JPS6162875A - 傍熱型電力センサ− - Google Patents
傍熱型電力センサ−Info
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- JPS6162875A JPS6162875A JP18363884A JP18363884A JPS6162875A JP S6162875 A JPS6162875 A JP S6162875A JP 18363884 A JP18363884 A JP 18363884A JP 18363884 A JP18363884 A JP 18363884A JP S6162875 A JPS6162875 A JP S6162875A
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- stripline
- thin film
- electrode
- center conductor
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- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、傍熱型電力ヒンリーに関Ｊるものである。
［従来の技術１
従来の傍熱型電力レンリーどしては、同軸形の６のが（
÷々４ｊｉ！案さｈでいる１゜例えば、実公１げｌ Ｆ
ｉ ４−／１２９４４号どじで公告され−（いる（・メ
１熱≧（１！電力ｌ！ンリーは、円形の絶縁シートの一
方の而に同軸状に中心導体薄膜電極と外部導体１９１１
４！電極を設（ノるど共にこれら内外の薄膜電極間に（
Ｊ電力段１１Ｍ ｎ！膜抵抗体を接続して設（ノ、絶縁
シートの他方の而には電力吸収薄膜抵抗体に対応りる位
首に電力検出用簿膜熱電λ１を設け、苅応しｈいイ◇買
にｌ？ｌＡ世袖ｔＳ川薄膜用電対を設（ノ、内熱電対を
逆極ｆ１で直夕１１接続した構造の電力検出シー１゛を
用い（いる。この電力検出シー１−は、Ｉｒ−４１軸線
路の中心導体と外部導体どの間のマイクロ波電磁界中に
電力吸収薄膜抵抗体ど淘ａ補償用薄膜熱電対とが存在す
るように配置し、この電力吸＋１’＆薄膜抵抗４体でマ
イクロ波エネルギーを熱１ｒネルギーに変換し、この熱
エネルギーを電力検出用？＋９膜熱雷対で電気信号に変
換して電力検出を行うＪ、うになっている。
÷々４ｊｉ！案さｈでいる１゜例えば、実公１げｌ Ｆ
ｉ ４−／１２９４４号どじで公告され−（いる（・メ
１熱≧（１！電力ｌ！ンリーは、円形の絶縁シートの一
方の而に同軸状に中心導体薄膜電極と外部導体１９１１
４！電極を設（ノるど共にこれら内外の薄膜電極間に（
Ｊ電力段１１Ｍ ｎ！膜抵抗体を接続して設（ノ、絶縁
シートの他方の而には電力吸収薄膜抵抗体に対応りる位
首に電力検出用簿膜熱電λ１を設け、苅応しｈいイ◇買
にｌ？ｌＡ世袖ｔＳ川薄膜用電対を設（ノ、内熱電対を
逆極ｆ１で直夕１１接続した構造の電力検出シー１゛を
用い（いる。この電力検出シー１−は、Ｉｒ−４１軸線
路の中心導体と外部導体どの間のマイクロ波電磁界中に
電力吸収薄膜抵抗体ど淘ａ補償用薄膜熱電対とが存在す
るように配置し、この電力吸＋１’＆薄膜抵抗４体でマ
イクロ波エネルギーを熱１ｒネルギーに変換し、この熱
エネルギーを電力検出用？＋９膜熱雷対で電気信号に変
換して電力検出を行うＪ、うになっている。
［発明が解決しにつとする問題点１
しかしながら、従来のこのよう４１同軸形の傍熱型電力
セン４ノーでは、マイク［１波￥ｉ磁界中にマツチング
がとりにくい温度補償用薄膜熱電対を配冒せざるを得な
いので、この温度補償用薄膜熱電ｊＪによりマイクロ波
電磁界が乱される欠点があった。
セン４ノーでは、マイク［１波￥ｉ磁界中にマツチング
がとりにくい温度補償用薄膜熱電対を配冒せざるを得な
いので、この温度補償用薄膜熱電ｊＪによりマイクロ波
電磁界が乱される欠点があった。
また、同軸形では中心導体と外部導体との質量差が大き
くなり、従って両導体間の温度差及び温度変化のスピー
ド差が大きくなり、温度補償がむずかしい欠点があった
。
くなり、従って両導体間の温度差及び温度変化のスピー
ド差が大きくなり、温度補償がむずかしい欠点があった
。
本発明の１つの目的は、マイクロ波電磁界を乱すことな
く温度補償を行うことがＣぎる傍熱型電力セン９−を１
２供するにある。
く温度補償を行うことがＣぎる傍熱型電力セン９−を１
２供するにある。
本発明の他の目的は、中心導体と外部導体との質量差に
基く温度補償の問題を解決できる傍熱型電力レンリーを
１；１！供りるにある。３１間Ｒ１’ｌ白を解決りる／
ｊめの手段１本願の第１の発明は、絶縁シー１−の−１
）の而に中心導体接続用ストリップライン電極ど接１ｔ
！ｌ Ｉｌｌ Ａ琴肱電榛どが而り向に位買を異にし−
て設（−」られ目っ前記両ｒａ ｎｉ間に１．Ｌ電力吸
収用ストリップライン抵抗体がぞの両端を前記両電極に
接続してｉｉＵ ｉＪられ、ｆ１’ｌ Ｍｌ！絶縁シー
１−の他方の面には前記電力吸収用ストリップライン抵
抗体に対応して電力検出用薄膜熱電灼か説（〕られ（イ
ｆるストリップライン型電力検出シー１−と、外部導体
接続用のヒートシンクとをセ１１え、前記ビー１ヘシン
ク内には中心導体接続相聞［１部を右Ｊる遮ｆｌｔ”’
ｆが設けられ、前記ストリップライン型電力検出シート
〜はぞの接地用薄膜電極を前記ヒートシンクに電気的に
接続して前記遮蔽室内に１■容゛されていることを１Ｊ
ｉ徴どＪるものである。
基く温度補償の問題を解決できる傍熱型電力レンリーを
１；１！供りるにある。３１間Ｒ１’ｌ白を解決りる／
ｊめの手段１本願の第１の発明は、絶縁シー１−の−１
）の而に中心導体接続用ストリップライン電極ど接１ｔ
！ｌ Ｉｌｌ Ａ琴肱電榛どが而り向に位買を異にし−
て設（−」られ目っ前記両ｒａ ｎｉ間に１．Ｌ電力吸
収用ストリップライン抵抗体がぞの両端を前記両電極に
接続してｉｉＵ ｉＪられ、ｆ１’ｌ Ｍｌ！絶縁シー
１−の他方の面には前記電力吸収用ストリップライン抵
抗体に対応して電力検出用薄膜熱電灼か説（〕られ（イ
ｆるストリップライン型電力検出シー１−と、外部導体
接続用のヒートシンクとをセ１１え、前記ビー１ヘシン
ク内には中心導体接続相聞［１部を右Ｊる遮ｆｌｔ”’
ｆが設けられ、前記ストリップライン型電力検出シート
〜はぞの接地用薄膜電極を前記ヒートシンクに電気的に
接続して前記遮蔽室内に１■容゛されていることを１Ｊ
ｉ徴どＪるものである。
本願の第２の発明ｉｔ、絶縁シートの一方の面に中心導
体接続用ストリップライン電極と接地用薄膜電極どが面
方向に位置を異にして設りられ月っ前記両電極間には電
力吸収用ストリップライン抵抗体がその両端を前記両電
極に接続して設置）られ、前記絶縁シートの他方の面に
は前記電力吸収用ストリップライン抵抗体に対応して電
力検出用薄膜熱雷対が設けられてなるストリップライン
型電力検出シートと、外部導体接続用のヒートシンクと
、金属と同程度の熱伝導性をもつ熱電１Ｆ ｔ’ｌ絶縁
基板の一方の面に中心導体接続用ストリップライン電極
が設けられてなる温度補償用ストリップライン板とを備
え、前記ヒートシンク内には中心導体接続用開口部を有
する遮蔽室が設けられ、前記温度補償用スｈリップライ
ン板は前記中心導体接続用ストリップライン電極が設置
ノられている面とは陵対側の面を前記遮蔽室の壁面に熱
伝導可能に接触させて収容され、前記ストリップライン
型電ノＪ検出シートはその中心導体接続用ストリップラ
イン電極を前記温度補償用ストリップライン板の前Ｒ１
；中心導体接続用ストリップライン電極に電気的に接続
し且つその接地用薄膜電極を前記ヒートシンクに電気的
に接続して前記遮蔽室内に収容されて−６＝ いることを特徴ど・ノるものである。
体接続用ストリップライン電極と接地用薄膜電極どが面
方向に位置を異にして設りられ月っ前記両電極間には電
力吸収用ストリップライン抵抗体がその両端を前記両電
極に接続して設置）られ、前記絶縁シートの他方の面に
は前記電力吸収用ストリップライン抵抗体に対応して電
力検出用薄膜熱雷対が設けられてなるストリップライン
型電力検出シートと、外部導体接続用のヒートシンクと
、金属と同程度の熱伝導性をもつ熱電１Ｆ ｔ’ｌ絶縁
基板の一方の面に中心導体接続用ストリップライン電極
が設けられてなる温度補償用ストリップライン板とを備
え、前記ヒートシンク内には中心導体接続用開口部を有
する遮蔽室が設けられ、前記温度補償用スｈリップライ
ン板は前記中心導体接続用ストリップライン電極が設置
ノられている面とは陵対側の面を前記遮蔽室の壁面に熱
伝導可能に接触させて収容され、前記ストリップライン
型電ノＪ検出シートはその中心導体接続用ストリップラ
イン電極を前記温度補償用ストリップライン板の前Ｒ１
；中心導体接続用ストリップライン電極に電気的に接続
し且つその接地用薄膜電極を前記ヒートシンクに電気的
に接続して前記遮蔽室内に収容されて−６＝ いることを特徴ど・ノるものである。
１発明の作１（１１
第１の発明では、ストリップライン型の電力検出シート
を用い−Ｃいるので、マイクロ波電磁界は中心導体接続
用ストリップライン電極とヒートシンクどの間に］三ど
じて生ずることになり、従って温度補償ＩＩＩ薄膜熱電
ｊｉｌ ４１マイク「１波電号１界から姻れた位首に存
イ［りるにうになり、マイクロ波型ｉｆ￥、ｌを乱さな
くなる。
を用い−Ｃいるので、マイクロ波電磁界は中心導体接続
用ストリップライン電極とヒートシンクどの間に］三ど
じて生ずることになり、従って温度補償ＩＩＩ薄膜熱電
ｊｉｌ ４１マイク「１波電号１界から姻れた位首に存
イ［りるにうになり、マイクロ波型ｉｆ￥、ｌを乱さな
くなる。
第２の発明ぐは、第１の発明と同様に１〜リツプライン
！Ｘ１４電力検出シー１−を用いているので、温度補償
用薄膜熱電対がマイクロ波電磁界を乱さイ【り／「る、
１；ｌ、た、温度補償用ストリップライン板は、金属ど
同稈１ｕの熱伝導ｔ１１をｂつ熱伝導性絶縁基板を用い
て同軸線路のストリップライン化を図っているのＣ１中
心導体接続用ストリップライン電極どヒーＩ〜シンク間
の熱伝導が良くなり、両省間の質量差に！１艮＜温１良
差を少なくＪることができ、温ｔα補償かなされる３゜ ［実施例１ 以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
！Ｘ１４電力検出シー１−を用いているので、温度補償
用薄膜熱電対がマイクロ波電磁界を乱さイ【り／「る、
１；ｌ、た、温度補償用ストリップライン板は、金属ど
同稈１ｕの熱伝導ｔ１１をｂつ熱伝導性絶縁基板を用い
て同軸線路のストリップライン化を図っているのＣ１中
心導体接続用ストリップライン電極どヒーＩ〜シンク間
の熱伝導が良くなり、両省間の質量差に！１艮＜温１良
差を少なくＪることができ、温ｔα補償かなされる３゜ ［実施例１ 以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
第１図（Ａ＞（Ｂ）乃至第５図に示すように、本実施例
の傍熱型置カレンＩＹ−においては、測定すべきマイク
ロ波は同軸線路１を介して伝えられる。同軸線路１は、
中心導体２ど外部導体３とが同心配置され、両者は絶縁
スペーサ４でぞの間隔が保持された構造になっている。
の傍熱型置カレンＩＹ−においては、測定すべきマイク
ロ波は同軸線路１を介して伝えられる。同軸線路１は、
中心導体２ど外部導体３とが同心配置され、両者は絶縁
スペーサ４でぞの間隔が保持された構造になっている。
外部導体３の端部にはアルミニウムよりなる外部導体接
続用ビー１〜シンク５が電気的に接続されて配設されて
いる。ヒートシンク５は上下に２つ割りになっていて、
内部には遮蔽室６が設ＬＪられている。遮蔽室６には中
心導体２に対応して中心導体接続用開口部７が設【ノら
れている。
続用ビー１〜シンク５が電気的に接続されて配設されて
いる。ヒートシンク５は上下に２つ割りになっていて、
内部には遮蔽室６が設ＬＪられている。遮蔽室６には中
心導体２に対応して中心導体接続用開口部７が設【ノら
れている。
遮蔽室６内の底部には温度補償用ストリップライン化８
が設置されている。この温度補償用ストリップライン板
８は、ヒートシンク５を構成Ｊるアルミニウムと同程度
の熱伝う９性をｂつベリリヤ磁器よりなる熱伝導性絶縁
基板９と、その一方の面の中央に設けられた中心導体接
続用ストリップライン電極１０と、この電極１０に平行
してその両側の先端部にＫＱ ＩＪられた温度バランス
用７４９膜電極１１．１２とから成っている。熱伝導性
絶縁基板９はヒーｉ・シンク５との熱伝達が良好に行わ
れる」こうに’４’−Ｉ口・口Ｊされている。
が設置されている。この温度補償用ストリップライン板
８は、ヒートシンク５を構成Ｊるアルミニウムと同程度
の熱伝う９性をｂつベリリヤ磁器よりなる熱伝導性絶縁
基板９と、その一方の面の中央に設けられた中心導体接
続用ストリップライン電極１０と、この電極１０に平行
してその両側の先端部にＫＱ ＩＪられた温度バランス
用７４９膜電極１１．１２とから成っている。熱伝導性
絶縁基板９はヒーｉ・シンク５との熱伝達が良好に行わ
れる」こうに’４’−Ｉ口・口Ｊされている。
）晶磨補償用ストリップライン板８の長さは、遮蔽室６
の良ざＪ、り短く形成されていて、両者の間に間隙部１
３が設（）られている１、この間隙部１３を中心どじて
編１η？＋Ｉｉ ｔｆｉｔ用ス１ヘス１プライン根８と
ヒートシンク５のＦ郡部ｌどにｖ９つてストリップライ
ン型電力検出シート１４が載置され、その上に絶縁シー
ト１５が載置されている。
の良ざＪ、り短く形成されていて、両者の間に間隙部１
３が設（）られている１、この間隙部１３を中心どじて
編１η？＋Ｉｉ ｔｆｉｔ用ス１ヘス１プライン根８と
ヒートシンク５のＦ郡部ｌどにｖ９つてストリップライ
ン型電力検出シート１４が載置され、その上に絶縁シー
ト１５が載置されている。
スｌ−リップライン型電力検出シート１４は、ポリイミ
ドノイルムの如き薄い半円形の絶縁シート１６を備え、
該絶縁シート１６の一方の面には中心導体接続用ストリ
ップライン電極１７ど接地用薄膜電極１８どが而り向に
位買を異にして設（）られている３、中心導体接続用ス
トリップライン電極１７０両側の絶縁シート１６上には
該電極１７に平行して調度バランス用薄膜電極１９．２
０が設置ノられている。電極１７と１８どの間には二股
状に電力吸収用ストリップライン抵抗体２１．２２がそ
の両端を両電極１７．１８に接続し０段（Ｊられている
。また、電極１９，２０ど電極１８どの間には温度バラ
ンス用薄膜１氏抗（本２３．２４１１（その両端を電極
１９，２０ど電極１８に接続し−Ｃ設けられている。絶
縁シート１６の他方の面に（，１、接地用簿膜電極１８
の長さ方向に整列して薄膜電極２５．２６．２７，２８
．２９が設けられている。また、この絶縁シート１６の
他方の面には、ｉ４躾電極２５〜２つの列に添って第１
の）経度補償用薄膜熱電対３０と、第１．第２の電力検
出用薄膜熱雷対３１．３２と、第２の温度補償用薄膜熱
電対３３とが設けられ、各熱雷ｉ４３０〜３３の両端は
相互に直列接続どなるように隣り合う薄膜電極２５〜２
９に接続されている。まＩこ、隣り合う温痩補償用と電
力検出用の薄膜熱雷対３０と３１、及び３３と３２どは
温度補償のために相７７に逆極性で相互に接続されてい
る。一方、第１．第２の電力検出用薄膜熱雷対３１．３
２は電力検出のｌこめに同極性で相互に接続されている
。
ドノイルムの如き薄い半円形の絶縁シート１６を備え、
該絶縁シート１６の一方の面には中心導体接続用ストリ
ップライン電極１７ど接地用薄膜電極１８どが而り向に
位買を異にして設（）られている３、中心導体接続用ス
トリップライン電極１７０両側の絶縁シート１６上には
該電極１７に平行して調度バランス用薄膜電極１９．２
０が設置ノられている。電極１７と１８どの間には二股
状に電力吸収用ストリップライン抵抗体２１．２２がそ
の両端を両電極１７．１８に接続し０段（Ｊられている
。また、電極１９，２０ど電極１８どの間には温度バラ
ンス用薄膜１氏抗（本２３．２４１１（その両端を電極
１９，２０ど電極１８に接続し−Ｃ設けられている。絶
縁シート１６の他方の面に（，１、接地用簿膜電極１８
の長さ方向に整列して薄膜電極２５．２６．２７，２８
．２９が設けられている。また、この絶縁シート１６の
他方の面には、ｉ４躾電極２５〜２つの列に添って第１
の）経度補償用薄膜熱電対３０と、第１．第２の電力検
出用薄膜熱雷対３１．３２と、第２の温度補償用薄膜熱
電対３３とが設けられ、各熱雷ｉ４３０〜３３の両端は
相互に直列接続どなるように隣り合う薄膜電極２５〜２
９に接続されている。まＩこ、隣り合う温痩補償用と電
力検出用の薄膜熱雷対３０と３１、及び３３と３２どは
温度補償のために相７７に逆極性で相互に接続されてい
る。一方、第１．第２の電力検出用薄膜熱雷対３１．３
２は電力検出のｌこめに同極性で相互に接続されている
。
ストリップライン型１１電力検出シート１４ ｔ、Ｌ
、渇匪補償用ス（〜リップフィン板８と電気的１と続が
良クイに１１われるように絶縁シート１５を介しｉｌｍ
１１１１ ｆｆ子３４どスプリング３５とにより押ｌ
ｆ（’Ｉ勢されている。ＩＱＩ Ｉｆ了３’ｌの軸部３
４△はヒートシンク５３のガイ１〜孔３６内に挿入され
ている。
、渇匪補償用ス（〜リップフィン板８と電気的１と続が
良クイに１１われるように絶縁シート１５を介しｉｌｍ
１１１１ ｆｆ子３４どスプリング３５とにより押ｌ
ｆ（’Ｉ勢されている。ＩＱＩ Ｉｆ了３’ｌの軸部３
４△はヒートシンク５３のガイ１〜孔３６内に挿入され
ている。
ピー１−シンク１）には両端の薄膜電極２５．２９に対
応し−Ｃリード線引出孔３７．３８が設【′Ｊられ、１
ｔｔ）膜電極２５．２９に接続されたリード線３９゜４
０がこれら孔３７．３８を通って外部に引出されるよう
になつ（いる１１両リード線３９．／ＩＯからは各熱電
対３０・−３３の出力が取出されることにイｆる。
応し−Ｃリード線引出孔３７．３８が設【′Ｊられ、１
ｔｔ）膜電極２５．２９に接続されたリード線３９゜４
０がこれら孔３７．３８を通って外部に引出されるよう
になつ（いる１１両リード線３９．／ＩＯからは各熱電
対３０・−３３の出力が取出されることにイｆる。
このＪ、うな傍熱）１す電力ｅンリーにおいては、同軸
線路Ｉ ｈｌ ｌらマイク１１波が入力されると、温度
補ｔｔ′４用スＩ・リップフィン板８でストリップライ
ン型ゆ換され、ストリツ７′ライン型電力検出シート１
１に伝達される１、ストリップライン線路においては、
ストリップライン型ｉ１０，１７とイの下側のに−１〜
シンク４）との間にマイクロ波電磁界が光生じ、マイク
ロ波エネルギー１：１その先端の電力吸収用ストリップ
ライン抵抗体２１．２２で吸収され、熱エネルギーに変
換される３、その熱が裏側の電力検出用薄膜熱電対３１
．３２でマイクロ波人力に化倒した電気信号に変換して
検出される。マイクロ波入力のないときに熱伝導ｆ１絶
縁基板９どヒートシンク５との間に温度差が生じた場合
、電力検出用薄膜熱電対３１．３２に出力が生じる。
線路Ｉ ｈｌ ｌらマイク１１波が入力されると、温度
補ｔｔ′４用スＩ・リップフィン板８でストリップライ
ン型ゆ換され、ストリツ７′ライン型電力検出シート１
１に伝達される１、ストリップライン線路においては、
ストリップライン型ｉ１０，１７とイの下側のに−１〜
シンク４）との間にマイクロ波電磁界が光生じ、マイク
ロ波エネルギー１：１その先端の電力吸収用ストリップ
ライン抵抗体２１．２２で吸収され、熱エネルギーに変
換される３、その熱が裏側の電力検出用薄膜熱電対３１
．３２でマイクロ波人力に化倒した電気信号に変換して
検出される。マイクロ波入力のないときに熱伝導ｆ１絶
縁基板９どヒートシンク５との間に温度差が生じた場合
、電力検出用薄膜熱電対３１．３２に出力が生じる。
この出力を打消すために温度補償用肋膜熱雷対３０．３
３が逆極性で電力検出用薄膜熱雷対３１゜３２に直列接
続されている。
３が逆極性で電力検出用薄膜熱雷対３１゜３２に直列接
続されている。
この場合、温度補償用肋膜熱雷対３０．３３及び温度バ
ランス用７ｓ躾抵抗体２３．２４は、同軸線路のストリ
ップライン型にＪ：リマイク１−１波電磁Ｗの外に配置
されることになり、マイク１１波電磁界を乱さなくなる
。
ランス用７ｓ躾抵抗体２３．２４は、同軸線路のストリ
ップライン型にＪ：リマイク１−１波電磁Ｗの外に配置
されることになり、マイク１１波電磁界を乱さなくなる
。
また、ストリップライン線路１０．１７とヒートシンク
５どの間の温度差は、ビー１〜シンク５ど同程度の熱伝
導性をもつ熱伝導性絶縁基板９により温度差をなくづよ
うに熱伝導がなされ、温度補償がイＣされる１゜ このような傍熱型電力ヒンリーは、低レベルのマイク１
１波（例えば、−２０−−−−３０ｄ Ｂ ｍ ）のレ
ンリーどして有効Ｃ゛ある。
５どの間の温度差は、ビー１〜シンク５ど同程度の熱伝
導性をもつ熱伝導性絶縁基板９により温度差をなくづよ
うに熱伝導がなされ、温度補償がイＣされる１゜ このような傍熱型電力ヒンリーは、低レベルのマイク１
１波（例えば、−２０−−−−３０ｄ Ｂ ｍ ）のレ
ンリーどして有効Ｃ゛ある。
ｈ（１３、渇！ロ補償用ストリップライン板８を省略し
Ｃス１−リップラ・イン１■電力検出シート１４の中心
導体接続用ストリップライン電極１７を中心導体２に直
接接続Ｊることもできる。この場合には、電力検出シー
ト１４を中心導体２に近づ４Ｊて接続を行い、ストリッ
プライン板８の代りに薄い絶縁シーＩ−を介イＩ−さｌ
！ねぽＪ、い。
Ｃス１−リップラ・イン１■電力検出シート１４の中心
導体接続用ストリップライン電極１７を中心導体２に直
接接続Ｊることもできる。この場合には、電力検出シー
ト１４を中心導体２に近づ４Ｊて接続を行い、ストリッ
プライン板８の代りに薄い絶縁シーＩ−を介イＩ−さｌ
！ねぽＪ、い。
；Ｌ： ／、、：、温度バシンス用薄１１！、！電極１
１，１２．’１９．２０は場合にｊ、っでは省略しても
よい。
１，１２．’１９．２０は場合にｊ、っでは省略しても
よい。
［発明の効！！！１
以１説明したＪ、うに本願の第１の発明に係る電力Ｉど
ンリーでＬｔ、ストリップライン型の電力検出シ“−１
−を用いでいるので□、マイク１１波電城１界は中心導
体接続用ストリップライン電極とじ一トシンクどの間に
主どして生ずることになり、従って温石補ｔＮ ＩＩＩ
ａＱ膜熱電ス・１はマイク１１波電磁Ｗから削れた位
置に存在することになり、マイク【］波波型界を乱さず
に温度補償を行うことができる、。
ンリーでＬｔ、ストリップライン型の電力検出シ“−１
−を用いでいるので□、マイク１１波電城１界は中心導
体接続用ストリップライン電極とじ一トシンクどの間に
主どして生ずることになり、従って温石補ｔＮ ＩＩＩ
ａＱ膜熱電ス・１はマイク１１波電磁Ｗから削れた位
置に存在することになり、マイク【］波波型界を乱さず
に温度補償を行うことができる、。
また、本願の第２の発明では、第１の発明と同様にスト
リップライン型電力検出シー１−を用いているので、マ
イクロ波電磁界を乱さずに補償を行う効果が得られる。
リップライン型電力検出シー１−を用いているので、マ
イクロ波電磁界を乱さずに補償を行う効果が得られる。
更に、この第２の発明では渇麻補償用ストリップライン
板を用い、金属と同程度の熱伝導性をもつ熱伝導性絶縁
基板で同軸線路のストリップライン化を図っているので
、中心導体接続用ストリップライン電極とじ−１−シン
ク間の熱伝導が良くなり、両者間の質量差に基く温１「
差を少なくすることができ、質問差に起因Ｊ−る温度補
償をすることができる。
板を用い、金属と同程度の熱伝導性をもつ熱伝導性絶縁
基板で同軸線路のストリップライン化を図っているので
、中心導体接続用ストリップライン電極とじ−１−シン
ク間の熱伝導が良くなり、両者間の質量差に基く温１「
差を少なくすることができ、質問差に起因Ｊ−る温度補
償をすることができる。
従って、本発明によれば温度変化に」；るドリフトを極
力低減して精度よく電力検出を行うことができる。
力低減して精度よく電力検出を行うことができる。
第１図（’Ａ）（Ｂ）は本発明に係る傍熱型電力セン勺
−の一実施例のヒートシンクの」−半部を除去した平面
図及び縦断面図、第２図は第１図（１３）−１４＝ の×−Ｘ線部分断面図、第３図は第１図（Ａ）におい【
ストリップラインへ１！電力検出シー１−を除去しＩ、
：状態の平面図、第４図及び第５図は本実施例−【・用
いているストリップライン型電力検出シートの両名のパ
ターンを小！Ｊ＼Ｔ’面図ぐある。 １・・・同軸線路、２・・・中心導体、３・・・外部導
体、Ｆ）・・・外部導体接続用ヒ−Ｉ・シンク、６・・
・遮蔽室、７・・・中心導体ＩＲ＃Ａ田川間−１部、８
・・・渇１α補償用ストリップライン板、９・・・熱伝
導性絶縁基板、１１゜１２・・・温度バランス用イ９股
電極、１３・・・間隙部、１４・・・スＩ・リッジライ
ン１１１（電力検出シー１−１１５）。 １６・・・絶縁シー１−１１７・・・中心導体接続用ス
トリップライン電極、１８・・・接地用薄膜電極、１９
゜２０・・・温石バランス用薄膜電極、２１．２２・・
・電力吸収用ストリップライン抵抗体、２３．２／ｌ・
・・温度バランス用薄膜抵抗体、２５〜２９・・・薄膜
電極、３０．３３・・・第１．第２の温度補償用層膜熱
電対、３１．３２・・・第１．第２の電力検出用薄膜−
１！−３− ツー：窟Ａ１ノ、′ヲーＪ７胃ミ １％Ｌルースシート
−の一実施例のヒートシンクの」−半部を除去した平面
図及び縦断面図、第２図は第１図（１３）−１４＝ の×−Ｘ線部分断面図、第３図は第１図（Ａ）におい【
ストリップラインへ１！電力検出シー１−を除去しＩ、
：状態の平面図、第４図及び第５図は本実施例−【・用
いているストリップライン型電力検出シートの両名のパ
ターンを小！Ｊ＼Ｔ’面図ぐある。 １・・・同軸線路、２・・・中心導体、３・・・外部導
体、Ｆ）・・・外部導体接続用ヒ−Ｉ・シンク、６・・
・遮蔽室、７・・・中心導体ＩＲ＃Ａ田川間−１部、８
・・・渇１α補償用ストリップライン板、９・・・熱伝
導性絶縁基板、１１゜１２・・・温度バランス用イ９股
電極、１３・・・間隙部、１４・・・スＩ・リッジライ
ン１１１（電力検出シー１−１１５）。 １６・・・絶縁シー１−１１７・・・中心導体接続用ス
トリップライン電極、１８・・・接地用薄膜電極、１９
゜２０・・・温石バランス用薄膜電極、２１．２２・・
・電力吸収用ストリップライン抵抗体、２３．２／ｌ・
・・温度バランス用薄膜抵抗体、２５〜２９・・・薄膜
電極、３０．３３・・・第１．第２の温度補償用層膜熱
電対、３１．３２・・・第１．第２の電力検出用薄膜−
１！−３− ツー：窟Ａ１ノ、′ヲーＪ７胃ミ １％Ｌルースシート
Claims (2)
- （１）絶縁シートの一方の面に中心導体接続用ストリッ
プライン電極と接地用薄膜電極とが面方向に位置を異に
して設けられ且つ前記両電極間には電力吸収用ストリッ
プライン抵抗体がその両端を前記両電極に接続して設け
られ、前記絶縁シートの他方の面には前記電力吸収用ス
トリップライン抵抗体に対応して電力検出用薄膜熱電対
が設けられてなるストリップライン型電力検出シートと
、外部導体接続用のヒートシンクとを備え、前記ヒート
シンク内には中心導体接続用開口部を有する遮蔽室が設
けられ、前記ストリップライン型電力検出シートはその
接地用薄膜電極を前記ヒートシンクに電気的に接続して
前記遮蔽室内に収容されていることを特徴とする傍熱型
電力センサー。 - （２）絶縁シートの一方の面に中心導体接続用ストリッ
プライン電極と接地用薄膜電極とが面方向に位置を異に
して設けられ且つ前記両電極間には電力吸収用ストリッ
プライン抵抗体がその両端を前記両電極に接続して設け
られ、前記絶縁シートの他方の面には前記電力吸収用ス
トリップライン抵抗体に対応して電力検出用薄膜熱電対
が設けられてなるストリップライン型電力検出シートと
、外部導体接続用のヒートシンクと、金属と同程度の熱
伝導性をもつ熱伝導性絶縁基板の一方の面に中心導体接
続用ストリップライン電極が設けられてなる温度補償用
ストリップライン板とを備え、前記ヒートシンク内には
中心導体接続用開口部を有する遮蔽室が設けられ、前記
温度補償用ストリップライン板は前記中心導体接続用ス
トリップライン電極が設けられている面とは反対側の面
を前記遮蔽室の壁面に熱伝導可能に接触させて収容され
、前記ストリップライン型電力検出シートはその中心導
体接続用ストリップライン電極を前記温度補償用ストリ
ップライン板の前記中心導体接続用ストリップライン電
極に電気的に接続し且つその接地用薄膜電極を前記ヒー
トシンクに電気的に接続して前記遮蔽室内に収容されて
いることを特徴とする傍熱型電力センサー
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18363884A JPS6162875A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 傍熱型電力センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18363884A JPS6162875A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 傍熱型電力センサ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6162875A true JPS6162875A (ja) | 1986-03-31 |
| JPH0151146B2 JPH0151146B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=16139280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18363884A Granted JPS6162875A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 傍熱型電力センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6162875A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02280065A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Nec Corp | 電力検出器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923263A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-06 | Anritsu Corp | 電力検出器 |
-
1984
- 1984-09-04 JP JP18363884A patent/JPS6162875A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923263A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-06 | Anritsu Corp | 電力検出器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02280065A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Nec Corp | 電力検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0151146B2 (ja) | 1989-11-01 |
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