JPS6151925A - ドライエツチング法 - Google Patents
ドライエツチング法Info
- Publication number
- JPS6151925A JPS6151925A JP17330084A JP17330084A JPS6151925A JP S6151925 A JPS6151925 A JP S6151925A JP 17330084 A JP17330084 A JP 17330084A JP 17330084 A JP17330084 A JP 17330084A JP S6151925 A JPS6151925 A JP S6151925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etched
- dry etching
- plate thickness
- dummy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はドライエツチング方法に係り、特に、被エンチ
ング物質のエツチング深さ、すなわち、残りの板厚を精
度良く制御するに好適なドライエツチング終点判定法に
関する。
ング物質のエツチング深さ、すなわち、残りの板厚を精
度良く制御するに好適なドライエツチング終点判定法に
関する。
従来のシリコン圧力センサは、第３図に示すように、被
エツチング物質１のシリコンをシリコン酸化膜（Ｓｉｎ
２）等のマスク２を用いて、水酸化カリクム（ＫＯＨ）
等の薬品でエツチングし、途中で試料を液から取り出し
洗浄・乾燥してＳｉのエツチング深さ′ｆｒ−測定し、
終点？決めていた。この場合、Ｓｉの残り板厚は２５±
２μ、あるいは、３０±３μ等に制御しなければならず
、エツチング深さ１００から数１００μに対しては数チ
以下の精度でエツチング深さを制御しなければならない
。このウェットエツチングをドライエツチングに代える
ことはすでに知られているが、終点判定は非常に困難で
ある。ウェットと同じ方法では真窒を破らねばならず生
産性？落す。
エツチング物質１のシリコンをシリコン酸化膜（Ｓｉｎ
２）等のマスク２を用いて、水酸化カリクム（ＫＯＨ）
等の薬品でエツチングし、途中で試料を液から取り出し
洗浄・乾燥してＳｉのエツチング深さ′ｆｒ−測定し、
終点？決めていた。この場合、Ｓｉの残り板厚は２５±
２μ、あるいは、３０±３μ等に制御しなければならず
、エツチング深さ１００から数１００μに対しては数チ
以下の精度でエツチング深さを制御しなければならない
。このウェットエツチングをドライエツチングに代える
ことはすでに知られているが、終点判定は非常に困難で
ある。ウェットと同じ方法では真窒を破らねばならず生
産性？落す。
本発明の目的は、その場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）モニタとし
て本ドライエツチングの終点全精度良く決定できる方法
金提供するにある。
て本ドライエツチングの終点全精度良く決定できる方法
金提供するにある。
ドライエツチング法では第４図に示した工うに、Ｓ １
０２ｅｅマスク２として被エツチング物質ｌ？エツチン
グすることは、ウェットエツチングと同じである。この
場合、第１図に示した工うに、被エツチング物質の板厚
から残り板厚を差し引いた板厚のダミウェハ３を用意し
、本来の試料１１の附近に設置し、受光素子５、および
、その付属回路によってプラズマ６からの光紫検昶し、
夕°ミークエハが無くなった時全終点と判定すること金
本ドライエツチング終点判定法の基本とする。
０２ｅｅマスク２として被エツチング物質ｌ？エツチン
グすることは、ウェットエツチングと同じである。この
場合、第１図に示した工うに、被エツチング物質の板厚
から残り板厚を差し引いた板厚のダミウェハ３を用意し
、本来の試料１１の附近に設置し、受光素子５、および
、その付属回路によってプラズマ６からの光紫検昶し、
夕°ミークエハが無くなった時全終点と判定すること金
本ドライエツチング終点判定法の基本とする。
〈実施例１〉
第１図に示す構成で、Ｓｉ板厚２００μに対して１７０
μ厚のダミー３を設置し、ホトダイオード５でプラズマ
６からの光を検知し、丁度ダミーウェハがなくなった時
点で終点とした。残り８ｉ板厚は３２μで±３μの制御
範囲に入った。
μ厚のダミー３を設置し、ホトダイオード５でプラズマ
６からの光を検知し、丁度ダミーウェハがなくなった時
点で終点とした。残り８ｉ板厚は３２μで±３μの制御
範囲に入った。
〈実施例２〉
第１図に示した構成で、Ｓｉ板厚３００μに対し２５０
μ厚のダミー３を設置し、ホトダイオード５でプラズマ
６からの光を検知し、丁度ダミーウェハがなくなった時
点ｔ１ で、 く実施例３〉 第１図に示した構成で、Ｓ１板厚２００μに対して１２
０と１６０μのダミー３を設置し、第２図に示した有磁
場マイクロ波プラズマエツチング装置でドライエツチン
グし、それぞれのダミーのなくなった時点ｔＩ ｒ
ｔ２に、【Ｉ とｔｚ間の平均エツチング速度を算出
し、ｔ、以降のエツチング時間を決めて、残りＳｉ板厚
２６μと２５±２μの範囲内に納めることができた。
μ厚のダミー３を設置し、ホトダイオード５でプラズマ
６からの光を検知し、丁度ダミーウェハがなくなった時
点ｔ１ で、 く実施例３〉 第１図に示した構成で、Ｓ１板厚２００μに対して１２
０と１６０μのダミー３を設置し、第２図に示した有磁
場マイクロ波プラズマエツチング装置でドライエツチン
グし、それぞれのダミーのなくなった時点ｔＩ ｒ
ｔ２に、【Ｉ とｔｚ間の平均エツチング速度を算出
し、ｔ、以降のエツチング時間を決めて、残りＳｉ板厚
２６μと２５±２μの範囲内に納めることができた。
〈実施例４〉
第１図で二種のダミーに対して実施例３と同様なプロセ
スで自動的にエツチング終点を決定するプログラミング
付回路をセンナ５に接続し、エツチング開始から終点捷
で人手によらず、自動エツチングを行なった。
スで自動的にエツチング終点を決定するプログラミング
付回路をセンナ５に接続し、エツチング開始から終点捷
で人手によらず、自動エツチングを行なった。
以上の実施例は圧力センナについて示したが、他の半導
体素子製作の被エツチング物質の途中でエツチング全土
めるドライエツチングのほとんどすべてに応用できる。
体素子製作の被エツチング物質の途中でエツチング全土
めるドライエツチングのほとんどすべてに応用できる。
さらに、第１図において光受光部５はホトダイオード等
を用いる以外にミラー等を用いて、ダミー３が薄くなっ
て透過する状況を直接モニター窓で観察すると云う簡単
なモニタリングシステムも可能である。
を用いる以外にミラー等を用いて、ダミー３が薄くなっ
て透過する状況を直接モニター窓で観察すると云う簡単
なモニタリングシステムも可能である。
なお、図中４は試料台、７は放電管、８はマイクロ波導
波管、９はコイル、ｌＯは真空テヤンノくである。
波管、９はコイル、ｌＯは真空テヤンノくである。
本発明に↓れば、本来の場所（ｉｎ−ｓｉｔｕ）でエン
チング深さを判定でき、圧力センナ等のドライエツチン
グ金効率良く行なうことができる。またエツチング装置
の自動化も可能となる。
チング深さを判定でき、圧力センナ等のドライエツチン
グ金効率良く行なうことができる。またエツチング装置
の自動化も可能となる。
第１図、第２図は本発明の詳細な説明するための装置構
成図、第３図は従来の圧力センサの化学薬品によるエツ
チング後の断面図、第４図は圧力センサのドライエツチ
ング後の断面図である。 １・・・被エツチング物’ＪＬ ２・・・エツチングマ
スク、３・・・ダミー、４・・・試料台、５・・・光受
光部。
成図、第３図は従来の圧力センサの化学薬品によるエツ
チング後の断面図、第４図は圧力センサのドライエツチ
ング後の断面図である。 １・・・被エツチング物’ＪＬ ２・・・エツチングマ
スク、３・・・ダミー、４・・・試料台、５・・・光受
光部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応性ガスプラズマを用いたドライエッチング法に
おいて、 被エッチング物質の板厚より薄い板厚のダミー試料の終
点を検出し、前記被エッチング物質の終点時間を算定し
、エッチング深さ、すなわち、残りの板厚を精度良く制
御することを特徴とするドライエッチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17330084A JPS6151925A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | ドライエツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17330084A JPS6151925A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | ドライエツチング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151925A true JPS6151925A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15957885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17330084A Pending JPS6151925A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | ドライエツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151925A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6716362B1 (en) * | 2000-10-24 | 2004-04-06 | International Business Machines Corporation | Method for thin film laser reflectance correlation for substrate etch endpoint |
| JP2020017555A (ja) * | 2018-07-23 | 2020-01-30 | 株式会社アルバック | ドライエッチング方法 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP17330084A patent/JPS6151925A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6716362B1 (en) * | 2000-10-24 | 2004-04-06 | International Business Machines Corporation | Method for thin film laser reflectance correlation for substrate etch endpoint |
| JP2020017555A (ja) * | 2018-07-23 | 2020-01-30 | 株式会社アルバック | ドライエッチング方法 |
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