JPS6151420B2 - - Google Patents
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- JPS6151420B2 JPS6151420B2 JP4568678A JP4568678A JPS6151420B2 JP S6151420 B2 JPS6151420 B2 JP S6151420B2 JP 4568678 A JP4568678 A JP 4568678A JP 4568678 A JP4568678 A JP 4568678A JP S6151420 B2 JPS6151420 B2 JP S6151420B2
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- Japan
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- semiconductor substrate
- semiconductor
- grooves
- substrate
- grindstone
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- Expired
Links
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ビームリード構造半導体装置の製造
方法に関する。
方法に関する。
従来、ビーム・リード構造半導体装置を製造す
るには、半導体基板の表面にビーム・リードを有
する素子パターンを形成した後、赤外線が半導体
結晶を透過する性質を利用した、いわゆる赤外線
目合わせ露光器を使用して、裏面に、表面の上記
パターンの位置に合わせた写真蝕刻を施して、裏
面からの化学蝕刻により、各素子片に分離する方
法がとられていた。
るには、半導体基板の表面にビーム・リードを有
する素子パターンを形成した後、赤外線が半導体
結晶を透過する性質を利用した、いわゆる赤外線
目合わせ露光器を使用して、裏面に、表面の上記
パターンの位置に合わせた写真蝕刻を施して、裏
面からの化学蝕刻により、各素子片に分離する方
法がとられていた。
上記の方法では、各素子片に分離するための方
法として、半導体基板の厚さ全てを化学的に蝕刻
する、いわゆるエツチ・カツトの方法をとつてい
るため、半導体基板は、できるだけ、薄くする必
要があつた。ところが必要なだけ薄くした半導体
基板に対して、赤外線目合わせ露光器を用いて、
裏面パターンと、表面パターンとを合わせる作業
を行うことは、半導体基板が割れてしまう確率を
大きくし、これが、１枚の半導体基板から、でき
るだけ多くのビームリード構造半導体素子をとろ
うとする場合に大きな障害となつていた。
法として、半導体基板の厚さ全てを化学的に蝕刻
する、いわゆるエツチ・カツトの方法をとつてい
るため、半導体基板は、できるだけ、薄くする必
要があつた。ところが必要なだけ薄くした半導体
基板に対して、赤外線目合わせ露光器を用いて、
裏面パターンと、表面パターンとを合わせる作業
を行うことは、半導体基板が割れてしまう確率を
大きくし、これが、１枚の半導体基板から、でき
るだけ多くのビームリード構造半導体素子をとろ
うとする場合に大きな障害となつていた。
また化学的蝕刻は半導体基板の周辺部分と、中
心部分とでは、その蝕刻スピードに、ムラがある
ため、エツチ・カツトで分離された各素子の大き
さにも、それに従つてムラが生じる。このため出
来上りの素子の大きさは、ある限度以下に小さく
することができず、これが引き出し電極と半導体
基板との間の酸化保護膜を介しての寄生容量を小
さくするのに障害となり、素子の高周波特性を悪
いものにしていた。
心部分とでは、その蝕刻スピードに、ムラがある
ため、エツチ・カツトで分離された各素子の大き
さにも、それに従つてムラが生じる。このため出
来上りの素子の大きさは、ある限度以下に小さく
することができず、これが引き出し電極と半導体
基板との間の酸化保護膜を介しての寄生容量を小
さくするのに障害となり、素子の高周波特性を悪
いものにしていた。
本発明は、上記欠点を除去し、比較的厚い半導
体基板から、出来上りの素子の一辺の長さが小さ
く、高周波特性の良いビームリード構造半導体装
置を、できるだけ多く、安定に得る方法を提供す
るものである。
体基板から、出来上りの素子の一辺の長さが小さ
く、高周波特性の良いビームリード構造半導体装
置を、できるだけ多く、安定に得る方法を提供す
るものである。
本発明は、半導体基板の一主表面に半導体素子
と引出し電極とを形成し、この引き出し電極の形
成されている部分の半導体基板を前述の一主表面
とは対向する面である裏面から、例えば微小ダイ
ヤモンド粒子を焼結して成る砥石をもつてあらか
じめ途中まで切削しておき、さらにエツチング液
がよく半導体基板に当るように、表面からも、同
様の砥石を用いて、溝入れを行つておくことによ
り、わずかの化学蝕刻により、比較的厚い半導体
基板から、一辺の長さが小さいビームリード構造
半導体装置を安定に得ることを特徴とする。
と引出し電極とを形成し、この引き出し電極の形
成されている部分の半導体基板を前述の一主表面
とは対向する面である裏面から、例えば微小ダイ
ヤモンド粒子を焼結して成る砥石をもつてあらか
じめ途中まで切削しておき、さらにエツチング液
がよく半導体基板に当るように、表面からも、同
様の砥石を用いて、溝入れを行つておくことによ
り、わずかの化学蝕刻により、比較的厚い半導体
基板から、一辺の長さが小さいビームリード構造
半導体装置を安定に得ることを特徴とする。
本発明を、実施例により説明する。
第１図ａは、本発明の１実施例の溝入れ後の半
導体基板の斜視図であり、第１図ｂは、同実施例
の化学蝕刻分離後のビームリード構造シヨツトキ
ーダイオード素子片の斜視図である。
導体基板の斜視図であり、第１図ｂは、同実施例
の化学蝕刻分離後のビームリード構造シヨツトキ
ーダイオード素子片の斜視図である。
半導体基板１の表面には、酸化保護膜２に窓開
けが行われてシヨツトキー接合３が形成されてお
り、横方向にシヨツトキーダイオードのアノード
引出し電極４、およびカソード引出し電極５が設
けられている。この引出し電極４および５の設け
られている部分の半導体基板１の裏面に、ほぼ引
出し電極４および５の長さに等しい巾をもち、半
導体基板１の厚さの半分以上の深さをもつ溝６
を、微小ダイヤモンド焼結砥石を用いて入れる。
けが行われてシヨツトキー接合３が形成されてお
り、横方向にシヨツトキーダイオードのアノード
引出し電極４、およびカソード引出し電極５が設
けられている。この引出し電極４および５の設け
られている部分の半導体基板１の裏面に、ほぼ引
出し電極４および５の長さに等しい巾をもち、半
導体基板１の厚さの半分以上の深さをもつ溝６
を、微小ダイヤモンド焼結砥石を用いて入れる。
次に、半導体基板１の表面より同じように砥石
を用いて半導体基板１の厚さの半分以上の深さを
もつ溝７を、溝６に対して直角の方向に入れる。
を用いて半導体基板１の厚さの半分以上の深さを
もつ溝７を、溝６に対して直角の方向に入れる。
このように、半導体基板１は、裏面および表面
にそれぞれ縦横の溝６および７を入れられた後、
溝の切残しの部分が、化学的に蝕刻され、容易に
第１図ｂに示すような、ビームリード構造シヨツ
トキーダイオード素子片に分離される。
にそれぞれ縦横の溝６および７を入れられた後、
溝の切残しの部分が、化学的に蝕刻され、容易に
第１図ｂに示すような、ビームリード構造シヨツ
トキーダイオード素子片に分離される。
このようにして、例えば、厚さ100ミクロンの
半導体基板１から表面の大きさが100ミクロン×
200ミクロンという小さなビームリード構造シヨ
ツトキーダイオード素子片を容易に得ることがで
きる。このことにより従来に比較して、酸化保護
膜２を介しての引き出し電極４および５の寄生容
量を小さくすることができ、その結果シヨツトキ
ーダイオードの高周波特性が改善される。
半導体基板１から表面の大きさが100ミクロン×
200ミクロンという小さなビームリード構造シヨ
ツトキーダイオード素子片を容易に得ることがで
きる。このことにより従来に比較して、酸化保護
膜２を介しての引き出し電極４および５の寄生容
量を小さくすることができ、その結果シヨツトキ
ーダイオードの高周波特性が改善される。
表面の溝７を入れる作業は裏面の溝入れ作業を
行つた後接着糊８の付いた、ビニールテープ９に
半導体基板１を表向きに接着して行うことができ
る。その場合そのまま化学蝕刻工程に持つていけ
ば、化学蝕刻は表面の酸化保護膜２によつて保護
されない部分からも進行し、化学蝕刻による分離
は、いよいよ短時間で行われることができる。
行つた後接着糊８の付いた、ビニールテープ９に
半導体基板１を表向きに接着して行うことができ
る。その場合そのまま化学蝕刻工程に持つていけ
ば、化学蝕刻は表面の酸化保護膜２によつて保護
されない部分からも進行し、化学蝕刻による分離
は、いよいよ短時間で行われることができる。
また、各素子片は、分離後もビニール・テープ
９の上に、表向きで整然と列んで貼り付けられて
いるので、そのまま半導体容器への組込み工程に
持つていくことができ、組込み工程の自動化が行
い易くなる利点もある。
９の上に、表向きで整然と列んで貼り付けられて
いるので、そのまま半導体容器への組込み工程に
持つていくことができ、組込み工程の自動化が行
い易くなる利点もある。
その際、各素子片は、表向きに列んでいるので
あらかじめ半導体基板の状態で各素子の特性を測
定し、特性不良のものに目印が付けられていれ
ば、容易にその不良のものを除去することがで
き、組立て工程には、全て、特性の良いもののみ
をもつていくことができるのはいうまでもない。
あらかじめ半導体基板の状態で各素子の特性を測
定し、特性不良のものに目印が付けられていれ
ば、容易にその不良のものを除去することがで
き、組立て工程には、全て、特性の良いもののみ
をもつていくことができるのはいうまでもない。
以上説明したように、本発明の方法によれば、
従来の化学蝕刻のみによる、ビームリード構造形
成法に比較して、比較的厚い半導体基板から、容
易に寸度の高いビームリード構造半導体装置を得
ることができるので、品質の高いビームリード構
造半導体装置を廉価に製造することができる。
従来の化学蝕刻のみによる、ビームリード構造形
成法に比較して、比較的厚い半導体基板から、容
易に寸度の高いビームリード構造半導体装置を得
ることができるので、品質の高いビームリード構
造半導体装置を廉価に製造することができる。
第１図ａ，ｂは本発明による実施例を示す斜視
図である。なお図において、１……半導体基板、
２……酸化保護膜、３……シヨツトキー接合、４
……シヨツトキーダイオードのアノード引き出し
電極、５……シヨツトキーダイオードのカソード
引き出し電極、６……裏面溝、７……表面溝、８
……接着糊、９……ビニールテープである。
図である。なお図において、１……半導体基板、
２……酸化保護膜、３……シヨツトキー接合、４
……シヨツトキーダイオードのアノード引き出し
電極、５……シヨツトキーダイオードのカソード
引き出し電極、６……裏面溝、７……表面溝、８
……接着糊、９……ビニールテープである。
Claims (1)
- １ 表面に複数の半導体素子が形成された半導体
基板の裏面に砥石を用いて分離すべき領域に沿つ
て互いに並行な複数の第１の溝を前記半導体基板
の厚さの半分以上の深さに形成し、その後、前記
基板の裏面をテープに貼り付け、しかる後、前記
基板の表面に砥石を用いて分離すべき領域に沿つ
て互いに並行でかつ前記第１の溝と直交する複数
の第２の溝を前記半導体基板の厚さの半分以上の
深さに形成し前記第１および第２の各交差部に貫
通孔を形成し、その後で、前記第１および第２の
溝の切残し部分をエツチングして個々の半導体素
子片に分離し、各々の半導体素子が前記テープに
互いに分離して貼り付けられている構造を得るこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4568678A JPS54137274A (en) | 1978-04-17 | 1978-04-17 | Manufacture of beam lead structure semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4568678A JPS54137274A (en) | 1978-04-17 | 1978-04-17 | Manufacture of beam lead structure semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54137274A JPS54137274A (en) | 1979-10-24 |
| JPS6151420B2 true JPS6151420B2 (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=12726264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4568678A Granted JPS54137274A (en) | 1978-04-17 | 1978-04-17 | Manufacture of beam lead structure semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54137274A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105845742B (zh) * | 2016-05-24 | 2023-12-19 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 梁式引线太赫兹肖特基二极管 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4926454A (ja) * | 1972-07-06 | 1974-03-08 | ||
| JPS4987277A (ja) * | 1972-12-22 | 1974-08-21 | ||
| JPS5024073A (ja) * | 1973-07-05 | 1975-03-14 | ||
| JPS537797A (en) * | 1976-05-15 | 1978-01-24 | Cassella Farbwerke Mainkur Ag | Water soluble or water dispersibility branched copolyester and preparation thereof |
-
1978
- 1978-04-17 JP JP4568678A patent/JPS54137274A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4926454A (ja) * | 1972-07-06 | 1974-03-08 | ||
| JPS4987277A (ja) * | 1972-12-22 | 1974-08-21 | ||
| JPS5024073A (ja) * | 1973-07-05 | 1975-03-14 | ||
| JPS537797A (en) * | 1976-05-15 | 1978-01-24 | Cassella Farbwerke Mainkur Ag | Water soluble or water dispersibility branched copolyester and preparation thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54137274A (en) | 1979-10-24 |
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