JPS6158763B2 - - Google Patents
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- JPS6158763B2 JPS6158763B2 JP55118497A JP11849780A JPS6158763B2 JP S6158763 B2 JPS6158763 B2 JP S6158763B2 JP 55118497 A JP55118497 A JP 55118497A JP 11849780 A JP11849780 A JP 11849780A JP S6158763 B2 JPS6158763 B2 JP S6158763B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/34—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B7/345—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B5/00—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques
- G01B5/28—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B5/285—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for controlling eveness
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- A Measuring Device Byusing Mechanical Method (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
本発明はシリコンウエハ、GGGウエハ、プリ
ント基板、セラミツク基板などの基板表面の平坦
度を測定する装置に関するものである。 シリコンウエハ上にパターンを形成するには、
シリコンウエハ上にホトレジストを塗布し、この
ホトレジスト膜上にホトマスクパターンを露光し
て、ホトレジストを感光させて行うことが一般に
行なわれている。この作業をホトリソグラフイと
呼び、マスクとウエハを密着して露光する密着
式、マスクとウエハを数ミクロン〜数十ミクロン
離して露光する近接式、マスク上のパターンをウ
エハ上に投影する投影式などがある。 この際ウエハに「そり」があると、ウエハ上全
面に亘つて、均一に微細パターンを露光すること
が困難となるため、平坦なウエハが必要である。
そのためウエハ表面の平坦度を高精度に測定する
装置及び平坦化する装置が必要である。 本発明は前者の装置に関するものであるが、平
坦なウエハを得る為には前述の如く2つの装置が
必要であるので、先ず後者の平坦化装置について
本発明者等が発明し、特願昭55−33882号として
特許出願したウエハ平坦化装置について、第1図
に基づいてその概略を述べる。 第1図において、ウエハ1はこの平坦化装置5
にのせられ、真空引き手段3により真空引きされ
ることによりウエハ1の裏面はこの装置5に密着
する。ウエハ1の表面を平坦度測定装置4で測定
しながら上下変位手段2を上下方向に変位させる
ことにより、ウエハ1の表面は平坦化される。い
ずれにしても、ウエハ表面の平坦度を高精度に測
定することが不可欠の要素である。 以上はシリコンウエハを例にとつて説明した
が、GGGウエハ、プリント基板、セラミツク基
板などの基板の場合でも同様に論ずることができ
るので、平坦化測定装置の対象とされるこれらの
基板を、以下単に「基板」と称する。 従来より、基板表面の高さを検出する検出端に
は静電容量型検出器や空気マイクロメータなどの
検出端が一般に使用され、本発明の装置において
もこれらの検出端が使用される。また、従来の平
坦度測定装置においては、本発明の測定装置にお
いても同様に、これらの検出端の先端と基板間の
間隙の測定を基板表面上で数個所行うことにより
基板表面全体の平坦度を測定するものである。 次に、従来の平坦度測定装置を第2図、第3図
及び第4図に基づいて説明する。第2図は1個の
検出端6を用いて基板1の表面全体の平坦度を測
定するものである。検出端6はアーム11の先端
にとりつけられ、アーム11はXYテーブル8に
とりつけられ、XYテーブル8は駆動源9及び1
0によりXY方向に移動可能とされている。これ
により、検出端6が基板1上を軌跡12のように
移動され、検出端6の先端7と基板1間の距離が
測定され、従つて平坦度が測定される。本方式で
はXYテーブル8がXY方向に駆動されるので、切
返えしの時に振動が発生すると共に、高速XY駆
動が困難であるため測定に時間がかかる欠点があ
る。 第3図の装置は、駆動源16により駆動される
X軸テーブル15に取付けられたアーム14に複
数個の検出端6を一列又は一列に近い状態にとり
つけ、X軸テーブル15をX方向17に動かし、
基板1の表面全体の平坦度を測定するものであ
る。この方式では多数の検出端6が必要であると
共に、基板1の平坦度の変化を繰返して測定する
為にX軸テーブル15を往復運動させなければな
らないので、切返えしの時に振動が発生する欠点
がある。 第4図の装置は、基板1の上側に、基板1の全
表面を覆うに充分な広さの取付板18に多数の検
出端6を取付け、取付板18を移動することな
く、基板1の平坦度を測定するものである。本方
式では多数の検出端6が必要であり、高価となる
欠点がある。 本発明の目的は、上記した従来の欠点をなく
し、少数の検出端を用いて、基板表面の平坦度を
高速、高精度且つ無振動で測定することができる
低廉な価格の測定装置を提供するにある。 本発明による基板の平坦度測定装置は、基板の
裏面をほぼ全面に亘つて係留して保持する基板係
留手段を設け、該基板係留手段に対向して基板に
平行に配置された円板を基板の中心を回転中心と
して周縁部を軸受によつて回転自在に支持し、基
板表面との距離を検出する検出端を有する検出器
を複数上記円板上の半径の異なる位置に配置し、
上記円板を回転せしめる駆動手段を設け、上記各
検出端より検出信号を滑り接点を介して信号処理
手段に伝達する伝達手段を設け、上記駆動手段を
駆動して、円板を回転した状態で、各検出端から
上記伝達手段を介して得られる検出信号に基づい
て上記信号処理手段は、基板表面の平坦度を測定
することを特徴とする平坦度測定装置である。 本発明の平坦度測定装置の他の好ましい一態様
においては、該装置内で基板の平坦化が行なわ
れ、前記の基板の係留搬入手段が該装置の下側に
設けられた軌条に沿つて、平坦度測定と平坦化の
工程と前後の工程の間を移動可能とされてある。 以下、本発明の平坦度測定装置を実施例の図面
の第5図,第6図及び第7図に基づいて詳述す
る。 22は基板1の係留搬入手段である。係留搬入
手段22は第1図等における平坦化装置と類似の
図面とされているがこれに限定されるものでな
い。第1図の平坦化装置では基板1が該装置の真
空手段で真空係留されているが、他の係留手段で
あつてもよい。但し、この装置内で基板の平坦化
を行う為には係留搬入手段22は、例えば特願昭
55−33882号で提案された装置の如く、平坦化の
機能を有することが必要である。係留搬入手段2
2は、装置の下側に設けられた案内軌条27に直
線ベアリング28で保持され、図示せざる駆動源
により29の方向に移動可能とされてある。図示
のステーシヨンで基板1の平坦度を検出し、それ
に基づいて平坦化した後、29の方向に移動し、
図示せざる次のステーシヨンで基板1上に回路パ
ターンを露光する。 基板1の定位置の上側に、該基板1と平行に円
板23が配置されている。円板23は鋼球24を
介してベース31上に乗つている。ベース31は
円形であり、2個のスペーサ30を介して本体4
1上に固定されている。円板23は断面台形の截
頭円錐形をなしており、その肩部はベース31に
取付けられた複数個の回転軸承33に接触してい
る。円板23はベース31の極めて平坦に加工さ
れた面に精度の高い鋼球24を介して支承され、
且つ軸承32により平均に下方に押付けられてい
るので、正確に基板と平行を保ちつつその中心を
軸として回転可能である。また、円板23はベル
ト38、プーリ39を介して電動機40により駆
動され、一定方向に回転運動をつづける。 円板23には、その先端を基板1表面に向け
て、その先端と基板1表面との距離を検出する複
数個の検出端6が取付けてある。 複数個の検出端6は円板23の中心より周縁部
に向けて直線又は曲線をなして一列に取付けられ
る。実施例を第8図及び第9図に示す。円板23
を矢印26方向に回動すると、各検出端6は円板
23の中心を軸とする円軌道を描き、対応する基
板1の個所との距離を検出し、基板1の全表面に
亘る平坦度を測定することができる。しかし、第
8図の如く、検出端6を直線をなして一列に並べ
るときは、検出端6の配列間隔を検出端の直径以
下とすることはできない。検出端6の配列間隔を
狭めたい場合は、第9図の如く、各検出端6を中
心より周縁部に向うに従つてその位置を僅かづつ
づらして、曲線をなして一列に並べればよい。こ
れにより、第8図における場合より更に密に基板
1の表面の個所を測定することができる。 各検出端6よりの検出信号はケーブル33によ
り取出され、ケーブル33はスペーサ30に固定
された保持枠37により保持されたスリツプリン
グの回転側34に固定され、円板23と同じ運動
を行う。検出信号は更に、スリツプリング固定側
35よりケーブル36を通つて図示せざる信号処
理手段、例えば表示器、演算器、ブラウン管表示
器等に送られる。 本発明の装置は以上の如く構成されているの
で、円板を回転することにより、従来のXYテー
ブル等による時に発生していた切返えし時の振動
が発生しなくなり、極めて高精度の測定が可能と
なる。また、従来のXYテーブルでは振動が大き
くなる為高速に動かすことが出来なかつたが、本
発明の装置では、一方向の回動運動であるので、
XY運動に比べて10〜100倍以上の高速化が可能で
ある。 また、従来、多数の検出端を使用して検出端を
移動することなく基板の平坦度を測定する方法が
行われているが、前述の如く多数の検出端を必要
とする欠点がある。具体的数値をあげると、本発
明の装置では4個の検出端であげられる効果は、
該装置では37個の検出端を使用しなければ達する
ことができない。半導体を例にとると、半導体ウ
エハの外径寸法は年々大きくなつており、従来の
方法では検出端数を益々増加させなければならな
い。検出端の配列層数lと、本発明の装置に必要
な検出端の個数mと、従来装置に必要な検出端の
個数nの関係を第1表に示す。
ント基板、セラミツク基板などの基板表面の平坦
度を測定する装置に関するものである。 シリコンウエハ上にパターンを形成するには、
シリコンウエハ上にホトレジストを塗布し、この
ホトレジスト膜上にホトマスクパターンを露光し
て、ホトレジストを感光させて行うことが一般に
行なわれている。この作業をホトリソグラフイと
呼び、マスクとウエハを密着して露光する密着
式、マスクとウエハを数ミクロン〜数十ミクロン
離して露光する近接式、マスク上のパターンをウ
エハ上に投影する投影式などがある。 この際ウエハに「そり」があると、ウエハ上全
面に亘つて、均一に微細パターンを露光すること
が困難となるため、平坦なウエハが必要である。
そのためウエハ表面の平坦度を高精度に測定する
装置及び平坦化する装置が必要である。 本発明は前者の装置に関するものであるが、平
坦なウエハを得る為には前述の如く2つの装置が
必要であるので、先ず後者の平坦化装置について
本発明者等が発明し、特願昭55−33882号として
特許出願したウエハ平坦化装置について、第1図
に基づいてその概略を述べる。 第1図において、ウエハ1はこの平坦化装置5
にのせられ、真空引き手段3により真空引きされ
ることによりウエハ1の裏面はこの装置5に密着
する。ウエハ1の表面を平坦度測定装置4で測定
しながら上下変位手段2を上下方向に変位させる
ことにより、ウエハ1の表面は平坦化される。い
ずれにしても、ウエハ表面の平坦度を高精度に測
定することが不可欠の要素である。 以上はシリコンウエハを例にとつて説明した
が、GGGウエハ、プリント基板、セラミツク基
板などの基板の場合でも同様に論ずることができ
るので、平坦化測定装置の対象とされるこれらの
基板を、以下単に「基板」と称する。 従来より、基板表面の高さを検出する検出端に
は静電容量型検出器や空気マイクロメータなどの
検出端が一般に使用され、本発明の装置において
もこれらの検出端が使用される。また、従来の平
坦度測定装置においては、本発明の測定装置にお
いても同様に、これらの検出端の先端と基板間の
間隙の測定を基板表面上で数個所行うことにより
基板表面全体の平坦度を測定するものである。 次に、従来の平坦度測定装置を第2図、第3図
及び第4図に基づいて説明する。第2図は1個の
検出端6を用いて基板1の表面全体の平坦度を測
定するものである。検出端6はアーム11の先端
にとりつけられ、アーム11はXYテーブル8に
とりつけられ、XYテーブル8は駆動源9及び1
0によりXY方向に移動可能とされている。これ
により、検出端6が基板1上を軌跡12のように
移動され、検出端6の先端7と基板1間の距離が
測定され、従つて平坦度が測定される。本方式で
はXYテーブル8がXY方向に駆動されるので、切
返えしの時に振動が発生すると共に、高速XY駆
動が困難であるため測定に時間がかかる欠点があ
る。 第3図の装置は、駆動源16により駆動される
X軸テーブル15に取付けられたアーム14に複
数個の検出端6を一列又は一列に近い状態にとり
つけ、X軸テーブル15をX方向17に動かし、
基板1の表面全体の平坦度を測定するものであ
る。この方式では多数の検出端6が必要であると
共に、基板1の平坦度の変化を繰返して測定する
為にX軸テーブル15を往復運動させなければな
らないので、切返えしの時に振動が発生する欠点
がある。 第4図の装置は、基板1の上側に、基板1の全
表面を覆うに充分な広さの取付板18に多数の検
出端6を取付け、取付板18を移動することな
く、基板1の平坦度を測定するものである。本方
式では多数の検出端6が必要であり、高価となる
欠点がある。 本発明の目的は、上記した従来の欠点をなく
し、少数の検出端を用いて、基板表面の平坦度を
高速、高精度且つ無振動で測定することができる
低廉な価格の測定装置を提供するにある。 本発明による基板の平坦度測定装置は、基板の
裏面をほぼ全面に亘つて係留して保持する基板係
留手段を設け、該基板係留手段に対向して基板に
平行に配置された円板を基板の中心を回転中心と
して周縁部を軸受によつて回転自在に支持し、基
板表面との距離を検出する検出端を有する検出器
を複数上記円板上の半径の異なる位置に配置し、
上記円板を回転せしめる駆動手段を設け、上記各
検出端より検出信号を滑り接点を介して信号処理
手段に伝達する伝達手段を設け、上記駆動手段を
駆動して、円板を回転した状態で、各検出端から
上記伝達手段を介して得られる検出信号に基づい
て上記信号処理手段は、基板表面の平坦度を測定
することを特徴とする平坦度測定装置である。 本発明の平坦度測定装置の他の好ましい一態様
においては、該装置内で基板の平坦化が行なわ
れ、前記の基板の係留搬入手段が該装置の下側に
設けられた軌条に沿つて、平坦度測定と平坦化の
工程と前後の工程の間を移動可能とされてある。 以下、本発明の平坦度測定装置を実施例の図面
の第5図,第6図及び第7図に基づいて詳述す
る。 22は基板1の係留搬入手段である。係留搬入
手段22は第1図等における平坦化装置と類似の
図面とされているがこれに限定されるものでな
い。第1図の平坦化装置では基板1が該装置の真
空手段で真空係留されているが、他の係留手段で
あつてもよい。但し、この装置内で基板の平坦化
を行う為には係留搬入手段22は、例えば特願昭
55−33882号で提案された装置の如く、平坦化の
機能を有することが必要である。係留搬入手段2
2は、装置の下側に設けられた案内軌条27に直
線ベアリング28で保持され、図示せざる駆動源
により29の方向に移動可能とされてある。図示
のステーシヨンで基板1の平坦度を検出し、それ
に基づいて平坦化した後、29の方向に移動し、
図示せざる次のステーシヨンで基板1上に回路パ
ターンを露光する。 基板1の定位置の上側に、該基板1と平行に円
板23が配置されている。円板23は鋼球24を
介してベース31上に乗つている。ベース31は
円形であり、2個のスペーサ30を介して本体4
1上に固定されている。円板23は断面台形の截
頭円錐形をなしており、その肩部はベース31に
取付けられた複数個の回転軸承33に接触してい
る。円板23はベース31の極めて平坦に加工さ
れた面に精度の高い鋼球24を介して支承され、
且つ軸承32により平均に下方に押付けられてい
るので、正確に基板と平行を保ちつつその中心を
軸として回転可能である。また、円板23はベル
ト38、プーリ39を介して電動機40により駆
動され、一定方向に回転運動をつづける。 円板23には、その先端を基板1表面に向け
て、その先端と基板1表面との距離を検出する複
数個の検出端6が取付けてある。 複数個の検出端6は円板23の中心より周縁部
に向けて直線又は曲線をなして一列に取付けられ
る。実施例を第8図及び第9図に示す。円板23
を矢印26方向に回動すると、各検出端6は円板
23の中心を軸とする円軌道を描き、対応する基
板1の個所との距離を検出し、基板1の全表面に
亘る平坦度を測定することができる。しかし、第
8図の如く、検出端6を直線をなして一列に並べ
るときは、検出端6の配列間隔を検出端の直径以
下とすることはできない。検出端6の配列間隔を
狭めたい場合は、第9図の如く、各検出端6を中
心より周縁部に向うに従つてその位置を僅かづつ
づらして、曲線をなして一列に並べればよい。こ
れにより、第8図における場合より更に密に基板
1の表面の個所を測定することができる。 各検出端6よりの検出信号はケーブル33によ
り取出され、ケーブル33はスペーサ30に固定
された保持枠37により保持されたスリツプリン
グの回転側34に固定され、円板23と同じ運動
を行う。検出信号は更に、スリツプリング固定側
35よりケーブル36を通つて図示せざる信号処
理手段、例えば表示器、演算器、ブラウン管表示
器等に送られる。 本発明の装置は以上の如く構成されているの
で、円板を回転することにより、従来のXYテー
ブル等による時に発生していた切返えし時の振動
が発生しなくなり、極めて高精度の測定が可能と
なる。また、従来のXYテーブルでは振動が大き
くなる為高速に動かすことが出来なかつたが、本
発明の装置では、一方向の回動運動であるので、
XY運動に比べて10〜100倍以上の高速化が可能で
ある。 また、従来、多数の検出端を使用して検出端を
移動することなく基板の平坦度を測定する方法が
行われているが、前述の如く多数の検出端を必要
とする欠点がある。具体的数値をあげると、本発
明の装置では4個の検出端であげられる効果は、
該装置では37個の検出端を使用しなければ達する
ことができない。半導体を例にとると、半導体ウ
エハの外径寸法は年々大きくなつており、従来の
方法では検出端数を益々増加させなければならな
い。検出端の配列層数lと、本発明の装置に必要
な検出端の個数mと、従来装置に必要な検出端の
個数nの関係を第1表に示す。
【表】
即ち、直径5インチ(127mm)のシリコンウエ
ハの場合には有効直径が120mm(半径60mm)であ
るので、10mm間隔でウエハの平坦度を測定する場
合にはl=6となり、この時にはn−m=120で
あるので、本発明の装置によるときは120個の検
出端が節約出来る。
ハの場合には有効直径が120mm(半径60mm)であ
るので、10mm間隔でウエハの平坦度を測定する場
合にはl=6となり、この時にはn−m=120で
あるので、本発明の装置によるときは120個の検
出端が節約出来る。
第1図は平坦化装置の一例の概略構成図でa図
はb図におけるA−A矢視一部切開面図、b図は
縦断面図、第2図,第3図及び第4図は従来の平
坦度測定装置のそれぞれ異なる例の概略構成図
で、a図は平面図、b図は縦断面図、第5図,第
6図及び第7図は本発明の平坦度測定装置の一実
施例の平面図、縦断面図及び第6図と90度異なる
面での縦断面図、第8図及び第9図は本発明の装
置における円板のみの異なる実施例の平面図であ
る。 1……基板(シリコンウエハ等)、2……上下
変位手段、3……真空引手段、4……平坦度測定
装置、5……平坦化装置、6……検出端、22…
…基板係留搬入手段、23……円板、24……鋼
球、27……案内軌条、33,36……ケーブ
ル、34,35……スリツプリング回転側と固定
側、38……ベルト、40……電動機、41……
本体。
はb図におけるA−A矢視一部切開面図、b図は
縦断面図、第2図,第3図及び第4図は従来の平
坦度測定装置のそれぞれ異なる例の概略構成図
で、a図は平面図、b図は縦断面図、第5図,第
6図及び第7図は本発明の平坦度測定装置の一実
施例の平面図、縦断面図及び第6図と90度異なる
面での縦断面図、第8図及び第9図は本発明の装
置における円板のみの異なる実施例の平面図であ
る。 1……基板(シリコンウエハ等)、2……上下
変位手段、3……真空引手段、4……平坦度測定
装置、5……平坦化装置、6……検出端、22…
…基板係留搬入手段、23……円板、24……鋼
球、27……案内軌条、33,36……ケーブ
ル、34,35……スリツプリング回転側と固定
側、38……ベルト、40……電動機、41……
本体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 測定位置において、基板の裏面をほぼ全面に
亘つて係留して保持する基板係留手段を設け、該
基板係留手段に対向して基板に平行に配置された
円板を基板の中心を回転中心として周縁部を軸受
によつて回転自在に支持し、基板表面との距離を
検出する検出端を有する検出器を複数上記円板上
の半径の異なる位置に配置し、上記円板を回転せ
しめる駆動手段を設け、上記各検出端よりの検出
信号を滑り接点を介して信号処理手段に伝達する
伝達手段を設け、上記駆動手段を駆動して、円板
を回転した状態で、各検出端から上記伝達手段を
介して得られる検出信号に基づいて上記信号処理
手段は、基板表面の平坦度を測定することを特徴
とする平坦度測定装置。 2 上記基板係留手段は、軌道に沿つて次の工程
へと移動できるように構成したことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の平坦度測定装置。 3 上記円板の周縁の断面をくさび状に形成し、
上記軸受を該くさび状部を挟み付ける構成にした
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の平
坦度測定装置。 4 上記駆動手段として、上記円板と離間した位
置に設置されたモータと、該モータの回転出力を
上記円板に動力伝達するベルトとによつて構成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
平坦度測定装置。 5 上記滑り接点を上記円板の回転中心部に設置
したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の平坦度測定装置。
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