JPS6151150A - Formation of pattern and exposing device - Google Patents
Formation of pattern and exposing deviceInfo
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- JPS6151150A JPS6151150A JP59173596A JP17359684A JPS6151150A JP S6151150 A JPS6151150 A JP S6151150A JP 59173596 A JP59173596 A JP 59173596A JP 17359684 A JP17359684 A JP 17359684A JP S6151150 A JPS6151150 A JP S6151150A
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- JP
- Japan
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- exposure
- photosensitive resist
- resist
- circuit board
- printed circuit
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、感光性レジ2トで被覆されたプリント基板の
感光性レジスト上を露光用マスクを介して照射露光し、
プリント基板上に所定のパターン潜像を得るノ平ターン
形成方法及びその実施VCM接使用する露光装置に関す
る。Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] The present invention involves exposing a photosensitive resist of a printed circuit board coated with a photosensitive resist to light through an exposure mask,
The present invention relates to a flat turn forming method for obtaining a predetermined pattern latent image on a printed circuit board, and an exposure apparatus for implementing the method in close contact with a VCM.
従来、感光性レジストを硬化させる紫外線露光を窒素ガ
ス雰i気中で行ない露光時間の短縮化を図ることが知ら
れている。゛即ち、第8図において、(1)はプリント
基板、(2)は感光性レジスト、(3)は感光性レジス
ト(2)上に形成すべき・ぞターンを有す暮露光用マス
ク、(3a)uその暗部である。そして、(4)はテー
ブル、(5)は気密シーリングであシ、プリント基板(
1)の周囲は気密保持可能な空間(6)とされる。また
、(力は窒素ガス(N2)の入口、(8)は窒素ガスの
出口であシ、空間(6)には窒素ガスが充填される。こ
の状態でプリント基板(1)の感光性レジスト(2)上
が露光用マスク(3)を介して紫外線の平行エネルギー
光線(9)で照射露光され、プリント基板(1)上に所
定のパターン潜像が得られる。Conventionally, it has been known to shorten the exposure time by performing ultraviolet exposure for curing a photosensitive resist in a nitrogen gas atmosphere. That is, in FIG. 8, (1) is a printed circuit board, (2) is a photosensitive resist, (3) is a dark exposure mask having a turn to be formed on the photosensitive resist (2), ( 3a) u This is the dark side. (4) is a table, (5) is an airtight seal, and a printed circuit board (
1) is surrounded by a space (6) that can be kept airtight. In addition, (force is the inlet of nitrogen gas (N2), (8) is the outlet of nitrogen gas, and the space (6) is filled with nitrogen gas. In this state, the photosensitive resist of the printed circuit board (1) (2) The upper surface is exposed to ultraviolet parallel energy beams (9) through an exposure mask (3), and a predetermined pattern latent image is obtained on the printed circuit board (1).
この従来の方法の場合、感光性レジスト(2)の膜厚が
薄いときには有効である。しかし例えば厚膜を必要とす
るソルダーレジスト等を形成するため感光性レジスト(
21の膜厚が20μm〜100μm程度で、これを窒、
素ガス雰囲気中で底部まで硬化させるならは、表面部分
の硬化性が酸素阻害を全く受けないため、異常に硬化が
進み、像としては露光用マスク(3)の開口部の大きさ
よりも大きい像ができてしまい高解像度のレジスト像を
得ることができないという問題点があった。例えば第9
図は現) 像後、7)、、51像。状態を模式的
に示いも。ア、感光性レジスト(2)の表面部分が必要
以上に硬化した状態を示している。This conventional method is effective when the photosensitive resist (2) is thin. However, in order to form, for example, a solder resist that requires a thick film, photosensitive resist (
The film thickness of No. 21 is about 20 μm to 100 μm, and it is coated with nitrogen,
If it is cured to the bottom in an elementary gas atmosphere, the curing of the surface part will not be affected by oxygen inhibition at all, so the curing will progress abnormally and the image will be larger than the opening of the exposure mask (3). There was a problem that a resist image with high resolution could not be obtained because of the formation of a resist image. For example, the 9th
The figure is the current image) After the image, 7),, 51 images. Also shows the condition schematically. A. The surface portion of the photosensitive resist (2) is shown to be more hardened than necessary.
本発明は斯る点に鑑み、例えば窒素雰囲気中での露光に
よるj′に光時間の大巾短縮という利点を生かしながら
、高解像度のレジスト像を得るためのノやターン形成方
法及びその実施に直接使用する露光装置を提供するもの
である。In view of this, the present invention provides a method for forming holes and turns for obtaining a high-resolution resist image, and its implementation, while taking advantage of the fact that the light time can be greatly shortened by exposure in a nitrogen atmosphere, for example. This provides an exposure device that can be used directly.
上述問題点を解決するため、第1の発FfJ/”ター/
形成方法は、第1図Aに示すように、感光性レジスト(
2)上を非活性ガス(例えば窒素ガス)雰囲気中で露光
する一次露光及び同図Bに示すように、活性ガス(例え
ば空気)雰囲気中で露光する二次露光の工程を有するも
のである。In order to solve the above problems, the first FfJ/”tar/
The formation method is as shown in FIG. 1A, using a photosensitive resist (
2) It has the steps of primary exposure in which the upper surface is exposed to light in an inert gas (for example, nitrogen gas) atmosphere, and secondary exposure in which the upper surface is exposed to light in an active gas (for example, air) atmosphere, as shown in FIG.
また、第2の発明露光装置は、露光用マスク(3)をプ
リント基板(1)に対して平行均一な所定の空隙をもっ
て配し、また、プリント基板(1)の周囲を気密保持可
能な空間(6)とすると共に、この空間(6)に対し、
非活性ガス及び活性ガスを切換充填する三方バルブαη
等の手段を設けて、なるものである。Further, in the exposure apparatus of the second invention, the exposure mask (3) is arranged parallel to the printed circuit board (1) with a predetermined uniform gap, and the periphery of the printed circuit board (1) is provided with a space that can be kept airtight. (6), and for this space (6),
Three-way valve αη that switches between filling inactive gas and active gas
This is achieved by providing the following measures.
第1の発明パターン形成方法においては、まず第1図A
に斜線図示するように一次露光の工程で/11性レジス
ト(2)の表面部分のみ硬化される。そして次に同図B
に斜線図示するように二次露光の工程で感光性レジスト
(21の底部まで硬化される。In the first invention pattern forming method, first, FIG.
As shown in the diagonally shaded diagram, only the surface portion of the /11 resist (2) is hardened in the primary exposure step. And then the same figure B
As shown by diagonal lines in , the photosensitive resist (21) is hardened to the bottom in the secondary exposure step.
この場合、感光性レジスト(2)の表面の光が轟たるべ
きでないところK、散乱光や反射光力邊すったとしても
、酸素阻害を受けるため、t!とんど硬化しない。従っ
て、−欠露光の工程で露光時間の短縮化が図られると共
に二次露光の工程が存在するため高解像度のレジスト像
を得ることができる。In this case, even if the light on the surface of the photosensitive resist (2) is not to be reflected, scattered light or reflected light will be inhibited by oxygen, so t! Hardly hardens. Therefore, the exposure time can be shortened in the -missing exposure step, and a high-resolution resist image can be obtained because of the presence of the secondary exposure step.
また、第2の発明露光装置においては、プリント基板(
1)の周囲の空間(6)Ic非活性ガス及び活性ガスを
切換充填でき、非活性ガス雰囲気中で露光する一次露光
及び活性ガス雰囲気中で露光する二次露光の工程を行な
うことができ、上述第1の発明パターン形成方法の実施
に直接使用し得る。Further, in the second invention exposure apparatus, a printed circuit board (
The space around (1) (6) Ic can be selectively filled with an inert gas and an active gas, and the steps of primary exposure in an inert gas atmosphere and secondary exposure in an active gas atmosphere can be performed; It can be directly used to implement the first invention pattern forming method described above.
[実施料
以下、第2図及び第3図を参照しながら、第1及び第2
の発明の実施料について説明しよう。これら第2図及び
第3図において、第8図と対応する部分には同一符号を
付して示している。[Below the royalty fee, with reference to Figures 2 and 3,
Let me explain about the royalty fee for the invention. In these FIGS. 2 and 3, parts corresponding to those in FIG. 8 are designated by the same reference numerals.
同図において、aαは基台であシ、この基台αα上にX
及びY方向にその位置を任意に変え得るX−Yテーブル
t1υが設けられる。このX−Yテーブルαυ上K、感
光性レジスト(2)で被覆されたプリント基板(1)が
配置される。In the same figure, aα is a base, and on this base αα
and an X-Y table t1υ whose position can be arbitrarily changed in the Y direction. A printed circuit board (1) covered with a photosensitive resist (2) is placed on this X-Y table αυ.
また、(3)は露光用マスクであシ、感光性レジスト(
2)上に形成すべきパターンを有するものである。In addition, (3) is an exposure mask and a photosensitive resist (
2) It has a pattern to be formed thereon.
この露光用マスク(3)は、マスクホルダα2で保持さ
れ、プリント基板(1)K対して平行均一な所定の空隙
、例えば0.011111〜10絹をもって配される。This exposure mask (3) is held by a mask holder α2 and arranged parallel to the printed circuit board (1) K with a predetermined uniform gap, for example, 0.011111 to 10 mm.
この場合、マスクホルダu7Jは基台(101に固定さ
れた油圧シリンダ(13に接続され、この油圧シリンダ
(131によりその高さ位置、従って露光用マスク(3
)の高さ位置が変えられる。In this case, the mask holder u7J is connected to a hydraulic cylinder (13) fixed to the base (101, and this hydraulic cylinder (131 controls the height position of the exposure mask (3).
) can be changed.
また、この露光用マスク(3)は、本例の場合、ノ々イ
レツクスガラス(登録商標)あるいは石英ガジスが用い
られる。例えばノ卆イルツクスガラスの透過特性は第4
図に示すよう表わされる。また、光源として使用される
例えば高圧水銀ラングのエネルギー分布は、第5図に示
すように表わされる。Further, in this example, the exposure mask (3) is made of Nonoirex glass (registered trademark) or quartz glass. For example, the transmission properties of the new Irx glass are 4th
It is represented as shown in the figure. Further, the energy distribution of, for example, a high-pressure mercury rung used as a light source is expressed as shown in FIG.
パイレックスガラスを用いることによシ、有効成分であ
る300nm〜400nmの波長を生かすことができ、
ポリエステルフィルムや一般ガラスを用いる場合に比べ
、釣機の露光時間ですむ利点がある。By using Pyrex glass, the wavelength of 300 nm to 400 nm, which is an active ingredient, can be utilized.
Compared to using polyester film or general glass, this method has the advantage of requiring only the exposure time of a fishing machine.
また、第2図、第3図に戻ってIは甑密シーリングであ
シ、プリント基板(1)の周シを囲むようKX−Yテー
ブル(lυ上に配され、プリント基板(1)の周囲は気
密保持可能な空間(6)とされる。Returning to Figures 2 and 3, I is a voltage-tight seal, which is placed on a KX-Y table (lυ) to surround the periphery of the printed circuit board (1). is a space (6) that can be kept airtight.
また、(151は窒素ガス供給路、(1Gは空気供給路
、顛は窒素ガス及び空気の切換えのための電磁パルプで
あシ、この’hri1パルプαηよシ得られる窒素ガス
あるいは空気は供給路αeを介し、X−Yテーブル(l
υの隙を介して吹き出し口α9よシ空間(6)内に吹き
出される。また、■はX−Yテーブル(lυに形成され
た窒素ガスあるいは空気の排出口(基板の吸1 着も
兼76げあシ・こ0排出口(ト)゛ら0窒素′スあるい
は空気は排出路Qυを介し電磁パルプ@を介して排出ポ
ンプに供給される。この場合、電磁パルプ@は排出時の
み開かれる。In addition, (151 is a nitrogen gas supply path, (1G is an air supply path, and 1G is an electromagnetic pulp for switching between nitrogen gas and air. X-Y table (l
The air is blown out through the air outlet α9 into the space (6) through the gap υ. In addition, ■ is a nitrogen gas or air outlet formed on the X-Y table (lυ). The electromagnetic pulp @ is supplied to the discharge pump via the discharge channel Qυ. In this case, the electromagnetic pulp @ is opened only during discharge.
また、(9)は紫外線の平行エネルギー光線であシ、露
光用マスク(3)を介して感光性レジスト(2)上を照
射露光できるようにされる。Further, (9) is made to be able to irradiate and expose the photosensitive resist (2) with a parallel energy beam of ultraviolet light through an exposure mask (3).
以上の装置において、露光は以下のような工程でなされ
る。In the above apparatus, exposure is performed in the following steps.
まず、X−Yチーブルミυ上K、感光性レジスト(2)
で被覆されたプリント基板(1)がセットされ、露光用
マスク(3)とのX−Y方向の位置が合せられると共に
、露光用マスク(3)の高さ位置が調整される。First, X-Y Chi Lumi υ K, photosensitive resist (2)
The printed circuit board (1) coated with is set and aligned with the exposure mask (3) in the X-Y direction, and the height position of the exposure mask (3) is adjusted.
次に、電磁パルプ顛の切換えで、空間(6)内に吹出口
α9よシ窒素ガスが吹き出される。この場合、電磁パル
プのは最初開かれて、空間(6)内の空気が排出され、
空間(6)内が窒素ガスで充填されると閉じられる。Next, by switching the electromagnetic pulp type, nitrogen gas is blown into the space (6) through the blow-off port α9. In this case, the electromagnetic pulp is first opened and the air in the space (6) is discharged,
When the space (6) is filled with nitrogen gas, it is closed.
次K、空間(6)内が窒素ガスで充填された状態、即ち
窒素ガス雰囲気中において、平行エネルギー光線(9)
が露光用マスク(3)を介して感光性レジスト(2)上
に照射され1.−欠露光される。、この場合、第1図A
K示すように、感光性レジスト(2)の表面部5分のみ
硬化される。Next K, in a state where the space (6) is filled with nitrogen gas, that is, in a nitrogen gas atmosphere, the parallel energy beam (9)
is irradiated onto the photosensitive resist (2) through the exposure mask (3) and 1. - Missing exposure. , in this case, Figure 1A
As shown in K, only 5 minutes of the surface of the photosensitive resist (2) is cured.
次に、!磁パルプαηの切換えで、空間(6)内に吹出
口a9よシ空気が吹き出される。この場合、電磁パルプ
@は最初開かれて、空間(6)内の窒素ガスが排出され
、空間(6)内が空気で充填されると閉じられる。next,! By switching the magnetic pulp αη, air is blown into the space (6) through the air outlet a9. In this case, the electromagnetic pulp @ is first opened, the nitrogen gas in the space (6) is exhausted, and the space (6) is filled with air and then closed.
次に、空間(6)内が空気で充填された状態、即ち゛
空気雰囲気中において、平行エネルギー光線(9)が
露光用マスク(3)を介して感光性レジスト(2)上に
照射され、二次露光される。この場合、第1図Bに示す
ように感光性レジスト(2)の底部まで硬化される。そ
してこの場合、感光性レジスト(2)の表面の光が当た
るべきでないところK、散乱光や反射光があたったとし
ても、酸素阻害を受けるためにほとんど硬化しない。Next, the space (6) is filled with air, that is,
In an air atmosphere, a parallel energy beam (9) is irradiated onto the photosensitive resist (2) through an exposure mask (3) for secondary exposure. In this case, as shown in FIG. 1B, the photosensitive resist (2) is hardened to the bottom. In this case, even if scattered light or reflected light hits areas on the surface of the photosensitive resist (2) that should not be exposed to light, they are hardly cured due to oxygen inhibition.
以上のようにして露光がなされ、プリント基板(1)上
に所定のパターン潜像が得られる。Exposure is performed as described above, and a predetermined pattern latent image is obtained on the printed circuit board (1).
尚、第6図は実際に露光、現像した後の、第7図に示す
ような理想とのずれ量αを示したものである。この場合
、露光用マスク(3)の暗部(3a)の幅は240μm
、感光性レジスト(2)の絢7け35〜40μm、そし
て平行エネルギー光# (9)が1 m wの例である
。Incidentally, FIG. 6 shows the amount of deviation α from the ideal as shown in FIG. 7 after actual exposure and development. In this case, the width of the dark part (3a) of the exposure mask (3) is 240 μm.
, the thickness of the photosensitive resist (2) is 35 to 40 μm, and the parallel energy light # (9) is 1 mw.
そして第6図において、rOJはαが±ioAm未満、
「Δ」はαが±10〜20μm、「×」は±20μm以
上である。また、「CuJは回路・臂ターン上でのデー
タであル、「基」はその他の基板上でのデータである。In FIG. 6, rOJ has α less than ±ioAm,
“Δ” means α is ±10 to 20 μm, and “×” means ±20 μm or more. Furthermore, ``CuJ'' is data on the circuit/arm turn, and ``Group'' is data on other substrates.
また「−」は負を示し、その他は正を示している。尚、
窒素ガス雰囲気中での一次露光が2 secのときは未
硬化であった。この第6図においては、黒太線枠内が解
像度の上で効果的である。Moreover, "-" indicates negative, and the others indicate positive. still,
When the primary exposure in a nitrogen gas atmosphere was for 2 seconds, it was not cured. In FIG. 6, the area within the thick black line frame is effective in terms of resolution.
尚、上述実施例における、窒素ガスは、例えば2酸化炭
素ガス等の酸素を含まないものでもよく、また上述実施
例における空気は酸素でもよい。また、活性ガス及び非
活性ガスを切換充填する手段は上述実施例に限られるも
のでないことは勿論である。Note that the nitrogen gas in the above embodiments may be one that does not contain oxygen, such as carbon dioxide gas, and the air in the above embodiments may be oxygen. Further, it goes without saying that the means for selectively filling active gas and inactive gas is not limited to the above embodiment.
以上述べたように、第1の発明パターン形成方法によれ
ば、感光性レジスト上を非活性ガス(例えば窒素ガス)
雰囲気中で露光する一次露光及び活性ガス(例えば空気
)雰囲気中で露光する二次露光の工程を有するものであ
シ、−吹霧光の工程で露光時間の短縮化が図られると共
に、二次露光の工程が存在するため高解像度のレジスト
像を得ることができる。例えば、従来の窒素雰囲気中だ
けでの露光においては、感光性レジストが35〜40p
mの膜厚で、0.5 jL1パターン/ 0.511
ス硬−スが限界であったが、本発明方法においては、Q
、lxmパターン/ 0.1龍スイースが可能である。As described above, according to the first invention pattern forming method, the photosensitive resist is coated with an inert gas (for example, nitrogen gas).
It has the steps of primary exposure in an atmosphere and secondary exposure in an active gas (e.g. air) atmosphere. Since there is an exposure step, a high-resolution resist image can be obtained. For example, in conventional exposure only in a nitrogen atmosphere, the photosensitive resist is 35 to 40p
m film thickness, 0.5 jL1 pattern/0.511
The hardness of the base was the limit, but in the method of the present invention, Q
, lxm pattern/0.1 dragon sweep is possible.
また、第2の発明露光装置によれば、露光用マスクをプ
リント基板に対して平行均一な所定の空隙をもって配し
、また、プリント基板の周囲を気密保持可能な空間とす
ると共沈、この空間に対し非活性ガス及び活性ガスを切
換充填する手段を設けてなるものであシ、非活性ガス雰
囲気中で露光する一次露光及び活性ガス雰囲気中で露光
する二次露光の工程を行なうことができ、上述第1の発
明パターン形成方法の実施に直接使用し得る。しかも、
空間の体積が小さいのでガスの切換充填が効率的に行な
える利益がちる。According to the exposure apparatus of the second invention, if the exposure mask is arranged parallel to the printed circuit board with a uniform predetermined gap, and the space around the printed circuit board is made airtight, coprecipitation occurs. This device is equipped with a means for selectively filling an inert gas and an active gas in the inert gas atmosphere, and can carry out the steps of primary exposure in an inert gas atmosphere and secondary exposure in an active gas atmosphere. , can be directly used to implement the above-mentioned first invention pattern forming method. Moreover,
Since the volume of the space is small, there is an advantage that gas switching and filling can be carried out efficiently.
第1図は第1の発明パターン形成方法の説明のための図
、第2図及び第3図は夫々第1及び第2の発明の実施例
を示す構成図、第4図〜第7図は夫々その説明のための
図、第8図は従来技術を示す構成図、第9図はその説明
のための図である。
(1)はプリント基板、(2)は感光性レジスト、(3
)は露光用マスク、(3a)は暗部、(6)は空間、(
9)は平行エネルギー光線、an及び(23は夫々電磁
バルブである。
同 松隈秀盛・・′:15
、′
第4図
第5図
→戒t(nm)
第6図
第、7図FIG. 1 is a diagram for explaining the first invention pattern forming method, FIGS. 2 and 3 are configuration diagrams showing embodiments of the first and second inventions, respectively, and FIGS. 4 to 7 are diagrams for explaining the pattern forming method of the first invention. FIG. 8 is a configuration diagram showing the prior art, and FIG. 9 is a diagram for explaining the same. (1) is a printed circuit board, (2) is a photosensitive resist, (3
) is the exposure mask, (3a) is the dark area, (6) is the space, (
9) is a parallel energy ray, an and (23 are electromagnetic valves, respectively.) Hidemori Matsukuma...':15,' Figure 4 Figure 5 → Command t (nm) Figure 6, Figure 7
Claims (1)
ント基板と上記感光性レジスト上に形成すベきパターン
を有する露光用マスクを平行均一な所定の空隙を設けて
保持し、上記露光用マスクを介して上記感光性レジスト
上を平行エネルギー光線で照射露光し、上記プリント基
板上に所定のパターン潜像を得るパターン形成方法にお
いて、上記露光は、上記感光性レジスト上を非活性ガス
雰囲気中で露光する一次露光と、活性ガス雰囲気中で露
光する二次露光とよりなることを特徴とするパターン形
成方法。 2、少なくとも一部が感光性レジストで被覆されたプリ
ント基板に対し、上記感光性レジスト上に、パターン形
成のための光源、露光用マスク等の写真手段を配してな
る露光装置において、上記露光用マスクを上記プリント
基板に対して平行均一な所定の空隙をもつて配し、上記
プリント基板の周囲を気密保持可能な空間とすると共に
この空間に対し非活性ガス及び活性ガスを切換充填する
手段を設けてなることを特徴とする露光装置。[Claims] 1. A printed circuit board at least partially covered with a photosensitive resist and an exposure mask having a pattern to be formed on the photosensitive resist are held in parallel with a uniform predetermined gap. , a pattern forming method in which the photosensitive resist is irradiated and exposed with parallel energy beams through the exposure mask to form a predetermined latent pattern image on the printed circuit board, wherein the exposure is performed without exposing the photosensitive resist to A pattern forming method comprising: primary exposure in an active gas atmosphere; and secondary exposure in an active gas atmosphere. 2. An exposure apparatus comprising a printed circuit board at least partially covered with a photosensitive resist, and a photographic means such as a light source for pattern formation and an exposure mask arranged on the photosensitive resist. A means for arranging a mask parallel to the printed circuit board with a uniform predetermined gap, creating a space around the printed circuit board that can be kept airtight, and selectively filling this space with an inert gas and an active gas. An exposure apparatus characterized by being provided with.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59173596A JPH0719058B2 (en) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | Pattern forming method and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59173596A JPH0719058B2 (en) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | Pattern forming method and exposure apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPS6151150A true JPS6151150A (en) | 1986-03-13 |
JPH0719058B2 JPH0719058B2 (en) | 1995-03-06 |
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ID=15963526
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---|---|
JP (1) | JPH0719058B2 (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02103919A (en) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Aligner |
US4971895A (en) * | 1981-10-20 | 1990-11-20 | Sullivan Donald F | Double exposure method of photoprinting with liquid photopolymers |
JP2006156507A (en) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Works Ltd | Method of exposing substrate coated with photosensitive resin |
KR100841494B1 (en) * | 2001-09-06 | 2008-06-25 | 산에이 기껜 가부시키가이샤 | Partition exposure apparatus |
US9250541B2 (en) | 2012-12-27 | 2016-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device fabrication method |
US9280050B2 (en) | 2012-12-27 | 2016-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of device fabrication |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5055333A (en) * | 1973-09-13 | 1975-05-15 | ||
JPS51120727A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Fujitsu Ltd | Photograph processing method |
JPS5340124A (en) * | 1976-09-24 | 1978-04-12 | Nissan Motor Co Ltd | Fueled-cylinder switching controller |
JPS53130030A (en) * | 1977-04-19 | 1978-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photographic etching method |
JPS57109949A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoetching method |
-
1984
- 1984-08-21 JP JP59173596A patent/JPH0719058B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5055333A (en) * | 1973-09-13 | 1975-05-15 | ||
JPS51120727A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Fujitsu Ltd | Photograph processing method |
JPS5340124A (en) * | 1976-09-24 | 1978-04-12 | Nissan Motor Co Ltd | Fueled-cylinder switching controller |
JPS53130030A (en) * | 1977-04-19 | 1978-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photographic etching method |
JPS57109949A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoetching method |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4971895A (en) * | 1981-10-20 | 1990-11-20 | Sullivan Donald F | Double exposure method of photoprinting with liquid photopolymers |
JPH02103919A (en) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Aligner |
KR100841494B1 (en) * | 2001-09-06 | 2008-06-25 | 산에이 기껜 가부시키가이샤 | Partition exposure apparatus |
JP2006156507A (en) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Works Ltd | Method of exposing substrate coated with photosensitive resin |
JP4622482B2 (en) * | 2004-11-25 | 2011-02-02 | パナソニック電工株式会社 | Method for exposing substrate coated with photosensitive resin |
US9250541B2 (en) | 2012-12-27 | 2016-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device fabrication method |
US9280050B2 (en) | 2012-12-27 | 2016-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of device fabrication |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0719058B2 (en) | 1995-03-06 |
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