JPH01165926A - オプチカルファイバ劣化予知方法 - Google Patents
オプチカルファイバ劣化予知方法Info
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- JPH01165926A JPH01165926A JP32619087A JP32619087A JPH01165926A JP H01165926 A JPH01165926 A JP H01165926A JP 32619087 A JP32619087 A JP 32619087A JP 32619087 A JP32619087 A JP 32619087A JP H01165926 A JPH01165926 A JP H01165926A
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 title claims abstract description 27
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- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
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- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はオプチカルファイバ劣化予知方法に関し、特に
半導体ウェーハを製造する工程において、自動アルミニ
ウムエツチング装置醍よシアルミニウム層をエツチング
する際のエツチング量を検出するだめの終点検出機構の
オプチカルファイバ劣化予知方法に関する。
半導体ウェーハを製造する工程において、自動アルミニ
ウムエツチング装置醍よシアルミニウム層をエツチング
する際のエツチング量を検出するだめの終点検出機構の
オプチカルファイバ劣化予知方法に関する。
従来、自動アルミニウムエツチング装置により、半導体
ウェーハ上のアルミニウム層をエツチングする場合、エ
ツチング量が規定値に達したかどうかを判断するＫは、
第１のオプチカルファイバにより半導体ウェーハの片面
から赤外線を照射し、反対側の面からの透過赤外線の量
を第２のオプチカルファイバにより検出し、これをエン
ドポイントセンサ増幅器により電圧に変換し、この電圧
が規定値に達したかどうかを判定する方法が行なわれて
いた。
ウェーハ上のアルミニウム層をエツチングする場合、エ
ツチング量が規定値に達したかどうかを判断するＫは、
第１のオプチカルファイバにより半導体ウェーハの片面
から赤外線を照射し、反対側の面からの透過赤外線の量
を第２のオプチカルファイバにより検出し、これをエン
ドポイントセンサ増幅器により電圧に変換し、この電圧
が規定値に達したかどうかを判定する方法が行なわれて
いた。
第１及び第２のオプチカルファイバは、エツチング液中
に設けられ、エツチング工程が重なるに従って照射面及
び受光面かくもシ、正常時、半導体ウェーハのアルミニ
ウム層のエツチングが進行すると赤外線の減衰率が低下
してエンドポイントセンサ増幅器の出力電圧（ＶＯ）が
第４図の終点検出基準電圧まで達し更にＥ 会へと低下
するのであるが、くもシ氷増すとＦ点のように終点検出
基準電圧まで達しなくなり、オーバーエツチングが発生
する。
に設けられ、エツチング工程が重なるに従って照射面及
び受光面かくもシ、正常時、半導体ウェーハのアルミニ
ウム層のエツチングが進行すると赤外線の減衰率が低下
してエンドポイントセンサ増幅器の出力電圧（ＶＯ）が
第４図の終点検出基準電圧まで達し更にＥ 会へと低下
するのであるが、くもシ氷増すとＦ点のように終点検出
基準電圧まで達しなくなり、オーバーエツチングが発生
する。
これを防止するために、オプチカルファイバの劣化を予
知検出する必要がある。
知検出する必要がある。
従来のオプチカルファイバ劣化予知方法について図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
第５図は従来のオプチカルファイバ劣化予知方法の一例
を説明するため自動アルミニウムエツチング装置の終点
検出機構のブロック図である。
を説明するため自動アルミニウムエツチング装置の終点
検出機構のブロック図である。
この自動アルミニウムエツチング装置の終点検出機構は
、基板上１１上にアルミニウム層１２を被着した被エツ
チング用の半導体ウェーハ１０の片面に赤外線ＬＩを照
射する第１のオプチカルファイバ１ａと、この第１のオ
プチカルファイバ１ａと相対向して設けられ半導体ウェ
ーハ１０の反射側の面からの透過赤外線Ｌｏを検出する
第２のオプチカルファイバ１ｂと、この第２のオプチカ
ルファイバ１ｂからの透過赤外線り。を電圧に変換して
増幅するエンドポイントセンサ増幅器２と、このエンド
ポイントセンサ増幅器２の出力電圧Ｖ。
、基板上１１上にアルミニウム層１２を被着した被エツ
チング用の半導体ウェーハ１０の片面に赤外線ＬＩを照
射する第１のオプチカルファイバ１ａと、この第１のオ
プチカルファイバ１ａと相対向して設けられ半導体ウェ
ーハ１０の反射側の面からの透過赤外線Ｌｏを検出する
第２のオプチカルファイバ１ｂと、この第２のオプチカ
ルファイバ１ｂからの透過赤外線り。を電圧に変換して
増幅するエンドポイントセンサ増幅器２と、このエンド
ポイントセンサ増幅器２の出力電圧Ｖ。
と終点検出基準電圧とを比較し半導体ウェーハ１０のア
ルミニウム層１２のエツチング量が規定の値に達したか
どうかを判断する比較判断部３とを備え、出力電圧Ｖｏ
が終点検出基準電圧になったとき、エツチングを停止す
る構成となっている。
ルミニウム層１２のエツチング量が規定の値に達したか
どうかを判断する比較判断部３とを備え、出力電圧Ｖｏ
が終点検出基準電圧になったとき、エツチングを停止す
る構成となっている。
この自動アルミニウムエツチング装置の終点検出機構の
オプチカルファイバ劣化予知方法は、第１及び第２オプ
チカルフアイブ１ａ＊１ｂの間に、エツチング前の半導
体ウェーノ・１０を挿入して遮光したときのエンドポイ
ントセ／す増幅器２の出力電圧Ｖｏと、半導体ウェーハ
１０を取去って遮光しない全透過時のときの出力電圧Ｖ
ｏとを測定して劣化の状況を判断する構成となっていた
。
オプチカルファイバ劣化予知方法は、第１及び第２オプ
チカルフアイブ１ａ＊１ｂの間に、エツチング前の半導
体ウェーノ・１０を挿入して遮光したときのエンドポイ
ントセ／す増幅器２の出力電圧Ｖｏと、半導体ウェーハ
１０を取去って遮光しない全透過時のときの出力電圧Ｖ
ｏとを測定して劣化の状況を判断する構成となっていた
。
上述した従来のオプチカルファイバ劣化予知方法は、第
１及び第２のオプチカルファイバ１ａ、 ｌｂ間に、エ
ツチング前の半導体ウェーハ１０を挿入して遮光したと
き、この半導体ウェーハ１０を取去って遮光しない全透
過時のときのエンドポイントセンサ増幅器２の出力電圧
Ｖｏを測定して劣化の状況を判断する方法となっている
ので、全透過時と遮光時の出力電圧Ｖｏには、第４図の
Ｃ，Ｄに示すように赤外線の減衰率が変化しても一定の
区間があシ、全透過時と遮光時の出力電圧Ｖｏの測定だ
けでは劣化の状況を正確に判断することができないとい
う欠点がある。
１及び第２のオプチカルファイバ１ａ、 ｌｂ間に、エ
ツチング前の半導体ウェーハ１０を挿入して遮光したと
き、この半導体ウェーハ１０を取去って遮光しない全透
過時のときのエンドポイントセンサ増幅器２の出力電圧
Ｖｏを測定して劣化の状況を判断する方法となっている
ので、全透過時と遮光時の出力電圧Ｖｏには、第４図の
Ｃ，Ｄに示すように赤外線の減衰率が変化しても一定の
区間があシ、全透過時と遮光時の出力電圧Ｖｏの測定だ
けでは劣化の状況を正確に判断することができないとい
う欠点がある。
本発明の目的は、劣化の状況を正確に判断することがで
きるオプチカルファイバ劣化予知方法を提供することに
ある。
きるオプチカルファイバ劣化予知方法を提供することに
ある。
本発明のオプチカルファイバ劣化予知方法は、基板上に
アルミニウム層を被着した被エツチング用の半導体ウェ
ーハの第１の面に赤外線を照射する第１のオプチカルフ
ァイバと、この第１のオプチカルファイバと相対向し前
記半導体ウエーノ・の第２の面からの透過赤外線を検出
する第２のオプチカルファイバと、この第２のオプチカ
ルファイバからの透過赤外線を電圧に変換して増幅する
エンドポイントセンサ増幅器と、このエンドポイントセ
／す増幅器の出力電圧と終点検出基準電圧とを比較し前
記アルミニウム層のエツチング量が規定の値に達したか
どうかを判断する比較判断部とを備えだ自動アルミニウ
ムエツチング装置の、前記第１及び第２のオプチカルフ
ァイバ間に、定期的に、赤外線が半透過する塩化ビニル
板を挿入してこの塩化ビニル板の透過赤外線の量に対応
する前記エンドポイントセンサ増幅器の出力電圧を測定
し、これら出力電圧の変化から前記第１及び第２のオプ
チカルファイバの劣化を予知する構成を有している。
アルミニウム層を被着した被エツチング用の半導体ウェ
ーハの第１の面に赤外線を照射する第１のオプチカルフ
ァイバと、この第１のオプチカルファイバと相対向し前
記半導体ウエーノ・の第２の面からの透過赤外線を検出
する第２のオプチカルファイバと、この第２のオプチカ
ルファイバからの透過赤外線を電圧に変換して増幅する
エンドポイントセンサ増幅器と、このエンドポイントセ
／す増幅器の出力電圧と終点検出基準電圧とを比較し前
記アルミニウム層のエツチング量が規定の値に達したか
どうかを判断する比較判断部とを備えだ自動アルミニウ
ムエツチング装置の、前記第１及び第２のオプチカルフ
ァイバ間に、定期的に、赤外線が半透過する塩化ビニル
板を挿入してこの塩化ビニル板の透過赤外線の量に対応
する前記エンドポイントセンサ増幅器の出力電圧を測定
し、これら出力電圧の変化から前記第１及び第２のオプ
チカルファイバの劣化を予知する構成を有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を説明するだめの自動アルミ
ニウムエツチング装置の終点検出機構のブロック図であ
る。
ニウムエツチング装置の終点検出機構のブロック図であ
る。
第１図において、第１及び第２のオプチカルファイバ１
ａ、１ｂ、エンドポイントセンサ増幅器２及び比較判断
部３は従来の構成と同一である。
ａ、１ｂ、エンドポイントセンサ増幅器２及び比較判断
部３は従来の構成と同一である。
この実施例は、第１及び第２のオプチカルファイバ１ａ
、１ｂの間に、定期的に、赤外線が半透過する厚さ２ｒ
ｐｍの白色の塩化ビニル板４を挿入して塩化ビニル板４
を透過した透過赤外線ＬＯＯ量に対応するエンドポイン
トセンサ増幅器２の出力電圧Ｖｏを測定し、これら出力
電圧■０の変化によシ第１及び第２のオプチカルファイ
バ”ａ＋１１）の劣化を予知する構成となっている。
、１ｂの間に、定期的に、赤外線が半透過する厚さ２ｒ
ｐｍの白色の塩化ビニル板４を挿入して塩化ビニル板４
を透過した透過赤外線ＬＯＯ量に対応するエンドポイン
トセンサ増幅器２の出力電圧Ｖｏを測定し、これら出力
電圧■０の変化によシ第１及び第２のオプチカルファイ
バ”ａ＋１１）の劣化を予知する構成となっている。
第２図はこの実施例により１週問おきに測定した出力電
圧Ｖｏの測定結果である。
圧Ｖｏの測定結果である。
このように測定した出力電圧Ｖｏの変化から第１及び第
２のオプチカルファイバ１２．１ｂの劣化の状況を知る
ことができ、いつ頃限界電圧に達することができ、限界
電圧に達する前に劣化したオプチカルファイバ１ａ＋１
ｂを交換することができる。
２のオプチカルファイバ１２．１ｂの劣化の状況を知る
ことができ、いつ頃限界電圧に達することができ、限界
電圧に達する前に劣化したオプチカルファイバ１ａ＋１
ｂを交換することができる。
また、第３図に示すように、赤外線減衰率に対して所定
の傾斜でリニアに変化する領域で出力電圧Ｖｏを測定す
ることができるので、従来の方法では区間Ｃ，Ｄの平坦
部分のために検出できなかやだ小さな劣化（Ａ）も確実
に電圧の変化（＃）として現われ、正確に劣化の状況を
知ることができる。
の傾斜でリニアに変化する領域で出力電圧Ｖｏを測定す
ることができるので、従来の方法では区間Ｃ，Ｄの平坦
部分のために検出できなかやだ小さな劣化（Ａ）も確実
に電圧の変化（＃）として現われ、正確に劣化の状況を
知ることができる。
以上説明したように本発明は、定期的に、第１及び第２
のオプチカルファイバの間に赤外線を半透過させる塩化
ビニル板を挿入してこの塩化ビニル板の透過赤外線の量
に対応するエンドポイントセンサ増幅器の出力電圧を測
定する構成とするととにより、オプチカルファイバの劣
化の状況を正確に判断することができる効果がある。
のオプチカルファイバの間に赤外線を半透過させる塩化
ビニル板を挿入してこの塩化ビニル板の透過赤外線の量
に対応するエンドポイントセンサ増幅器の出力電圧を測
定する構成とするととにより、オプチカルファイバの劣
化の状況を正確に判断することができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための自動アルミ
ニウムエツチング装置の終点検出機構のブロック図、第
２図は本発明の一実施例を適用して得られたエンドポイ
ントセンサ増幅器の出力電圧特性図、第３図は本発明の
一実施例を説明するだめの赤外線減衰率に対するエンド
ポイントセンサ増幅器の出力電圧特性図、第４図は従来
のオプチカルファイバ劣化予知方法の一例を説明するた
めのエンドポイントセンサ増幅器の出力特性図、第５図
は従来のオプチカルファイバ劣化予知方法を説明するだ
めの自動アルミニウムエツチング装置の終点検出機構の
ブロック図である。 １３．１１）・・・・・・オプチカルファイバ、２・・
・・・・エンドポイントセｙす増幅器、３・・・−比較
判断部、４・−・・・・塩化ビニル板、１０・・・・・
・半導体ウエーノへ１１１・・・・・・基板、１２・・
・・・・アルミニウム層。 代理人 弁理士 内 原 音 力 １ 図 り 第 ４霞 分−登正相 ＋−本当化時 Ｐ圧
ニウムエツチング装置の終点検出機構のブロック図、第
２図は本発明の一実施例を適用して得られたエンドポイ
ントセンサ増幅器の出力電圧特性図、第３図は本発明の
一実施例を説明するだめの赤外線減衰率に対するエンド
ポイントセンサ増幅器の出力電圧特性図、第４図は従来
のオプチカルファイバ劣化予知方法の一例を説明するた
めのエンドポイントセンサ増幅器の出力特性図、第５図
は従来のオプチカルファイバ劣化予知方法を説明するだ
めの自動アルミニウムエツチング装置の終点検出機構の
ブロック図である。 １３．１１）・・・・・・オプチカルファイバ、２・・
・・・・エンドポイントセｙす増幅器、３・・・−比較
判断部、４・−・・・・塩化ビニル板、１０・・・・・
・半導体ウエーノへ１１１・・・・・・基板、１２・・
・・・・アルミニウム層。 代理人 弁理士 内 原 音 力 １ 図 り 第 ４霞 分−登正相 ＋−本当化時 Ｐ圧
Claims (1)
- 基板上にアルミニウム層を被着した被エッチング用の
半導体ウェーハの第１の面に赤外線を照射する第１のオ
プチカルファイバと、この第１のオプチカルファイバと
相対向し前記半導体ウェーハの第２の面からの透過赤外
線を検出する第２のオプチカルファイバと、この第２の
オプチカルファイバからの透過赤外線を電圧に変換して
増幅するエンドポイントセンサ増幅器と、このエンドポ
イントセンサ増幅器の出力電圧と終点検出基準電圧とを
比較し前記アルミニウム層のエッチング量が規定の値に
達したかどうかを判断する比較判断部とを備えた自動ア
ルミニウムエッチング装置の、前記第１及び第２のオプ
チカルファイバ間に、定期的に、赤外線が半透過する塩
化ビニル板を挿入してこの塩化ビニル板の透過赤外線の
量に対応する前記エンドポイントセンサ増幅器の出力電
圧を測定し、これら出力電圧の変化から前記第１及び第
２のオプチカルファイバの劣化を予知することを特徴と
するオプチカルファイバ劣化予知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32619087A JPH01165926A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | オプチカルファイバ劣化予知方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32619087A JPH01165926A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | オプチカルファイバ劣化予知方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165926A true JPH01165926A (ja) | 1989-06-29 |
| JPH0440653B2 JPH0440653B2 (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18185030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32619087A Granted JPH01165926A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | オプチカルファイバ劣化予知方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01165926A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010190754A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | センサ劣化診断装置およびセンサ劣化診断方法 |
| JP2010190755A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | センサ劣化診断装置およびセンサ劣化診断方法 |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP32619087A patent/JPH01165926A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010190754A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | センサ劣化診断装置およびセンサ劣化診断方法 |
| JP2010190755A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | センサ劣化診断装置およびセンサ劣化診断方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0440653B2 (ja) | 1992-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |