JPS6161358A - イオン注入用ウエハデイスク保持機構 - Google Patents

イオン注入用ウエハデイスク保持機構

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Publication number
JPS6161358A
JPS6161358A JP59183912A JP18391284A JPS6161358A JP S6161358 A JPS6161358 A JP S6161358A JP 59183912 A JP59183912 A JP 59183912A JP 18391284 A JP18391284 A JP 18391284A JP S6161358 A JPS6161358 A JP S6161358A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
disk
metal powder
chuck
holding mechanism
ion implantation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59183912A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshitsugu Tsunenari
欣嗣 恒成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP59183912A priority Critical patent/JPS6161358A/ja
Publication of JPS6161358A publication Critical patent/JPS6161358A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、回転ディスク型イオン注入製造の、ディスク
保持部から発生した微細な金属粉の飛散を防止するため
の、ディスク及びその保持栴造に関するものである。
(従来技術) 従来、一部の回転ディスク型エンドステージ冒ンを持つ
イオン注入装置では、ウェハ処理量を向上させるために
、ひとつの注入室に対し、2枚のディスクを交互に使用
していた。このためディスクとディスク駆動部とが分離
されておシ、駆動部からの回転力は、駆動軸に設けられ
たディスク保持用チャックを介してディスクに伝達され
ていた。
したがって、ディスク−チャック間の摩擦力が常に適正
な大きさに調整されていないと、ディスク回転速度の加
・減速時にディスク−チャック間にスリップが発生し、
この時の摩耗によって生じた金属粉が遠心力によってデ
ィスク外周方向に飛散する。飛散した金属粉の一部はウ
ェハ上に堆積し、イオン注入時あるいはそれに続くウエ
ハプロセス時の障害となシ、製品歩留シに著しい影qI
t−与えていた。
(発明の目的) 本発明の目的は、上記の機構で発生した金属粉が遠心力
あるいは処理室の真空ベント時のガス流によって飛散す
ることを防止する方法を提供することである。
(発明の構成) 本発明は、回転ディスク上に複数枚のウェハを配置して
バッチ処理を行なう高電流イオン注入装置の回転ディス
ク及びこのディスクの保持機構において、該ディスクと
該保持vi構との接触部分を磁性体で構成し、該接触部
分の近傍に永久磁石または電磁石を配置したことを特徴
としている。
(発明の作用効果) 本発明によればディスクと保持機構とのスリップによっ
て発生した金属粉は、磁性体であるため、発生場所近傍
に置かれた磁石に吸引される0このため遠心力やベット
ガスの圧力によって金属粉は飛散せず、また定期的に行
なわれるディヌクのクリーニングの際にも、金属粉で汚
染された場所が磁石近傍に限定されるため作業が容易に
なる。従来使用されていたディスクでは、飛散した金属
粉がウェハ保持部等の隙間に入シ込むために、クリーニ
ングの際にはディスク自体を分散せねばならず、このた
め多くの工数が必要であった。
(実施例) 以下、図を用いて本発明の実施例について説明する。
第1図はディスクの正面図、第2図はディスク及び駆動
部が分離された状態の側面図、第3図はディスクと駆動
部が結合された状態の側面図である。ディスク1がディ
スク回転台2に乗せられ(第2図)、ディスク内周部の
チャック部3がディスク回転台側のクランプ4によって
保持される(第3図)。ディスク回転の加減速時にスリ
ップがあると、チャック部3あるいはり2ンプ4が摩耗
して金属粉が発生し、遠心力によりてウェノ・ホルダ5
の方向に飛散する。これを防止するために、チャック部
3とり2ンズ4の一部を磁性金属で構成し、発生した金
属粉を磁石6で吸引する。ディスクの裏面と駆動部2と
の接触部でも同様に粉塵を発生する場合があるが、従来
仁の部分は駆動部(3)側の表面にゴムが張られていた
。この場合にはゴムに7エ2イト粉等を混入して、ディ
スク上部と同様の方法で磁性粉として吸引しても良いが
、第4図に示すように磁路を構成するほうがよシ1実な
県塵効果を期待することができる。なおこの場合は、磁
路を閉回路とするために、ディスクのチャック部3は第
4図〈示すようにディスクの上面部と下面部を分離せず
に一体化する。尚、第1図乃至第4図において、斜線を
付した部分は磁性体で構成する。
【図面の簡単な説明】
第1図はディスクの上面図、第2図はディスクと駆動部
が分離された状態の側面図、第3図はディスクと駆動部
が結合された状態の側面図、第4図は閉磁路を構成した
場合の側面図である。 なお各図において、1・・・ディスク、2・・・ディス
ク駆動台、3・・・チャック部、4・・・クランプ、5
・・・ウェハホルダ、6・・・磁石、7・・駆動モータ
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 回転ディスク上に複数枚のウェハを配置してバッチ処理
    を行なう高電流イオン注入装置の回転ディスク及びこの
    ディスクの保持機構において、該ディスクと該保持機構
    との接触部分を磁性体で構成し、該接触部分の近傍に永
    久磁石または電磁石を配置したことを特徴とするイオン
    注入用ウェハディスク保持機構。
JP59183912A 1984-09-03 1984-09-03 イオン注入用ウエハデイスク保持機構 Pending JPS6161358A (ja)

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JPS6161358A true JPS6161358A (ja) 1986-03-29

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ID=16143986

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008041464A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008041464A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置

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