JPS616272A - 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 - Google Patents
対向タ−ゲツト式スパツタ装置Info
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- JPS616272A JPS616272A JP12640784A JP12640784A JPS616272A JP S616272 A JPS616272 A JP S616272A JP 12640784 A JP12640784 A JP 12640784A JP 12640784 A JP12640784 A JP 12640784A JP S616272 A JPS616272 A JP S616272A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[利用分野]
本発明は一組のターゲットを所定間隔隔てて対面させ、
その側方に配した基板上にn9膜を形成(るようにした
対向ターゲット式スパッタ装買に関し、更に詳しくは形
成される薄膜の膜厚分布の調整が容易で長時間均一膜厚
の薄膜が形成′Cさ゛る対向ターゲット式スパッタ装置
に関し、特に磁性薄膜形成に右利な対向ターゲット式ス
パッタ装置に関する。
その側方に配した基板上にn9膜を形成(るようにした
対向ターゲット式スパッタ装買に関し、更に詳しくは形
成される薄膜の膜厚分布の調整が容易で長時間均一膜厚
の薄膜が形成′Cさ゛る対向ターゲット式スパッタ装置
に関し、特に磁性薄膜形成に右利な対向ターゲット式ス
パッタ装置に関する。
[従来技術]
上述の対向ターゲット式スパッタ装置は、「応用物理」
第48巻(1979)第6号P558〜p 559゜特
開昭57−158380号公報等で公知の通り、陰極と
なる一対のターゲラ1〜をそのスパッタ面が空間を隔て
て平行に対面するように設けると共に、該スパッタ面に
垂直な方向の11弄を発生づる磁界発生手段を設は前記
ターゲラ1〜間の空間の側方に配した基板−ヒに膜形成
するようになしたスパッタ装置で、高速・低温の膜形成
ができるl−111竹材料にも適用できる非常に優れた
ものである。
第48巻(1979)第6号P558〜p 559゜特
開昭57−158380号公報等で公知の通り、陰極と
なる一対のターゲラ1〜をそのスパッタ面が空間を隔て
て平行に対面するように設けると共に、該スパッタ面に
垂直な方向の11弄を発生づる磁界発生手段を設は前記
ターゲラ1〜間の空間の側方に配した基板−ヒに膜形成
するようになしたスパッタ装置で、高速・低温の膜形成
ができるl−111竹材料にも適用できる非常に優れた
ものである。
そして、−上述の対向ターゲット式スパッタIJ式を用
いて幅の広い基板上に均一な膜を形成づる技術が特に磁
気記録媒体の製造等の工業的9−産の見地から持重され
ている。
いて幅の広い基板上に均一な膜を形成づる技術が特に磁
気記録媒体の製造等の工業的9−産の見地から持重され
ている。
ところで対向ターゲット式スパック方式の179分布を
改良Jる方法として第7図に示づように、ターゲラt−
i−のシールドカバーの先端折曲部Sの二辺の中央部に
内側に向つ【突出した突起3aを設ける方法が提案され
ている(日本応用磁気学会第32回研究合資$1P61
〜70)。しかしながらこの方法の場合、膜厚分布の改
善効果はみられるものの突起がターゲットの前面に位防
するためプラズマの衝撃を受けて赤熱し、溶融づること
がしばしば生じ、長期安定f1に欠ける問題がある。さ
らに突起をつけることによりスパッタリングを維持する
ための放電電圧が大きくなり、スパッタリング圧力を上
げることが必要になる。このことはスパッタリングガス
が膜中に多く吸蔵されることになり形成する膜によって
はその特性の点から好ましくない傾向を与える結果をひ
き起すという別の問題もある。
改良Jる方法として第7図に示づように、ターゲラt−
i−のシールドカバーの先端折曲部Sの二辺の中央部に
内側に向つ【突出した突起3aを設ける方法が提案され
ている(日本応用磁気学会第32回研究合資$1P61
〜70)。しかしながらこの方法の場合、膜厚分布の改
善効果はみられるものの突起がターゲットの前面に位防
するためプラズマの衝撃を受けて赤熱し、溶融づること
がしばしば生じ、長期安定f1に欠ける問題がある。さ
らに突起をつけることによりスパッタリングを維持する
ための放電電圧が大きくなり、スパッタリング圧力を上
げることが必要になる。このことはスパッタリングガス
が膜中に多く吸蔵されることになり形成する膜によって
はその特性の点から好ましくない傾向を与える結果をひ
き起すという別の問題もある。
[発明の目的]
本発明は、かかる現状に鑑みなされたもので、薄膜分布
の調整が容易で、膜厚分布が長期安定した連続生産に好
適な対向ターゲット式スパッタ装置の提供を目的とした
ものである。
の調整が容易で、膜厚分布が長期安定した連続生産に好
適な対向ターゲット式スパッタ装置の提供を目的とした
ものである。
[発明の構成及び作用効果]
前述の目的は以下の本発明により達成される。
すなわち、本発明は、前述の公知の対向ターゲット式ス
パッタ装習、具体的にはそのスパッタ面が空間を隔てて
平行に対面するように設けられたターゲットの周囲にシ
ールドカバーを設けると共に、該ターゲットの背面に該
スパッタ面に垂直な方向の磁界を発生する磁界発生手段
を設け、前記ターゲット閤の空間の側方に該空間に対面
するように配置した基板上に膜形成するようになした対
向ターゲット式スバツ装置において、前記ターゲラhの
少なくとも基板側の周辺に沿って、シールド力バーの前
端より前方に所定パターンの突出部を形成するように板
状部材を設けたことを特徴どする対向ターゲット式スパ
ッタ装置である。
パッタ装習、具体的にはそのスパッタ面が空間を隔てて
平行に対面するように設けられたターゲットの周囲にシ
ールドカバーを設けると共に、該ターゲットの背面に該
スパッタ面に垂直な方向の磁界を発生する磁界発生手段
を設け、前記ターゲット閤の空間の側方に該空間に対面
するように配置した基板上に膜形成するようになした対
向ターゲット式スバツ装置において、前記ターゲラhの
少なくとも基板側の周辺に沿って、シールド力バーの前
端より前方に所定パターンの突出部を形成するように板
状部材を設けたことを特徴どする対向ターゲット式スパ
ッタ装置である。
−上述の本発明は以下のようにしてなされたものである
。
。
本発明者らは、対向ターゲット式スパッタ装置の前述の
特長に注目し、磁気記録媒体の製造への適用を検討して
きた。この方法は、特願昭57−163081号で提案
した巾の広い長方形のターゲットと移送ローラとを組合
せた対向ターゲット式スパッタ装置に数100mという
ような長尺のポリニスデルフィルム等の可撓性の基板を
ロール状にして装填し、長時間連続して該基板を移送し
つつその上に所定の磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を
連続生産するものである。
特長に注目し、磁気記録媒体の製造への適用を検討して
きた。この方法は、特願昭57−163081号で提案
した巾の広い長方形のターゲットと移送ローラとを組合
せた対向ターゲット式スパッタ装置に数100mという
ような長尺のポリニスデルフィルム等の可撓性の基板を
ロール状にして装填し、長時間連続して該基板を移送し
つつその上に所定の磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を
連続生産するものである。
ところで、本発明者らは、上記の検討において、以下の
知見、すなわちスパッタ時間の経過とともに、形成され
る薄膜の幅方向の膜厚分布が一方向に推移していく現象
を発見した。特に、広幅の基板に適用される前述の長方
形のターゲットを用いる場合は、顕著で、堆積膜の膜厚
は基板の幅方向中心が厚く両端で薄くなる分布を示し、
しかもその分布が、対称形にならない場合が多い。この
原因としては、スパッタガスの流れの不均一、ターゲツ
ト面より発生させるプラズマ収束用の磁界のわずかな不
均一性等が考えられる。すなわち、このわずかな不均一
性により、対向ターゲット空間に収束されているプラズ
マは、該磁界の分布変化に応じてその分布が変化すると
考えられる。
知見、すなわちスパッタ時間の経過とともに、形成され
る薄膜の幅方向の膜厚分布が一方向に推移していく現象
を発見した。特に、広幅の基板に適用される前述の長方
形のターゲットを用いる場合は、顕著で、堆積膜の膜厚
は基板の幅方向中心が厚く両端で薄くなる分布を示し、
しかもその分布が、対称形にならない場合が多い。この
原因としては、スパッタガスの流れの不均一、ターゲツ
ト面より発生させるプラズマ収束用の磁界のわずかな不
均一性等が考えられる。すなわち、このわずかな不均一
性により、対向ターゲット空間に収束されているプラズ
マは、該磁界の分布変化に応じてその分布が変化すると
考えられる。
そして、本発明は、上述の知見と対向ターゲット式スパ
ッタ方式の原理、すなわち、ターゲットのスパッタ面に
垂直な方向に発生させるプラズマ収束用の磁界とシール
ドカバーにより発生するプラズマの領域が鯖限され、ス
パッタ浸食されるということに基いてなされたものであ
る。
ッタ方式の原理、すなわち、ターゲットのスパッタ面に
垂直な方向に発生させるプラズマ収束用の磁界とシール
ドカバーにより発生するプラズマの領域が鯖限され、ス
パッタ浸食されるということに基いてなされたものであ
る。
すなわち、本発明は、前述のシールドカバーの作用に注
目し、この効果を積極的に利用したもので、ターゲット
の少なくとも基板側の周辺に沿って、シールドカバーの
前端より前方具体的にターゲットの対向方向に向う所定
パターンの突出部を形成づるように機状部材を配し、プ
ラズマ領域のパターンを設定すると共にスパッタ粒子の
り扱り向への拡散パターンを設定Jるものである。従っ
て従来の如く、磁界発/1手段の配置ある(月は磁界強
電を調整しCvA界パ全パターン定するのに比べて極め
て簡単であり目つ融通性に富む効果がある。
目し、この効果を積極的に利用したもので、ターゲット
の少なくとも基板側の周辺に沿って、シールドカバーの
前端より前方具体的にターゲットの対向方向に向う所定
パターンの突出部を形成づるように機状部材を配し、プ
ラズマ領域のパターンを設定すると共にスパッタ粒子の
り扱り向への拡散パターンを設定Jるものである。従っ
て従来の如く、磁界発/1手段の配置ある(月は磁界強
電を調整しCvA界パ全パターン定するのに比べて極め
て簡単であり目つ融通性に富む効果がある。
その−LSj¥j述の従来り法と責なり、本発明の機状
部材は、シールドカバーの前端よりその前方に向つC配
されるのでターゲットの前面と対面せず、よってプラズ
マ物撃による突出部の損傷ム<r <、また、スパッタ
リング時の圧ツノも変えることなく膜厚分布の改良が可
能であり、前述の従来方法の問題が解決される。
部材は、シールドカバーの前端よりその前方に向つC配
されるのでターゲットの前面と対面せず、よってプラズ
マ物撃による突出部の損傷ム<r <、また、スパッタ
リング時の圧ツノも変えることなく膜厚分布の改良が可
能であり、前述の従来方法の問題が解決される。
本発明による上述の膜厚分布の改良は■突出部によるプ
ラズマ領域の制限および■突出部による基板に対するマ
スク効果の2つの作用が複合しているためと考えられる
。そして、とくに■の効果のためには機状部材は−り述
の作用から、シールドカバーと同電圧である方が効果的
である。すなわち導電性の材料から形成され、シールド
カバーと電気的に接続されている方が好ましい。
ラズマ領域の制限および■突出部による基板に対するマ
スク効果の2つの作用が複合しているためと考えられる
。そして、とくに■の効果のためには機状部材は−り述
の作用から、シールドカバーと同電圧である方が効果的
である。すなわち導電性の材料から形成され、シールド
カバーと電気的に接続されている方が好ましい。
さらに板状部材をシールドカバーと一体的に設ける、具
体的にはシールドカバーを所定パターンの突出部を形成
するように延長すると、簡単な構成となる利点がある。
体的にはシールドカバーを所定パターンの突出部を形成
するように延長すると、簡単な構成となる利点がある。
また、ターゲットが磁性体の場合には、スパッタされた
磁性体が板状部材の突出部に堆積してもプラズマ集束用
の磁界分布を変えないために、板状部材に磁束を通しや
すい材料すなわら軟磁性材、特に高透磁率のもの、更に
は磁束密度の大ぎいものが好ましく、軟鋼、ケイ素鋼、
パーマロイ等を用いることも、長時間のスパッタに対し
て膜厚分布の変化がなく好ましい。なお、ターゲットが
磁性体の場合には、シールドカバーが先端部にターゲッ
ト側に折曲した上述の磁性材からなる先端折曲部を有す
る構成が上述の構成との組合せで長期安定生産に有利で
ある。そしてこの場合、板状部材はシールドカバーの先
端折曲部上に所定パターンとしたものを突設する構成に
すると、有利である。先端折曲部上の板状部材の突設位
置はバターン、突出角度等で異なるので実験的に決める
必要がある。
磁性体が板状部材の突出部に堆積してもプラズマ集束用
の磁界分布を変えないために、板状部材に磁束を通しや
すい材料すなわら軟磁性材、特に高透磁率のもの、更に
は磁束密度の大ぎいものが好ましく、軟鋼、ケイ素鋼、
パーマロイ等を用いることも、長時間のスパッタに対し
て膜厚分布の変化がなく好ましい。なお、ターゲットが
磁性体の場合には、シールドカバーが先端部にターゲッ
ト側に折曲した上述の磁性材からなる先端折曲部を有す
る構成が上述の構成との組合せで長期安定生産に有利で
ある。そしてこの場合、板状部材はシールドカバーの先
端折曲部上に所定パターンとしたものを突設する構成に
すると、有利である。先端折曲部上の板状部材の突設位
置はバターン、突出角度等で異なるので実験的に決める
必要がある。
いずれの場合においてし突出部のパターンは基板巾方向
が長辺の長方形のターゲットの場合に基板11]方向に
広い範囲で均一な膜厚を得るために中心が広く両端部が
狭い三角形状、弦月状等のものが多く用いられるが、膜
厚分布のパターンから適当に調節すればよくとくに限定
されない。
が長辺の長方形のターゲットの場合に基板11]方向に
広い範囲で均一な膜厚を得るために中心が広く両端部が
狭い三角形状、弦月状等のものが多く用いられるが、膜
厚分布のパターンから適当に調節すればよくとくに限定
されない。
更に本発明は、パターンの調整が難しい基板の幅方向に
長い長方形のターゲットに特に右利に適用されるが、円
形等その細形状のターゲットにも有利であることは、上
述の本発明の趣旨から明らかである。
長い長方形のターゲットに特に右利に適用されるが、円
形等その細形状のターゲットにも有利であることは、上
述の本発明の趣旨から明らかである。
また、本発明は磁性@膜の形成の場合に特にその効果が
大きいことはこれまでの説明で明らかであるが、磁性薄
膜以外の薄膜の作成にも有効に適用できることも明らか
である。
大きいことはこれまでの説明で明らかであるが、磁性薄
膜以外の薄膜の作成にも有効に適用できることも明らか
である。
以下、本発明の詳細を図面により説明する。
第1図は、本発明に係わる対向ターゲラ1一式スバッタ
′装置の説明図、第2図はそのターゲット部の拡大図で
ある。
′装置の説明図、第2図はそのターゲット部の拡大図で
ある。
図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭57−15
8380号公報で公知の対向ターゲラ1〜式スパッタ装
置と基本的には同じ構成となっている。
8380号公報で公知の対向ターゲラ1〜式スパッタ装
置と基本的には同じ構成となっている。
すなわち、図において10は真空槽、20は真空槽10
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、30は真空槽
10内に所定のガスを導入して真空槽10内の圧力を1
0−1〜104Torr程度の所定のガス圧力に設定す
るガス導入系である。
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、30は真空槽
10内に所定のガスを導入して真空槽10内の圧力を1
0−1〜104Torr程度の所定のガス圧力に設定す
るガス導入系である。
そして、真空槽10内には、図示の如く真空槽10の側
板11.12に絶縁部材13.14を介して固着された
ターゲットホルタ−15,16により1対の基板40に
平行な辺が長い長方形のターゲットT+ 、T2が、そ
のスパッタされる面T+s、Tzsを空間を隔てて平行
に対面するように配設しである。そして、ターゲットT
+ 、T2とそれに対応するターゲットホルダー15.
16は、冷却バイブ151゜161を介して冷却水によ
りターゲットT+ 、T2、永久磁石152. 162
が冷却される。11石152゜162はターゲットT+
、T2を介してN極、S極が対抗するように設けてあ
り、従って磁界φは図示のようにターゲットT+ 、T
2に垂直な方向に、かつターゲット間のみに形成される
。なお、17゜18は絶縁部材13.14及びターゲッ
トホルダー15゜16をスパッタリング時のプラズマ粒
子から保aするためとターゲット表面以外の部分の巽常
敢電を防止するためのシールドカバー、17a 、 1
8aはその先端部においてターゲットT+ 、T2側へ
折曲するように形成された先端折曲部であり、P+。
板11.12に絶縁部材13.14を介して固着された
ターゲットホルタ−15,16により1対の基板40に
平行な辺が長い長方形のターゲットT+ 、T2が、そ
のスパッタされる面T+s、Tzsを空間を隔てて平行
に対面するように配設しである。そして、ターゲットT
+ 、T2とそれに対応するターゲットホルダー15.
16は、冷却バイブ151゜161を介して冷却水によ
りターゲットT+ 、T2、永久磁石152. 162
が冷却される。11石152゜162はターゲットT+
、T2を介してN極、S極が対抗するように設けてあ
り、従って磁界φは図示のようにターゲットT+ 、T
2に垂直な方向に、かつターゲット間のみに形成される
。なお、17゜18は絶縁部材13.14及びターゲッ
トホルダー15゜16をスパッタリング時のプラズマ粒
子から保aするためとターゲット表面以外の部分の巽常
敢電を防止するためのシールドカバー、17a 、 1
8aはその先端部においてターゲットT+ 、T2側へ
折曲するように形成された先端折曲部であり、P+。
P2は本発明の板状部材である。また図のMDは基板の
移送方向従って基板の長手方向を示す。そしてこれに直
交する方向が基板の巾方向となる。
移送方向従って基板の長手方向を示す。そしてこれに直
交する方向が基板の巾方向となる。
ところで、板状部材P+ 、P2は所定パターン(図で
は弦月状)の突出部を形成するように(第2図参照)、
ターゲットT+ 、T2O回りにターゲットT+ 、T
2とシールドカバー17.18との間へプラズマ粒子等
が飛来するのを防止するように設けた先端折曲部17a
、 18a上に以下の通り設けられている。図はター
ゲットT1を示したものであるが、図示の通りターゲッ
トT1は基板40の巾11一 方向に長い長方形となっており、先端折曲部17aは、
折曲部Wが一定となるように一定巾Wの板状体をスパッ
タ面と所定時間〈通常数g+t〜10数Mの間隔)を隔
てて、その内周がターゲットの周辺より若干内側に位置
するようにシールドガバー17の筒部に固着することに
より形成される。そして、先端折曲部17aの基板40
と平行な両辺の内側に弦月状の板状部材P+を突設し、
各辺の中央部に弦月状のパターンの突出部を形成し、基
板40の巾方向の膜厚の均一化を削っである。なおター
ゲットT2についても全(同じ構成としである。
は弦月状)の突出部を形成するように(第2図参照)、
ターゲットT+ 、T2O回りにターゲットT+ 、T
2とシールドカバー17.18との間へプラズマ粒子等
が飛来するのを防止するように設けた先端折曲部17a
、 18a上に以下の通り設けられている。図はター
ゲットT1を示したものであるが、図示の通りターゲッ
トT1は基板40の巾11一 方向に長い長方形となっており、先端折曲部17aは、
折曲部Wが一定となるように一定巾Wの板状体をスパッ
タ面と所定時間〈通常数g+t〜10数Mの間隔)を隔
てて、その内周がターゲットの周辺より若干内側に位置
するようにシールドガバー17の筒部に固着することに
より形成される。そして、先端折曲部17aの基板40
と平行な両辺の内側に弦月状の板状部材P+を突設し、
各辺の中央部に弦月状のパターンの突出部を形成し、基
板40の巾方向の膜厚の均一化を削っである。なおター
ゲットT2についても全(同じ構成としである。
また、磁性薄膜が形成される長尺の基板40を保持する
基板保持手段41は、真空槽10内のターゲットT+
、T2の側方に設けである。基板保持手段41は、図示
省略した支持ブラケットにより夫々回転自在かつ互いに
軸平行に支持された、ロール状の基板40を保持する繰
り出しロール41aと、支持ロール41bと、巻取ロー
ル41cとの3個のO−ルからなり、基板40をターゲ
ットT+ 、T2間の空間に対面するようにスパッタ面
Tl5I72Sに12一 対して略直角方向に保持するように配置しである。
基板保持手段41は、真空槽10内のターゲットT+
、T2の側方に設けである。基板保持手段41は、図示
省略した支持ブラケットにより夫々回転自在かつ互いに
軸平行に支持された、ロール状の基板40を保持する繰
り出しロール41aと、支持ロール41bと、巻取ロー
ル41cとの3個のO−ルからなり、基板40をターゲ
ットT+ 、T2間の空間に対面するようにスパッタ面
Tl5I72Sに12一 対して略直角方向に保持するように配置しである。
従って基板40は巻取りロール41cによりスパッタ面
Tl5IT2Sに対して直角方向に移動可能である。な
お、支持ロール41bはその表面温度が調節可能となっ
ている。
Tl5IT2Sに対して直角方向に移動可能である。な
お、支持ロール41bはその表面温度が調節可能となっ
ている。
一方、スパッタ電力を供給する直流電源からなる電力供
給手段50はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットT+ 、T2に夫々接続する。従って電力供給手段
50からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーゲットT+ 、T2をカソードとして、アノード、カ
ソード間に供給される。
給手段50はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットT+ 、T2に夫々接続する。従って電力供給手段
50からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーゲットT+ 、T2をカソードとして、アノード、カ
ソード間に供給される。
なお、プレスパッタ時基板40を保護するため、基板4
0とターゲットT+ 、T2との間に出入りするシャッ
ター(図示省略)が設けである。
0とターゲットT+ 、T2との間に出入りするシャッ
ター(図示省略)が設けである。
以上の通り、前述の特開昭57−158380号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り^速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲットT+ 、
72間の空間に、磁界の作用によりスパッタガスイオン
、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度
プラズマが形成される。
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り^速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲットT+ 、
72間の空間に、磁界の作用によりスパッタガスイオン
、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度
プラズマが形成される。
従って、ターゲットT+ 、T2スパッタが促進されて
前記空間より析出量が増大し、基板40上への堆積速度
が増し高速スパッタが出来る上、基板4゜がターゲット
T+ 、T2の側方にあるので低温スパッタも出来る。
前記空間より析出量が増大し、基板40上への堆積速度
が増し高速スパッタが出来る上、基板4゜がターゲット
T+ 、T2の側方にあるので低温スパッタも出来る。
ところで、前述の通りターゲットT+、Tzの基板40
と平行な両辺の、中央部に弦月状の板状部材P+ 、P
zが設けであるので、中央部の基板40方向へのプラズ
マ領域及びスパッタ粒子の拡散が制限され、基板40の
巾方向の膜形成速度が均一化され、形成される躾の膜厚
が均一化する。
と平行な両辺の、中央部に弦月状の板状部材P+ 、P
zが設けであるので、中央部の基板40方向へのプラズ
マ領域及びスパッタ粒子の拡散が制限され、基板40の
巾方向の膜形成速度が均一化され、形成される躾の膜厚
が均一化する。
そして、板状部材P+ 、PzはターゲットT+。
12面に直接対面していないので、従来方法の如く赤熱
されることもなく長期安定運転が可能である。
されることもなく長期安定運転が可能である。
また、先端折曲部17a 、 18a及び板状部IP+
。
。
Pzを高透磁率の磁性材で構成した場合には、その上に
前述したように磁性薄膜が形成されても、磁界パターン
を設定する先端折曲部17a 、 18aの折曲巾W方
向の磁気抵抗は何ら影響されず、従って磁気記録媒体の
製造の如くターゲットT+。
前述したように磁性薄膜が形成されても、磁界パターン
を設定する先端折曲部17a 、 18aの折曲巾W方
向の磁気抵抗は何ら影響されず、従って磁気記録媒体の
製造の如くターゲットT+。
T2に磁性材を用いる場合にも磁界パターンは設定した
通り長期に口って安定となる。
通り長期に口って安定となる。
以上の点を具体例により以下説明する。
第3図は第1図において先端折曲部17a 、 18a
を非磁性材のステンレス鋼で構成し、板状部材P+ 、
Pzを設置etない従来装置による比較例の中り向の膜
厚分布を示すグラフである。
を非磁性材のステンレス鋼で構成し、板状部材P+ 、
Pzを設置etない従来装置による比較例の中り向の膜
厚分布を示すグラフである。
この比較例はターゲットT+ 、T2の間隔120馴、
ターゲットT+ 、T2の基板側端面と基板との距離2
0履の条f1下で、基板の1]方向の巾330馴、奥行
130m#+の長方形で厚さ12#I#lのパーマロイ
からなるターゲットT+ 、T2を用いて、厚さ 10
0μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に連続
的に磁性薄膜を形成した場合のものである。
ターゲットT+ 、T2の基板側端面と基板との距離2
0履の条f1下で、基板の1]方向の巾330馴、奥行
130m#+の長方形で厚さ12#I#lのパーマロイ
からなるターゲットT+ 、T2を用いて、厚さ 10
0μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に連続
的に磁性薄膜を形成した場合のものである。
なお、図において、点線は運転初期の、実線は93時間
連続運転後の結果を示す。図から明らかなように、基板
上に堆積Jるパーマロイ薄膜のターゲット幅方向の膜η
分4hも、初期にはスパッタ有効中に対して±10%の
膜厚分布を右し、中方向の中心に関し、対称形であった
ものが、磁界強度の分布の変化に対応して、連続運転後
には該中心より膜厚のピークが一方向に変化し、しかも
中心より膜厚の厚い方向にはより厚く、薄い方向にはに
り薄くなり、左右非対称形に変化している。なお、図に
おいて、エロージョン分布はターゲットの厚さ自体で、
パーマロイ薄膜の膜厚分布は最大膜厚を100%とした
百分率で示した。ターゲットのエロージョンの最大浸食
深さは投入型カフKWで93時間連続運転後11.7m
であった。
連続運転後の結果を示す。図から明らかなように、基板
上に堆積Jるパーマロイ薄膜のターゲット幅方向の膜η
分4hも、初期にはスパッタ有効中に対して±10%の
膜厚分布を右し、中方向の中心に関し、対称形であった
ものが、磁界強度の分布の変化に対応して、連続運転後
には該中心より膜厚のピークが一方向に変化し、しかも
中心より膜厚の厚い方向にはより厚く、薄い方向にはに
り薄くなり、左右非対称形に変化している。なお、図に
おいて、エロージョン分布はターゲットの厚さ自体で、
パーマロイ薄膜の膜厚分布は最大膜厚を100%とした
百分率で示した。ターゲットのエロージョンの最大浸食
深さは投入型カフKWで93時間連続運転後11.7m
であった。
第4図は、第1図の対向ターゲット式スパッタ装置にお
いて板状部材P+ 、Pz及び先端折曲部17a 、
18aをステンレスで構成すると共に、板状部材P+
、Pzを弦の長さが180mでその中点の巾が20am
の弦月状(弧の半径212.5M>とした本発明の実施
結果を示すグラフである。なお本実施結果はターゲット
T+ 、T2を比較例と同じパーマロイターゲットとし
て磁性薄膜を連続形成したものである。
いて板状部材P+ 、Pz及び先端折曲部17a 、
18aをステンレスで構成すると共に、板状部材P+
、Pzを弦の長さが180mでその中点の巾が20am
の弦月状(弧の半径212.5M>とした本発明の実施
結果を示すグラフである。なお本実施結果はターゲット
T+ 、T2を比較例と同じパーマロイターゲットとし
て磁性薄膜を連続形成したものである。
また第5図は第4図の実施例において先端折曲16一
部17a 、 17bおよび板状部材P+ 、Pzの材
質をステンレスから軟磁性材に8えて、同様にパーマロ
イ薄膜を連続形成した揚台の実施結束である。
質をステンレスから軟磁性材に8えて、同様にパーマロ
イ薄膜を連続形成した揚台の実施結束である。
板状部材P+ 、Pzを先端折曲部17a 、 18a
ニとりつけることにJ、ってターゲット使用開始直後
の基板上における幅方向の膜厚分布はいずれの場合も±
5%以内に改善されたことが判る。とくに先端折曲部1
7a 、 18aおよび板状部材P+ 、Pzを軟磁性
材としたときターゲット使用が進行してもほとんど膜厚
分布が変化しないことが判る。
ニとりつけることにJ、ってターゲット使用開始直後
の基板上における幅方向の膜厚分布はいずれの場合も±
5%以内に改善されたことが判る。とくに先端折曲部1
7a 、 18aおよび板状部材P+ 、Pzを軟磁性
材としたときターゲット使用が進行してもほとんど膜厚
分布が変化しないことが判る。
これは、ターゲットエロージョンは均一(こなり、ター
ゲットが有効に利用されていることによるものである。
ゲットが有効に利用されていることによるものである。
又、ターゲット外周辺部の磁界も均一でしかも長時間変
化することがなくなり、しかも、ターゲット幅方向の膜
厚分布も中心対象で変化がなく長時間安定運転が可能で
、しかも、従来装置に比し膜厚の均一性が増して均一な
領域が広くなっており、製品利用率が向上する。
化することがなくなり、しかも、ターゲット幅方向の膜
厚分布も中心対象で変化がなく長時間安定運転が可能で
、しかも、従来装置に比し膜厚の均一性が増して均一な
領域が広くなっており、製品利用率が向上する。
1なわら前記対向ターゲット式スパッタ方式の原理の如
く、板状部材P+ 、Pzにより幅方向における中心部
分から飛来するスパッタ粒子をマスクして幅方向に均一
化するとともに、中心部分のプラズマの広がりをターゲ
ット中央に押し戻すことによってターゲットの10一シ
ヨン分缶をより均一にする効果により幅方向の分布は改
善されたど考えられる。又先端折曲部17a 、 18
aおよび根状部材P+ 、P2を透磁率の大ぎい磁性体
で形成することによりターゲット外周辺部に、より強く
、均一に、磁界を発生されることができたためと考えら
れる。
く、板状部材P+ 、Pzにより幅方向における中心部
分から飛来するスパッタ粒子をマスクして幅方向に均一
化するとともに、中心部分のプラズマの広がりをターゲ
ット中央に押し戻すことによってターゲットの10一シ
ヨン分缶をより均一にする効果により幅方向の分布は改
善されたど考えられる。又先端折曲部17a 、 18
aおよび根状部材P+ 、P2を透磁率の大ぎい磁性体
で形成することによりターゲット外周辺部に、より強く
、均一に、磁界を発生されることができたためと考えら
れる。
なお本実施例においてターゲット拐を非磁性体である銅
としたときには、先端折曲部17a 、 18aおよび
板状部材P+ 、P2の材質に関係なく第5図と同じ結
束を示した。
としたときには、先端折曲部17a 、 18aおよび
板状部材P+ 、P2の材質に関係なく第5図と同じ結
束を示した。
また、第5図の実施例において、軟石4f1祠からなる
先端折曲部17a 、 18aの厚みは、0.In/m
から3 m / pnまで変えたが効果は同じであった
。
先端折曲部17a 、 18aの厚みは、0.In/m
から3 m / pnまで変えたが効果は同じであった
。
以上の通り、本発明は、薄膜形成特に磁気記録媒体の製
造等磁性薄膜の安定連続生産に有利に適用できる対向タ
ーゲット式スパッタ装置であり、T業上非常に人きな効
果を奏するイ1用なものである。
造等磁性薄膜の安定連続生産に有利に適用できる対向タ
ーゲット式スパッタ装置であり、T業上非常に人きな効
果を奏するイ1用なものである。
第1図は本発明に係わる対向ターゲット式スパッタ装置
の説明図、第2図の(a)は第1図の装dのターゲット
部の拡大平面図、+b3 (C)は(a)のA−A’
、 FL−8’ の側断面図、第3図は比較例の基板1
1方向の膜厚分布を示すグラフ、第4図は実施例の基板
EIJh向の膜厚分’49を示でグラフ、第5図は他の
実施例の基板中方向のi’JP?分布を示すグラフ、第
6図は従来装置のターゲット部の説明図である。
の説明図、第2図の(a)は第1図の装dのターゲット
部の拡大平面図、+b3 (C)は(a)のA−A’
、 FL−8’ の側断面図、第3図は比較例の基板1
1方向の膜厚分布を示すグラフ、第4図は実施例の基板
EIJh向の膜厚分’49を示でグラフ、第5図は他の
実施例の基板中方向のi’JP?分布を示すグラフ、第
6図は従来装置のターゲット部の説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、そのスパッタ面が空間を隔てて平行に対面するよう
に設けられたターゲットの周囲にシールドカバーを設け
ると共に、該ターゲットの背面に該スパッタ面に垂直な
方向の磁界を発生する磁界発生手段を設け、前記ターゲ
ット間の空間の側方に該空間に対面するように配置した
基板上に膜形成するようになした対向ターゲット式スパ
ッタ装置において、前記ターゲットの少なくとも基板側
の周辺に沿って、シールドカバーの前端より前方に所定
パターンの突出部を形成するように板状部材を設けたこ
とを特徴とする対向ターゲット式スパッタ装置。 2、前記板状部材が導電性であり、シールドカバーと電
気的に接続されている特許請求の範囲第1項記載の対向
ターゲット式スパッタ装置。 3、前記板状部材が磁性材からなる特許請求の範囲第1
項若しくは第2項記載の対向ターゲット式スパッタ装置
。 4、ターゲットの形状が基板に平行な辺が長い長方形で
ある特許請求の範囲第1項、第2項若しくは第3項記載
の対向ターゲット式スパッタ装置。 5、前記板状部材が基板に平行な両辺に沿って同じパタ
ーンの突出部を形成するように設けられている特許請求
の範囲第4項記載の対向ターゲット式スパッタ装置。 6、前記シールドカバーが先端部に、ターゲット側に折
曲した磁性材からなる先端折曲部を有する特許請求の範
囲第1項、第2項、第3項、第4項若しくは第5項記載
の対向ターゲット式スパッタ装置。 7、前記板状部材がシールドカバーの先端折曲部上に設
けられた特許請求の範囲第6項記載の対向ターゲット式
スパッタ装置。 8、ターゲットが磁性材である特許請求の範囲第3項、
第6項、若しくは第7項記載の対向ターゲット式スパッ
タ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12640784A JPH0232353B2 (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | Taikotaagetsutoshikisupatsutasochi |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12640784A JPH0232353B2 (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | Taikotaagetsutoshikisupatsutasochi |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS616272A true JPS616272A (ja) | 1986-01-11 |
JPH0232353B2 JPH0232353B2 (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=14934388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12640784A Expired - Lifetime JPH0232353B2 (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | Taikotaagetsutoshikisupatsutasochi |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0232353B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63140079A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スパツタリング装置 |
US6453865B2 (en) | 2000-03-06 | 2002-09-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Control apparatus for idling stop of internal combustion engine and vehicle with the apparatus mounted thereon |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP12640784A patent/JPH0232353B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63140079A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スパツタリング装置 |
US6453865B2 (en) | 2000-03-06 | 2002-09-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Control apparatus for idling stop of internal combustion engine and vehicle with the apparatus mounted thereon |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0232353B2 (ja) | 1990-07-19 |
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