JPS6159737A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6159737A JPS6159737A JP59180952A JP18095284A JPS6159737A JP S6159737 A JPS6159737 A JP S6159737A JP 59180952 A JP59180952 A JP 59180952A JP 18095284 A JP18095284 A JP 18095284A JP S6159737 A JPS6159737 A JP S6159737A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
←産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に絶縁膜等の
成長にあたダ膜形成後の熱処理方法に関する。
成長にあたダ膜形成後の熱処理方法に関する。
（従来技術）
半導体装置の製造方法の一手段として絶縁膜をＣＶＤ法
、スパッタ法等で被着して膜を形成した後１段差の緩和
１表面の平坦化、空孔等の欠陥の回復等を目的として熱
処理を行なう仁とは一般的な手法である。
、スパッタ法等で被着して膜を形成した後１段差の緩和
１表面の平坦化、空孔等の欠陥の回復等を目的として熱
処理を行なう仁とは一般的な手法である。
従来、仁の徨熱ＪＡＪＩは電気炉を用りて高温（８００
〜１０００℃）でなされていたが、近年半導体装置の進
歩は工程の低温化が心機となって来ている。
〜１０００℃）でなされていたが、近年半導体装置の進
歩は工程の低温化が心機となって来ている。
また、最終表面保＠膜はアルミニウム配線の溶断のため
高温処理が不可能であ〕、空孔尋の欠陥のための信頼性
の低下、この対策のための厚膜化による工程能力の減少
等の欠点があった。
高温処理が不可能であ〕、空孔尋の欠陥のための信頼性
の低下、この対策のための厚膜化による工程能力の減少
等の欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記高温熱処理工程の問題点の解決の
ため罠なされた亀ので、高温熱処理工程を低温熱処理工
程に置きかえ、工程の低温化と製品の信頼性を向上せし
むることか可能な半導体装置の製造方法を提供すること
Ｋある。
ため罠なされた亀ので、高温熱処理工程を低温熱処理工
程に置きかえ、工程の低温化と製品の信頼性を向上せし
むることか可能な半導体装置の製造方法を提供すること
Ｋある。
（発明の構成）
本発明の半導体装置の製造方法は、膜形成後熱処理を行
う工程を含む半導体装置の製造方法において、膜を形成
する工程と、該膜に特有な膜構成材料の結審に選択的に
吸収される特定波長の光を照射する工程とを含み、該特
定波長の光を吸収する膜を選択的に局部加熱することを
特徴として構成される。
う工程を含む半導体装置の製造方法において、膜を形成
する工程と、該膜に特有な膜構成材料の結審に選択的に
吸収される特定波長の光を照射する工程とを含み、該特
定波長の光を吸収する膜を選択的に局部加熱することを
特徴として構成される。
（作用）
膜構成材料はそれぞれその材料の結合に特有な結合エネ
ルギーを持っている。従ってその材料固有の結合の結合
エネルギーに等しいエネルギーを有する波長の光を照射
すれば、該結合の分解−再結合に伴ない該結合の周囲に
エネルギーが選択的に吸収される。従って吸収された表
層のみが局所加熱されるととＫなり、全体の高温熱処理
と同様の効果が局所的に成立する。
ルギーを持っている。従ってその材料固有の結合の結合
エネルギーに等しいエネルギーを有する波長の光を照射
すれば、該結合の分解−再結合に伴ない該結合の周囲に
エネルギーが選択的に吸収される。従って吸収された表
層のみが局所加熱されるととＫなり、全体の高温熱処理
と同様の効果が局所的に成立する。
なお、該材料特有の結合を持たない他の材料のエネルギ
ー吸収は相対的に低く、高温熱処理されることなく、こ
の部分の材料が熱によシ損傷されることはない。
ー吸収は相対的に低く、高温熱処理されることなく、こ
の部分の材料が熱によシ損傷されることはない。
（実施例）
次に１本発明の実施例について説明する。
半導体装置の絶縁膜１表面像″＃Ｌ膜として一般的に使
われている酸化シリコン膜には熱可塑性の向上のために
リンの添加（ＰＳＧ［）、ボロンの添加（ＢａＯ膜）等
を行なっている。
われている酸化シリコン膜には熱可塑性の向上のために
リンの添加（ＰＳＧ［）、ボロンの添加（ＢａＯ膜）等
を行なっている。
以下、ＰＳＧＩｇの場合について説明する。ＰＳＧ膜に
はＰ−０結合、８ｉ−０結合があるが、Ｐ−０結合の結
合エネルギーに等しいエネルギーを有する波長の光を照
射すれば、Ｐ−ＯｔＢ合の分解−再結合に伴ないｐ−ｏ
ｉｉａ合の周囲にエネルギーが選択的に吸収される。従
って表層のＰＳＧｇにエネルギー吸収がおき、表層のみ
が局所加熱されることとなり、高温熱処理と同様の効果
が表面−成立する。一方、Ｐ−０結合を含まないシリコ
ン基板。
はＰ−０結合、８ｉ−０結合があるが、Ｐ−０結合の結
合エネルギーに等しいエネルギーを有する波長の光を照
射すれば、Ｐ−ＯｔＢ合の分解−再結合に伴ないｐ−ｏ
ｉｉａ合の周囲にエネルギーが選択的に吸収される。従
って表層のＰＳＧｇにエネルギー吸収がおき、表層のみ
が局所加熱されることとなり、高温熱処理と同様の効果
が表面−成立する。一方、Ｐ−０結合を含まないシリコ
ン基板。
多結晶シリコン、アルミニウム等の導体や、熱酸化シリ
コン膜に対するエネルギー吸収は相対的に低く、ＰＳＧ
ＨＮ以外への余分な加熱は行なわれないＯ なお、本発明の効果は膜の成長方法にはよらず、本発明
はヌパッタ法、ＰＥＧ粉末塗布法等のいずれの方法で作
られた膜にも適用可能である０また、上記実施例では、
ｐ−ｏ結合の結合エネルギーによる選択吸収を述べたが
、この場合は結合エネルギーは５，４ｅＶとなり、特定
波長としては２３００Ｘの近紫外線どなり、利用できる
光源としてはエキシマレーザ−が適当となる。
コン膜に対するエネルギー吸収は相対的に低く、ＰＳＧ
ＨＮ以外への余分な加熱は行なわれないＯ なお、本発明の効果は膜の成長方法にはよらず、本発明
はヌパッタ法、ＰＥＧ粉末塗布法等のいずれの方法で作
られた膜にも適用可能である０また、上記実施例では、
ｐ−ｏ結合の結合エネルギーによる選択吸収を述べたが
、この場合は結合エネルギーは５，４ｅＶとなり、特定
波長としては２３００Ｘの近紫外線どなり、利用できる
光源としてはエキシマレーザ−が適当となる。
これに対しＰ−０結合の伸縮の特定波長は８．１μｍの
近赤外線となり、利用できる光源としては赤外線レーザ
ーが適当となるが、赤外線の分光でも可能である。この
よう罠、特定波長はＰ−０結合に固有の波長であればよ
く、装置の必要に応じ゛ て選択の自由がある。
近赤外線となり、利用できる光源としては赤外線レーザ
ーが適当となるが、赤外線の分光でも可能である。この
よう罠、特定波長はＰ−０結合に固有の波長であればよ
く、装置の必要に応じ゛ て選択の自由がある。
また、ＢａＯ膜の場合にはＢ−０結合に注目して選択吸
収させれば、上記ＰＳＧ膜と同様の処理が可能である。
収させれば、上記ＰＳＧ膜と同様の処理が可能である。
−万ＳｉＮｘ模の場合には熱可塑性の改善は期待できな
いが、膜欠陥の回復には有効である。
いが、膜欠陥の回復には有効である。
なお温度上昇は照射される光の光り：に比例するので局
部加熱を効果的にする為には強い光を短時間照射する等
の照射東件をえらぶ必要がある。
部加熱を効果的にする為には強い光を短時間照射する等
の照射東件をえらぶ必要がある。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、局部加熱による
熱処理を可能にし、もりて半導体装Ｗの製造工程を低温
化することが出来るという効果が得られる。
熱処理を可能にし、もりて半導体装Ｗの製造工程を低温
化することが出来るという効果が得られる。
Claims (1)
- 膜形成後熱処理を行う工程を含む半導体装置の製造方
法において、膜を形成する工程と、該膜に特有な膜構成
材料の結合に選択的に吸収される特定波長の光を照射す
る工程とを含み、該特定波長の光を吸収する膜を選択的
に局部加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180952A JPS6159737A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180952A JPS6159737A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159737A true JPS6159737A (ja) | 1986-03-27 |
Family
ID=16092142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59180952A Pending JPS6159737A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159737A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009128474A1 (ja) | 2008-04-16 | 2009-10-22 | 財団法人化学及血清療法研究所 | トロンビン固定化生体吸収性シート製剤の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS497388A (ja) * | 1972-05-11 | 1974-01-23 |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP59180952A patent/JPS6159737A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS497388A (ja) * | 1972-05-11 | 1974-01-23 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009128474A1 (ja) | 2008-04-16 | 2009-10-22 | 財団法人化学及血清療法研究所 | トロンビン固定化生体吸収性シート製剤の製造方法 |
| US9149557B2 (en) | 2008-04-16 | 2015-10-06 | The Chemo-Sero-Therapeutic Research Institute | Process for preparing bioabsorbable sheet preparation holding thrombin |
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