JPS6159830A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6159830A JPS6159830A JP59181967A JP18196784A JPS6159830A JP S6159830 A JPS6159830 A JP S6159830A JP 59181967 A JP59181967 A JP 59181967A JP 18196784 A JP18196784 A JP 18196784A JP S6159830 A JPS6159830 A JP S6159830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photo
- photomask
- pattern
- irregularities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。特に１表面
に凹凸を有する基板に対して、その凹凸の存在に阻害さ
れずに正確に所望のパターンを形成することを可能にす
るフォトリソグラフィー法を有する単導体装置の製造方
法に関する。
に凹凸を有する基板に対して、その凹凸の存在に阻害さ
れずに正確に所望のパターンを形成することを可能にす
るフォトリソグラフィー法を有する単導体装置の製造方
法に関する。
（従来の技術）
半導体装置の製造方法において、前工程で凹凸が形成さ
れた基板にフォトリソグラフィー法が適用される場合が
ある。ところが、フォトレジストの塗布は通常スピンコ
ード法をもってなすため、その表面はお一〇ね同一平面
となるから、フォトレジスト膜厚は凹部に対しては厚く
凸部に対しては薄くなされることになる。このように厚
さが不均一なフォトレジスト膜に対して均一に露光をな
すと、厚い領域では霧光不足となり、薄い領域では露光
過剰となる。しかも、従来使用されているフォトマスク
は透光率が１００％と０％の二つの領域のみを有するい
わばディジタル型のフォトマスクである。特定の領域の
みに開ｒ−１を形成するというフォトリソグラフィー法
の本来的目的に則して、か覧るフォトマスクが最適だか
らである。
れた基板にフォトリソグラフィー法が適用される場合が
ある。ところが、フォトレジストの塗布は通常スピンコ
ード法をもってなすため、その表面はお一〇ね同一平面
となるから、フォトレジスト膜厚は凹部に対しては厚く
凸部に対しては薄くなされることになる。このように厚
さが不均一なフォトレジスト膜に対して均一に露光をな
すと、厚い領域では霧光不足となり、薄い領域では露光
過剰となる。しかも、従来使用されているフォトマスク
は透光率が１００％と０％の二つの領域のみを有するい
わばディジタル型のフォトマスクである。特定の領域の
みに開ｒ−１を形成するというフォトリソグラフィー法
の本来的目的に則して、か覧るフォトマスクが最適だか
らである。
（発明が解決しようとする問題点）
そのため、ポジをの２オドレジストを使用する場合は、
フォトレンストＩ＋！；！厚が薄い領域においては、所
期の領域より広い領域が露光され、所期の面積より大き
な面積の開口が形成される傾向があり、７オトレジス）
ＲＱ厚が厚い領域においては。
フォトレンストＩ＋！；！厚が薄い領域においては、所
期の領域より広い領域が露光され、所期の面積より大き
な面積の開口が形成される傾向があり、７オトレジス）
ＲＱ厚が厚い領域においては。
所期の領域より狭い領域が露光され、所期の面積より小
さな面積の開口が形成される傾向がある。
さな面積の開口が形成される傾向がある。
このことは、基板の凹凸に原因してパターン誤差が発生
することを意味する。フォトマスクの寸法とこれを使用
してなすフォトリソグラフィー法によって形成される開
口の寸法とが完全に一致しないことはやむを得ないが、
この但差が正確に予測しうればさしたる問題とはならな
い、しかし、上記するように、基板の凹凸に対応してこ
のむ差が相違することになると許容し難い欠点となる。
することを意味する。フォトマスクの寸法とこれを使用
してなすフォトリソグラフィー法によって形成される開
口の寸法とが完全に一致しないことはやむを得ないが、
この但差が正確に予測しうればさしたる問題とはならな
い、しかし、上記するように、基板の凹凸に対応してこ
のむ差が相違することになると許容し難い欠点となる。
この欠点は、スルーホールのように凹凸のある下地上に
形成されることが多い場合や、段差を横切って配線が設
けられるとき、特に顕著となる。
形成されることが多い場合や、段差を横切って配線が設
けられるとき、特に顕著となる。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、この欠点を解消して、表面に凹凸を右する基
板にフォトリソグラフィー法を適用する場合、凹凸の存
在に阻害されずに、正確に所望のパターンを形成するこ
とを１＋（能にするフォトリソグラフィー法を有する半
導体装置の製造方法を提供することにあり、その手段は
、表面に凹凸を有する基板にフォトリソグラフィー法を
適用するに際し、所望のパターンとｎｔｉ記凹凸に対応
して透光；ドをＨＪｍする濃淡パターンとの複合パター
ンを有するフォトマスクを使用して）中トレジストの露
光をなす工程を有する半導体装置の製造方法よりなる。
板にフォトリソグラフィー法を適用する場合、凹凸の存
在に阻害されずに、正確に所望のパターンを形成するこ
とを１＋（能にするフォトリソグラフィー法を有する半
導体装置の製造方法を提供することにあり、その手段は
、表面に凹凸を有する基板にフォトリソグラフィー法を
適用するに際し、所望のパターンとｎｔｉ記凹凸に対応
して透光；ドをＨＪｍする濃淡パターンとの複合パター
ンを有するフォトマスクを使用して）中トレジストの露
光をなす工程を有する半導体装置の製造方法よりなる。
基板表面の凹凸の程度が複数である場合は、前記フォト
マスクを、所望のパターンを有するフォトマスクと前記
凹凸に対応して透光率を調節する濃淡パターンを有する
ｌまたは２以上のフォトマスクとの複合フォトマスクと
することが有利である。
マスクを、所望のパターンを有するフォトマスクと前記
凹凸に対応して透光率を調節する濃淡パターンを有する
ｌまたは２以上のフォトマスクとの複合フォトマスクと
することが有利である。
（作用）
本発明は１表面に凹凸を有する基板にフォトリソグラフ
ィー法を適用する場合、フォトレジスト１１り厚を均一
′に形成することは、スピンコード法を使用する以上困
難であるから、新たに形成しようとするパターン（ｍ
常のパターン）に加えて、基板の凹凸に対応して透光率
を調節するため、フォトレジスト膜厚が厚い領域に対し
ては透光率を大きくフォトレジスト膜厚が薄い領域に対
しては透光率を小さくするようになす濃淡パターンを併
せ有する複合パターンが形成されているフォトマスクを
使用して、後者のパターンをもって基板凹凸の影ｇ（こ
れにもとづくフォトレジスト膜厚の大小の影背）を打ち
消し、あたかも、均一な厚さのフォトレジスト膜の上に
曲名（通常の）、）トマスク）のパターンを使用して露
光するかの如き結果を得るものである。
ィー法を適用する場合、フォトレジスト１１り厚を均一
′に形成することは、スピンコード法を使用する以上困
難であるから、新たに形成しようとするパターン（ｍ
常のパターン）に加えて、基板の凹凸に対応して透光率
を調節するため、フォトレジスト膜厚が厚い領域に対し
ては透光率を大きくフォトレジスト膜厚が薄い領域に対
しては透光率を小さくするようになす濃淡パターンを併
せ有する複合パターンが形成されているフォトマスクを
使用して、後者のパターンをもって基板凹凸の影ｇ（こ
れにもとづくフォトレジスト膜厚の大小の影背）を打ち
消し、あたかも、均一な厚さのフォトレジスト膜の上に
曲名（通常の）、）トマスク）のパターンを使用して露
光するかの如き結果を得るものである。
なお、基板の凹凸がＪｌｌ［ｌである場合は、その凹凸
バター、ンを１枚のフォトマスクの透光率に具現するこ
とは容易でないので、複数の７．Ｆトマスクを使用する
ことが工業的に容易である。基板の表面に凹凸が存在す
る場合は、その凹凸を形成するために使用したフォトマ
スクが存在する場合が多いので、それらのフォトマスク
のパターンと同一のパターンを有するフォトマスク（さ
きに使用したフォトマスクにもとづき、これとパターン
は同一であるが、透光率は減少して他のフォトマスクと
組み合せて使用するに適するように改造されている必要
がある。）を使用すればよい。
バター、ンを１枚のフォトマスクの透光率に具現するこ
とは容易でないので、複数の７．Ｆトマスクを使用する
ことが工業的に容易である。基板の表面に凹凸が存在す
る場合は、その凹凸を形成するために使用したフォトマ
スクが存在する場合が多いので、それらのフォトマスク
のパターンと同一のパターンを有するフォトマスク（さ
きに使用したフォトマスクにもとづき、これとパターン
は同一であるが、透光率は減少して他のフォトマスクと
組み合せて使用するに適するように改造されている必要
がある。）を使用すればよい。
（実施例）
以下１図面を参照しっ一１本発明の実施例に係る半導体
装置の＃Ａ遣方法の未発明の要旨に係る工程についてポ
ジ型レジストを例としてさらに説明する。
装置の＃Ａ遣方法の未発明の要旨に係る工程についてポ
ジ型レジストを例としてさらに説明する。
第１図斧照
凹凸を有する基板ｌ上にスピンコード法を使用してフォ
トレジスト＃々２を耶虞する。このフォトレジスト膜２
はその表面がお−むね平面になるので、その厚さは基板
ｌの四部では厚く凸部では薄くなる。
トレジスト＃々２を耶虞する。このフォトレジスト膜２
はその表面がお−むね平面になるので、その厚さは基板
ｌの四部では厚く凸部では薄くなる。
そこで、基板ｌの凸部に対応する領域３にクローム層等
よりなる半透光領域を有するフォトマスク４と９次工程
でエツチングすることを望まない領域５にクローム層等
よりなる半透光ｆｉ域を有するフォトマスク６とを例え
ば連続する露光工程にそれぞれ使用して、露光をなす。
よりなる半透光領域を有するフォトマスク４と９次工程
でエツチングすることを望まない領域５にクローム層等
よりなる半透光ｆｉ域を有するフォトマスク６とを例え
ば連続する露光工程にそれぞれ使用して、露光をなす。
複合フォトマスク５．６を透過する光量は下記の如くな
る。
る。
（イ）基板ｌの四部（フォトマスク４の透光領域）に対
応し次工程においてエツチングすることを望む領Ｍ（フ
ォトマスク６の透光領域）に対応する領域ａにおいては
、厚いレジスト膜を感光させるに十分な密度の光が透過
する。
応し次工程においてエツチングすることを望む領Ｍ（フ
ォトマスク６の透光領域）に対応する領域ａにおいては
、厚いレジスト膜を感光させるに十分な密度の光が透過
する。
Ｃ口）基板ｌの四部（フォトマスク４の透光憎域）に対
応し次工程において工・・チングすることを望まない領
域（フォトマスク６の半透光領域）に対応する領域すに
おいては、光は全＜ａ過しない、マスク６は透ａ−ｇｏ
％と １００％のディジタルであり、そして、０％（光
が全く通らない）部分の光の調整にマスク４を使うとい
う考え方である。
応し次工程において工・・チングすることを望まない領
域（フォトマスク６の半透光領域）に対応する領域すに
おいては、光は全＜ａ過しない、マスク６は透ａ−ｇｏ
％と １００％のディジタルであり、そして、０％（光
が全く通らない）部分の光の調整にマスク４を使うとい
う考え方である。
（ハ）基板ｌの凸部（フォトマスク４の半透光領域）に
対応し次工程においてエツチングすることを望む領域（
フォトマスク６の透光領域）に対応する領域Ｃにおいて
は、薄いレジスト膜を感光させるに十分な密度の光がｆ
ｋ遇する。
対応し次工程においてエツチングすることを望む領域（
フォトマスク６の透光領域）に対応する領域Ｃにおいて
は、薄いレジスト膜を感光させるに十分な密度の光がｆ
ｋ遇する。
（ニ）基板１の凸部（フォトマスク４の半透光領域）に
対応し次工程においてエツチングすることを望まない領
域（フォトマスク６の半透光領域）に対応する領ｈｉｄ
においては、光は全く透過しない。
対応し次工程においてエツチングすることを望まない領
域（フォトマスク６の半透光領域）に対応する領ｈｉｄ
においては、光は全く透過しない。
第２図参照
その結果、ａ、Ｃに対応する領域においてのみ２オドレ
ジストｌ１１２２が露光され、図示するように基板ｌの
凹凸に阻害されずに（フォトレジスト膜厚の不整に阻害
されずに）正確なエツチングがなされ、エツチングされ
る孔径に誤差を生ずることはない、また、基板ｌの凹凸
の影響は完全にキャンセルされているので、フォトマス
クの寸法と開口の寸法とのＣ差の予１１−も正確になし
うる。
ジストｌ１１２２が露光され、図示するように基板ｌの
凹凸に阻害されずに（フォトレジスト膜厚の不整に阻害
されずに）正確なエツチングがなされ、エツチングされ
る孔径に誤差を生ずることはない、また、基板ｌの凹凸
の影響は完全にキャンセルされているので、フォトマス
クの寸法と開口の寸法とのＣ差の予１１−も正確になし
うる。
第３図参照
上記の実施例においてはフォトマスクを２枚連続して使
用する例を示しであるが１図示するように複合パターン
が１枚のフォトマスク上に形成されているフォトマスク
７を使用することも可能である０図示するフォトマスク
７には、領域ａにおいてはクローム層は形成されておら
ず、透光率は１００％であり、領Ｍｃにおいては、クロ
ーム層は形成されているが透光率は５ｏり６程度に２！
１節されており、領域すとｄにおいてはクローム層が厚
く形成されて透光率は０タロとされている。
用する例を示しであるが１図示するように複合パターン
が１枚のフォトマスク上に形成されているフォトマスク
７を使用することも可能である０図示するフォトマスク
７には、領域ａにおいてはクローム層は形成されておら
ず、透光率は１００％であり、領Ｍｃにおいては、クロ
ーム層は形成されているが透光率は５ｏり６程度に２！
１節されており、領域すとｄにおいてはクローム層が厚
く形成されて透光率は０タロとされている。
その結果、第２図に示す物と全く同一の開口が形成され
ることになり、基板１の凹凸の影！すなわちフォトレジ
スト膜厚の不整の’Ｊ Ｗは全くキャンセルされる。
ることになり、基板１の凹凸の影！すなわちフォトレジ
スト膜厚の不整の’Ｊ Ｗは全くキャンセルされる。
第４図参照
凹凸を有しない基板１ａに対して、段差を有するクロー
ム層を有するフォトマスク８を使用して露光をなせば、
第４図に示すような段差な有する開口を形成することも
できる。
ム層を有するフォトマスク８を使用して露光をなせば、
第４図に示すような段差な有する開口を形成することも
できる。
〔発明の効果）
以上説明せるとおり１本発明によれば、表面に凹凸を有
する基板にフォトリソグラフィー法な適用する場合、凹
凸の存在に阻害されずに、正確に所望のパターンを形成
することをＩｌｌ能にするフォトリソグラフィー法を有
する半導体装置の製造方法を提供することができる。
する基板にフォトリソグラフィー法な適用する場合、凹
凸の存在に阻害されずに、正確に所望のパターンを形成
することをＩｌｌ能にするフォトリソグラフィー法を有
する半導体装置の製造方法を提供することができる。
第１．２図は１本発明の一実施例に係る半導体装置の製
造方法の本発明の要旨に係る工程を説明する基板断面図
である。第３図は本発明の他の実施例に係る半導体装置
の製造方法の本発明の要旨に係る工程を説明する基板断
面図である。第４．５図は本発明の更に他の実施例に係
る半導体装置の製造方法の末完ＩＩの要旨に係る工程を
１悦明する基板断面図である。 １、ｌａ−・・基板、 ２．２ａ・・・フォトレジス
ト膜、 ３・・・基板凸部に対応する領域、４・・・凹
凸に対応したパターンを有するフォトマスク、 ５・・
◆次工程でエツチングされないｆｆ１Ｍ、 ６−・・
次工程でエツチングされるパターンを有するフォトマス
ク、 ７・す・複合パターンを有するフォトマスク、
８・−・段差をイ■するクローム層を有するフォトマ
スク。 １１．−“−。
造方法の本発明の要旨に係る工程を説明する基板断面図
である。第３図は本発明の他の実施例に係る半導体装置
の製造方法の本発明の要旨に係る工程を説明する基板断
面図である。第４．５図は本発明の更に他の実施例に係
る半導体装置の製造方法の末完ＩＩの要旨に係る工程を
１悦明する基板断面図である。 １、ｌａ−・・基板、 ２．２ａ・・・フォトレジス
ト膜、 ３・・・基板凸部に対応する領域、４・・・凹
凸に対応したパターンを有するフォトマスク、 ５・・
◆次工程でエツチングされないｆｆ１Ｍ、 ６−・・
次工程でエツチングされるパターンを有するフォトマス
ク、 ７・す・複合パターンを有するフォトマスク、
８・−・段差をイ■するクローム層を有するフォトマ
スク。 １１．−“−。
Claims (2)
- （１）表面に凹凸を有する基板にフォトリソグラフィー
法を適用するに際し、所望のパターンと前記凹凸に対応
して透光率を調節する濃淡パターンとの複合パターンを
有するフォトマスクを使用してフォトレジストの露光を
なす工程を有する半導体装置の製造方法。 - （２）前記フォトマスクは、所望のパターンを有するフ
ォトマスクと前記凹凸に対応して透光率を調節する濃淡
パターンを有する１または２以上のフォトマスクとの複
合フォトマスクとされている特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181967A JPS6159830A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181967A JPS6159830A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159830A true JPS6159830A (ja) | 1986-03-27 |
Family
ID=16109995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181967A Pending JPS6159830A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006137582A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Fujifilm Corporation | Exposure method and apparatus |
| US7919231B2 (en) | 2007-09-04 | 2011-04-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Photolithographic method and mask devices utilized for multiple exposures in the field of a feature |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59181967A patent/JPS6159830A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006137582A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Fujifilm Corporation | Exposure method and apparatus |
| US7919231B2 (en) | 2007-09-04 | 2011-04-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Photolithographic method and mask devices utilized for multiple exposures in the field of a feature |
| US8268517B2 (en) | 2007-09-04 | 2012-09-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Photolithographic method and mask devices utilized for multiple exposures in the field of a feature |
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