JPS6151806A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6151806A JPS6151806A JP17385084A JP17385084A JPS6151806A JP S6151806 A JPS6151806 A JP S6151806A JP 17385084 A JP17385084 A JP 17385084A JP 17385084 A JP17385084 A JP 17385084A JP S6151806 A JPS6151806 A JP S6151806A
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- JP
- Japan
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- temperature
- range
- film
- curie temperature
- composition
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- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光を介して情報を磁気的に記録し、磁気光学
効果を利用して信号を読出す光磁気記録媒体に関するも
のである。
効果を利用して信号を読出す光磁気記録媒体に関するも
のである。
〔従来の技術０
従来より、ガラスまたはプラスチック等の基板面に対し
て垂直な方向に磁化容易軸を有するように磁性材料薄膜
を基板面上に形成して、上記・の磁性材料に光を介して
磁気的に記録させた情報を、磁気光学効果を利用して読
出す光磁気記録が知られている。
て垂直な方向に磁化容易軸を有するように磁性材料薄膜
を基板面上に形成して、上記・の磁性材料に光を介して
磁気的に記録させた情報を、磁気光学効果を利用して読
出す光磁気記録が知られている。
一般に、希土類元素と鉄族元素との組合せからなる非晶
質磁性合金薄膜は、膜面に垂直な方向に磁化容易ｌ１４
ｉｌを有するために光磁気記録媒体として注目され開発
が進められており、例えば、特開昭４９−（５０６４３
，特開昭５４−１２１７〕９゜特開昭５６−１２６９０
７等に開示されている。
質磁性合金薄膜は、膜面に垂直な方向に磁化容易ｌ１４
ｉｌを有するために光磁気記録媒体として注目され開発
が進められており、例えば、特開昭４９−（５０６４３
，特開昭５４−１２１７〕９゜特開昭５６−１２６９０
７等に開示されている。
上記の光磁気記録媒体としては、Ｐ、Ｃｈａｕｄｈａｒ
ｉらによるＡｐｐＪｌ、Ｐｈｙｓ、Ｔ−ｅｔｔ、、ｖｏ
Ｌ２２（１９１Ｂ）、ｐ８８Ｔ−８８９に示されている
ＧｄＣ０，工ｍ ａ ｎＬｗ ｒ αらによるＪｐｒＬ
、Ｊ 、ＡｐｐＡ、Ｐｈｙｓ 、、ｖｏＬ１９（１９８
０）ＶＣ示されているＧｄＴｂＦｅ等の、希土類元素と
鉄族元素との組合せからなる合金である。
ｉらによるＡｐｐＪｌ、Ｐｈｙｓ、Ｔ−ｅｔｔ、、ｖｏ
Ｌ２２（１９１Ｂ）、ｐ８８Ｔ−８８９に示されている
ＧｄＣ０，工ｍ ａ ｎＬｗ ｒ αらによるＪｐｒＬ
、Ｊ 、ＡｐｐＡ、Ｐｈｙｓ 、、ｖｏＬ１９（１９８
０）ＶＣ示されているＧｄＴｂＦｅ等の、希土類元素と
鉄族元素との組合せからなる合金である。
これらの研究より明らかなように、ＧｄＴｂＦｅ等のＦ
、系合金の磁性薄膜は、キュリ一温度を利用して情報の
記録を行うものである。これに対して、ＧｄＣＱ等のｃ
ｏ系合磁性＃：膜は、補償温度を利用した情報の記録を
行うもので、記録の原理が異なっている。
、系合金の磁性薄膜は、キュリ一温度を利用して情報の
記録を行うものである。これに対して、ＧｄＣＱ等のｃ
ｏ系合磁性＃：膜は、補償温度を利用した情報の記録を
行うもので、記録の原理が異なっている。
補償温度とは、例えば、ＧｄＣＱの場合ではＧｄの磁化
の向きとＣｏＣＤｍ化の向きとが逆方向であり、ある温
度（補償温度）で両者の磁化の大きさが等しくなり、み
かけ上磁化が零となる温度のことである。
の向きとＣｏＣＤｍ化の向きとが逆方向であり、ある温
度（補償温度）で両者の磁化の大きさが等しくなり、み
かけ上磁化が零となる温度のことである。
第８図にＧｄＣＱの保磁力Ｈｃの温度変化を示す。補償
温度Ｔｃｏｍｐ付近では、ＧｄＣＱの保磁力Ｈ，の温度
変化は急峻であり、補償温度Ｔｃｏ ｍ ｐから離れる
と保磁力Ｈ，は低下する。ＧｄＣ□では、ｔ＃Ｎの記録
はネｒｌｉ償温ｆ Ｔ ｃ ｏ ｍ ｐが室温ＴＲより
もやや低い温度にあるＷｔ用いて行なわれる。すなわち
、一方向にあらかじめ磁化したＧｄＣＱ膜に％収束した
レーザ光を照射すると、膜に局部的な温度上昇が生じ保
磁力Ｈ，が低下する。このとき光照射によつ温度が上昇
した部分の磁化の向きが反転し易いように、外部磁場Ｈ
ｅを加える。この外部磁場Ｈ，と膜の反磁果Ｈｄとの和
’Ｉ′Ｈ’ｒとすると、膜の保磁力ＨａがＢＴより小さ
くなっノＣ部分は磁化が反転し情報を曹込むことができ
る。
温度Ｔｃｏｍｐ付近では、ＧｄＣＱの保磁力Ｈ，の温度
変化は急峻であり、補償温度Ｔｃｏ ｍ ｐから離れる
と保磁力Ｈ，は低下する。ＧｄＣ□では、ｔ＃Ｎの記録
はネｒｌｉ償温ｆ Ｔ ｃ ｏ ｍ ｐが室温ＴＲより
もやや低い温度にあるＷｔ用いて行なわれる。すなわち
、一方向にあらかじめ磁化したＧｄＣＱ膜に％収束した
レーザ光を照射すると、膜に局部的な温度上昇が生じ保
磁力Ｈ，が低下する。このとき光照射によつ温度が上昇
した部分の磁化の向きが反転し易いように、外部磁場Ｈ
ｅを加える。この外部磁場Ｈ，と膜の反磁果Ｈｄとの和
’Ｉ′Ｈ’ｒとすると、膜の保磁力ＨａがＢＴより小さ
くなっノＣ部分は磁化が反転し情報を曹込むことができ
る。
ＯｄＣＱの例のように補償温度を利用して情報を記録す
るＣ（、系合金膜は、Ｆｅ系合金膜に比較して、 （１）キュリ一温度が高いので、磁気カー効果による読
出し信号が大きい。
るＣ（、系合金膜は、Ｆｅ系合金膜に比較して、 （１）キュリ一温度が高いので、磁気カー効果による読
出し信号が大きい。
（２）補償温度全利用するために書込み感度が高い。
（８）耐酸化性に優れている。
（４）反射率が良い。
等の笑用上層れた特長金儲えている。
しかし、補償温度を有するＧｏ系合金膜を光磁気記録用
媒体として用いる場合には、次のような欠点がある。
媒体として用いる場合には、次のような欠点がある。
まず、Ｆｅ系合金膜に比べて小さな曹込みビットが安定
に存在し難いという欠点がある。これは補償温度から離
れると急激に保磁力が低下することと、書込み時のレー
ザ出力とビットの磁化の向きを反転させるために印加す
る外部磁場の大きさとに制限があることから、保磁力が
広い温度範囲にわたって大きな合金系の膜全選択できな
いことに原因がある。
に存在し難いという欠点がある。これは補償温度から離
れると急激に保磁力が低下することと、書込み時のレー
ザ出力とビットの磁化の向きを反転させるために印加す
る外部磁場の大きさとに制限があることから、保磁力が
広い温度範囲にわたって大きな合金系の膜全選択できな
いことに原因がある。
また、上述のように補償温度を利用した情報の曹込みを
行うことと、大きな保磁力を持つことができないために
、曹込みビットが安定に存在する温度範囲すなわち使用
温度範囲が狭いという欠点があった。
行うことと、大きな保磁力を持つことができないために
、曹込みビットが安定に存在する温度範囲すなわち使用
温度範囲が狭いという欠点があった。
次に、補償温度は合金組成に敏感であり、わずかの組成
ずれが補償温度を大きく左右するという性質があり、光
磁気記録媒体膜を大量生産する場合に均一な特性の膜を
作るｆ＆ｌＩ御がばしいことが欠点として挙げられる。
ずれが補償温度を大きく左右するという性質があり、光
磁気記録媒体膜を大量生産する場合に均一な特性の膜を
作るｆ＆ｌＩ御がばしいことが欠点として挙げられる。
そこで、本発明は従来のこのような欠点を解決し、小さ
なビット径が広い温度範囲にわたり安定に存在し、かつ
均一な磁気特性をもつ大面積の薄膜を提供することを目
的としている。
なビット径が広い温度範囲にわたり安定に存在し、かつ
均一な磁気特性をもつ大面積の薄膜を提供することを目
的としている。
すなわち、本発明は膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有
する磁性薄膜で、合金の組成式が（ＣＯｌ−、、’ｒ
ｂ ｘ ）１−ｙＭｙで表わされるとき、ＭはＣ、、Ｍ
ｏ、Ｗの一種または二種以上で、かつ合金の組成範囲が
０．１≦工≦０．４と０．０８≦ｙ≦０．２５であるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体であり、従来のＣ，系合
金膜が補償温度近傍における保磁力の減少特性を利用し
て情報の記録を行うものであったのに対して、キュリ一
温度を利用した情報の記録を行うことを可能とした磁化
薄膜を提供するととシζより、前記の欠点全解決するよ
うにした。
する磁性薄膜で、合金の組成式が（ＣＯｌ−、、’ｒ
ｂ ｘ ）１−ｙＭｙで表わされるとき、ＭはＣ、、Ｍ
ｏ、Ｗの一種または二種以上で、かつ合金の組成範囲が
０．１≦工≦０．４と０．０８≦ｙ≦０．２５であるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体であり、従来のＣ，系合
金膜が補償温度近傍における保磁力の減少特性を利用し
て情報の記録を行うものであったのに対して、キュリ一
温度を利用した情報の記録を行うことを可能とした磁化
薄膜を提供するととシζより、前記の欠点全解決するよ
うにした。
以下Ｖにの発明を実施例について詳細に説明する。
−’ｒｂｃｏａは、Ｔｂの濃度が１８〜２５原子パーセ
ントのとき室温での保磁力が１０００１：ｆｇ以上で、
かつ補償温度が１００℃以下にあり、膜面に垂１ｕな方
向に磁化容易軸をもつが、キュリー温度はこの膜が結晶
化する温度上り高く通常の方法では測定できないことが
知られている。従って本発明では、Ｔ６ＧＯ膜にキュリ
一温度を下げるために、第８元素としてＣｒ、Ｍｏ 、
Ｗのうちの１種または２種以上を添加してキュリ一温度
を適尚な値に制御する。
ントのとき室温での保磁力が１０００１：ｆｇ以上で、
かつ補償温度が１００℃以下にあり、膜面に垂１ｕな方
向に磁化容易軸をもつが、キュリー温度はこの膜が結晶
化する温度上り高く通常の方法では測定できないことが
知られている。従って本発明では、Ｔ６ＧＯ膜にキュリ
一温度を下げるために、第８元素としてＣｒ、Ｍｏ 、
Ｗのうちの１種または２種以上を添加してキュリ一温度
を適尚な値に制御する。
ここでは、これらの膜はスパッタリング法にょ継作製し
たが、蒸着法など他の方法でも作製できる。また基板に
はガラス、透明プラスチックなどを用いる。
たが、蒸着法など他の方法でも作製できる。また基板に
はガラス、透明プラスチックなどを用いる。
第１図は第８元素として添加するＭｏの量を横軸にとっ
たときのキュリ一温度Ｔｃｔｍｆｆ温度Ｔｃｏｍｐ、Ｔ
ｂＣｏＭｏ膜が結晶化スルｋ Ｗ Ｔ ｚの変化を示し
ているａ ” ｏ ｔ−添加することにより、Ｔ ｂ
Ｃｏｈのキュリー＠度Ｔｃが変化することは第１図より
明らかである。そして、Ｍりの添加量１−調整すること
によりキュリ一温度Ｔｃすなわち書込み温度を制御でき
ることがわかる。また１、Ｍｏｆｔの増加とともに膜が
結晶化する温度Ｔ、が上昇するために膜の熱的安定性も
向上している。さらにＴｂＣｏＭｏ膜ではキュリ一温度
書込みに適する組成範囲で′は補償温度Ｔｃｏｍｐがな
く、キュリ一温度Ｔｃ以下の全温度範囲にわたって磁化
の反転がなくなり、補償温度ＴＣＯｍｐを有する従来の
ＣＱ系金合金膜比較すると媒体の使用温度範囲が拡大す
る。
たときのキュリ一温度Ｔｃｔｍｆｆ温度Ｔｃｏｍｐ、Ｔ
ｂＣｏＭｏ膜が結晶化スルｋ Ｗ Ｔ ｚの変化を示し
ているａ ” ｏ ｔ−添加することにより、Ｔ ｂ
Ｃｏｈのキュリー＠度Ｔｃが変化することは第１図より
明らかである。そして、Ｍりの添加量１−調整すること
によりキュリ一温度Ｔｃすなわち書込み温度を制御でき
ることがわかる。また１、Ｍｏｆｔの増加とともに膜が
結晶化する温度Ｔ、が上昇するために膜の熱的安定性も
向上している。さらにＴｂＣｏＭｏ膜ではキュリ一温度
書込みに適する組成範囲で′は補償温度Ｔｃｏｍｐがな
く、キュリ一温度Ｔｃ以下の全温度範囲にわたって磁化
の反転がなくなり、補償温度ＴＣＯｍｐを有する従来の
ＣＱ系金合金膜比較すると媒体の使用温度範囲が拡大す
る。
次に、書込み時のレーザー出力等を考慮すると実用的な
媒体のキュリ一温度は１５０℃から２００℃程度の範囲
と考えられるが、第１図のＴｌ）ＣＯＭＯの場合キュリ
一温度Ｔｃが１５０１？：がら２００℃付近でのＭｏの
組成変化１パーセントに対するキュリ一温度ＴＧの変化
の割合は２０’Ｃ以下であり、わずかな組成のずれで補
償温度が大きくずれるために作製が難しかった従来材と
比較すると磁気特性を制御しやすく均一な大面積の膜を
作′りやすくなる。
媒体のキュリ一温度は１５０℃から２００℃程度の範囲
と考えられるが、第１図のＴｌ）ＣＯＭＯの場合キュリ
一温度Ｔｃが１５０１？：がら２００℃付近でのＭｏの
組成変化１パーセントに対するキュリ一温度ＴＧの変化
の割合は２０’Ｃ以下であり、わずかな組成のずれで補
償温度が大きくずれるために作製が難しかった従来材と
比較すると磁気特性を制御しやすく均一な大面積の膜を
作′りやすくなる。
なお、図面には示さないがＣｒ、Ｗを添加しても同様な
効果がみられる。Ｃｒ１Ｍ０９Ｗの中でキュリ一温度’
ｒｃ’６降下させるのに最も大きな効果のあるのはＣｆ
でありＭｏ、Ｗの順に添加量に対するキュリ一温度Ｔ、
の降下率は緩やかになる。
効果がみられる。Ｃｒ１Ｍ０９Ｗの中でキュリ一温度’
ｒｃ’６降下させるのに最も大きな効果のあるのはＣｆ
でありＭｏ、Ｗの順に添加量に対するキュリ一温度Ｔ、
の降下率は緩やかになる。
さらに、これらの元素を複合させて添加することも効果
がある。
がある。
特許請求の合金の組成式（Ｃｏｌ−ｚ Ｔ ｂ ｚ）１
−ｙｌＪｙにおいて５合金の組成範囲を０．１≦２≦０
．４と０．０８≦１≦０．２５に限定したのは、ｃ（、
とＴ６の組成比Ｘは０．１≦Ｘのとき非晶Ｊｘ膜となり
光磁気記録媒体に適した膜となる。
−ｙｌＪｙにおいて５合金の組成範囲を０．１≦２≦０
．４と０．０８≦１≦０．２５に限定したのは、ｃ（、
とＴ６の組成比Ｘは０．１≦Ｘのとき非晶Ｊｘ膜となり
光磁気記録媒体に適した膜となる。
またＺ ＜ ０．４では非晶質膜ではあるがキュリ一温
度が１００℃以下となりキュリ一温度書込み用の媒体と
しては実用的でなくなる。次にｏ、ｏｓ＞ｙでは、最も
添加効果の大きいＣｒの場合でもキュリ一温度の低下が
十分でなくキュリ一温度書込みに適さない、ｆ／＜０．
２５ではＭの添加量が多すぎてＷの場合でもキュリ一温
度が１００℃以下となり実用的でない。よって組成範囲
は０．１≦Ｘ≦０．４と０．０８≦ｙ≦０．２５が適轟
な範囲である。
度が１００℃以下となりキュリ一温度書込み用の媒体と
しては実用的でなくなる。次にｏ、ｏｓ＞ｙでは、最も
添加効果の大きいＣｒの場合でもキュリ一温度の低下が
十分でなくキュリ一温度書込みに適さない、ｆ／＜０．
２５ではＭの添加量が多すぎてＷの場合でもキュリ一温
度が１００℃以下となり実用的でない。よって組成範囲
は０．１≦Ｘ≦０．４と０．０８≦ｙ≦０．２５が適轟
な範囲である。
第２図は室温で測定した補償組成付近の保磁力Ｈａの変
化を示したもので、横軸は補償組成Ｘｃｏ ｍ ｐから
の組成のずれを表しておりＴ６ＧＯと’ｒｂｃｏＭ（、
とについてそれぞれの７６の濃度変化をみている。Ｔｂ
Ｃｏに対してＴ ｂＣｏＭｏは保磁力Ｈｃは若干小さく
なるが、比較的広い組成範囲にわたりて保磁力Ｈｃの大
きな部分が存在する。曹込み試験の結果からは直径ＩＡ
ｍの微小ピットが安定に存在するためには媒体の保磁力
はＩＫｂｅ以上が必要であることがわかっているが、第
２図よりＴｌ）ＣＱＭＱでは保磁力ＨｃがＩＫυｅ以上
の範囲は補償組成ｘａｏｍｐの前後に２パーセントもあ
り、ＧｄＣＱ等の従来のＣｏ系合金膜と比較すると保磁
力が大きく直径１μｍ程度の微小ビットが安定に存在で
きるために光磁気記録用媒体として優れている。
化を示したもので、横軸は補償組成Ｘｃｏ ｍ ｐから
の組成のずれを表しておりＴ６ＧＯと’ｒｂｃｏＭ（、
とについてそれぞれの７６の濃度変化をみている。Ｔｂ
Ｃｏに対してＴ ｂＣｏＭｏは保磁力Ｈｃは若干小さく
なるが、比較的広い組成範囲にわたりて保磁力Ｈｃの大
きな部分が存在する。曹込み試験の結果からは直径ＩＡ
ｍの微小ピットが安定に存在するためには媒体の保磁力
はＩＫｂｅ以上が必要であることがわかっているが、第
２図よりＴｌ）ＣＱＭＱでは保磁力ＨｃがＩＫυｅ以上
の範囲は補償組成ｘａｏｍｐの前後に２パーセントもあ
り、ＧｄＣＱ等の従来のＣｏ系合金膜と比較すると保磁
力が大きく直径１μｍ程度の微小ビットが安定に存在で
きるために光磁気記録用媒体として優れている。
また、ＣｒａＭｏｅＷ’を添加した膜はＴｂＣ０膜より
も耐酸化性が向上するも明らかになった。
も耐酸化性が向上するも明らかになった。
以上説明したように本発明は、合金の組成式（％式％
でありＭとしてＣｒ、ＭＱ、Ｗのうちの一種または二種
以上全０，０３≦１≦０．２５の範囲で添加すること炉
＋って、キュリ一温度書込みを可能にし小さなピット径
が広い温度範囲にわたり安定に存在し、かつ均一な磁気
特性をもつ大面積の磁性薄膜を提供することができる。
以上全０，０３≦１≦０．２５の範囲で添加すること炉
＋って、キュリ一温度書込みを可能にし小さなピット径
が広い温度範囲にわたり安定に存在し、かつ均一な磁気
特性をもつ大面積の磁性薄膜を提供することができる。
第１図はＴｂＣ０Ｍ０膜のＭ。量に対するキュリ一温度
ＴＣ１補償温度Ｔｃｏｍｐ、結晶化温度Ｔ、との関係を
示す図、菌２図はＴｂＣｏとＴ６ＣＯＭＯとの補償組成
ｘｃｏｍｐ付近の保磁力ＨＣの変化を示す図、第８図Ｉ
ｄＧｄＣｏ膜の保磁力Ｈｃの温度変化を示す図である。 以 上
ＴＣ１補償温度Ｔｃｏｍｐ、結晶化温度Ｔ、との関係を
示す図、菌２図はＴｂＣｏとＴ６ＣＯＭＯとの補償組成
ｘｃｏｍｐ付近の保磁力ＨＣの変化を示す図、第８図Ｉ
ｄＧｄＣｏ膜の保磁力Ｈｃの温度変化を示す図である。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜で、合
金の組成式が （Ｃｏ＿１−ｘＴｂｘ）＿１−ｙＭｙ で表わされるとき、ＭはＣｒ、Ｍｏ、Ｗの一種または二
種以上であり、合金の組成範囲が ０．１≦ｘ≦０．４ ０．０３≦ｙ≦０．２５ であることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17385084A JPS6151806A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17385084A JPS6151806A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151806A true JPS6151806A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15968310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17385084A Pending JPS6151806A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151806A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984358A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6148148A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-08 | Toshiba Corp | 光熱磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-08-21 JP JP17385084A patent/JPS6151806A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984358A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6148148A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-08 | Toshiba Corp | 光熱磁気記録媒体 |
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