JPS6159180A - トンネルがま - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明は、特にセラミック加工片を焼成するだめのトン
ネルがまに関する。ここで用いられているように、トン
ネルがまという用語は、かまチャンネルまたはかま室を
有するすべての種類の連続作動がまを意味するものと解
する。

（従来技術） 周知のトンネルがまでは、焼成すべき材料がキルンカー
によシ炉室を通ってがまの長手方向軸線の方向に移送さ
れる。このようにして、キルンカーが加熱領域、焼成領
域そして最後に冷却領域を通る。キルンカーには、熱絶
縁性、耐熱性材料で作られた板状に設計された底部が設
けられておシ、それらの底部自体で焼成チャンネルを通
って移動可能なキルン基部分を形成している。この周知
の構造のキルンカーはかなシ強くて、キルンカーの先導
手段を過剰に加熱しないように安全な保護を与える。そ
の結果として、焼成チャンネルのそれぞれ一つのキルン
基部分を形成する各キルンカーの底板を、焼成すべき加
工片と共にかまの全領域を通じて移動させ、かつそこに
配置しなければならない。セラミック加工片のための周
知のがまに関して、対応する周りの重量に対する一台の
キルンカー当シの真の送り重量の間の関係は約１：１，
８であシ、すなわち処理すべき加工片の重量は、加熱さ
れてその後冷却される全マスの重量の約３６％にスキな
い。この結果として、高いエネルギー消費が必要であシ
、かつ被処理加工片と共に相当な周りのマスを加熱して
冷却する必要があるため、加熱および冷却過程中相当な
慣性が、前記トンネルがまを通るキャリッジの通過の相
当な制限と共に引き起こされる。前記型式の周知のトン
ネルがまが冷却領域に復熱装置を備えてい・る場合に１
キルンカーの底板から復熱装置への熱伝達がいっそう困
難であり、かつその効果において不利である。

（発明の目的） 本発明の目的は、作動の信頼性を完全に維持しながら、
がまの作動および加工片の処理に必要なエネルギー量を
減少させることができ、加熱および冷却過程中の慣性を
克服することができ、そしてその通過速度を増大させる
ことができるように周知の型式のトンネルがまを改良す
ることである。

（発明の構成および効果） 上記のおよび他の目的を達成するには、本発明により、
キルン基部分をキルンカーから分離し、キルンカーがキ
ルン基部分と独立して移動可能であり、そして別々の平
行に延びる先導手段をキルンカーとキルン基部分のため
に焼成チャンネル内に設けたトンネルがまを設ければ良
い。

これにより、トンネルがまの標準的作動が可能となり、
それによりキルン基部分がかまチャンネルにそれらの先
導手段の上に静止しているが、キルンカーがチャンネル
を通って移動（案内）される。それにより、がまの一定
額域に立っているキルン基部分がそれぞれのかま領域の
温度を有する。前記キルン基部分から分離されたキルン
カーは、周知のキルンカーのマスと比較して周囲のマス
が相当に減少しており、従ってトンネルがまの作動のた
めまだはむしろトンネルがまを通って送られる加工片の
処理のためのエネルギーの消費を実質的に減少させるこ
とができる。

焼成チャンネルのキルン基部は常にそれぞれのかま領域
の温度に対応する温度を有するので、焼成すべき加工片
のための加熱および冷却過程がいっそう迅速にかついっ
そう効果的になる。

冷却領域に復熱装置を有するトンネルがまに関して、熱
い加工片から復熱装置への迅速でかつ非常に有効な熱伝
達が可能となυ、従って冷却領域における熱回収をいっ
そう効果的にする。

他方では、本発明によれば、どんなトラブルが出た場合
にも、例えば加工片がキルンカーから下方にキルン基部
分の上へ落下した場合にも、そのような乱れが除去され
るまで、例えば当該キルンカーおよびその上に加工片を
有する対応するキルン基部分ががまの出口を出る寸でキ
ルン基部分をキルンカーと共に焼成チャンネルを通って
移動させることができる可能性が得られる。従って、作
動の信頼性は少なくとも周知のトンネルがまと同じ位高
い。

本発明の好ましい実施例では、キルンカーが焼成チャン
ネルの幅にわたって延びてキルン基部骨を（橋のように
）横切っており、それによりキルンカーが外側先導手段
の上を案内され、かしキルン基部分が少なくとも一つの
内側先導レーンにより案内され、すべての先導手段が焼
成チャンネル内に設けられている。この実施例によれば
、一方では、キルン基部分によシ形成された完全に閉鎖
された一つのキルン基部が得られ、かつ他方では、キル
ンカーの非常に安定した構造と案内が得られる。

本発明のこの実施例の発展によれば、各キル７カーを主
として、焼成すべき加工片を連行するために焼成チャン
ネルを横切って一方の側方要素から他方の側方要素へ延
びているビームを支持する二つのパネル状側方要素で構
成でき、前記ビームはキルン基部分の頂部側に間隔をお
いて配置される。驚くべきことには、前記ビームがかま
チャンネルの完全な幅を、それぞれキルン基部分の完全
な幅を種々のかま領域のすべての温度条件の下に別に支
持する必要もなく横切るのに適当であり、かつキルンカ
ーを通常のように負荷することができることが見出され
た。

キルンカー側方要素を、各々が、キルン基部分と焼成チ
ャンネルの対応する側壁の間の開口に沼って延びる一つ
のキルンカー側壁を有する長手方向の小さいカーのよう
に設計することができ、それにより前記キルンカーの前
記側方要素の各々がそれ自体安定して、焼成チャンネル
の導通路により案内される。長手方向の小さいカーのよ
うに設計されたこれらのキルンカー側方要素は、たとえ
焼成チャンネルにわたって横切って延びるキルンカーの
部分が前記側方要素にゆるく置かれているだけであると
しても、側方要素自体の強さのため十分安定しているこ
とになる。これらのゆるくしか組立てられていないキル
ンカーの前進制御と一定の安全な移動を、周知の型式の
液圧前進装置により簡単に達成できる。

キルンカー側方要素は、少なくともそれらの上部分にお
いて、耐火性の熱絶縁性材料で作ることができ、かつビ
ームをキルンカーのこれらの側方要素の頂部に設置する
ことができる。キルンカーの側方要素がキルン基部分の
頂部側方範囲と同じレベルで終）、かつ側方要素に、キ
ルン基部骨とビームの間の必要な空間に対応する高さを
有するデスタンスホルダを配置するのが特に有利である
。そのとき、ビームが前記デスタンスホルダに配置され
る。このように、焼成チャンネルの一方の側壁から他方
の側壁へ延びていて、ガス循環や火炎調整に特に有利で
あるキルン基部範囲を達成できる。ビームを支持するデ
スタンスホルダは、キルンカーの側方要素の頂部側にあ
る対応する凹所に設置されてそこに安全に支持される゛
ブロック状”要素であることができる。

本発明により、支持ビームは好１しくは正方形または長
方形横断面の中空形材を呈し、かつ再結晶化されたシリ
コンカーバイト（ＳｉＣ）からなることができる。その
ようなビームは、非常に良好な曲げ強さ、高い最大使用
温度および耐熱衝撃性を有する。さらに、そのような中
空の形材は周囲マスの減少、従って熱容量の減少という
付加的な利益を有する。

本発明により、トンネルがまの通常の作動下に、互に対
し相対的におよび焼成チャンネルの側壁に対し相対的に
移動可能な少なくとも三つの部分があり、本発明の好ま
しい実施例でキルン基部区分に、効果的な密封手段がこ
れらの部コ　　分の間にすなわちキルン基部分、キルン
カー側方要素およびキルンチャンネル側壁の間に設けら
れている。

前記の型式の周知のトンネルがまけラビリンス状密封要
素を有し、これらの要素は焼成チャンネルの側壁におよ
びキルンカーの側方範囲に互につかみあって設けられて
いる。さらに、シートがキルンカーの前記側方範囲の下
縁に、焼成チャンネルの側壁に位置した砂樋の中へ走る
ように設けられている。

さて再び本発明に関して、キルンカーの内側側方要素と
キルン基部分の側方要素の間に付加的な密封手段が設け
られている。好ましい実施例では、キルンカーのパネル
状側方要素とキルン基部分の側方要素が、互に係合した
ラビリンス状要素を呈する。さらに、砂樋をキルン基部
分の下側縁に設けることができ、その砂樋がキルンカー
の移動方向に延びていて、かつシートが前記キルンカー
側方要素の内面の下側縁に前記砂樋内を走るように設け
られている。

本発明の他の実施例では、キルン基部分と種々のキルン
カーの側方要素の間の密封手段が、ちょうど前記キルン
基部分の先導手段と前記キルンカー側方要素の前記先導
手段の各々との間にかつこれらに対し平行に配置された
砂樋からなり、キルン基部分および／またはキルンカー
側方要素の内側に配置されたシートが前記砂樋内を走る
ように設けられている。

この構造によれば、キルンカー側方要素の下だけではな
く、キルン基部分の下に、すなわち先導手段が配置され
ている領域に熱いガスが入ることができないように安全
な密封が得られる。

最後に述べた実施例では固定砂樋を設けるが、これには
、砂または熱いガスが逃げることができる。砂樋の種々
の区分の間の間隙を除去できるという利点がある。

本発明はまた、材料のひびを検出してそれらの部分をす
ぐに交換するためにビーム（支持ビーム）を検査する手
段を設ける。それ故、試験装置を、好１しくはかまチャ
ンネルの外側におよびキルンカーの帰還レーンに沿って
設けることができる。この試験装置は、試験すべき前記
ビームに向けられた超音波送信器と、前記ビームによシ
送信された信号を受ける超音波受信器とからなる。キル
ンカーが試験装置を通る間に試験過程をなしとげること
ができる。

本発明によるトンネルがまの作動に当って、キルン基部
分の上側とビームの間の空間を連続的に検査して、ビー
ムからキルン基部分の上に落下する部分があればそれを
示すことができるのが望ましい。

この効果を実現するために、光障壁をキルン基部分の上
側とビームの下側の間の前記空間に沿って配置して、そ
の空間に何か障害物がある場合に警報信号および／また
はキルンカーの停止を引き起こすようにするのが望まし
い。

光障壁を、前記かまチャ、ンネルを通って前記キルンカ
ーを送ることおよび前記キルン基部分の静止を常時制御
する制御系と接続することにより、前記光障壁のピック
アップの場合に、例えば警報信号を与えながら、まずか
まチャンネルのキルンカーを停止させ、所定の時間後、
例えば−分後前記かまチャンネルにある前記キルンカー
と対応するキルン基部分を前記がまチャンネルを通して
好ましくは正常の速度で給送すると共に、同時に新しい
キルン基部分とキルツカ−を前記かまチャンネル内に給
送することができる。

光障壁の制御系と配置は次のように調整することができ
る。すなわち、かまチャンネルにある障害物の位置を固
定することができ、そして焼成を変えないでおきながら
、がまチャンネルをいっそう迅速に片付けるために前記
キルン基部分とキルンカーをか１チヤンネルを通って同
じ速度で一緒に送るか、または前記キルンカーを前記キ
ルン基部分に沿って連行しなからがまチャンネルを通っ
て正常の速度で送るように調整できる。

通常、最後に述べた調整は障害物を除去する、　　　た
めに好まし鵬すなわち・“ル′カーと対応するキルン基
部分をトンネルがまを通って通常の速度で一時的に一定
のかつ共通の移動をさせる。この制限された時間間隔中
、トンネルがまが先行技術に従うものとして作動される
。障害物を除去した後、前述したように作動を手により
または自動的に再び変える。すなわち、キルノカーヲト
ンネルがまと通って案内しなからキルン基部分を留めて
おく。

（実施例） 以下、本発明を実施例について図面により詳細に説明す
る。

第１図と第２図に示したトンネルがま１ｏは、その焼成
チャンネル１１の底部に１三つの導通路、すなわち左導
通路１２ａ１右導通路１２ｂおよびこれらの中間の導通
路１３がある。前記導通路の各々を先導軌道として構成
することができる。外側の左と右の導通路１２ａと１２
ｂは比較的小さいが、中間の導通路１３は広い軌道とし
て構成することができる。中間の導通路１３内に、例え
ば軌道を形成するレールの間に立って入れる位の大きさ
のチャンネル（図示省略）を周知の仕方で配置すること
ができる。外側導通路１２ａ、１２ｂはキルンカー１４
を案内するのに役立ち、一方中間の導通路１３はキルン
基部分１５を案内するのに役立つ。この配置により、キ
ルンカー１４をキルン基部分１５と独立して焼成（かま
）チャンネル１１を通して動かすことができる。特にキ
ルン基部分１５を焼成チャンネル１１内に静止させてお
くことができると共に、キルンカー１４だけを焼成チャ
ンネル１１内を通って案内する。この結果として、本発
明によるトンネルかまば、キルン基部が大部分静止し、
−その上に被処理加工片を有するキルンカー１４の部分
をがまの種々の領域を通って動かすことを特徴とする。

これによって、キルンカーＩ４の非常にわずかな部分と
焼成すべき加工片１６のみが種々の温度条件、そしてさ
らにトイネルがまの種々の領域の処理条件にさらされる
が、静止しているキルン基部分１５はかまチャンネルに
沿った一定の場所で加工片１６のための温度そしてさら
に処理条件に適合することができる。キルンカー１４の
下部および導通路１２ａ。

１２ｂおよび１３がキルン基部分１５とキルンカー側方
要素１７によりおおわれるので、一定の平均的温度が達
成される。いずれにせよ、これらの部分が高温に対して
保護される。

第１図の右側部分には、キルンカー１４と共に試験ステ
ーション２０が概略的に示しである。

キルンカー１４は、本発明により、主として二つの側方
要素１７からなり、各側方要素がそれ自体安定して移動
可能である。これらのキルンカーの頂部に、ビーム１８
を支持する側方要素１７が互に間隔をおいて配置され、
ビーム１８はキルンカー側方要素１．７と共に、第１図
の左側部分に示したようにキルン基部分１５を取）囲む
橋状構造を形成する。

帰還レーン１２Ｃと１２ｄの両側にある試験装置２０に
関して、架設要素２１と２２が配置されておシ、それら
の一方が矢印２３により示されたように移動可能である
のに対し、他方がビーム１８の前方範囲で自由釦使える
。組合わされた超音波送信器／受信器２４が架設要素２
２に加えられ、そして要素２２と共にビーム１８の前方
範囲に配置されている。さらに、指示（記録）器具、例
えば成る種のオソシログラフがこの要素２２と組合わさ
れている。

かまチャンネル出口からかまチャンネル入口へ戻る途中
にあるキルン力〜１４は、ビーム１８が要素２１と２２
の間をそしてそれによシ超音波発信器／受信器２４の前
を次々と移送されるように帰還レール１２ｃと１２ｄの
上を試験装置１２を通って案内される。一つのビーム１
８がこの場所へ進められるや否や、停止要素２１と２２
がそのビーム１８の前面に向かって動かされ、それから
超音波パルスが前記前方範囲の一方から前記ビーム１８
を通って伝達されて前記ビーム１８の他方の前面により
反射され、そしてそのように反射された超音波パルスが
部分２４の受信器配置により受は取られる。この反射さ
れたパルスが調和器具２５により記録（指示）される。

このように試験されたビームがＯ，にであれば、第二の
＃面によシ反射された超音波パルスを描いて単一の純然
たるピークが前記器具２５に記録される。もしそのよう
な試験されたビームにひびがあれば、そのとき別のエコ
ー信号があυ、前記器具２５に付加的なピークを引き起
こす。

試験過程を終了した後、停止要素２１と２２が、試験さ
れたビーム１８の前面から再び引き戻される。

ひびまたは同様なものがあるビーム１８を取り出して新
しいビーム１８と交換し、そしてそれをすぐに前述した
試験過程にさらすこともできる。

そのキルンカー１４のすべてのビーム１８を試験した後
、キルンカー１４をその帰還レール１２０と１２ｄの上
を負荷ステーションへ移動させ、そしてそこからかまチ
ャンネルの入口へ移動させる。

キルンカー側方要素１７は、主として、キルンカー１４
とトラック（ボギー）３３の全長にわたって延びる側壁
により構成されている。このようにしてかまチャンネル
１０内−Ｃ互＜後に続くキルンカー１４がそれらの側壁
の前面によシ互に押され、それによって、焼成チャンネ
ル１１の全長にわたって実質的に連続的に延びていて゛
トラック（ボギー）を経て前記導通路１２ａと１２ｂＫ
？６って移動する二つの側壁を形成する。

キルンカー１４をかまチャンネル１１を通って移送する
ことは、かまチャンネルの入口に配置された液圧送シ装
置によシなしとげることができ、前記チャンネル入口で
キルンカーを次々と給送する（押す）。キルンカー１４
の中断されないラインにより、一つのキルンカーから他
のキルンカーへの送り伝達がチャンネル出口まで確保さ
れる。

第２図は、キルンカー側方−要素１７が垂直な中間平面
１９に関して（移動方向において）対称に構成されてい
る。この結果として、前記キルンカー側方要素の各々を
キルンカー１４の両側に配置することができる。さら忙
、キルンＥ部分１５が移動方向において垂直な中間平面
１５ａに関して対称に設計されている。

第２図〜第４図は、キルンカー側方要素１７が、トラッ
ク（ボギー）３３の上に支持装置３２によシ装置された
キルンカーの全長にわたって中断されない側壁３１を有
することを示す。

キルンカー側壁３１は、上方の小さい部分３１ａと下方
の広い部分３１ｂとからなる。これらの二つの部分の間
の通路が二つの水平な肩部３１Ｃにより形成されている
。キルンカー側壁３１のこの形状により、焼成チャンネ
ル１１の側壁２６には密封境界部２７が形成され、かク
キルン基部分１５の側壁に密封境界部３４が形成され、
両方共焼成チャンネルに涜って長手方向に延びている。

この配置により、間隙３５がその一方のキルンカー側壁
３１の一方の側方範囲とその対応するかまチャンネル側
壁２６との間に形成される。側壁３１の他方の側方範囲
とキルン基部分１５の対応する側方範囲との間に対応す
る間隙３６が形成され、両方の間隙３５と３６がラビリ
ンス密封手段のように設計されている。

さらに、これらの間隙３５と３６の密封が、キルンカー
側方要素３１の各側方範囲の下縁に取９つけられだ７−
４３７によりなしとげられる。

各外側シート３７の下縁が、焼成チャンネル側壁２６の
下部に取りつけられた対応する砂樋３８の中に終ってお
り、一方内側シート３７の各々が、キルン基部分１５の
対応する側方範囲の下縁に取りつけられた対応する砂樋
２９の中を走っている。両方の砂樋３８，８９がキルン
カー側壁３１の比較的大きい下部分３１ｂのちょうど下
へ延びていると共に、ノート３７が主として垂直に下方
へ延びている。

他の実施例では、砂樋が導通路１２ａと１３の間に、か
つ導通路１２ｂと１３の間に固定されている。そのとき
、砂樋を適当な幅で構成すること罠より、二つの平行な
案内ノート、主としてキルンカー側壁３１に取９つけら
れたシート３７と、キルン基部分１５の側方範囲の下縁
に取りつけられた７−ト３７を砂樋の中を案内すること
かできる。

第２図〜第４図に示したように、キルンカー側方要素１
７が、それぞれキルンカー側壁３１がそれらの上方部分
で、キルン基部分１５の上面と同じ高さで終っている。

キルン基部分１５の前記上面と支持ビーム１８の間の空
間４０け、キルンカー側壁３１の頂部に設置されたブロ
ック状デスタンスホルダ４１により実現される。

第３図と第４図に示したように、キルンカー側壁３１は
、キルンカーの全長にわたって延びるいくつかの壁要素
で構成されている。これらの壁要素は、ブロック状デス
タンスホルダ４１を対応する凹所４３に保持する上方壁
要素４２と、上方壁要素４２を長手方向溝（スロット）
４５に保持する下方壁要素４４とを有する。下方壁要素
４４が、鋼または同様な抵抗金属で作られたフレーム３
２に固定され、そのフレーム３２がトランク（ボギー）
３３と係合している。

シート３７の両方が前記フレーム３２に固定されている
。

上方壁要素が耐熱性および熱絶縁材料、好ましくはセラ
ミック材料で作られる。下方壁要素４４は、大部分その
機械的強さと負荷担持能力を特徴とする材料で作られる
。

ブロック状デスタンスホルダ４１がそれらの上面に水平
溝４６を有し、これらの水平溝はキルンカーの移動方向
に対し垂直に焼成チャンネルを通って延びていてかつビ
ーム１８を挿入するのに役立つ。ビーム１８は、再結晶
化されたシリコンカーバイト（ＳｉＣ）で作られる。第
２図に示したように、前記ビーム１８の各々は焼成チャ
ンネル１１の幅に実質的に相当する長さを有する。第４
図に示したように、ビーム１８が正方形横断面を有する
中空体として構成されている。この管状形材の寸法は、
二つの対応するキルンカー側方要素１７０間のスパンに
依存する。代表的には、ビーム１８が２．４メータの長
さ、５０　Ｘ　５０ｒｒｖｎの横断面分よび約６ｒ１１
ｒｒｌの壁厚を有する。

第２図に示したように、トンネルがまは、かまチャンネ
ルの二つの対向する側に、互に交差する空間４０を通っ
て閃光を伝送する光障壁配置４７．４８を備えている。

これらの光障壁を多数キルン長さの到る所に広げて取９
つけることもでき、光障壁の閃光は主として焼成チャン
ネル１１に垂直に伝送される。この可能性をなしとげる
には、閃光が通るのに十分な空間を与えるデスタンスホ
ルダ４１によれば良い。光障壁は、（キルンカーの移動
方向く関して）デスタンスホルダ４１の幅よシ長い長さ
を有しても良い。

この光障壁配置４７．４８は、障害物が空間４０に記録
される場合に、キルンカー１４の移動が一定時間間隔の
間中断されるようにトンネルがまの作動制御系に適合さ
れる。この中断は一分間はどが代表的であろう。この中
断後、キルンカー４０がキルン基部分１４と共にかまチ
ャ／２、ルを通って動かされる。そのとき、キルンカー
とかま箔部分１５の両方の速度は、キルツカ−１４が以
前に有していた速度と実質的に同一である。キルンカー
１４とかま箔部分１５の結合された移動は、障害物が、
それぞれ乱されたキルアカー１４がかまチャンネル１１
の出口に到達する壕で維持される。通常の場合には、焼
成すべき部片の一つが対応するキルン基部分１５の頂部
に落下してしまっているか、またはビーム１８の一つが
破壊されているだろう。

光障壁配置４７．４８を、そのような中断の比率を決め
るのに使用することもできる。これをなしとげるには、
二個の光障壁をかまチャンネルに清って取９つけるのが
望ましい。そのような場合に、前記作動制御系への影響
は次のようになるだろう。すなわち、小さい乱れしかな
い場合には、キルンカー１４とかま基部分１５が前述し
たようにトンネルがまを通って移送されるが、乱れが相
当ある場合には、キルンカー１４とかま基部分１５の速
度がトンネルがまをいっそう速く片付けるために増大さ
れる。

第２図〜第４図に示したように、板４９がピコ　　−ム
１８の上に設置されており、ビーム１８の上に処理すべ
き加工片が置かれる。これらの板４９の配置は周知の仕
方でなしとげることができ、かつ焼成すべき加工片に依
存する。例えば板４９が一つの閉鎖されたテーブルを形
成する。

また、板４９を互に間隔を置いて配置することもでき、
かつ前記板の各々に孔を設けることができる。

第３図に示したように、キルンカー側方要素１７の側に
キルン基部分１５に対向して取りつけられたシート３７
は、砂樋３９の底に活ってひきずられる、プラスチック
材料のような耐熱性合成材料の密封ストリップによシお
おわれている。これらの密封ストリップ５０は、砂樋３
９の底に沿ってひきずられるプラスチック織物からなる
ことができる。

第２図に示したように、光障壁配置４７．４８がかまチ
ャンネルの入口と出口でキルン基部分１５の頂部に取υ
外し可能に配置されている。

この配置によシ、空間１４をかま全長にわたって検査す
ることができる。たとえトンネルがまの加熱領域が直接
火炎で加熱されたとしても、がまの対向端の光信号が記
録されるために十分強いことを保証するために光障壁配
置４７．４８には強い電子フラッシュガンが設けられて
いる。

キルン基部分１５がトンネルがまを通って移動されるま
で、光障壁配置４７．４８がかまの入口と出口で前記キ
ルン基部分１５にとどまっていても良い。

第４図に示しだように、ビーム１８を支持するデスタン
スホルダ４１が、加熱される周囲のマスを節約するため
に縮小した中間部分で構成されている。

【図面の簡単な説明】

第１図は、トンネルがまの隣に支持ビームのための試験
装置を有する本発明によるトンネルがまの一つの好まし
い実施例の基本的構成要素を示す正面図、第２図は第１
図のがまの概略横断面図、第３図は第２図によるかま（
第１図に対して拡大して示した）の部分概略横断面図、
第４図は第１図によるトンネルがまの部分概略縦断面図
である。 １１・・・焼成チャンネル　１２ａ、　１２ｂ　、　１
３・・・先導手段１４・・ｅキルンカー　　１５・Ｑ拳
キルン基部分１６・・・加工片　　　　１８・・・ビー
ム１７・・・キルンカー側方要素

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）加熱領域、焼成領域および冷却領域を含む焼成チ
   ヤンネルを有する、特にセラミツク加工片を焼成するト
   ンネルがまであって、処理すべき加工片を支承するキル
   ンカーとキルン基部分が前記焼成チヤンネルを通って移
   動可能であるトンネルがまにおいて、前記キルン基部分
   が前記キルンカーから分離され、前記キルンカーが前記
   キルン基部分と独立して移動可能であり、別々の平行に
   走る先導手段が焼成チヤンネルに前記キルンカーと前記
   キルン基部分のために設けられていることを特徴とする
   トンネルがま。
2. （２）前記キルンカーが焼成チヤンネルの幅にわたって
   延びて、キルン基部分を橋のように横切っており、それ
   により焼成チヤンネルにおいてキルンカーが外側先導レ
   ーンの上を移送され、かつキルン基部分が少なくとも一
   つの内側先導レーンの上を移送される、特許請求の範囲
   第１項に記載のトンネルがま。
3. （３）前記キルンカー（１４）の各々が主として、処理
   すべき加工片のためのビーム（１８）を支持する二つの
   パネル状側方要素からなり、前記ビームが一方の側方要
   素から他方の側方要要へ焼成チヤンネルの幅方向におよ
   び前記キルン基部分の頂部から間隔をおいて延びている
   、特許請求の範囲第１項に記載のトンネルがま。
4. （４）前記側方要素は、各々が、前記キルン基部分とか
   まチヤンネルの対応する側壁との間の開口に沿って延び
   るキルンカー側壁を有する長手方向の小さなカーのよう
   に設計され、それにより前記キルンカーの前記側方要素
   の各々がそれ自体安定して、焼成チヤンネルにある先導
   レーンにより移送される、特許請求の範囲第３項に記載
   のトンネルがま。
5. （５）キルンカーの前記要素が少なくともそれらの上部
   において熱絶縁性耐火物で作られ、前記ビームが前記側
   方要素の上部に設置されている、特許請求の範囲第３項
   または第４項記載のトンネルがま。
6. （６）キルンカーの前記側方要素がそれらの上側で、前
   記キルン基部分の上面と同じレベルで終っており、前記
   キルンカー側方要素が、前記キルン基部分と前記ビーム
   の間の必要な空間に対応する高さを有するデスタンスピ
   ースを支持し、前記ビームが前記デスタンスピースに置
   かれる、特許請求の範囲第５項に記載のトンネルがま。
7. （７）前記ビームの各々が、好ましくは正方形または長
   方形横断面を有する中空体として構成され、かつ再結晶
   化されたシリコンカーバイト（ＳｉＣ）からなる、特許
   請求の範囲第１項から第６項までのうちのいずれか一つ
   に記載のトンネルがま。
8. （８）キルンカーの前記壁状側方要素およびキルン基部
   分が、ラビリンスパツキンのように互に係合した密封要
   素を含む、特許請求の範囲第１項から第７項までのうち
   のいずれか一つに記載のトンネルがま。