JPS6164050A - 受像管の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ネック内壁にネック電位の上昇を抑制する金
属が蒸着される受像管の製法に関する。

〔従来の技術〕

受像管の電子銃が配されるネックガラスは絶縁物であり
、二次電子放出比が１以上である。そのため、何等かの
原因によりこのネック内壁に電子があたるとそれ以上の
電子が放出され、ネック内壁の電位が上がり、そしてま
た、ネック内壁の電位が上がると電子があたり易くなり
、一層電位が上がる。このようにネック内壁の電位が上
がると、高圧が低圧電極側に入り込み、ネック内壁と低
圧電極との間で放電が発生し、画像の乱れや、この受像
管を組み込む装置の半導体素子の破損等を生じる。

そこで、特開昭５８−３２３３７号公報、実開昭５８−
１０６８５５号公報に示すように、低圧電極に対応する
ネック内壁に金属を蒸着し、これにより二次電子放出比
を低下せしめ、ネック内壁の電位上昇を抑え、放電を防
止することが知られている。この場合、蒸着すべき金属
の線材、例えば純二・７ケルの線材を、低圧電極に絶縁
支持体をまたぐように予め設置し、例えば高周波加熱塩
ガスのプロセスにおいて、同時に線材を加熱し、金属を
飛散させてネック内壁に蒸着している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

この金属の蒸着時、例えば加熱パワーや加熱時間が過多
の場合には、金属の蒸着がネック内壁以外の部分、例え
ば電極等にもなされ、ステ広間、電極間リークを招くお
それがあった。そこで従来、例えば高周波加熱塩ガスの
プロセスにおいて、加熱パワーは金属蒸着量で規制され
、電子銃の部品の加熱を十分に行えず脱ガスが不充分で
、コ空度劣化等の不都合を生じている。

従って、本発明においては、例えば加熱パワーが過多の
場合でも金属の蒸着を最適に行うことができるようにす
るものである。

尚、金属の蒸着が必要以上にされないようにするため、
例えば金属線材を細くすることが考えられるが、溶断し
て電極間を接続するおそれがあり、好ましくない方法で
ある。

ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明は上述問題点を解決するため、高融点線材を蒸着
すべき金属の低融点材料で被覆した線材を使用するもの
である。例えば融点が３３７０°Ｃのタングステンの線
材（９ａ）を融点１４５５℃のニッケル（９ｂ）でメッ
キ等して被覆した線材（９）を使用するものである。

〔作用〕

高融点線材を被覆する低融点材料の量を蒸着に必要な量
としておくことにより、例えば加熱パワーが過多の場合
でも金属の蒸着は最適に行われる。

また、高融点線材が残り溶断す・ｂことはない。

〔実施例〕

以下、第１図を参照しながら、本発明方法の実施例につ
いて説明する。この第１図は受像管のネック部の例をボ
している。同図において、（１）はネックであり、その
内部に電子銃が配される。Ｇ１及びＧ２は電子銃を構成
する第１及び第２グリツド電柱であり、夫々例えば２０
０ｖ及び５００ｖが印加される。また、Ｇ３．Ｃ；４及
びＧ５は集束電極を構成する夫々第３、第４及び第５グ
リツド電極である。電極Ｇ５の前端には支持スプリング
（２）が接続され、電極Ｇ５にはネックｆｌ）の内壁に
被着形成された内部導電膜（３）より支持スプリング（
２）を介して例えば３０ＫＶが印加される。また、この
電極Ｇ５と電極Ｇ３とは電流制限用の例えばセラミック
よりなる高圧抵抗（４）を介して接続され、電極Ｇ３に
も電極Ｇ５と同電圧が印加される。また、電極Ｇ４は電
流制限用の例えばセラミックよりなる高圧抵抗（５）を
介してステムピン（６）に接続され、例えば６にνが印
加される。従って、電極Ｇ３〜Ｇ５は、ユニポテンシャ
ル型の集束電極構成とされる。

また、第１図において、（７）はアークサプレッサであ
り、第２図にしめすようにリング状に形成され、電極Ｇ
３の小径部ｇ３を囲むように配される。

このアークサプレッサ（７）には電ｐｊ８Ｇ２に印加さ
れる電圧と電極Ｇ３に印加される電圧との中間電圧が印
加される。例えばこのアークサプレッサ（７）にステム
ピン（６）に接続される高圧抵抗（５）のリード（５ａ
）が接続され、電極Ｇ４と同じ電圧が印加される。第２
図において、（７ａ）はリード接続のための切欠である
。

このアークサプレッサ（７）が配されることにより、例
えば高圧電極、低圧電極、ネック内壁間の電界が安定化
され、例えば電極Ｇ３から電極Ｇ２等への放電、高電位
電界が伸びてきているネック内壁から電極Ｇ２等への放
電が抑制される。

尚、電極Ｇ１〜Ｇ５は夫々固定ピンを介して絶縁支持体
であるビードガラス（８）に固定される。また、アーク
サプレッサ（７）もビードガラス（８）に接続される。

第２図において、（７ｂ）はビートガラス接続部である
。

このように電子銃の電極が形成されたものにおいて、ア
ークサプレッサ（７）に、ビードガラス（８）をまたぐ
ように線材（９）が設置され、アークサプレッサ（７）
に溶接される。この線材（９）は、第３図に示すように
、融点３３７０℃のタングステンの線材（９ａ）が融点
１４５５℃のニッケル（９ｂ）で被覆されたものである
。被覆はメッキ、蒸着、溶射等の方法で行われる。また
、被覆量は後述するネック内壁への蒸着に必要な量とさ
れる。尚、ビードガラス（８）には線材（９）の設置の
便宜のために、例えば切欠（８ａ）が設けられる。

そして、このように電子銃が形成されたものにおいて、
加熱コイル（１１）により高周波脱ガスのプロセスが行
われ、電子銃の部品が加熱されて脱ガスが行われ、この
とき同時に線材（９）が加熱されニッケル（９ｂ）が飛
散されて、ネック（１）の内壁に蒸着され、ニッケル層
ＧＯ＋が形成される。このニッケル層αωにより、上述
したように、ネック（１）の内壁の電圧上昇が抑えられ
、例えばカソード、ヒーター、電極Ｇｘ、０２等への放
電が防止される。

このように本例によれば、線材（９）の蒸着すべき金属
であるニッケル（９ｂ）の被ｆｆ１（Ｊはネック（１）
の内壁への蒸着に必要な量とされるので、例えば加熱パ
ワーが過多の場合でも、ニッケル（９ｂ）の蒸着は最適
となる。そして、この場合、タングステンの線材（９ａ
）は溶けることなくそのまま残るので、電極間接続のお
それもなく、この線材（９ａ）はアークサプレッサ（７
）の手薄な部分を補う部材として働く。

従って、本例のようにすることにより、高周波加熱脱ガ
スのプロセスにおいて、加熱パワーを十分とし、電子銃
の部品の加熱を十分に行うことができ、十分な説ガスが
可能である。例えば高圧抵抗（４１、（５１はセラミッ
クよりなるものであるが、これの脱ガスも十分に行うこ
とができる。

尚、上述例においては、高融点線材としてタングステン
の線材（９ａ）を使用したものであるが、タンタル（融
点２９９６℃）、モリブデン（融点２６１０℃）等の線
材であってもよい。一方、低融点材料としてニッケル（
９ｂ）を使用したものであるが、クロム（融点１９０５
℃）等であってもよい。

また、上述例においては、線材（９）がアークサブレフ
サ（７）に設置されるものについて述べたが、フォーカ
ス電極等の低圧電極に固定されるものにおいても同様で
ある。

また、上述例においては、線材（９）の加熱を加熱脱ガ
スのプロセスに行うものであるが、別々に行うことも考
えられる。

〔発明の効果〕

以上述べた本発明方法によれば、高融点線材を蒸着すべ
き金属の低融点材料で被覆した線材を使用するものであ
り、低融点材料の量をネック内壁への蒸着に必要な量と
しておくことにより、例えば加熱パワーが過多の場合で
も金属の蒸着は最適に行われる。また、高融点線材が残
り溶解することはない。

従って、例えば高周波加熱脱ガスのプロセスにおいて、
この金属蒸着を同時に行う場合にあっても、電子銃の部
品の加熱を十分に行うことができ、十分な脱ガスが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の説明のためのネック部の構
成図、第２図はアークサブレフサ部分の構成図、第３図
は一実施例に使用される線材の断面図である。 （１）はネック、（７）はアークサブレフサ、（９）は
線材、（９ａ）はタングステンの線材、（９ｂ）はニッ
ケルである。 同　　松隈秀盛、ぐ、７）、３

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 高融点線材を低融点材料で被覆した線材を、低圧に保持
   される電子銃電極にこの電子銃電極の絶縁支持体をまた
   ぐように設置し、電極加熱処理時に上記低融点材料を飛
   散させてネック内壁に蒸着させることを特徴とする受像
   管の製法。