JPH1125877A

JPH1125877A - 陰極線管及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1125877A
Application number: JP17423897A
Authority: JP
Inventors: Takumi Adachi; 巧安達; Kazuyuki Ota; 一幸太田; Makoto Miyazaki; 誠宮崎; Shuichi Kuwajima; 秀一桑島
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-06-30
Filing date: 1997-06-30
Publication date: 1999-01-29

Abstract

(57)【要約】【課題】ユニポテンシャル構造の電子銃を有する陰極
線管において、絶縁物等の沿面放電等の放電を防止する
ことができる構成の陰極線管及びその製造方法を提供す
る。【解決手段】ユニポテンシャル構造の電子銃２０を備
えて成り、電子銃２０のビードガラス１５により支持さ
れた複数の電極のうち、カソード７の次に配置された電
極８に、ビードガラス１５を囲むように金属線１３が取
り付けられ、金属線１３を加熱蒸着して得られる導電性
膜１４ｎ，１４ｂが、ネックガラス４内面及びビードガ
ラス１５のネックガラス４に対向する面に形成された陰
極線管１を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ユニポテンシャル
構造の電子銃を有する陰極線管及びその製造方法に係わ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の構造の陰極線管の一例を図９に示
す。図９は陰極線管の概略構成を示す図で、一部を内部
の構造を示す図としたものである。この陰極線管５１
は、ファンネルガラス２とパネルガラス３とネックガラ
ス４により陰極線管体が形成され、そのネックガラス４
内にユニポテンシャル構造の電子銃５０が封入されてな
る。ファンネルガラス２、及びネックガラス４のファン
ネルガラス２側の一部の内壁には、例えばカーボン等か
らなる内部導電膜５が形成されている。

【０００３】電子銃５０は、図１０の拡大図で示すよう
に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）に対応する３つの
カソード７（７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ）に対して共通の第１電
極（以下Ｇ₁電極という）８、第２電極（以下Ｇ₂電極
という）９、第３電極（以下Ｇ₃電極という）１０、第
４電極（以下Ｇ₄電極）１１及び第５電極（以下Ｇ₅電
極）１２が順次配列され、さらにＧ₅電極１２の後段に
４枚の偏向電極板２２ａ，２２ｂ，２２ｃ及び２２ｄか
らなる静電コンバージェンス手段２２が配され、これら
電極が一対のビードガラス１５によって支持されてな
る。図９において６は各カソード７に設けられたヒータ
ーである。Ｇ₁電極８、Ｇ₂電極９には低電圧が、互い
に接続線１６でつながれたＧ₃電極１０及びＧ₅電極１
２には高圧のアノード電圧が、Ｇ₄電極１１には中圧の
フォーカス電圧がそれぞれ印加され、Ｇ₃電極１０、Ｇ
₄電極１１及びＧ₅電極１２によってユニポテンシャル
型の主電子レンズが構成される。この電子銃５０では、
３つのカソードから出射された３つの電子ビームが主電
子レンズで交差した後、静電コンバージェンス手段２２
を通って、即ち中心ビームは偏向電極板２２ｂ及び２２
ｃ間を通り、両側ビームはそれぞれ偏向電極板２２ａ及
び２２ｂ間、偏向電極板２２ｃ及び２２ｄ間を通って、
蛍光面上でコンバージェンスされる。

【０００４】このような構造の陰極線管５１において
は、ネックガラス４とビードガラス１５の絶縁物上で沿
面放電を生じる問題がある。この沿面放電の原因となる
ものが、製造プロセスの種々の段階で陰極線管に入り込
んでしまう場合がある。例えば、図９中のファンネルガ
ラス２内の内部導電膜５に使われている例えばカーボン
が脱落して、電子銃５０のＧ₁電極８やＧ₂電極９に付
着してコールドエミッション源になったり、Ｇ₁電極
８、Ｇ₂電極９にキズやバリがあり、それがコールドエ
ミッション源になったりする。これらコールドエミッシ
ョン源によって、電界放出型の放電を生じる。

【０００５】放電の要因としては、この他例えば電極間
からの電子の漏れ、パネルガラス３内に形成された蛍光
面からの電子のはね返り、カソード７から生じる熱電子
等がある。

【０００６】また、陰極線管を製造する工程において存
在する異物などが混入して、同様なことが発生すること
もある。これらの沿面放電の原因を、陰極線管５１の製
造工程中に防止することは非常に困難である。

【０００７】上述のような陰極線管５１の電子銃５０に
おける、絶縁物４，１５による沿面放電を防止する方法
としては、これまで例えば、（１）特開昭５３−１２６４６５号公報に記載されてい
るように、ネックガラス４に対向するビードガラス１５
上に導電性膜を形成する方法（２）特開昭５６−１２３６５１号公報に記載されてい
るように、金属線を蒸着させて、ビードガラス１５とネ
ックガラス４内壁に金属蒸着被膜による導電性膜を形成
する方法等が提案されている。

【０００８】図１１に示すバイポテンシャル構造の電子
銃６０をネックガラス６１内に配した陰極線管７１で
は、（２）の方法がとられている。この電子銃６０は、
カソード６２に対して低電圧が印加される第１電極即ち
Ｇ₁電極６３、低電圧が印加される第２電極即ちＧ₂電
極６４、中電圧が印加される第３電極即ちＧ₃電極６５
及び高電圧のアノード電圧が印加される第４電極即ちＧ
₄電極６６が順次配列されて成り、Ｇ₃電極６５及びＧ
₄電極６６によってバイポテンシャル型の電子レンズが
構成される。この電子銃のフォーカス電極であるＧ₅電
極６５にビードガラス６７を囲むように金属線６８を取
付け、金属線６８を加熱蒸発させて、Ｇ₃電極６５に対
応する部分のネックガラス６１の内面及びビードガラス
６７の表面にそれぞれ金属蒸着膜による導電性膜６９を
形成するようにしている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
（１）のビードガラス１５上に導電膜を形成する方法で
は、ネックガラス４とビードガラス１５との間に起こる
沿面放電を防止するにあたって、ビードガラス１５上を
放電経路とする放電には有効であるが、ネックガラス４
上を放電経路とする放電には十分な放電防止効果を得る
ことができない。

【００１０】また、金属線をビードガラスを囲むように
取付け加熱蒸着する（２）の方法では、次のような問題
がある。ユニポテンシャル構造の電子銃の場合、高電圧
側から低電圧側にわたって、帯電により電位が上昇し、
高い電位が低電圧側に拡がって行くように見える、いわ
ゆる高電圧のしみこみと呼ばれる現象が、バイポテンシ
ャル電子銃の場合よりも顕著になる。この高電圧のしみ
こみ現象が生じると、電位変化の勾配の急な部分、即ち
電界の強い部分ができ、放電を生じやすくなる。

【００１１】このため、カソード７の次の電極即ちＧ₁
電極８よりも高圧に近い電極即ちＧ₂電極９に金属線を
取り付けて、これを蒸着させて金属蒸着薄膜からなる導
電膜を形成すると、その後のシーズニング時に生じる放
電により、この導電膜を損失してしまう場合があり、結
果的に十分な放電防止効果を得られない。

【００１２】本発明は上述のような従来技術の欠点を解
決するもので、ユニポテンシャル構造の電子銃を有する
陰極線管において、絶縁物等の沿面放電等の放電を防止
することができる構成の陰極線管及びその製造方法を提
供するものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の陰極線管は、ユ
ニポテンシャル構造の電子銃を備え、この電子銃のビー
ドガラスにより支持された複数の電極のうち、カソード
の次に配置された電極に、ビードガラスを囲むように金
属線が取り付けられ、金属線を加熱蒸着して得られる導
電性膜が、ネックガラス内面及びビードガラスのネック
ガラスに対向する面に形成された構成とする。

【００１４】また、本発明の陰極線管の製造方法は、金
属線を電子銃の電極にビードガラスを囲むように取り付
ける際に、この金属線の両端を溶接電極で押さえた状態
で溶接するものである。

【００１５】上述の本発明の構成によれば、ユニポテン
シャル構造の電子銃のカソードの次に配された電極にビ
ードガラスを囲むように取り付けた金属線を加熱蒸着し
て導電膜をネックガラス内面及びビードガラスのネック
ガラスに対向する面に形成することにより、この導電膜
により、絶縁体からなるネックガラス及びビードガラス
のチャージアップを防ぎ、これらの絶縁体を放電経路と
する放電を防止することができる。

【００１６】上述の本発明製法によれば、溶接時に金属
線のずれを生じなくなるため、所定の溶接位置に溶接を
行うことができ、耐電圧の低下を防止することができ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明は、ユニポテンシャル構造
の電子銃を備え、電子銃のビードガラスにより支持され
た複数の電極のうち、カソードの次に配置された電極
に、ビードガラスを囲むように金属線が取り付けられ、
金属線を加熱蒸着して得られる導電性膜が、ネックガラ
ス内面及びビードガラスのネックガラスに対向する面に
形成されて成る陰極線管である。

【００１８】本発明は、金属線を電子銃の電極にビード
ガラスを囲むように取り付ける際に、金属線の両端を溶
接電極で押さえた状態で溶接する工程を有する陰極線管
の製造方法である。

【００１９】以下、図面を参照して本発明の陰極線管及
びその製造方法を説明する。図１は、本発明の陰極線管
の一例の概略構成を示す図で、一部を内部の構造を示す
図としたものである。尚、図９と対応する部分には同一
の符号を付して示す。

【００２０】この陰極線管１は、ファンネルガラス２と
パネルガラス３とネックガラス４により陰極線管体が形
成され、そのネックガラス４内にユニポテンシャル構造
の電子銃２０が封入されてなる。ファンネルガラス２、
及びネックガラス４のファンネルガラス２側の一部の内
壁には、例えばカーボン等からなる内部導電膜５が形成
されている。

【００２１】電子銃２０は、図３の拡大図で示すよう
に、図１０と同様に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）
に対応する３つのカソード７（７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ）に対
して共通の第１電極即ちＧ₁電極８、第２電極即ちＧ₂
電極９、第３電極即ちＧ₃電極１０、第４電極即ちＧ₄
電極１１及び第５電極即ちＧ₅電極１２が順次配列さ
れ、さらにＧ₅電極１２の後段に４枚の偏向電極板２２
ａ，２２ｂ，２２ｃ及び２２ｄからなる静電コンバージ
ェンス手段２２が配され、これら電極が一対のビードガ
ラス１５によって支持されて成る。図１において、６は
各カソードに設けたヒーターである。

【００２２】Ｇ₁電極８、Ｇ₂電極９には低電圧が、互
いに接続線１６でつながったＧ₃電極１０及びＧ₅電極
１２には高圧のアノード電圧が、Ｇ₄電極１１には中圧
のフォーカス電圧が夫々印加され、Ｇ₃電極１０、Ｇ₄
電極１１及びＧ₅電極１２によってユニポテンシャル型
の主電子レンズが構成される。この電子銃２０では、３
つのカソードから出射された３つの電子ビームが主電子
レンズで交差した後、静電コンバージェンス手段２２を
通って、即ち中心ビームは偏向電極板２２ｂ及び２２ｃ
間を通り、両側ビームはそれぞれ偏向電極板２２ａ及び
２２ｂ間、偏向電極板２２ｃ及び２２ｄ間を通って、蛍
光面上でコンバージェンスされる。

【００２３】そして、本例においては、特に、カソード
電極７の次に高圧側に配置された電極即ちＧ₁電極８に
金属線１３が形成され、さらに、この金属線１３により
後述するようにして形成されたネックガラス４内壁の導
電膜１４ｎと、ビードガラス１５上に形成された導電膜
１４ｂを有する構成である。

【００２４】導電膜１４ｎ，１４ｂを形成するための金
属線１３には、ワイヤー状やリボン状のものが使用さ
れ、第１電極即ちＧ₁電極８に溶接などで取り付けられ
る。即ち、図２にＧ₁電極８付近の断面図を示すよう
に、円筒状のＧ₁電極８の周囲に、ビードガラス１５を
囲むように金属線１３を配置する。そして、溶接点２１
において金属線１３をＧ₁電極８に溶接する。

【００２５】これにより、Ｇ₁電極８に対応した部分の
ネックガラス４、ビ−ドガラス１５に導電膜１４ｎ，１
４ｂを形成して、この部分を放電経路とする放電を抑制
することが可能となる。さらに、カソード７の次のＧ₁
電極８の位置に導電膜１４ｎ，１４ｂが形成されること
により、高電圧のしみこみの少ない領域に導電膜が形成
されるため、より効果的に放電防止ができる。

【００２６】この導電膜１４ｎ，１４ｂの形成は、例え
ば次のように行う。前述のように電子銃２０のカソード
の次に高圧側に配置されたＧ₁電極８に、金属線１３を
ビードガラス１５を囲むように取り付け、電子銃２０を
ネックガラス４内に封止する。

【００２７】そして、陰極線管１内を排気した後に、陰
極線管１内が高真空になった状態で、高周波加熱などに
より金属線１３を加熱することにより、金属線１３の一
部が蒸着して、ネックガラス４とビードガラス１５にそ
れぞれ導電性膜１４ｎ，１４ｂが形成される。

【００２８】ところで、金属線１３の両端をＧ₁電極８
に、図２中の溶接点２１で溶接する工程において、金属
線１３の溶接を一端ずつ順次に行うと、先に行った一端
の溶接のために、電極や金属線の変形で金属線位置が変
化し、次に行われる他端の溶接の位置がずれてしまい、
金属線の電子銃との位置ずれが起こり、蒸着位置のずれ
が生じてしまうことがある。そして、金属線の位置ずれ
やこの位置ずれのために発生する溶接スプラッシュのた
めに耐電圧効果の低下をもたらす。この溶接スプラッシ
ュ（バリ）は、帯状もしくは棒状の金属線を、中心から
ずれて外縁部で溶接してしまうと、この外縁部において
形成されやすい。

【００２９】これを防止するために、金属線の位置決め
を行った後に、金属線の両端を、共に溶接電極で押さえ
た状態で溶接を行う。これにより、金属線の位置ずれを
防ぎ、上述の不具合の発生をなくすことができる。以下
にその具体例をあげる。

【００３０】金属線が位置決めされた後、金属線の両端
を溶接電極により電子銃電極と金属線を挟み金属線を押
さえた状態にして、例えば以下の溶接条件で溶接する。溶接時加圧：２〜６ｋｇ／ｃｍ² 電流：０．７ｋＡ〜１．５ｋＡ溶接時間：３〜１０ｍｓｅｃ電極材料：銅又はクロム銅この条件で金属線の一端の溶接が終了したら、続いて金
属線の他端の溶接を同様な条件で行う。

【００３１】ここで、従来の構造の電子銃を有する陰極
線管と、上述のように導電膜を形成した電子銃を有する
陰極線管との特性の比較を行った。

【００３２】（試験１）以下の試料１から試料３の電子
銃を用いて、それぞれ陰極線管を作製し、各陰極線管に
対してＶＩ測定を行った。

【００３３】試料１）従来の陰極線管５１であり、図１
０に示す状態でユニポテンシャル構造の電子銃５０を作
製した。そして、各電極に、即ちＧ₁電極８にほぼ０
Ｖ、Ｇ₂電極９に２００Ｖ〜３００Ｖ、Ｇ₃電極１０に
２７０００Ｖ〜３００００Ｖ、Ｇ₄電極１１に３０００
〜６０００Ｖ、Ｇ₅電極１２に２７０００〜３００００
Ｖの電圧をそれぞれ印加して、ＶＩ特牲を測定した。

【００３４】試料２）本発明の陰極線管１であり、図３
に示すように、Ｇ₁電極８に金属線１３を取り付け、こ
の金属線１３によりネックガラス及びビードガラス５に
導電膜が形成されたユニポテンシャル構造の電子銃１を
作製し、そのＶＩ特性を測定した。試料３）比較例の陰極線管であり、図４に示すように、
Ｇ₂電極９に金属線１３を取り付け、この金属線１３に
よりネックガラス及びビードガラス５に導電膜が形成さ
れたユニポテンシャル構造の電子銃８０を作製し、その
ＶＩ特性を測定した。尚、試料２及び試料３において
は、金属線１３をそれぞれ最適条件で蒸着して、導電膜
１４ｎ，１４ｂからなるアークサプレッサー（放電抑制
材）を形成した。

【００３５】ＶＩ特性は、測定の対象となる各電極の電
圧を固定し、例えばＧ₁電極８のＶＩ特性を測定すると
きは、高電圧の電極（Ｇ₃電極１０及びＧ₅電極１２）
の電圧を０Ｖから増加させていき、その他の電極の電圧
は上記の電圧として、３ｎＡのリーク電流が流れるとき
の高電圧の電極の電圧値を読みとることにより測定を行
った。但し、Ｇ₄電極１１のＶＩ特性は、Ｇ₄電極１１
の電圧を０Ｖとして、高電圧の電極（Ｇ₃電極１０及び
Ｇ₅電極１２）に印加する電圧を０Ｖから増加させてい
き、３ｎＡのリーク電流が流れるときの電圧値を読みと
ることにより測定した。

【００３６】その結果を下記表１に示す。Ｌｉｃ１、Ｌ
ｉｃ２、Ｌｉｃ４は、それぞれＧ₁、Ｇ₂、Ｇ₄にリー
ク電流３ｎＡが流れた時の、高電圧の電極への印加電圧
である。尚、測定値は試料数１０本の平均値である。

【００３７】

【表１】

【００３８】表１の測定値は、測定値が大きいほど、電
界が大きくなっても放電しにくいことを示す。表１よ
り、Ｇ₁電極８に金属線１３を取り付けて導電膜１４
ｎ，１４ｂを形成すると、放電しにくく耐電圧効果があ
ることがわかる。特に、Ｇ₁電極８における放電が抑制
され、Ｇ₂電極９においても抑制効果を有することがわ
かる。Ｇ₄電極１１における放電については従来の構造
と差が見られなかった。

【００３９】一方、Ｇ₂電極９に金属線１３を取り付け
て導電膜１４ｎ，１４ｂを形成した場合には、金属線１
３を取り付けない従来の構造と大きな差が見られなかっ
た。

【００４０】（試験２）上述の試験１においてＶＩ特性
を測定した、各仕様の電子銃（試料１〜３）を完成陰極
線管にした。尚、試料２及び試料３については、その最
適条件により金属線の蒸着を行って、アークサプレッサ
ーを形成した。

【００４１】次に、実際に陰極線管を動作させる状態と
して、動作電圧２９ＫＶでエージングを行い、その間の
放電回数を測定した。測定時間は９６時間であった。そ
して、放電率及び放電頻度を下記のように定義し、計算
により求めた。放電率：放電した陰極線管の数／エージング総本数×１
００（単位：％）放電頻度：全ての陰極線管の放電回数の和／（エージン
グ総本数×時間）（単位：回／（本×時間））表２に測定結果を示す。尚、測定結果は試料数１０本の
平均値である。

【００４２】

【表２】

【００４３】表２より、Ｇ₁電極８に金属線１３を取り
付けて導電膜１４ｎ，１４ｂからなるアークサプレッサ
ーを形成すると、放電が発生しなかった。Ｇ₂電極９に
金属線１３を取り付けて導電膜１４ｎ，１４ｂからなる
アークサプレッサーを形成した場合にも、従来の構造よ
り放電の発生が半分以下に低減されることが分かった。

【００４４】（試験３）続いて、他の構造の電子銃に対
して、アークサプレッサーの形成位置と陰極線管の特性
との関係を調べた。

【００４５】図５に示すような、ユニポテンシャル構造
の電子銃３０を構成する。この電子銃３０は、ダイナミ
ック四重極レンズ付きの電子銃で、Ｇ₄電極が３分割さ
れて成り、その中間の電極即ちＧＭ電極１７にフォーカ
ス電圧を印加し、その両側の２つのＧ₄電極１１ａ，１
１ｂにフォーカス電圧に例えば１ｋＶ程度の可変電圧が
重畳された電圧を印加し、これらの電極１１ａ，１１
ｂ，１７が、図示しないが電子ビームに対して上下左右
の４方向に力を加えて、電子ビームの断面形状の整形を
することができる構成を有するものである。図６の例で
は、更にＧ₂電極９とＧ₃電極１０との間にもＧＭ電極
１７が設けられ、このＧＭ電極１７はＧ₄電極１１ａ，
１１ｂの間のＧＭ電極１７と接続されて等電位とされて
いる。その他の構成は図１０の電子銃２０と同様であ
る。

【００４６】試料４）金属線１３を取り付けない、図５
に示す状態で電子銃３０を作製した。試料５）図６に示すように、Ｇ₁電極８のみに金属線１
３を取り付け、この金属線１３によりネックガラス４及
びビードガラス１５に導電膜が形成された電子銃３０を
作製し、そのＶＩ特性を測定した。試料６）図７に示すように、Ｇ₂電極９のみに金属線１
３を取り付け、この金属線１３によりネックガラス４及
びビードガラス１５に導電膜が形成された電子銃３０を
作製し、そのＶＩ特性を測定した。試料７）図８に示すように、Ｇ₂電極９とＧ₃電極１０
との間に配置されたＧＭ電極１７のみに金属線１３を取
り付け、この金属線１３によりネックガラス４及びビー
ドガラス１５に導電膜が形成された電子銃３０を作製
し、そのＶＩ特性を測定した。尚、試料５〜試料７につ
いては、その最適条件により金属線の蒸着を行って、ア
ークサプレッサーを形成した。

【００４７】これらの試料４〜試料７に対して、試験１
と同様にＶＩ特牲を測定した。ＶＩ特性の測定において
は、電子銃３０の各電極に、Ｇ₁電極８に約０Ｖ、Ｇ₂
電極９に２００〜６００Ｖ、Ｇ₃電極１０に２７０００
Ｖ〜２９０００Ｖ、Ｇ₄電極１１ａ，１１ｂに５０００
〜１１０００Ｖ、Ｇ₅電極１２に２７０００Ｖ〜２９０
００Ｖ、ＧＭ電極１７にＧ₄電極１１ａ，１１ｂより１
０００Ｖ低い電圧を印加する。試験１と同様に、測定の
対象の電極の電位を固定し、高電圧の電極（Ｇ₃電極１
０及びＧ₅電極１２）の電圧を０Ｖから増加させてい
き、その他の電極の電圧は上記の電圧として、３ｎＡの
リーク電流が流れるときの高電圧の電極の電圧値を読み
とることにより測定を行った。ただし、測定時のＧ₄電
極１１ａ，１１ｂ、ＧＭ電極１７の電圧は、０Ｖに固定
とした。

【００４８】測定結果を下記表３に示す。尚、測定値は
試料数１０本の平均値である。

【００４９】

【表３】

【００５０】表３より、先の試験１で用いた構造の電子
銃２０の場合と同様に、Ｇ₁電極８に金属線１３を取り
付けて、導電膜１４ｎ，１４ｂからなるアークサプレッ
サーを形成した場合に、放電しにくくなることがわか
る。そして、放電抑制効果はＧ₁電極８，Ｇ₂電極９，
ＧＭ電極１７と及んでいることがわかる。

【００５１】（試験４）実施例３の各試料の仕様の電子
銃を完成陰極線管にし、試験２と同様に実装状態で２９
ＫＶでエージングを行い、放電回数の測定及び放電頻度
の計算を行った。測定時間は９６時間である。その結
果、下記表４のようになった。尚、測定値はそれぞれの
試験の試料数の平均値である。

【００５２】

【表４】

【００５３】表４より、この電子銃３０の構造でも、Ｇ
₁電極８に金属線１３を取り付けて導電膜１４ｎ，１４
ｂからなるアークサプレッサーを形成すると、放電を大
幅に低減することができることがわかる。また、試料７
のように、高電圧が印加される電極の隣のＧＭ電極１７
に金属線１３を取り付けて導電膜１４ｎ，１４ｂからな
るアークサプレッサーを形成した場合には、耐電圧効果
が充分に得られなかった。これは、前述したように、陰
極線管の製造工程中のシーズニングの際に生じる放電に
より、導電膜１４ｎ，１４ｂが損失されるためと考えら
れる。

【００５４】以上の結果のように、ユニポテンシャル電
子銃においては、バイポテンシャル電子銃（ユニバイポ
テンシャル電子銃も含む）と比較して、アークサプレッ
サーの取付位置による耐電圧効果に大きな違いがみられ
る。即ち、バイポテンシャル電子銃においては、高電圧
の電極にアークサプレッサーを取り付けると耐電圧効果
を有するが、低電圧側の電極のどの電極に取り付けて
も、いずれも効果がほとんどなく取り付け位置による差
は小さい。一方、上述のように、ユニポテンシヤル電子
銃においては、試料２及び試料５のように、カソード電
極７に一番近いＧ₁電極に導電膜からなるアークサプレ
ッサーを形成すると、耐電圧効果が著しく発揮されるこ
とがわかる。

【００５５】従って、ユニポテンシャル電子銃を使用し
た陰極線管において、ネックガラス４の帯電等によって
発生する単発放電や、繰り返し発生する複数回放電に対
して、カソード電極に一番近いＧ₁電極に取り付けられ
た金属線１３及びその加熱蒸着で形成されたネックガラ
ス４とビードガラス１５の導電膜１４ｎ，１４ｂがネッ
クガラス４の内壁のチャージアップを抑制することがで
き、これにより、絶縁物に発生する電子雪崩を抑制し、
沿面放電が防止される。このとき、例えば前述のコール
ドエミッション源となるようなものが存在していても、
導電膜１４ｎ，１４ｂによりネックガラス４及びビード
ガラス１５のチャージアップが防止されるので、放電が
生じにくくなる。

【００５６】本発明の陰極線管及びその製造方法は、上
述の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲でその他様々な構成が取り得る。

【００５７】

【発明の効果】上述の本発明による陰極線管によれば、
カソードの次に配置された電極に金属線が取り付けら
れ、金属線を加熱蒸着して得られる導電性膜が、ネック
ガラス内面及びビードガラスのネックガラスに対向する
面に形成されることにより、ユニポテンシャル電子銃を
使用した陰極線管において、ネック部内壁の帯電等によ
って発生する単発放電や、繰り返し発生する複数回放電
に対して、電極に取り付けられた金属線及びその加熱蒸
着で形成された導電膜がネック部内壁のチャージアップ
を抑制することにより、放電が防止される。

【００５８】また、本発明の陰極線管の製造方法によれ
ば、金属線の電子銃電極への溶接時に金属線の両端を溶
接電極で押さえた状態とすることにより、金属線の位置
ずれや溶接スプラッシュのない良好なアークサプレッサ
ーを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の陰極線管の一例の概略構成図（内部構
造を示す図）である。

【図２】図１の陰極線管のＧ₁電極付近の断面図であ
る。

【図３】図１の金属線をＧ₁電極に取り付けた場合の要
部の内部構造を示す図である。

【図４】金属線をＧ₂電極に取り付けた場合の比較例の
陰極線管の要部の内部構造を示す図である。

【図５】ダイナミック四重極レンズ付きの電子銃を有す
る陰極線管の内部構造を示す図である。

【図６】図５の構造に対して、金属線をＧ₁電極に取り
付けた場合の本発明に係る陰極線管を示す図である。

【図７】図５の構造に対して、金属線をＧ₂電極に取り
付けた場合の比較例の陰極線管の内部構造を示す図であ
る。

【図８】図５の構造に対して、金属線をＧＭ電極に取り
付けた場合の陰極線管の内部構造を示す図である。

【図９】従来の陰極線管の一例の概略構成図（内部構造
を示す図）である。

【図１０】図９の金属線を電子銃に取り付けない場合の
要部の内部構造を示す図である。

【図１１】従来のバイポテンシャル構造の電子銃を備え
た陰極線管の要部の内部構造を示す図である。

【符号の説明】

１陰極線管、２ファンネルガラス、３パネルガラ
ス、４ネックガラス、５内部導電膜、６ヒータ
ー、７，７Ｒ，７Ｇ，７Ｂカソード、８Ｇ₁電極、
９Ｇ₂電極、１０Ｇ₃電極、１１，１１ａ，１１ｂ
Ｇ₄電極、１２Ｇ₅電極、１３金属線、１４ｎ，１
４ｂ導電膜、１５ビードガラス、１６接続線、１７
ＧＭ電極、２０，３０電子銃、２１溶接点、２２
静電コンバージェンス手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者桑島秀一東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ユニポテンシャル構造の電子銃を備え、該電子銃のビードガラスにより支持された複数の電極の
うち、カソードの次に配置された電極に、上記ビードガ
ラスを囲むように金属線が取り付けられ、上記金属線を加熱蒸着して得られる導電性膜が、ネック
ガラス内面及び上記ビードガラスの該ネックガラスに対
向する面に形成されて成ることを特徴とする陰極線管。
【請求項２】金属線を電子銃の電極にビードガラスを
囲むように取り付ける際に、該金属線の両端を溶接電極
で押さえた状態で溶接する工程を有することを特徴とす
る陰極線管の製造方法。