JPS6158231A - ド−パント組成物 - Google Patents

ド−パント組成物

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JPS6158231A
JPS6158231A JP60132880A JP13288085A JPS6158231A JP S6158231 A JPS6158231 A JP S6158231A JP 60132880 A JP60132880 A JP 60132880A JP 13288085 A JP13288085 A JP 13288085A JP S6158231 A JPS6158231 A JP S6158231A
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ルイス・ジーン・アネロ
スチーブン・ウエイクフイールド・キートレー
ダニエル・フランクリン・ハーニツシユ
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Allied Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、燐酸トリアミドを、半導体の製造の際に使用
する燐ドーパントとして使用すること。
さらに詳しくは半導体基体に回転延伸（ｓｐｉｎ　ｏｎ
ｌさせて用いるおよび集積回路の製造に使用するドーパ
ント組成物に関する。このドーパントは１重合体（まｆ
ｃは単量体）からなり、少なくともその主鎖の相当部分
に燐−窒素燐酸トリアミド単Ｃ：Ｌを含み、有機溶剤に
溶解させたガラス状樹脂り彩６のものである。
種々の組成物を燐不、Ｉ４物原子源として半導体装置の
製造の際に固体状態拡散に使用することは、以前から知
られていることでるる。理論的には。
トーハント源ぐドーパントａｒｔのコントロ−ルの改善
およびドーパント濃度のより均一な分布を持たらす。し
かしながら、実際ｖｃけこれまで、これらの利点け、工
業的に所望の実用的な・水準にまで一般に到達していな
い。これは、過去にかｈで需要が不十分であっｔす、あ
るいは適当な働きをするドーパントが人手できなかった
九めである。
ｇ！＃をドープし九酸化物の安定な懸濁液ま友は溶液、
あるｈけ燐をドープした酸化物フィルムを生じる成分の
溶液を提供することが考えられてきた。
しかしながら、このような技術を商業的に用いるのけ、
十分に安定かつ純粋であり、そして実用的ｆＬ再現性茫
もってＵ！４製することのできる懸濁液またけ溶液を調
製することが実際的に困難であるため、無理であっ之。
有用かつ実用的でそして満足に作用するドーパント材料
け、たとえばスピン−オン法によって。
半導体表面上に容易に均一に分散されるように。
均質でかつ溶解性でなければならｌい；これは。
溶媒と除去し、材料を拡故漉変にηａ熱したとき、所望
のフィルムが実質的に損われないように、比較的不揮発
性でなければならない：不溶性を付与するものでなけれ
ばならｆＬい；すなわち、熱または池の方法で架橋され
、好ましくけ結晶状ではなくガラス状であると−う特性
を有するものである。
従って、このような蛯済的で容易に用いられるスピン−
オン燐ドーパント系が求められて＾る。　　　　　゛本
発明で用いる燐−窒素ド−パントげ式：（式中、ＲげＨ
１脂肪族、環状および芳香族型基よりなる詳から選択し
たものであり、Ｘは酸素および硫黄よりなる詳から選択
したものであり。
そして少なくとも一つのＲ基は當に脂肪族、環状ま友は
芳香族型基であり、モしてｎけ少ｌくとも２の筐であり
、それより上の直げ、重合体カＳ使用条沖下で可溶性で
わるときにのみ限定される）の燐酸トＩＪ　７ミドまた
けそれらの重合体として公知の物質から誘導される。窒
素置換燐ばおよびチオ燐酸トリアミドの列を示す：ＰＯ
（ＮＨＣｚ　Ｈｓ　Ｉｓ、Ｐ　ｒｎＮＨＰＯ（ＮＨｙｌ
ｔ　、ＰＯ（ＮＨＯ２Ｈｔｔ）ｓ、ＰＯ（ＮＨ−ｔ−Ｃ
４Ｈ１１）！、ｐｏ（ＮＨＰｒｎ）ｓ、ＰＳ　（ＮＨＰ
ｒ　’）ｓ　＋　ｃｌｌａｌｌ　　ＮＨＰＯ’（ＮＨｔ
ｌｔ　。
ＰＯ（ＮＨＣ４ｆ（、ｉｓ　、ＰＯ（ＮＨＣ６Ｈ，）ｍ
　。
ＰＳ　（ＮＨＣａＨｚ＋　Ｉｓ　　（式中、記号Ｐｒｎ
およびＰｒ’は各々ｎ−プロピルおよびイノプロピ９４
表わし。
′ｔｎけ′″第三ｎを表わす。トリアミドの重合体く、
トリアミドｔ−１５０〜６００℃の姓度に、約１時間〜
約８時間加熱することによって製造され。
揮発性物′ｆけ除去される。反応４次式で説明する＝（
式中、Ｒおよびｎけ上記の通りである）重合体の性質は
最高反応＠度によって変わる。
星 のような環状二敬体またげ のような環状ミ遺本げより低い反応＠度で形５！Ｌされ
、線状重合体はより高温で形成される。
この種類の二駄体および重合体の形成げ公知であり、た
とえば米国特許＠２，６６６．７５０号および＠３，５
１６，９６５号そしてＪ、　Ｄ−Ｈｅａ　ｌｙ　　等の
Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ　ａｎｄ　５ｕｌｆｕｒ、　５．
２３９（１９７８）およびＨ，Ｂｏｃｋ　等のＣｈｅｍ
、　Ｂａｒ。
ヱ！、５７７　（１９６６）に示されている。燐酸トリ
アミドの製造も公知であり、′ｆｃとえばＩ、−Ｆ’。
Ａｕｄｒｉｅｔｈ等のＪ、Ａ、Ｃ，Ｓ、６４．１５５．
５（１９４２）；Ｒ，Ｒ，Ｈｏｌｍｅｓ等のＩｎｏｒｇ
、　Ｃｈｅｍ、　１．８９（１９６２）、Ｉｎｏｒｇ、
Ｃｈｅｍ、２．３８０（１９６３１：Ｌ、　Ｒｕｂ等の
ドイツｉｆ１％許＠１，１１０５，９６３号および米国
特許１ＩＫ５．４５１６２５号に示されている。
しかしながら、記載されているトリアミドおよび１■連
した重合体からの適当なドー・くント組成物の製造およ
び１吏用は知られていない。
本発明の目的は、大きな利点？もたらす新規な重合体（
°または単鍛本）燐酸ドリアミドスピン−オン燐ドー／
４ントを提供することである。さらに詳しくは、＊＠明
け、湿気に敏感でなく、加工寛容性を侍たらし、そして
ドーパント組成物を施すシリコン結晶癌体購造に損ｉ４
Ｓを加えたりおよび／またにこれを汚染する傾向のない
、拡散源としての、半す本ドーパント組成物のための燐
−窒素成分を提供するものである。池の目的および利点
けここに示す記述から明らかになるであろう。
本発明に従ってドーパント組成ｖＩｊを製造する際、燐
酸トリアミド単量体まｆｃは重合体は、適当な奮機ｆｇ
ｌｉ＋Ｌｆｃとえばクロロホルム、トルエン、エタノー
ルま＊ａｌ、２−ジクロロエタン等、ｔｃ１〜２０４（
重ｔ／重欧）の黴で溶解し、そしてシリコンウェアチー
上に回転延伸（ｓｐｉｎ　ｏｎ）させ、熱拡散で燐不純
物源（ドーパント）として作用させる。このようにして
製造したドープウェア丁−をその後県債回路の製造に使
用する。
本発明で用いる重合体（まｔは単量体）が、均質かつ可
溶性であり、そのｔめたとえばスピン−オン法によって
、半導体表面上にたヤすく均一に分散すること、および
溶剤ｔ＠去し、材料と波数温度に加熱したとき、所望の
フィルムが実質的に損われないように、比較的不ｔ４発
注であること、そして不＠注を付与しつるもの、すなわ
ち、ａ′ｉたは池の方法で架橋され、そして好ましくは
結晶状ではなくガラス状であるという特１生ｒ４ｆする
ことは、瓜要なことである。
本発明け、拡散源として、湿気に敏感でなく。
加工寛容性を持たらし、そしてｚｌｊ：１ン結晶構造基
体に損傷と加えたりおよび／またはこれを汚染する頌同
のない、半導体ドーパント＠匝□勿のための燐−窒素成
分上提供するものである。
本発明のドーパントの製造で１吏用する燐−窒素（式中
、ＲけＨ５脂肪族、環状および芳香族基よりなる詳から
選択しｔものであり、Ｘは酸素および硫黄よりなる詳か
ら選択し友ものであり、そして少なくとも一つのＲ４け
常ＩＣ脂肪族、環状または芳香１！１ｃｆｓであり、セ
してｎ　ｎ　２〜約５Ｌ１１）である） の燐酸トリアミドとして知られている種類の物質から゛
またＦｉ燐酸トリアミドの重合体から誘導される。この
種類の窒素置換燐酸およびチオ燐酸トリアミドの列を示
す：　ＰＯ（ＮＨＣｚ＆　）ｓ　−ＰＯ（ＮＨＣｓＨｒ
＋）ｓ、ＰＯ（ＮＨ−ｔ−Ｃ４Ｈ＠）３、Ｐｒ”ＮＨＰ
Ｏ（ＭＨＩ　）、、　ＰＯ（ＮＨＰ　ｒｎＩｓ　。
ＰＳ　（ＮＨＰｒ’　）ｓ　、ＰＯ（ＮＨＯ２Ｈｏ１ｓ
　−Ｐ　Ｏ’（ＮＨＣｏ　Ｈｓ　）ｓ　、　Ｃｓ　Ｈｔ
　ｔ　ＮＨＰ　Ｏ（ＮＨｔ　）ｔ、ＰＳ　（ＮＨＣｓＬ
ｘ　）ｓ。
トリアミドの重合体は、トリアミドを１５０〜６００℃
の！度に、約１時間〜約８時間加熱することによって製
造され、揮発性物［は除去される。重合を次式の線状重
合体で説明する二重合体の性質は最高反応＠度および反
応時間１ｃよって決まる。
本発明の重合体には、少量、すなわち少ｌくとも０．１
．好ましくけ少なくとも０．５重量部の、式：の環状二
量体および式： の環状二量体（式中＋　ＲｄＨ’に除く以外は上記の通
りである）よりなる＃から選択した環状単位を含有する
この種の重合体も冴まれる。これらの重合体はより低＾
反応Ｇ度で形成され、線状重合体けより°高い＠度で形
成される。
ガラス實および不溶性というａ質を持たらすそしてドー
パントとして使用される、重合体？生じうる燐酸トリア
ミド組成物を製造する。以下の詳細な実ｍ列で、本発明
をさらに説明する。実施列の詳細は主に説明のためのも
のであり、本発明を限定するものと解すべきでないこと
げ無論のことである。断シがなければ、部げ重量部を表
わす。
実砲ｆＱ１ １［１−Ｎ−７クロヘキシルアミドの製造４Ｊｌｌｌ（
（１３１モル）のＰ　ＯＣ１ｓ　を徐々に、２５０ゴの
ベンゼンに溶解した２２Ｃ１（２，２２モル）の７クロ
ヘキシルアミンへ加え友。初期反応の後、この混合物を
４時間、８０℃で還流させｆＩ−、アミン−塩酸塩ｔ−
濾過により除去し、１００ｍ１のベンゼンで洗浄し７ζ
。−緒にし７ｔＦ液から溶剤を除去すると、残渣が得ら
れ、これを放置するとかつ色の塊に固化した。水で洗浄
して機微のアミン塩酸塩を除いた後、少量の固体を石油
エーテルから再結晶させて、ｍ、ｐ、２４６〜２５０℃
の生成物を得た。
実施９１１口 燐酸トリーＮ−ｔ−ブチルアミドの製造６２？（ａ４０
モル）のｐｏｃＩｔ、茫徐々に、６００４の石油エーテ
ルに溶解した２１０？・（２，８６モル）の第三ブチル
アミンへ加えた。初期反応の鏝、この混合物ｆｃ２時間
、６０℃で還流させた。アミン−塩酸塩を濾過して除き
、溶剤の除去後、残Ｍｅ水で洗浄して残りのアミン−塩
酸塩を除いた。乾燥咬、ｍ、ｐ、２４６〜２４７′ｃの
白色結晶生成＊茫得友。
実施列ｍ 燐酸ト１７−　Ｎ−ピペリジドの製造 ６９　ｒ　（０，４５−ｖ−ル）のｐｏｃｘｓ　　ｒ、
　５００ｒｎｌのヘキサンに溶解した２４．４ｒ（２，
８６モル）のピペリジンに、０℃で１時間にゎ友っで加
えた。
この混合物を攪拌して６５℃で１時間還流し、冷却しそ
して濾過してアミン−塩酸塩を除去しｔ０溶剤を蒸発さ
せた優、ｍ、ｐ、４２〜４５℃のｉＩｃかっ色固本カ；
得られ九〇 実ｂｔ列■ チオ燐酸トリーＮ−７クロヘキフルアミドの製造４１？
（０，２４モル）のＰＳＣＩ、と、６００ゴのヘキサン
に溶解し＊１７０Ｓ’（１，７２−ｖ−ルｌ）７クロヘ
キフルアミンに、０℃で１時間にわたって添加した。添
加完了銑、この混合物を加熱して２時間！Ｒ，した。ア
ミン−塩酸塩を濾過で除き。
Ｆ［を真空Ｆで蒸発させて乾燥し、ヘキサン溶剤を除去
した。ｍ、ｐ、１４０〜１４５℃のワックス　　　・状
かっ色固体が回収され友。
実施ＰＪｖ フェニル　酸ジーＮ−シクロヘキシルアミドの製。
５８？　（０，５０モル）のフェニル燐酸二塩化物を、
５００　ｍｊ　（Ｆ）　ヘｙ　セｙ中ｒｃｓｓｔ、＊　
１５２．５　？（１，３１１モル）の７クロヘキシルア
ミｙｒＣ，２５℃で１時間にわたって添加し友、次に、
この混合物を３時間還流した。アミン−塩酸塩を濾過で
除去し、Ｆ液を真空下でＳ発させて、ワックス状のかつ
色の生成物を得た。この固体をヘキサンから再結晶して
、ｍ、ｐ、１４５〜１５２℃の白色の結晶性生成＊’ｉ
得た。
実施列■ 燐酸トリーＮ−シクロベキフルアミドのＰＡ分解実施列
１のワックス状生成物の試料 （Ｐ　Ｏ（ＮＨＣｓ　Ｈｌｔ　）　ｓ　）　　を窒素雰
囲気中で、２６０〜２６５℃ＩＣ５時間７１０熱した。
微砿の７クロヘキシルアミン＜ａ合物が放出され、回収
した樹脂はワックス状でありｔ、同様に、ＰＯ＜ＮＨＣ
６Ｈ□）３の新しい試料を２８０℃に６０分間加熱した
ところ、６．９２のシフａへ−１Ｐフルアミン縮合゛吻
が得られ、この樹脂は光沢のめるかっ色の固体であった
。両方の＋尉１＋旨はエタノール、クロロホルムおよび
トルエンにｏ７溶性であうｔ。
実施列■１ ｆ４Ｎ−ｔ−ブチルイミドの製造 ６２ｆ　（ＬＬ４６モル）のＰｃ４　　ｔ、３００ゴの
ヘキサンＩｃ浴解した２６！Ｍ（３，２０モル）のｔ−
プチルアミンに、０℃で１時間にわたって溶解した。矢
に、この混合’＊？ｒ、加熱して２時間還流し、アミン
−塩酸塩を濾過によって除去した。溶剤をＰｌ＆から除
いた鏝、光沢のある固体が得られた。
これを再結晶したところ、融点が１６８〜１４２℃であ
っｔｏ 実施列■ 燐酸トリーＮ−プロピルアミドの製造 ７Ｅｌ（ｔ１５１そル）のＰＯＣＡＩ、　　ｔ−、３０
Ｑｍの塩化メチレンに溶解した１９７Ｐｉ３２モル）の
プロピルアミンに、０℃で１時間にわたって攪拌しなが
ら徐々に加えた。次に、この混合物を５５℃に２時間７
ＪＯ熱し、そしてアミン−塩酸塩沈でん物を濾過によっ
て除いた。溶剤の除去の優。
１６０ｔの粗生成物が回収さルた。これをベンゼンに８
解し、再−過し、そしてＦ液を真空下蒸発させて乾燥し
友。１６９ｔのトリアミド生成物が回収され、その融点
框６０〜６１℃であった。
実施列■ 燐酸トリーＮ−インプロピルアミドの製造７８ｆ（ｔ１
５１モル）のｐｏｃｚ、を、５００ｒｔｔｌのベンゼン
に溶解した１９７Ｓ’（３，３２モル］のイソプロピル
アミンに、０℃で１時間にわたって８口えた。６５℃に
２時間加熱した後、混合物を濾過し、そしてＰ液を蒸拍
させて、１４４ｔの所望のトリアミド生成物を得た。
実施列Ｘ 燐酸ト＋）−Ｎ−ブチルアミドの製造 ６６１（Ｑ、４５モル）のｐｏｃｚ、　　と、６００ゴ
のベンゼンに溶解した２０９？（２，０６モル）のｎ−
ブチルアミンに、０℃で１時間にわたって徐々ＩＣＪＪ
Ｑえた。５０℃ＶＣ２時間加熱した麦、この混合物を濾
過し、そしてろ液ｋＪ発させて、１０７ｔの所望のトリ
アミド生成物ｒ得た。その融点け６５〜６８℃であった
。
実施列Ｍ 燐酸トリーＮ−プロピルアミドの勢分解実ｍ向■のトリ
アミドＰ　Ｏ（ＮＨＰ　ｒ　”　）ｓ　　の試料５６．
１？（０，２５４モル）を、窒素雰囲気中で２５０℃に
て４１時間加熱し九〇プロピル、ジプロピルおよびトリ
プロピルアミンの混合物でできている液状縮合物的２０
？を、フラスコ内の黄色のもろい固体６４？と共に、回
収した。重合体固体はメタノール、塩化メチレンおよび
クロロホルムに可溶性であった。
実施列Ｘｌｌ ＠酸トリーＮ−イソプロピルアミドの熱５＋嘆実ｍ１ｌ
ｕ　ｒＸｆ’）　）　！ｊ　７　ミドＰＯ（ＮＨＣＨ（
ＣＨ３）ｔ　）ｓＯＥＭ５０．７？　（０，２３モルｌ
　ｋ、２５０〜２６０℃に１蚤時間ｖ口熱した。約２０
．５ｆのｆ夜状縮合物を、フラスコ内の２１６？の赤色
のもろい固体と共に１回収し友、、重合体固体げメタノ
ールに町容注でめった。
実施列ＸＩ 燐酸トＩＪ　−Ｎ−ブチルアミドの熱分解実施列Ｘのト
リアミドＰＯ（ＮＨＢｕ　ｌ、の試料３６Ｐ　（０，１
４モル）ｋ２５０〜２７０℃に６η時間７ＪＯ１％Ｌ７
ｔ。約１３Ｓ’＋７）液状縮合ｖｌｊｋ、７ラスコ内の
２０１の淡黄かっ色のもろい固体と共に回収しｔ０重合
本固体げメタノールに町容注であつ九。
実施列ＸＩＶ プロピルアミンＮ−酸ジアミド　ＰｒｎＮＴ（ＰＯＣＮ
Ｌ）ｔの製造７７９（０，４４モル）のＰｒ”ＮＨＰＯ
Ｃｌｔ　ｋ　３５ｆ　（０，２５モル）のＰＯ（Ｊｓ　
不純物と共に、２００ｄのベンゼンに溶解しｔ、この混
合物１にニー５℃に冷却した凌、無水アンモニアを、過
剰のアンモニアが一７６℃に冷却したトラップＶＣ出て
くるまで。
攪拌しｔ溶ｔｆｃｄす。温度に６０℃に上げ、溶液にア
ンモニアを２時間通して１反応を確実に完了ｇｅｅ、杉
或さｒＬｆｔ７ミ７−ｆｌｃｌおよびＮＨ，（Ｊ塩ｋ濾
過して除き、ｐ液を蒸発させて乾燥したところ、約６５
１（α２５モル）の所望のＰｒ”ＮＨＰＯ（ＮＨｌが５
６．５１の収率で得られ友。
実施列Ｘｖ Ｐ　ｒ”ＮＨＰ　Ｏ（ＮＨ，ｌ、の熱分解実施列＃ｍＪ
のトリアミ゛ドＰｒ”ＮＨＰＯ（ＮＨ，）、の試料６５
１ｔ−窒素雰囲気中で１９５〜２５８℃に１時間ｎ口熱
した。約３０９の黒ずんだもろい固体がフラスコ内に回
収された。この重合体固体はメタノールＩＣｏＴ溶性で
あった。
′ｆ１．施ＶＡＪＸＶＩ シクロヘキシルアミンＮ−燐酸ジアミドの製造２１８５
’（１，０モル）のｃ、　Ｈ，Ｉ　ＮＨＰ　ＯＣＲ，を
６００ｄの塩化メチレンに１８解した。この混合物を＋
５℃に冷却し、無水アンモニア１に１時間にわ几って通
し友。＠度を高め１ｍ液にアンモニアを２時間にわたっ
て通して、確実に完了させた。形成されたアミン−Ｈ（
ＪおよびＮＨ４（Ｊ塩を濾過して除き、Ｆｆ＃、を蒸発
させて乾燥したところ、５５ｔｃ０．３２モル］の所望
のＣｓ　Ｈｌ、ＮＨＰＯ（ＮＨｌ）ｔが５２憾の収率で
得られｔ。
実施列Ｘ■ 上記実施列のＣｓ　Ｈｓ　ｔ　ＮＨＰ　Ｏ（ＮＨｔ　Ｉ
ｔの試料６０ｆｔ−窒素雰囲気中で２５０℃に２時間加
熱しｔ０約２６．５９の黒ずんだもろい固体がフラスコ
内に回収された。この重合本固体はメタノールに可溶性
であっｔｏ 実施列ＸＶＩＩＩ 組成物の使用効果 同圧とするドーパント組成物を、上で製造したトリアミ
ドから代表として選択したものより製造した。以下の表
１に示すような１モルの前記実施列に従って製造しｔ生
成物と、有機溶剤たとえばエタノール、クロロホルムま
７ｔＨトルエン中に１０〜２０壬（重量／重量）の量で
溶解し、７１Ｊコンウェファ−の表面上に施し、そして
ウェファ−ｉ２．０　ＯＬ３〜１０．００Ｏｒｐｍ　　
で回転させて。
試験と行なう組成物の薄膜茫得た。２４時間保持した処
理ウェファ−を拡散炉に入れ、窒素雰囲気丁、１，００
０℃にて１時間拡散させると、単位面積当りのシート抵
抗率５．９〜１６オームに達し友。
結果を以下の表１に示す。
Ｅ記の実施列で框酸素を拡散炉中に使わなかったが炉内
に６０優までの酸素の添加は、ドーピング性能に悪影＃
を及ぼさず、ウェファ−表置の状ｅ４全改良することが
わかった。
工業的応用 ′＠見明に従って製造した組成物は、複極式集積回路の
エミッターおよびコレクターＤ拡散に用いるもととなる
フィルムとして効果的に施すことができ、そして絶対シ
ート抵抗率？測定することができる。得られた生成物は
、ウニ７アーを横ぎる単結晶を有し、ウェファ−間の抵
抗率が均一であり並びにバッチ間の抵抗率が均一であり
、ウェファ−の汚損が最小であり、　／ＪＯ工が容易で
あり、そして現圧の方法に適合するものでおるという特
徴を有している。
この生成物は、半導１．４−製造工業の広範囲な装置。
ｔとえば複＋Ｉｉ式およびＭ　Ｏ’　Ｓ集積同格、不連
続装置、光（太陽）電池等に使用しうる。詳しく框。
たとえば、本発明の燐酸トリアミド含有組成物框、エミ
ッターおよびコレクター拡散用の複極式集積回路の製造
に一役的な方法で用いられる。
５業技術者がここｌＣ挙げた細かな点を変更しうろこと
げ明白なことでるる。従って１本発明は特許請求の範Ｉ
胡に示したものμ外は限定さ′ｒＬない。
ｌ１頁の続き 多発　明　者　　ダニエル・フランクリ　　アメリカ合
衆国ニューン・バーニッシュ　　　　−クツマウント・
エアヨーク州１４１２７．オーチャード・バリー・ロー
ド　４

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）導電性誘導フィルムを形成する燐ドーパント組成
    物であって、揮発性溶剤中に少なくとも１．０重量％の
    式： （ＲＮＨ）＿３Ｐ：＝Ｘ で表される単量体および式： ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる上記単量体の重合体 （ただし、式中、Ｒは水素並びに、炭素原子数１〜１２
    の脂肪族、環状および芳香族基よりなる群から選択した
    ものであり、Ｘは酸素および硫黄よりなる群から選択し
    たものであり、そして少なくとも一つのＲ基は常に脂肪
    族、環状または芳香族型の基である） よりなる群から選択した燐酸トリアミドを必須ドーパン
    ト成分として含んでなる燐ドーパント組成物。
  2. （２）燐酸トリアミドが、少なくとも約０．１重量％の
    、式： ▲数式、化学式、表等があります▼ の環状二量体および式： ▲数式、化学式、表等があります▼ の環状三量体およびこれらの混合物（式中、ＲおよびＸ
    は水素を除いた上記の定義の通りのものである）よりな
    る群から選択した環状化合物を含む、特許請求の範囲第
    （１）項記載の組成物。
  3. （３）必須ドーパント成分が単量体である、特許請求の
    範囲第（１）項記載のドーパント組成物。
  4. （４）必須ドーパント成分が二量体である、特許請求の
    範囲第（１）項記載のドーパント組成物。
  5. （５）必須ドーパント成分が三量体である、特許請求の
    範囲第（１）項記載のドーパント組成物。
  6. （６）必須ドーパント成分が線状重合体である、特許請
    求の範囲第（１）項記載のドーパント組成物。
  7. （７）特許請求の範囲第（１）項記載の重合体組成物を
    半導体基体に施す方法であって、溶液中に含ませた重合
    体をシリコンウエファーの表面上に施し、ウエファーを
    ２，０００〜１０，０００ｒｐｍで回転させて基体上に
    重合体の１００〜７０００Åの薄膜を形成し、そしてこ
    のように処理したウエファーを拡散炉内で０．１〜２．
    ０時間、８５０〜１１００℃にて、窒素雰囲気（０〜３
    ０％の酸素を含む）中で加熱することよりなる、上記の
    方法。
  8. （８）半導体材料をドーピングする方法であって、（ａ
    ）半導体基体を回転させ、 （ｂ）同時に、上記基体上に、特許請求の範囲第（１）
    項記載のドーパントフィルム形成組成物から誘導したガ
    ラス状樹脂の少なくとも１．０重量％の溶液を付着させ
    る、 ことよりなる上記の方法。
  9. （９）上記の付着溶液が約１．０〜約４０重量％の樹脂
    濃度である、特許請求の範囲第（７）項記載の方法。
JP60132880A 1984-06-18 1985-06-18 ド−パント組成物 Pending JPS6158231A (ja)

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