JPS6167971A - Ｄｈｄ型発光ダイオ−ド - Google Patents

Ｄｈｄ型発光ダイオ−ド

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Publication number
JPS6167971A
JPS6167971A JP59189892A JP18989284A JPS6167971A JP S6167971 A JPS6167971 A JP S6167971A JP 59189892 A JP59189892 A JP 59189892A JP 18989284 A JP18989284 A JP 18989284A JP S6167971 A JPS6167971 A JP S6167971A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellet
glass
light emitting
emitting diode
glass tube
Prior art date
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Pending
Application number
JP59189892A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiko Ochiai
落合　康彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6167971A publication Critical patent/JPS6167971A/ja
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    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2924/1204—Optical Diode
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ＤＨＤ型発光発光ダイオードする。
（従来の技術） 従来、発光ダイオードには多くの構造のものがあるが、
その一つにＤＨＤ　（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｈｅａｔｓｉｎｋ
Ｄｉｏｄｅ　）型で構成されたものがある。
第２図は従来のＤＨＤ型発光発光ダイオード例の断面図
である。
発光ダイオードのペレット１は一対の外部導出リード２
ａ、２ｂにより挟着され、ガラス管３にて気密封上堰れ
るが、このとき、封止雰囲気である窒素を満たし九封止
空間４がペレットとガラスとの間に生じる。ペレットの
屈折率が例えばＧａＰの場合、Ｚ９と高いため臨界角が
２０’と小さくなりそれ以上の内置で結晶表面に入射さ
れる光子は全反射により結晶内部へ反射される。一方、
結晶自身の内部吸収が高い九め、再び光子が結晶外部へ
放出される機会が少なくなる。ま九、活性領域で発生し
た光子は、ガラス外部へ放出されるまでに、ペレット−
窒素雰囲気、窒素雰囲気−ガラス間の２ケ所にて屈折率
による影響を受ける。　　　　゛（発明が解決しようと
する問題点） 以上説明したように、従来のＤＨＤ型発光発光ダイオー
ド外部へ放出される光子が少なくなり、外部量子効率を
低下させるという欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、高い外部量子効率
を有するＤＨＤＷ発光ダイオードを提供することにある
。
（問題点を解決する九めの手段） 本発明のＤＨＤ型発光発光ダイオード一つの活性領域を
有する■−■族化合物半導体から成るペレットｉ一対の
外部導出リード間に挟着し、ガラス管にて気密封止して
なるＤＨＤ型発光発光ダイオードいて、前記ガラス管に
て前記ペレットの少くとも側面を覆うことを特徴として
構成される。
（実施例） 次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
発光ダイオードのペレット１は一対の外部導出リード２
ａ、２ｂにより挟着され、ガラス管５にて気密封止され
る。ガラスを封止する工程において、少なくとも１．５
　ｋｇ／ｃｆｆ１以上の圧力を加えることでガラス５に
てペレットｌの周囲、特に側面を覆うことができ、従来
存在してい友空間４ｔ−小さくすることができる。
一方、ガラスの屈折率は１．５程度であるので、ペレッ
トとの屈折率の整合を助けることが出来る。
また、活性領域で発生した光子は、ガラス外部へ放出さ
れるまでにペレット−ガラス間の１箇所のみ屈折率の違
いによる影響を受けるだけとなり、効率良くガラス外部
へ放出することができる。上記実施例ではＧａＰベレッ
トの例をあげたが、その他の■−■族化合物半導体、例
えばＧａＡｓＰであっても良い。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明は、発光ダイオードのペレ
ットの周囲、特に側面を覆うようにしたので、屈折率の
整合を助け、臨界角ｔ−３１’程度にすることができ、
結晶内部への反射率を下げることができ、外部量子効率
を改善したＤＨＤ型発光発光ダイオードることができる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来のＤ
ＨＤ型発光発光ダイオード例の断面図である。 １・・・・・・発光ダイオードのペレット、２ｍ、２ｂ
・・・・・・外部導出リード、３・・・・・・ガラス管
、４・・・・・・封止空間、５・・・・・・ガラス管。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　一つの活性領域を有するIII−Ｖ族化合物半導体から
    成るペレットを一対の外部導出リード間に挟着し、ガラ
    ス管にて気密封止してなるＤＨＤ型発光ダイオードにお
    いて、前記ガラス管にて前記ペレットの少くとも側面を
    覆うことを特徴とするＤＨＤ型発光ダイオード。
JP59189892A 1984-09-11 1984-09-11 Ｄｈｄ型発光ダイオ−ド Pending JPS6167971A (ja)

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JP59189892A JPS6167971A (ja) 1984-09-11 1984-09-11 Ｄｈｄ型発光ダイオ−ド

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JP59189892A JPS6167971A (ja) 1984-09-11 1984-09-11 Ｄｈｄ型発光ダイオ−ド

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6791181B2 (en) * 2000-11-29 2004-09-14 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor light emitting device
US6911678B2 (en) * 2003-05-30 2005-06-28 Stanley Electric Co., Ltd. Glass-sealed light-emitting diode
EP2596948A3 (en) * 2003-03-10 2017-03-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of making a semiconductor device

Cited By (3)

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EP2596948A3 (en) * 2003-03-10 2017-03-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of making a semiconductor device
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