明は、簡単な作製法で、低しきい値、高出力、安定
単一モードの三拍子そろった高性能レーザを可能にした
。ここでは、埋込み三日月活性層型（ＢＣ）レーザに適
用したが、埋込みへテロ（ＢＨ）レーザや他の型のレー
ザへの適用でも同様の効果がある。
ＡｓｙｔＰｌ−ｙｔ（Ｅｑ〜１．１８ｅｖ）層２１を順
次成長させることにより活性層１９−１を埋込んだ。次
に電極を形成したあと、プラズマによるフォトエツチン
グにより、２本の埋込み活性層の間の中心線口に対して
、それと垂直方向を骨間により、切断分離し、チップを
作製した。このあと２２−１のみをＳｉ コート（、
Ｓ ｚ ０２ボンデングを行い素子を作製した。このよ
うにして作った素子のしきい値電流は標準で２０ ｍＡ
で、出力は８０ ｍＷであった。また、しきい値の１．
２倍から５倍まで縦モードは単一であった。これは、光
のとシ出しを除く、３つの反射面の反射率がほぼ１であ
り、光のと９出し面の反射率は、〜０．８と高いため、
実効共振器長が〜５００μｍと長いが、しきい値が低く
なったと考えられる。ＩｎＰ層伝播中の拡り損失は長さ
が短いため無視できる。また共振器長が長いにもかかわ
らず、安定した縦単一モードが得られたのは４隅にある
活性層とＩｎＰ層との境界による部分反射による干渉効
果によるものである◎ 本発明は、簡単な作製法で、低しきい値、高出力、安定
単一モードの三拍子そろった高性能レーザを可能にした
。ここでは、埋込み三日月活性層型（ＢＣ）レーザに適
用したが、埋込みへテロ（ＢＨ）レーザや他の型のレー
ザへの適用でも同様の効果がある。
〔実施例２〕
実施例１で２本のストライプ間隔を４μｍにして作製し
た。しきい値電流は標準で１８ｍＡ、出力は９０ ｍＷ
である。また縦モードは、しきい値の１．２倍から６倍
まで単一である。この安定した単−縦モードが得られた
理由は、主に、近接した導波路（活性層）の光しみ出し
効果による位相同期現象によるものと考えられる。本実
施例では埋込みへテロ（ＢＨ）レーザへの適用であるが
、他の構造への適用においても、２本の活性層の間隔が
６μｍ以内にすれば、本発明の効果が大きく現われ、低
しきい値、高出力の安定縦単一モードレーザが簡単な作
製法によって得ることができる。
た。しきい値電流は標準で１８ｍＡ、出力は９０ ｍＷ
である。また縦モードは、しきい値の１．２倍から６倍
まで単一である。この安定した単−縦モードが得られた
理由は、主に、近接した導波路（活性層）の光しみ出し
効果による位相同期現象によるものと考えられる。本実
施例では埋込みへテロ（ＢＨ）レーザへの適用であるが
、他の構造への適用においても、２本の活性層の間隔が
６μｍ以内にすれば、本発明の効果が大きく現われ、低
しきい値、高出力の安定縦単一モードレーザが簡単な作
製法によって得ることができる。
〔実施例３〕
第３図ａに示すように、液相エピタキシャル成長法によ
って（００１）ｎ−ＩｎＰ基板２３上にｎ−ＩｎＰｎＰ
層アンドープＩｎ１−、Ｇａ、Ａｓ１−、Ｐ。
って（００１）ｎ−ＩｎＰ基板２３上にｎ−ＩｎＰｎＰ
層アンドープＩｎ１−、Ｇａ、Ａｓ１−、Ｐ。
（１μｍ１．３μｍ ）層２６、ｐ−ＩｎＰｎＰ層、ｐ
Ｉｎ１−。
Ｉｎ１−。
Ｇａ！ｔＡｔｒ ｙｔ Ｐｌ−、ｔ （Ｅｑ 〜１ 、
１８ｅＶ ）層２７を順次成長サセタノち、Ｓ １０２
膜２８−１．２８−２を付着させ、フォトエツチング法
により、図のように２本のストライプ状部分２８−１お
よびそれと直交する幅の広いストライプ状部分２８−２
のＳ ｉＯ２のみを残し、他を除去した。
１８ｅＶ ）層２７を順次成長サセタノち、Ｓ １０２
膜２８−１．２８−２を付着させ、フォトエツチング法
により、図のように２本のストライプ状部分２８−１お
よびそれと直交する幅の広いストライプ状部分２８−２
のＳ ｉＯ２のみを残し、他を除去した。
２８−１の幅および間隔は、２．６μｍ、２０μｍであ
り、２８−２の幅は２．６μｍである。２ Ｂ −１。
り、２８−２の幅は２．６μｍである。２ Ｂ −１。
２８−２のピッチは、それぞれ２５０μｍ、３００μｍ
である。
である。
このＳ ｉＯ２膜をマスクとしてｎ−ＩｎＰｎＰ層まで
化学エツチングし、次にＰ−ＩｎＰｎＰ層、ｎ−ＩｎＰ
層３層上０次成長させ、活性層２４を埋込んだ０次に、
第３図すに示すマスク３１を用いて、プラズマエツチン
グ法により、基板までエツチングして、第３図Ｃに示す
反射面３２−１〜３２−４を形成し、さらに、２３−１
のみにＳｉ 膜をコートしたあと、蒸着により電極をつ
け、チップ分離後、ボンディングを行い素子を作製した
。さらに第１図すに示すような片方をＡｕ蒸着した直角
プリズムを接着剤を用いてつけた０ こうして得られた素子のしきい値電流は標準で２５ ｍ
Ａ 、出力は１００ ｍＷであった。縦モードはしきい
値の１．１倍から５倍まで安定した単一モードであった
。
化学エツチングし、次にＰ−ＩｎＰｎＰ層、ｎ−ＩｎＰ
層３層上０次成長させ、活性層２４を埋込んだ０次に、
第３図すに示すマスク３１を用いて、プラズマエツチン
グ法により、基板までエツチングして、第３図Ｃに示す
反射面３２−１〜３２−４を形成し、さらに、２３−１
のみにＳｉ 膜をコートしたあと、蒸着により電極をつ
け、チップ分離後、ボンディングを行い素子を作製した
。さらに第１図すに示すような片方をＡｕ蒸着した直角
プリズムを接着剤を用いてつけた０ こうして得られた素子のしきい値電流は標準で２５ ｍ
Ａ 、出力は１００ ｍＷであった。縦モードはしきい
値の１．１倍から５倍まで安定した単一モードであった
。
本実施例では、精度と歩留りを向上させるため反射面の
形成をプラズマエツチング法により行ったが、あらかじ
め、化学エツチングによるストライプ方向を（１００）
及び（０１０）を選べば、反射面の形成は襞間によって
行うことができる・一方のストライプ対は幅が広いので
襞間する位置の精度は１０μｍ程度でよいので十分有効
である。
形成をプラズマエツチング法により行ったが、あらかじ
め、化学エツチングによるストライプ方向を（１００）
及び（０１０）を選べば、反射面の形成は襞間によって
行うことができる・一方のストライプ対は幅が広いので
襞間する位置の精度は１０μｍ程度でよいので十分有効
である。
以上実施例では、特定の埋込み構造による例であるが、
本発明は直線導波路と光のとり出し面取外は全反射とな
る反射面で光間回路を構成することであり、作成技術の
難易の差は別として如何なる構造に適用されようとも十
分有効である。また、光の取り出しはＳ ｉＯ２のコー
トに特定されるものでなく全反射を抑制する手段であれ
ば如何なるものでもよい。さらに、光の取り出し面にハ
ーフミラ−を設けてもよい。
本発明は直線導波路と光のとり出し面取外は全反射とな
る反射面で光間回路を構成することであり、作成技術の
難易の差は別として如何なる構造に適用されようとも十
分有効である。また、光の取り出しはＳ ｉＯ２のコー
トに特定されるものでなく全反射を抑制する手段であれ
ば如何なるものでもよい。さらに、光の取り出し面にハ
ーフミラ−を設けてもよい。
発明の効果
本発明は、直線導波路と反射面よシなる光間回路により
、低しきい値電流、高出力で安定した単−縦モードの半
導体レーザが得られる。
、低しきい値電流、高出力で安定した単−縦モードの半
導体レーザが得られる。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザにより構成さ
れる光間回路および光のとり出し構造を示す図、第２図
は本発明の一実施例の半導体レーザの製造工程図、第３
図は本発明の異なる実施例の半導体レーザの製造工程図
である。 １１・・・・・・ＩｎＰ基板、１２・・・・・・ｎ−Ｉ
ｎ１−エＧａｘＡｓｙＰ１−ｙ層、１３−＝ ＝−ｎ−
Ｉ ｎＰ層、１４・・・・・・ｐ−ＩｎＰ層、１６・−
−−−・ｎ−ＩｎＰ層、１６−・・−ｐ −Ｇａ
Ａｓ ■ｎ１−ｘ′ｘ′ｙ′Ｐ１−ｙ１層、１７・・・・・・
Ｓｉｏ２膜、１ Ｂ −−・−ｎ−Ｉ ｎＰ層、１９
１ ・” ” ’ Ｉ ｎ １−ｘ Ｇ ａ ＸＡ！Ｉ
ｙＰ１−、活性層、１９−２−・・−・Ｉｎ１−、Ｇａ
ｘＧｓ。 ｐｌ−ｙ層、２０−−− ｐ−Ｉ ｎＰ層、２１−−−
−−− ｐ −Ｉｎ、−ｘｔＧａ、ｔＡｓｙｔＰｌ−ｙ
ｔ層、２２−１．２２−２・・・・・・反射面、２３・
・・・・・ＩｎＰ基板、２４・・・・・・ｎ−ＩｎＰ層
、２５・・・・・・Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰｌ−ｙ層
、２６−・・−・ｐ−ＩｎＰ層、２７・・・・・・ｐ−
工ｎ１−ｘｌＧａｘ／Ａ８ｙｌＰ１−ｙｌ層、２８−１
、２−、−・ＳｉＯ３膜、２９−＝＝−ｐ−ＩｎＰ層
、３０−−−−＝ ｎ−Ｉ ｎＰ層、３１・・・・・・
ＳｉＯ２膜、３２−２〜４・・・・・・反射面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （す ！ （ｂ〕 第２図 （ω２ 第３図 （α〕 （ｂλ
れる光間回路および光のとり出し構造を示す図、第２図
は本発明の一実施例の半導体レーザの製造工程図、第３
図は本発明の異なる実施例の半導体レーザの製造工程図
である。 １１・・・・・・ＩｎＰ基板、１２・・・・・・ｎ−Ｉ
ｎ１−エＧａｘＡｓｙＰ１−ｙ層、１３−＝ ＝−ｎ−
Ｉ ｎＰ層、１４・・・・・・ｐ−ＩｎＰ層、１６・−
−−−・ｎ−ＩｎＰ層、１６−・・−ｐ −Ｇａ
Ａｓ ■ｎ１−ｘ′ｘ′ｙ′Ｐ１−ｙ１層、１７・・・・・・
Ｓｉｏ２膜、１ Ｂ −−・−ｎ−Ｉ ｎＰ層、１９
１ ・” ” ’ Ｉ ｎ １−ｘ Ｇ ａ ＸＡ！Ｉ
ｙＰ１−、活性層、１９−２−・・−・Ｉｎ１−、Ｇａ
ｘＧｓ。 ｐｌ−ｙ層、２０−−− ｐ−Ｉ ｎＰ層、２１−−−
−−− ｐ −Ｉｎ、−ｘｔＧａ、ｔＡｓｙｔＰｌ−ｙ
ｔ層、２２−１．２２−２・・・・・・反射面、２３・
・・・・・ＩｎＰ基板、２４・・・・・・ｎ−ＩｎＰ層
、２５・・・・・・Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰｌ−ｙ層
、２６−・・−・ｐ−ＩｎＰ層、２７・・・・・・ｐ−
工ｎ１−ｘｌＧａｘ／Ａ８ｙｌＰ１−ｙｌ層、２８−１
、２−、−・ＳｉＯ３膜、２９−＝＝−ｐ−ＩｎＰ層
、３０−−−−＝ ｎ−Ｉ ｎＰ層、３１・・・・・・
ＳｉＯ２膜、３２−２〜４・・・・・・反射面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （す ！ （ｂ〕 第２図 （ω２ 第３図 （α〕 （ｂλ
Claims (3)
- （１）直線導波路と反射面により形成された光閉開路を
有する半導体レーザ。 - （２）反射面は全反射面であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体レーザ。 - （３）直線導波路相互の接続部の少なくとも一部にハー
フミラーを配したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18990284A JPS6167977A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18990284A JPS6167977A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167977A true JPS6167977A (ja) | 1986-04-08 |
Family
ID=16249109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18990284A Pending JPS6167977A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167977A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340480A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体リングレーザ |
| JP2008145896A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザを用いたレーザポインタ |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP18990284A patent/JPS6167977A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340480A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体リングレーザ |
| JP2008145896A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザを用いたレーザポインタ |
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