JPS6156418A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
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- JPS6156418A JPS6156418A JP17861884A JP17861884A JPS6156418A JP S6156418 A JPS6156418 A JP S6156418A JP 17861884 A JP17861884 A JP 17861884A JP 17861884 A JP17861884 A JP 17861884A JP S6156418 A JPS6156418 A JP S6156418A
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- etched
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 6
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 4
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエツチング方法、特に導電性基板上薄膜のエツ
チング方法に関する。
チング方法に関する。
導電性基板上薄膜の例として、Ｅ ＣＤ （ｌＥｌｅｃ
Ｌｒ。
Ｌｒ。
ｃｈｒｏｍｉｃ Ｄｉｓｐｌａｙ）のＥＣ膜に用いられ
るイリジウム（Ｉｒ）の水酸化物の薄膜等がある。本発
明によれば、彼エツチング物質が導電体の場合は勿論、
上記ＥＣ膜のように絶縁体であっても、電極等の非電性
基板上に被エツチング物質の薄膜を形成する場合はエツ
、チングを行うことができる。
るイリジウム（Ｉｒ）の水酸化物の薄膜等がある。本発
明によれば、彼エツチング物質が導電体の場合は勿論、
上記ＥＣ膜のように絶縁体であっても、電極等の非電性
基板上に被エツチング物質の薄膜を形成する場合はエツ
、チングを行うことができる。
従来の溶液エツチング法は、被エツチング物質とエツチ
ング溶液との化学反応を利用したもので、エツチング溶
液は被エツチング物質によって決まるという制約があり
、したがって溶液の種類に制限があるという欠点があっ
た。
ング溶液との化学反応を利用したもので、エツチング溶
液は被エツチング物質によって決まるという制約があり
、したがって溶液の種類に制限があるという欠点があっ
た。
例えばＩｒは安定で極めてエツチングされにくい物質で
ある。
ある。
さらにエツチング速度の温度依存性が大きく、精密にエ
ツチングを行うためには、エツチング溶液の温度を一定
に保つ必要がある。
ツチングを行うためには、エツチング溶液の温度を一定
に保つ必要がある。
上記問題点の解決は、被エツチング物質と対向電極を電
解溶液中に浸漬し、該電解溶液と電気的に接続された参
照電極に対して該被工・７チング物質の電位が所定の値
になるように、該被エツチング物質の該対向電極に対す
る電位を設定して行う本発明によるエツチング方法によ
り達成される。
解溶液中に浸漬し、該電解溶液と電気的に接続された参
照電極に対して該被工・７チング物質の電位が所定の値
になるように、該被エツチング物質の該対向電極に対す
る電位を設定して行う本発明によるエツチング方法によ
り達成される。
さらに前記参照電極に対する被エツチング物質の電位の
所定値を、電位−ｐＨ図より求めた被エツチング物質が
電解溶液中に安定に溶ｊ’ｒ’ｊ Ｌ得る電位にするこ
とにより、一層効果的なエツチングが行える。
所定値を、電位−ｐＨ図より求めた被エツチング物質が
電解溶液中に安定に溶ｊ’ｒ’ｊ Ｌ得る電位にするこ
とにより、一層効果的なエツチングが行える。
本発明によれば、被エツチング物質が電解溶液中で安定
に溶解される電位に保たれるため、エツチングされ難い
物質も、電解溶液の種類に依存し、 ないで
エツチング可能となる。
に溶解される電位に保たれるため、エツチングされ難い
物質も、電解溶液の種類に依存し、 ないで
エツチング可能となる。
また被エツチング物質が導電性基板の上に形成された薄
膜の場合は、その薄膜が絶縁体であってもエツチング可
能である。
膜の場合は、その薄膜が絶縁体であってもエツチング可
能である。
第１図は本発明による処理系を模式的に示す断面図であ
る。
る。
ここでは、金ＫＩｒをエツチングする処理系を示す。
図において、１は処理槽で、この中に電解溶液２として
ＩＮの硫酸（１），ｓｏ、）を入れ、ここにエツチング
試料３と対向電極４を間隔をおいて浸漬して、電流計５
を介してそれぞれを電ｒＡ６に接続する。
ＩＮの硫酸（１），ｓｏ、）を入れ、ここにエツチング
試料３と対向電極４を間隔をおいて浸漬して、電流計５
を介してそれぞれを電ｒＡ６に接続する。
一方参照電極槽７に塩化カリ（にＣ１）の飽和溶液８を
入れ、ここに参照電極９としてＳ ＣＥ （ＳａＬｕｒ
ａｔｅｄ Ｃａｌｏｍｅｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ、飽和
カロメル電極）を浸漬し、参照電位を表示するモニタ用
の電圧計１０を経て被エツチング物質３に接、抗する。
入れ、ここに参照電極９としてＳ ＣＥ （ＳａＬｕｒ
ａｔｅｄ Ｃａｌｏｍｅｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ、飽和
カロメル電極）を浸漬し、参照電位を表示するモニタ用
の電圧計１０を経て被エツチング物質３に接、抗する。
電解溶液２とＭＣＩの飽和溶液８は塩橋１）で接合し・
溶液は混ざらないが・電気的には接続される
（ようにする。
溶液は混ざらないが・電気的には接続される
（ようにする。
第２図はエツチング試料３の構成を示す断面図である。
図において、１２はガラス基板、１３は透明電極、１４
は被エツチング物質であるＩｒ膜、前記処理系における
電気的接続は透明電極１３により行う。
は被エツチング物質であるＩｒ膜、前記処理系における
電気的接続は透明電極１３により行う。
上記の処理系にて、どのような試料のエツチングを行っ
た。試料の電位を電圧計１０でモニタしながら、参照電
極９に対して一定値２Ｖに保つことにより、数１０秒で
透明電極１３の上のＩｒ膜のみがエツチングされた。
た。試料の電位を電圧計１０でモニタしながら、参照電
極９に対して一定値２Ｖに保つことにより、数１０秒で
透明電極１３の上のＩｒ膜のみがエツチングされた。
上記設定電位は被エツチング物質である【ｒに対する電
位−ｐ Ｈ図より容易に求められる。
位−ｐ Ｈ図より容易に求められる。
第３図はＩｒに対する電位−ｐ Ｈ図である。
図において、ＩＮの）１２ＳＯ４のｐ Ｈ値は約０．８
であるので、点線で示されるようにｒｒがエツチングさ
れる電位としては１．６■以上が要求されるので、２■
を用いた。
であるので、点線で示されるようにｒｒがエツチングさ
れる電位としては１．６■以上が要求されるので、２■
を用いた。
さらにレジストを保護膜として用いることにより１．ｒ
重々のパターンに１，１）９をエツチングすることも可
能であることも確認された。
重々のパターンに１，１）９をエツチングすることも可
能であることも確認された。
以上詳細に説明したように本発明によれば、１波エツチ
ング物質の電位を制御することにより、工・ノチングを
自由に制御できる。さらにエツチングの機構として電位
−ｐＨ図を基にしているため、種々の電解溶液が適用可
能であり、Ｎａ２ＳＯ２、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ
）、酢酸（Ｃ１）３ＣＯＯＩ＋） 、塩酸（ＩＩＣＩ）
等を用いても、同様の結果が得られる。
ング物質の電位を制御することにより、工・ノチングを
自由に制御できる。さらにエツチングの機構として電位
−ｐＨ図を基にしているため、種々の電解溶液が適用可
能であり、Ｎａ２ＳＯ２、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ
）、酢酸（Ｃ１）３ＣＯＯＩ＋） 、塩酸（ＩＩＣＩ）
等を用いても、同様の結果が得られる。
第１図は本発明による処理系を模式的に示す断面図、
第２図はエツチング試料３の構成を示す断面図、第３図
はＩｒに対する電位−ｐＨ図である。 図において、 １は処理槽、 ２は電解溶液（ＩＮのＨｚＳＯ，）、 ３はエツチング試料、４は対向電極、 ５は電流計、 ６は電源６． ７は参照電極槽、 ８はＭＣＩ の飽和溶液、９は
参照電極、 １０は電圧計１０．１）は塩橋、
１２はガラス基板、１３は透明電極、 １
４ば被エフヂング物質を示す。 草１ 図 草２図
はＩｒに対する電位−ｐＨ図である。 図において、 １は処理槽、 ２は電解溶液（ＩＮのＨｚＳＯ，）、 ３はエツチング試料、４は対向電極、 ５は電流計、 ６は電源６． ７は参照電極槽、 ８はＭＣＩ の飽和溶液、９は
参照電極、 １０は電圧計１０．１）は塩橋、
１２はガラス基板、１３は透明電極、 １
４ば被エフヂング物質を示す。 草１ 図 草２図
Claims (3)
- （１）被エッチング物質と対向電極を電解溶液中に浸漬
し、該電解溶液と電気的に接続された参照電極に対して
該被エッチング物質の電位が所定の値になるように、該
被エッチング物質の該対向電極に対する電位を設定して
行うことを特徴とするエッチング方法。 - （２）前記参照電極に対する被エッチング物質の電位の
所定値を、電位−ｐＨ図より求めた被エッチング物質が
電解溶液中に安定に溶解し得る電位にすることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のエッチング方法。 - （３）前記被エッチング物質が導電性基板の上に形成さ
れた薄膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17861884A JPS6156418A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17861884A JPS6156418A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156418A true JPS6156418A (ja) | 1986-03-22 |
Family
ID=16051593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17861884A Pending JPS6156418A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10946550B2 (en) | 2015-08-12 | 2021-03-16 | Monier Roofing Gmbh | Method for producing a roof tile having a water barrier and roof tile having a water barrier shaped thereon |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP17861884A patent/JPS6156418A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10946550B2 (en) | 2015-08-12 | 2021-03-16 | Monier Roofing Gmbh | Method for producing a roof tile having a water barrier and roof tile having a water barrier shaped thereon |
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